「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(997ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a vehicular sound absorbing and sound insulating carpet capable of securing silence in a vehicle by exhibiting superior sound absorptivity even to noise intruded from a roof, a door and a window of the vehicle, and also to have an effect on noise and vibration entering from the lower side of a floor of the vehicle.例文帳に追加

車両の床の下側から入る騒音や振動に対して効果のあることは勿論のこと、車両の屋根、ドア、窓等から侵入した騒音に対しても優れた吸音性を発揮し、車内の静粛性を確保することのできる車両用吸音・遮音カーペットを提供するものである。 - 特許庁

This liquid crystal display device is provided with: a plurality of signal lines 22; a plurality of scanning lines; a plurality of auxiliary capacity lines 23; a plurality of switching elements; an array substrate having an insulating membrane and a plurality of pixel electrodes; an opposing substrate; a plurality of spherical spacers 32; and a liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶表示装置は、複数の信号線２２と、複数の走査線と、複数の補助容量線２３と、複数のスイッチング素子と、絶縁膜と、複数の画素電極とを有したアレイ基板と、対向基板と、複数の球状スペーサ３２と、液晶層と、を備えている。 - 特許庁

Since the insulating region serves as a barrier layer of holes injected to the n-type semiconductor layer from the p++ type semiconductor layer, even if impurity concentration of the p++ type semiconductor layer is high and its thickness is thick, the amount of holes injected into the n-type semiconductor layer can be controlled (suppressed).例文帳に追加

絶縁領域がｐ＋＋型半導体層からｎ−型半導体層に注入されるホールのバリア層となるので、ｐ＋＋型半導体層の不純物濃度が高く厚みが厚い場合でも、ｎ−型半導体層中のホール注入量を制御（抑制）可能となる。 - 特許庁

The overvoltage that can be accepted by means of the overvoltage protective element is raised by eliminating point discharge effects existing on the side edge of a signal electrode by separating the side edge of the electrode from a variable resistance material layer, so that the electrode and layer do not come into contact with each other by using an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層を使用して信号電極辺縁と可変抵抗材料層間の接触を隔離し、これにより信号電極辺縁に存在する尖端放電効果を消去し、これにより過渡過電圧保護素子が受け取ることのできる過渡過電圧を高くしたことを特徴とする。 - 特許庁

In a process chamber 10, coating films 7A, 7C which are smooth on the surface and highly in slippage and corrosion resistant to deposits are formed on the inner surface of the chamber wall 10a mainly depositing reaction products, on the inner surface of the chamber base 10b, and on the surface of the insulating pipe 3.例文帳に追加

プロセスチャンバ１０において、主に反応生成物が堆積するチャンバウォール１０ａ内面およびチャンバベース１０ｂ内面、インシュレーティングパイプ３表面に、滑らかで堆積物に対する滑り性が高く、プロセスガス、堆積物等に浸食されないコーティング膜７Ａ、７Ｃを形成する。 - 特許庁

Here, if the contact hole 32 is formed in the top gate insulating film 10 by dry etching, the top surface of the ITO film 31b is exposed, however, the top surface of the metal film 31a below it is not exposed and it is unlikely that an altered layer resulting from dry etching is formed on the metal film 31a.例文帳に追加

ここで、トップゲート絶縁膜１０にコンタクトホール３２をドライエッチングにより形成すると、ＩＴＯ膜３１ｂの上面が露出されるが、その下の金属膜３１ａの上面は露出されず、金属膜３１ａの上面にドライエッチングに起因する変質層が形成されることはない。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for producing an insulating base material which improves migration resistance only by adding a simple mechanism to the structure of an existing apparatus, or by adding a simple process to an existing process, and also to provide a method and apparatus for producing a printed wiring board.例文帳に追加

既存の装置構成に簡単な機構を追加するだけで、あるいは既存の工程に簡単な工程を追加するだけで、耐マイグレーション性を向上させることができる絶縁基材の製造装置及び方法、プリント配線板の製造装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a generation method for mask data applied to manufacture of a semiconductor device provided with an inter-layer insulating layer with an excellent embedding property between adjacent wiring layers even for a design rule of 0.13 μm generation or lower for instance, and a mask, a recording medium and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

例えば０．１３μｍ世代以下のデザインルールであっても、隣接する配線層間の埋め込み性に優れた層間絶縁層を有する半導体装置の製造に適用されるマスクデータの生成方法、マスクおよび記録媒体、ならびに半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A sheet-like heat dissipation insulator 12 is interposed between a heat sink 102 and a mounting conductor 13 in which a semiconductor element 106 is arranged, to integrate the assembly with an insulating seal 15 by a resin sealing means 11, and mounted in a cooler 103 through a conductor 14.例文帳に追加

半導体素子１０６が配置されているマウント用導電体１３と、放熱体１０２との間を、シート状放熱絶縁体１２により接続し、樹脂封止手段１１によって絶縁封止体１５に一体化し、熱伝導体１４を介して冷却器１０３に搭載する。 - 特許庁

A circuit substrate 2, mounting two or more electronic components 3 to 6 with irregular height, is accommodated in a case 1 with an opening at one end, and the circuit substrate 2, and the electronic components 3 to 6 are embedded in a resin mold 8, formed by injecting the insulating resin into the case 1.例文帳に追加

高さが不揃いな複数の電子部品３ないし６を実装した回路基板２を一端が開口したケース１内に収容し、ケース１内に絶縁樹脂を注型することにより形成した樹脂モールド部８内に回路基板２と電子部品３ないし６とを埋設する。 - 特許庁

To provide a conduit improved to such an extent that it withstands temperatures in excess of 300°C, with its heat insulating layer part not losing desired functions, even if an annular clearance is not yet evacuated, while avoiding contact between an inner pipe and an outer pipe.例文帳に追加

環状の隙間がまだ排気されていない場合でさえ、断熱層の部分が所望の機能を失うことなしに３００℃を越える温度に導管が耐えることができる程度にまで改善され、さらに内側管と外側管の接触が回避された導管を提供する。 - 特許庁

The circuit board is equipped with wiring layers which are electrically connected together through vias formed by compression of conductive paste, the insulating layer with the via is formed of the porous sheet 102 and the resin layer 103, and it is preferable that the pores of the porous sheet 102 are smaller than conductive particles.例文帳に追加

この回路基板は、導電性ペーストを圧縮してビアを形成し配線層間の電気的接続を確保する回路基板であり、ビアを備えた絶縁層が多孔質シート102と樹脂層103とからなり、かつ多孔質シート102の細孔が導電性粒子より小さいことが好ましい。 - 特許庁

A transmission line 4a formed on a metallic material is arranged on the surface of an insulating layer constituted of a ceramic film 2a formed of a ceramic material, and a resin film 3a formed of a resin material having a conductivity lower than that of the ceramic film 2a.例文帳に追加

セラミック材料にて形成されたセラミック膜２ａとセラミック膜２ａより誘電率が低い樹脂材料にて形成された樹脂膜３ａとから構成された絶縁層の表面に、金属材料にて形成された伝送線路４ａを配置したことを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, on the surfaces of a metal support substrate 2, a base insulating layer 3 and the conductor pattern 4, a semiconductive layer 5 composed of an oxidized metal is formed by sputtering from the upper part in the thickness direction of the conductor pattern 4 so as to form a cut 10 at the side etching part 9.例文帳に追加

その後、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面および導体パターン４の表面に、導体パターン４の厚み方向上方からのスパッタリングにより、酸化金属からなる半導電性層５を、サイドエッチング部分９に切り目１０が形成されるように、形成する。 - 特許庁

To effectively avoid a delay time change in a logic circuit formed of TFTs by applying this invention to, for instance, a liquid display unit having an integral structure composed of an insulating board and a drive circuit formed thereon as to a delay time correction circuit, a video data processing circuit, and a flat display device.例文帳に追加

本発明は、遅延時間補正回路、ビデオデータ処理回路及びフラットディスプレイ装置に関し、例えば絶縁基板上に駆動回路を一体に形成した液晶表示装置に適用して、ＴＦＴ等による論理回路において遅延時間の変化を有効に回避することができるようにする。 - 特許庁

In this way, since it is made difficult for an electron 42 to reach the upper electrode film 93 when the upper electrode film 93 is formed, the percentage of occurrence of the electrostatic discharge of the insulating film 92 resulting from the charges accumulated on the upper electrode film 93 can be reduced.例文帳に追加

このようにして、上部電極膜９３を形成する際に、上部電極膜９３に電子４２が到達し難くしているので、上部電極膜９３に蓄積された電荷を原因とする絶縁膜９２の静電破壊の発生率を低下させることができる。 - 特許庁

An oxygen barrier layer 108A connected to the upper end of the plug 107 is formed on the first protective insulation film 103, and the oxygen barrier layer 108A is composed of multiple nitride which is the mixture of a first conductive nitride and a second insulating nitride or an alloy.例文帳に追加

第１の保護絶縁膜１０３の上には、プラグ１０７の上端と接続する酸素バリア層１０８Ａが形成されており、該酸素バリア層１０８Ａは、導電性を有する第１の窒化物と、絶縁性を有する第２の窒化物との混合物又は合金である複合窒化物からなる。 - 特許庁

To provide a machining method in removing resin in a continuous wide-ranging area at an efficient machining speed without leaving resin on the processed surface after the removal, in removing a specific part of the resin layer whose main composition is polyimide suitable for the insulating resin layer of a wiring board.例文帳に追加

配線板の絶縁性樹脂層に適したポリイミドを主成分とする樹脂層の特定部分の除去加工に際して、連続した広い範囲の樹脂の除去を、効率的な加工速度で、かつ除去加工後の処理面に樹脂を残すことなく加工する方法を提供する。 - 特許庁

When the circuit 3 confirms that the voltage Vp of the solar battery 1 is sufficient or the other inverter actuating condition than the state of a power system 7 is satisfied, the circuit 3 closes a system voltage detecting relay 10 and connects the system 7 to the circuit 3 via an insulating transformer 5 for monitor.例文帳に追加

制御回路３は、太陽電池１の電圧Ｖｐが充分であることや系統状態以外のインバータ起動条件が満たされることを確認すると系統電圧検出リレー１０を閉じ、商用系統７をモニタ用絶縁トランス５を介して制御回路３に接続する。 - 特許庁

The insulating case 3 covering the power circuit 1 is opened in the protruding direction of the fuse connecting terminal 17 so that fuse terminals 50 can be mounted from the outside of the insulation case 3 at the distal end mounting part 15c of the fuse connecting terminal 15 disposed in the insulation case 3.例文帳に追加

電力回路部１を覆う絶縁ケース３はその内部に配置されているヒューズ接続端子１５の先端装着部１５ｃに絶縁ケース３の外側からヒューズ端子５０を装着することができるようにヒューズ接続端子１５の突出方向に開放される。 - 特許庁

An HBT 1 includes a semi-insulating InP substrate 2, a buffer layer 30 formed on the substrate 2, a subcollector layer 40 formed on the buffer layer 30, a collector layer 80, a base layer 90, an emitter layer 100, and an emitter contact layer 110 formed on the emitter layer 100.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、半絶縁性のＩｎＰ基板２と、同基板２上に形成されたバッファ層３０と、バッファ層３０上に形成されたサブコレクタ層４０と、コレクタ層８０と、ベース層９０と、エミッタ層１００と、エミッタ層１００上に形成されたエミッタコンタクト層１１０とを有する。 - 特許庁

A sensor 14, comprising at least a pair of electrodes 20 for detecting moisture formed on the surface of a film-like insulating base material 18, a sheet material 22 covering the surface of the electrodes 20 and having moisture absorptivity, and a connection part 24 connected to the electrodes 20, is installed.例文帳に追加

フイルム状の絶縁性基材１８の表面に形成され、水分を検知する少なくとも１対の電極２０と、この電極２０の表面を被覆し水分の吸収性を有するシート材２２と、電極２０に接続した接続部２４とからなるセンサ１４を設ける。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in high resolution, heat resistance, adhesion, electrical properties, thermal shock resistance, PCT resistance and electroless plating resistance required as a solder resist and an interlayer insulating material of a printed wiring board and as an electroless plating resist and having good storage stability.例文帳に追加

プリント配線板のソルダーレジストや層間絶縁材料、無電解めっきレジストとして要求される高解像度、耐熱性、密着性、電気特性、耐熱衝撃性、耐ＰＣＴ性、耐無電解めっき性に優れ、かつ保存安定性の良い感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

In the air conditioning heat exchanger 1 of sensible heat exchange type, the bellows hose 10 with major diameter is formed of a material having heat insulating property, and the one or more bellows hoses 20 with minor diameter are formed of metal.例文帳に追加

顕熱交換タイプの前記空調用熱交換器１は、大口径で一本の蛇腹ホース１０は断熱性の高い材質からなり、また、小口径で一本または複数の蛇腹ホース２０は金属製を特徴とする顕熱交換タイプの空調用熱交換器１としている。 - 特許庁

Reflected electron coefficients are made smaller according as the atom weight of a colliding object is getting smaller, so that the repeated collision of the reflected electrons 9 with the low atom weight member 10 can result in the sharp decrease of the number of reflected electrons and the extreme reduction of reflected electrons reaching an insulating insulator 2.例文帳に追加

反射電子係数は、衝突する物体の原子量が小さいほど小さいので、低原子量部材１０との衝突を繰り返すことにより、急激に反射電子の数が減少し、結局、絶縁碍子２に到達する反射電子は極端に少なくなる。 - 特許庁

The wiring 9 composed of a first metal layer 9a composed of an aluminum film or an aluminum alloy film and a second metal layer 9b composed of a silver film or a silver alloy film patterned in the same shape as that of the first metal layer 9a is formed on a second interlayer insulating film 8.例文帳に追加

第２層間絶縁膜８上には、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜からなる第１の金属層９ａ及び第１の金属層９ａと同一形状にパターン化された銀又は銀合金からなる第２の金属層９ｂからなる配線９が形成されている。 - 特許庁

The seed layer is formed on the side wall of the opening where at least a barrier film is formed, and on the upper surface of the insulating film by an ionization PVD device having a chuck that is subjected to RF bias application for accelerating a target where power for plasma formation is applied and an ion.例文帳に追加

少なくともバリヤ膜が形成されたオープニングの側壁および絶縁膜の上部面にシード層を形成し、シード層はプラズマ形成用の電力が印加されるターゲットとイオンを加速するためのＲＦバイアス印加されるチャックを備えるイオン化ＰＶＤ装置を使用して形成する。 - 特許庁

Also, especially, even if an organic substance such as photoresist residue is present on the gate electrode 11, it is removed by light etching, thus preventing the gate insulating film 12 from becoming a film that has taken in the organic substance, and hence improving the off characteristics of the thin-film transistor.例文帳に追加

また、特に、ゲート電極１１上にフォトレジスト残渣などの有機物質があっても、ライトエッチングにより除去されるので、ゲート絶縁膜１２がこの有機物質を取り込んだ膜とはならないようにすることができ、ひいては薄膜トランジスタのオフ特性を向上することができる。 - 特許庁

Further, a metal resinate is added to the electrode paste 22, so that the deterioration of the function of the internal electrode layer 14 when the insulating BaTiO_3 powder is added to the electrode paste 22, is significantly suppressed, and the temperature of starting the sintering of the internal electrode layer approaches that of the green sheet 20.例文帳に追加

また、電極ペースト２２には金属レジネートが添加されているため、電極ペースト２２に絶縁性のＢａＴｉＯ_３粉末を添加した場合における内部電極層１４の機能劣化が有意に抑制されており、またその焼結開始温度はグリーンシート２０の焼結開始温度に近づく。 - 特許庁

An element electrode width is formed and made narrow partly in a connecting area for element electrodes 2, 3, with a scanning wiring 6 and a signal wiring 4, and an insulating layer 5 which insulates the scanning wiring 6 and the signal wiring 4 is extended to cover the narrow parts of the above element electrodes 2, 3.例文帳に追加

素子電極２，３と走査配線６，信号配線４との接続領域において素子電極幅を部分的に細く形成し、走査配線６と信号配線４との絶縁を図る絶縁層５を延長して、上記素子電極２，３の幅の細い部分を覆う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an insulating member in a high yield, which is insulation-treated with an electrodeposition coating film that has highly uniform film properties, is superior in adhesiveness to a member to be insulation-treated, and further has a high level of voltage resistance and heat resistance.例文帳に追加

膜性状の均一性が高く、被絶縁処理部材に対する密着性に優れ、しかも、高度の耐電圧性及び耐熱性を有する電着被膜によって絶縁処理された絶縁部材を高い歩留まりで製造することができる、絶縁部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board and a method of manufacturing the same capable of improving adhesion strength between an insulating layer and an inkjet circuit pattern, improving a resolution by suppressing the spread of the inkjet circuit pattern, and reducing manufacturing cost by forming the circuit by the inkjet method.例文帳に追加

本発明は、絶縁層とインクジェット回路パターンとの間の接着強度を向上でき、インクジェット回路パターンの広がりを抑制して解像度を向上でき、インクジェット方法による回路形成により製造コストを節減できる印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device avoiding the problem of causing etch stop owing to reduced aperture diameters and the problem of increased contact resistance owing to reduced contact areas caused by the tapered bottom part in the case of forming a through hole by dry-etching a thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜をドライエッチングしてスルーホールなどを形成する場合、開口径が小さくなるとエッチング停止が生じる問題や底部ほど先細りして接触面積が小さくなり接触抵抗が増大する問題を回避する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulating sheet includes: a polymer whose weight average molecular weight is at least 10,000; a curable compound whose weight average molecular weight is less than 10,000, and which has an epoxy group or an oxetane group; a curing agent; a filler; and a coupling agent of a titanium base or a zircon base.例文帳に追加

本発明に係る絶縁シートは、重量平均分子量が１万以上であるポリマーと、重量平均分子量が１万未満であり、かつエポキシ基又はオキセタン基を有する硬化性化合物と、硬化剤と、フィラーと、チタン系又はジルコン系のカップリング剤とを含む。 - 特許庁

An electrically conductive film is formed on the second interlayer insulating film 9, and patterned by dry etching to form an inspection signal input pad 14b connected to the other impurity region 5b and a switching signal input pad 14a connected to the gate electrode 4b.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜９に導電膜を形成し、この導電膜をドライエッチングによりパターニングすることにより、他方の不純物領域５ｂに接続する検査信号入力用パッド１４ｂと、ゲート電極４ｂに接続するスイッチング信号入力用パッド１４ａとを形成する。 - 特許庁

A metal support substrate 2 is prepared, and metal foil 3 is formed thereupon, and a first protection layer 4 is formed of tin or a tin alloy on a surface of the metal foil 3, and a base insulating layer 5 is formed on the metal support substrate 2 to cover the first protection layer 4.例文帳に追加

金属支持基板２を用意し、その上に金属箔３を形成し、金属箔３の表面に、錫または錫合金からなる第１保護層４を形成するとともに、金属支持基板２の上に、第１保護層４を被覆するようにベース絶縁層５を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate (100), a first resistor element (103) arranged on the semiconductor substrate, a capacitance element (120) arranged so as to be superposed above the first resistor element, and an insulating film (105) arranged between the first resistor element and the capacitance element.例文帳に追加

半導体基板（１００）と、半導体基板上に配置される第１の抵抗素子（１０３）と、第１の抵抗素子の上方に重なるように配置される容量素子（１２０）と、第１の抵抗素子及び容量素子の間に配置される絶縁膜（１０５）とを有する半導体装置が提供される。 - 特許庁

To provide a cutting die for punching an insulating tape used with a thin semiconductor package suppressing the generation of wastes from cutting and for cutting a chip mounted on the tape into pieces, and a method of manufacturing a semiconductor device using the die.例文帳に追加

切断屑の発生を抑制することができる薄型半導体パッケージに使用される絶縁テープの打ち抜き加工や絶縁テープに搭載されたチップを個片に切断分離する切断金型及びこの切断金型を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The fireproof cable 1 is equipped with fireproof layers 4, 5 and an insulating layer 6 formed with the fireproof tape 7 formed by winding a semiconducting tape 3 on a conductor 2 and sticking the soft mica paper foil 9 on one side of the plastic tape 8 in order on the semiconducting tape 3.例文帳に追加

耐火電線１は、導体２の直上に半導電性テープ３を巻き付け、該半導電性テープ３の上に、プラスチックテープ８の片面に軟質集成マイカ箔９を張着した耐火テープ７によって形成される耐火層４，５及び絶縁層６をこの順で備えた。 - 特許庁

To provide the manufacturing method for an insulated stator winding of an electric rotating machine, capable of ensuring insulation of the stator winding over a prescribed service life of the electric machine by mounting a main insulating part on a conductor rod, having a square cross section.例文帳に追加

回転する電気機械の固定子巻線のための、方形横断面を有する導体ロッドに主絶縁部を設けるための方法で、固定子巻線の絶縁が電気機械の所定の耐用年数に亙って保証されるような、絶縁された固定子巻線を製造できるような方法を提供する。 - 特許庁

A CSP 10 comprises an interposer substrate 12, a bare IC chip 16 mounted on a chip pad 14 comprising a solder resist on the interposer substrate with an adhesive layer 15, a resin insulating layer 18, and a heat-radiation plate 22 bonded through an epoxy resin layer 20.例文帳に追加

本ＣＳＰ１０は、インターポーザ基板１２と、インターポーザ基板上のソルダーレジストからなるチップ・パッド１４上に接着剤層１５によって搭載されたベアＩＣチップ１６と、樹脂絶縁層１８と、エポキシ系樹脂層２０を介して接着されている放熱板２２とを備えている。 - 特許庁

To provide a heat insulating structure for a refrigerant compressor capable of improving warm water temperature and warming ability, without damaging reliability such as electric performance and by sending high-temperature high-pressure refrigerant gas compressed by the refrigerant compressor to a gas cooler and a condenser without declining the temperature.例文帳に追加

電気的特性などの信頼性を損うことなく、また、冷媒圧縮機で圧縮した高温高圧の冷媒ガスを温度低下させることなくガスクーラや凝縮器に送り込むことにより、温水温度や暖房能力を向上させることのできる冷媒圧縮機の断熱構造を提供する。 - 特許庁

Then, the battery 10 has a negative electrode 12 and a positive electrode 11 including a positive electrode first part 11a arranged at a position opposed to the negative electrode 12 while pinching an electrolyte cell, and a positive electrode third part 11c arranged on the negative electrode 12 while pinching an insulating layer 14a.例文帳に追加

電池１０は、負極１２と、電解槽を挟んで負極１２に対向する位置に配置された正極第１部分１１ａおよび負極１２の上に絶縁層１４ａを挟んで配置された正極第３部分１１ｃを含む正極１１とを有する。 - 特許庁

An electrode 17 to be connected with the P-type layer 12 as well as an electrode 18 to be connected with the channel stopper layer 14 are formed on the insulating film 16, and a high-concentration N+-type layer 19 as well as an electrode 20 to be connected with the layer 19 are formed on the rear surface of the N-type substrate 11.例文帳に追加

絶縁膜１６上にＰ型層１２と接続される電極１７、チャネルストッパ層１４と接続される電極１８が形成されＮ型基板１１の裏面には高濃度のＮ^+ 型層１９及びこのＮ^+ 型層１９に接続される電極２０が形成されている。 - 特許庁

An upper sash cover 51 and a lower sash cover 52 with heat insulating property are provided for covering the upper frame member 41 and lower frame member 42 of the existing window sash frame respectively, and the upper sash cover 51 and lower sash cover 52 are connected to the upper frame member 71 and lower frame member 72 of the new window sash frame, respectively.例文帳に追加

既設の窓サッシ枠における上枠部材４１，下枠部材４２をそれぞれ覆う断熱性の上サッシカバー５１，下サッシカバー５２が設けられ、上サッシカバー５１，下サッシカバー５２は新設の窓サッシ枠における上枠部材７１，下枠部材７２とそれぞれ繋がっている。 - 特許庁