「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(998ページ目) - Weblio英語例文検索

The IC chip 2 to which the antenna coil 1 is connected is made to instantaneously sink in the insulating varnish in the container with a wide mouth, and placed on a peeling sheet, and when the number of IC chips becomes about 100 pieces, the IC chips are successively put in a heating furnace, and extracted after heated in 60 minutes at 110 to 130°C.例文帳に追加

アンテナコイル１を接続したＩＣチップ２を、広口容器中の絶縁ワニス液中に一瞬沈めた上で引き上げ、剥離紙上に載せ、そのＩＣチップが１００個程度になったところで、順次、加熱炉に装入し、１１０〜１３０℃で６０分間加熱した後に取り出した。 - 特許庁

To provide a connector of which a worker's fingers or tools hardly come in contact with a curved part obtained by bending terminals protruded from a mold product made of an insulating material, without flexibility of the terminals aggravated, and without impairing flexibility of the curved part damaged after being bent.例文帳に追加

絶縁材から成る成形体から突出した端子を曲折することで得られる湾曲部に作業者の手指や工具等が接触し難く、端子を曲折させる際の曲折性が悪化せず、曲折させた後の湾曲部の柔軟性が損なわれないコネクタを提供する。 - 特許庁

This electrical connector has an insulating housing, a plurality of conductors 32 mounted in the housing so as to form at least two ranged pairs, a first compensation portion 52 providing first cross-talk compensation, and a second compensation portion 54 providing second cross-talk compensation.例文帳に追加

本発明による電気コネクタは、絶縁ハウジング（１２）、少なくとも２列の整列ペアを構成するように絶縁ハウジング内に取り付けられた複数の導体（３２）、第１のクロストーク補償を提供する第１の補償部分（５２）、第２のクロストーク補償を提供する第２の補償部分（５４）を有する。 - 特許庁

The front end cover frame 14 of a front-end hermetic optical cover member 38 and the frame 20 of a rear-end hermetic optical cover member 39 are hermetically joined, from a longitudinal direction, to an insulating frame 17 which supports a lens frame 16 holding a group of objective lens 15, and thereby the group of objective lenses 15 is sealed.例文帳に追加

対物レンズ群１５を保持するレンズ枠１６を支持する絶縁枠１７に対して、前後方向から先端気密光学カバー部材３８の先端カバー枠１４と後端気密光学カバー部材３９の枠２０とを気密接合し、対物レンズ群１５を密閉する。 - 特許庁

When the dew condensation water generated by the temperature difference between the inside and the outside of the commodity storage 11 goes along the wall face 32A of the heat insulating door 3 and flows toward a lower end part, the dew condensation water is guided to the just upper position of the bucket 52 via the guide member 4 and is dropped onto the bucket 52.例文帳に追加

そして、商品収容庫１１の内外の温度差により発生した結露水が、断熱扉３の壁面３２Ａに伝わって下端部に向けて流れた場合に、案内部材４を介して結露水を樋５２の直上位置に案内して樋５２に滴下する。 - 特許庁

In the organic EL display device, a TFT 6, a lower electrode 22, an insulating member 7, an organic luminous medium 21, an upper electrode 23, a sealing layer 3, a stress relaxation layer 9, a flattening layer 8, and a coloring layer 4 are formed on a support substrate 1, and a transparent substrate 5 is provided on the uppermost surface.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ表示装置は、支持基板１上に、ＴＦＴ６、下部電極２２、絶縁部材７、有機発光媒体２１、上部電極２３、封止層３、応力緩和層９、平坦化層８及び着色層４が形成され、最上面に透明基板５が設けられている。 - 特許庁

Although the second primary winding comprises an insulated and coated conductor 32H, no insulating cover is present between an inner surface of the groove 23a in the pin terminal 23 and the conductor 32H in the groove 23a and solder 33 is interposed, thus electrically connecting the conductor 32H to the pin terminal 23.例文帳に追加

第２の１次巻線は絶縁被覆された芯線３２Ｈからなるが、ピン端子２３の溝２３ａの内面と溝２３ａ内の芯線３２Ｈとの間には絶縁被覆が存在せず半田３３が介在し、このことにより、芯線３２Ｈとピン端子２３とは電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a heat-insulating returnable box with its surface being coated or being laminated with a skin being a film or a sheet, wherein the separation of the coating or the separation of the skin is avoided so as for the box to keep its appearance and decoration for a long time and to improve its durability.例文帳に追加

表面に塗装を施すか、又はフィルムやシートを表皮層として積層してなる断熱性通い箱において、塗装の剥げ落ちや表皮層の剥がれを回避して外観意匠性を長期間にわたって維持できるようにし、通い箱の耐久性を向上させる。 - 特許庁

An end portion E4 of the auxiliary electrode 150 is formed to be located on the outer side of an end portion E1 of the common electrode 72 within a plane of a substrate 10, and the end portion E1 of the common electrode 72 is formed to be located on the inner side of an end portion E2 of the second interlayer insulating film 35.例文帳に追加

補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ１よりも基板１０の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極７２の端Ｅ１は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に位置するよう形成される。 - 特許庁

Heat-insulating material members (114, 218, 318) are disposed between electrically conductive portions (110, 214, 314) and the magnetic memory cells, the magnetic elements have at least one guiding portion, extending toward the memory cells from the electrically conductive elements, and the guiding portion guides the magnetic flux, to at least a part of surroundings of the adiabatic material members.例文帳に追加

断熱材(114,218,318)は、導電性部分(110,214,314)と磁気メモリセルとの間に配置され、磁性構成要素は、少なくとも１つの誘導部分を有し、その誘導部分は、導電性構成要素から磁気メモリセルの方へ延在し、断熱材の少なくとも一部の周りに磁束を誘導する。 - 特許庁

To provide a technique by which increase in resistance and flocculation of a nickel silicide film which is formed on gate electrodes, a source region and a drain region of a MISFET can be suppressed while hydrogen, moisture or the like included in an interlayer insulating film can be efficiently eliminated.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にニッケルシリサイド膜を形成した場合に、このニッケルシリサイド膜の高抵抗化および凝集を抑制できる一方で、層間絶縁膜中に含まれる水素や水分を充分に除去できる技術を提供する。 - 特許庁

The complex substrate has an electric insulating substrate 4, an electrode layer 6 formed on the substrate 4 and a dielectric layer 8 formed on the electrode layer 6 and composed of a barium titanate ceramic sintered compact fired at a temperature of 1000°C to 3000°C.例文帳に追加

電気絶縁性の基板４と、基板４上に形成された電極層６と、電極層６の上に形成され、１０００℃超１３００℃未満の温度で焼成したチタン酸バリウムを主成分とするセラミック焼結体で構成される誘電体層８と、を有する複合基板である。 - 特許庁

The MIS compound semiconductor device is manufactured by forming an AlN film (gate insulating film) 103 composed of a nitride of a group III element on a substrate 101 provided with an epitaxial layer (semiconductor layer) 102 composed of an InP-based compound semiconductor by the ECR sputtering method.例文帳に追加

ＩｎＰ系の化合物半導体からなる半導体層エピタキシャル層（半導体層）１０２を備えた基板１０１の上に、ＥＣＲスパッタ法により、ＩＩＩ族元素の窒化物であるＡｌＮ膜（ゲート絶縁膜）１０３を形成することで、ＭＩＳ型化合物半導体装置を製造する。 - 特許庁

The power semiconductor device comprises a semiconductor element which has control wiring and external electrodes counter to each other across the control wiring on the surface of the semiconductor element, an insulating layer covering the control wiring, a connection material formed on the external electrodes, and a lead out electrode connected to the connection material.例文帳に追加

電力用半導体装置が、制御配線と制御配線を挟んで対向配置された外部電極とを表面に備えた半導体素子と、制御配線を覆う絶縁層と、外部電極上に設けられた接続材料と、接続材料に接続された引き出し電極とを含む。 - 特許庁

The CMOS image sensor comprises a color filter layer formed on a semiconductor substrate including a light sensing element region, a gate electrode, an interlayer insulating film, and metal wiring; the infrared ray interception filter formed on the color filter layer; and a microlens formed on the infrared ray interception filter layer.例文帳に追加

本発明によるＣＭＯＳイメージセンサは、光感知素子領域、ゲート電極、層間絶縁膜、金属配線を含む半導体基板上に形成されたカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層上に形成された赤外線遮断フィルタと、赤外線遮断フィルタ層上に形成されたマイクロレンズとを含む。 - 特許庁

Lithium 41 for preliminarily storing lithium ions in a negative electrode 231 is arranged in an inner bottom part of the bottomed tubular metallic negative electrode can 10 along with an electrically insulating spacer member 50 having openings 51 piercing in the thickness direction, and the lithium 41 is short-circuited to the negative electrode 231.例文帳に追加

負極２３１へリチウムイオンを予備吸蔵させるためのリチウム金属４１を、厚み方向に抜ける開口部５１を有する電気絶縁性スペーサ部材５０とともに、有底筒状の金属製負極缶１０の内底部に配置し、そのリチウム金属４１を負極２３１と短絡させる。 - 特許庁

The electrically conductive film-forming powder coating is used for coating articles through electrostatic coating method and is prepared by granulating an electrically conductive powder 1 such as graphite, etc., using an insulating resin 2 such as an epoxy resin, etc.例文帳に追加

静電塗装方法により物品を塗装するための導電性被膜形成用の粉体塗料であって、グラファイト等の導電性粉体１をエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂２を用いて造粒したことを特徴とする導電性被膜形成用の粉体塗料である。 - 特許庁

In the heat insulating board, on at least one side of a phenol foam layer, a synthetic resin fabric or a nonwoven fabric coated with a styrene-butadiene, acrylic, or polyvinylidene chloride polymer latex having waterproofing properties and dampproofing properties is laminated with the surface coated with the latex made an outer surface.例文帳に追加

フェノールフォーム層の片面或は両面に防水性、防湿性を有するスチレンブタジエン系、アクリル系またはポリ塩化ビニリデン系ポリマーラテックスをコーティングした合成樹脂織布または不織布をポリマーラテックスコーティング面を外表面にして積層して構成したことを特徴とした断熱ボードとする。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises steps of: forming a silicon oxide film 3a on the surface of a silicon substrate 1 by processing the surface of a silicon substrate 1 with ozone gas solution; and forming a high-permittivity insulating film 36 on the silicon oxide film 3a.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の表面をオゾンガス溶解液で処理することにより、シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜３ａを形成する工程と、シリコン酸化膜３ａ上に高誘電率絶縁膜３ｂを形成する工程とを具備する。 - 特許庁

A loophole pattern 1071 is formed on the shield electrode 107 formed under the sealing material 20, thereby the deterioration in the adhesive strength between the shield electrode 107 and each of an inorganic passivation film 106 for sandwiching the shield electrode and an upper insulating film 109 can be prevented.例文帳に追加

また、シール材２０の下に形成されたシールド電極１０７には抜きパターン１０７１が形成されているので、シールド電極１０７と、それをサンドイッチする無機パッシベーション膜１０６および上部絶縁膜１０９との間の接着強度の低下を防止することが出来る。 - 特許庁

The film is patterned in such a way that taper length at an end of the CrSi film 3 with which a laser beam is to be irradiated becomes length in which laser trimming is realized with the laser energy value lower than that by which the insulating film and the semiconductor substrate are cracked in later laser trimming.例文帳に追加

このとき、後に行うレーザートリミングにて、レーザー光が照射される予定のＣｒＳｉ膜３の端部におけるテーパー長が、絶縁膜や半導体基板に亀裂が入るレーザーエネルギー値よりも低いレーザーエネルギー値にてレーザートリミングを行うことができる長さとなるようにパターニングする。 - 特許庁

An insulating spacer 13 is arranged between the both electrodes 11, 12, and the lower part film electrode 11 and the upper part film electrode 12 are mutually opposed to each other through a gap formed by the insulation spacer 13 in the region where the insulation spacer 13 is not arranged.例文帳に追加

両電極１１、１２の間には、絶縁スペーサ１３が配置されており、下部フィルム電極１１と上部フィルム電極１２は、絶縁スペーサ１３が配置されていない領域において、絶縁スペーサ１３によって形成された間隙を介して互いに対向している。 - 特許庁

The copper insulation bonding wire is characterized in that an insulating film of a thermosetting resin containing a 50 to 200 nm thick thermosetting copolymer type polyimide resin as a main component is formed on the surface of a copper fine wire via a 10 to 100 nm thick palladium thin film layer.例文帳に追加

銅極細線の表面に１０ｎｍ〜１００ｎｍ厚のパラジウム薄膜層を介して５０ｎｍ〜２００ｎｍ厚の熱硬化性共重合形ポリイミド樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂からなる絶縁性被膜が形成されていることを特徴とする銅絶縁ボンディングワイヤ。 - 特許庁

A resistor belt 7 made by folding in V shape a long resistor 71 made of a metal electrothermal member of a nickel-chromium alloy or the like against a strip-of-paper insulating plate 70 made of plastic resin or the like is connected to a flexible board 19 by spot welding inside the battery pack 1.例文帳に追加

パック電池１の内部において、プラスチック樹脂等からなる短冊状体絶縁板７０に対し、ニッケルクロム合金等の金属製電熱部材からなる長尺抵抗体７１をＶ字状に折り返してなる抵抗帯７をフレキシブル基板１９にスポット溶接により接続して用いる。 - 特許庁

In this organic active element, an organic semiconductor layer 6 is formed between independently formed first and second electrode layers (source and drain electrodes) 4 and 5, and the semiconductor layer 6 and a third electrode layer (gate electrode) 2 hold an organic electrical insulating layer 3 between them.例文帳に追加

独立して形成される第一の電極層（ソース電極）４と第二の電極層（ドレイン電極）５との間に有機半導体層６が形成され、そして、前記有機半導体層６及び第三の電極層（ゲート電極）２が有機電気絶縁層３を狭持してなるものとなっている。 - 特許庁

This heat insulating material is characterized in that; a fiber accumulation is formed of matrix fibers and binder fibers; portions among the matrix fibers are partially bonded to each other with the binder fibers; and a mildewproofing agent adheres to 1-10 wt.% of the fiber accumulation.例文帳に追加

マトリックス繊維とバインダー繊維からなる繊維集積体であって、上記マトリックス繊維がバインダー繊維により繊維間の一部で接着されているとともに、防黴剤が繊維集積体の１〜１０重量％の範囲内で付着されていることを特徴とする断熱材。 - 特許庁

A microcrystal semiconductor film is formed by laser treatment by growing a crystal using a crystal nucleus as a seed after forming the crystal nucleus using fluorine-based gas (SiF4) and silane in order to remove an amorphous layer formed on an interface between a microcrystal semiconductor film and an insulating film under the microcrystal semiconductor film.例文帳に追加

微結晶半導体膜と、その下層の絶縁膜との界面に形成される非晶質層を除くため、フッ素系ガス（ＳｉＦ４）及びシランを用いて結晶核を形成した後、結晶核を種として結晶成長させ、レーザ処理にて微結晶半導体膜を形成する。 - 特許庁

A grout can of the tension end part structure of the prestressed concrete structure is formed from a transparent material, desirably, a transparent and electrical insulating material, and grout is surely filled, while visually confirming the introducing/filling condition of the grout into the grout can from outside of the grout can.例文帳に追加

プレストレスコンクリート構造物の緊張端部構造におけるグラウトキャンを透明性材料、特に好ましくは透明性で電気絶縁性の材料で構成し、グラウトキャンの外側からグラウトキャン内へのグラウトの導入・充填状態を目視・確認しながら、グラウト充填を確実に行う。 - 特許庁

The photocoupler having a light emitting element and light receiving elements optically coupled with each other has the light emitting element provided on an insulating layer formed on a semiconductor substrate and the Light receiving elements formed on the semiconductor substrates while surrounding the light emitting element.例文帳に追加

発光素子と受光素子とが光学的に結合されるフォトカプラにおいて、発光素子は半導体基板上に形成された絶縁層上に設けられ、受光素子は半導体基板に複数個形成され、発光素子の周囲を取り囲むように配置されることを特徴とするフォトカプラ。 - 特許庁

The memory strings 100 have a columnar semiconductor CLmn extending perpedicularly to a substrate, a plurality of charge storage layers formed around the columnar semiconductor CLmn through an insulating film, and a drain side selection gate wire SGD which consists a transistor contacting the columnar semiconductor CLmn.例文帳に追加

メモリストリングス１００は、基板に対して垂直方向に延びる柱状半導体ＣＬｍｎと、柱状半導体ＣＬｍｎの周りに絶縁膜を介して形成された複数の電荷蓄積層と、柱状半導体ＣＬｍｎと接してトランジスタを構成するドレイン側選択ゲート線ＳＧＤを有する。 - 特許庁

In the semiconductor tape 1, inorganic particles 3 consisting of at least one kind selected from layered clay mineral based particles, oxide based particles and nitride based particles, and conductive particles 4 are held in a fibrous insulating substrate 5 by thermosetting resin 2.例文帳に追加

本発明の半導電性テープ１は、層状粘土鉱物系粒子、酸化物系粒子及び窒化物系粒子のうちから選ばれた少なくとも１種からなる無機粒子３と、導電性粒子４とが熱硬化性の樹脂２により繊維状絶縁基材５に保持されている。 - 特許庁

The electrochromic display element is characterized in that electrode layers are formed on surfaces of at least one pair of opposite substrates, a porous film is formed of an insulating substance on at least one electrode layer, and an electrolyte containing electrochromic coloring matter is charged between the opposite substrates.例文帳に追加

少なくとも一組の対向する基板の表面に電極層が施され、少なくとも一方の電極層上に、絶縁性物質による多孔質の膜が形成され、前記対向する基板の間にエレクトロクロミック色素を含む電解質を充満させることを特徴とするエレクトロクロミック表示素子。 - 特許庁

Then, for example, a tungsten film is grown, and further the tungsten film and a low permittivity insulating film are flattened until the surface of a TEOS silicon oxide film 19 is exposed, and a gate electrode 15 is embedded within the trench 121 (h).例文帳に追加

その後、図１２（ｈ）に示すように、例えば、タングステン膜を成膜し、さらに、例えばＣＭＰ法によって、タングステン膜及び低誘電率絶縁膜をＴＥＯＳ系シリコン酸化膜１９の表面が露出するまで平坦化し、溝部１２１の内部にゲート電極１５を埋め込み形成する。 - 特許庁

The multilayer printed circuit board comprises a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer laminated and formed on both surfaces of a substrate, and the optical waveguide formed on the substrate and the circuit board further comprises an elastic material layer formed between the substrate and the optical waveguide.例文帳に追加

基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されるとともに、上記基板上に光導波路が形成された多層プリント配線板であって、上記基板と前記光導波路との間に弾性材層が形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

The field electron emission element is fabricated by fabricating a catalytic metal layer for carbon nanotubes, an insulating layer, and a laminated film of metal layers in this order on a substrate, providing an opening exposing the catalytic metal layer for carbon nanotubes by photolithography and dry etching, and developing carbon nanotubes.例文帳に追加

基板上にカーボンナノチューブの触媒金属層と絶縁層と金属層の積層膜とをこの順番に作製し、その後フォトリソグラフィーとドライエッチングによりカーボンナノチューブの触媒金属層を露出させる開口を設け、カーボンナノチューブを成長し電界電子放出素子を作製する。 - 特許庁

The secondary battery comprises an electrode group consisting of a first electrode and a second electrode wound or laminated only via a porous insulating layer having heat resistance between the first electrode and the second electrode, and a first current collecting board electrically connected to the first electrode.例文帳に追加

本発明の二次電池は、第１電極と、第２電極とを、第１電極と第２電極との間に耐熱性を有する多孔質絶縁層のみを介して、捲回または積層してなる電極群と、第１電極と電気的に接続された第１集電板とを具備する。 - 特許庁

The sound signal processing circuit is constituted by using an input circuit, feedback circuit, smoothing circuit, etc., constituted by using a chip capacitor having a small mounted area and a thin-film resistor provided on an insulating substrate.例文帳に追加

本発明の音声信号処理回路は実装面積の小さなチップコンデンサを用い、且つ、絶縁基板上の薄膜抵抗を用いて、入力回路、帰還回路、平滑回路などを構成し、それらを用いて信号処理回路を構成することによって、面積の小さな音声信号処理回路を提供する。 - 特許庁

In the window covering sheet comprising at least two resin films and having spacers for forming an air layer between respective resin films, the resin film positioned on indoor side is a heat insulating resin film applied with a far infrared reflecting film on one face.例文帳に追加

少なくとも２枚の樹脂フィルムからなり、各樹脂フィルムの間に空気層を形成するためのスペーサーを有する窓貼りシートであって、室内側に位置する前記樹脂フィルムが、片面に遠赤外線反射膜を施してなる断熱樹脂フィルムであることを特徴とするものである。 - 特許庁

An HFET 10 has a source electrode 16, a drain electrode 17, and a gate electrode 18 formed on an electron supply layer 14, an insulating film 19 to insulate between these electrodes, and a mesa structure 23 formed in the portion where element separation of the semiconductor layer 22 is carried out.例文帳に追加

ＨＦＥＴ１０は、電子供給層１４上に形成されたソース電極１６、ドレイン電極１７およびゲート電極１８と、各電極間を絶縁する絶縁膜１９と、半導体層２２の素子分離される部分に形成されたメサ構造２３を有する。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor includes a lower electrode 15a having a laminate structure of a titanium film 12 and an iridium film 13 formed in order on an insulating film 10b, a ferroelectric film 16a formed on the lower electrode 15a, and an upper electrode 17a formed on the ferroelectric film 16a.例文帳に追加

絶縁膜１０ｂの上に順に形成されるチタン膜１２とイリジウム膜１３の積層構造を有する下部電極１５ａと、下部電極１５ａの上に形成された強誘電体膜１６ａと、強誘電体膜１６ａ上に形成された上部電極１７ａとを含む。 - 特許庁

A plurality of electrodes 14a and 14b having electrically isolated conductive structures are arranged insularly on a diaphragm 10 through an insulating film 11 and the diaphragm 10 is deformed through electrostatic attraction generated between the electrodes 14a and 14b.例文帳に追加

振動板１０には絶縁膜１１を介して電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極１４ａ、１４ｂを島状に配置して設け、電極１４ａ、１４ｂ間で発生する静電引力で振動板１０を変形させる。 - 特許庁

A second base insulating stressor film 17 where stress distortion is caused in a channel region of the lower part of the full silicide gate electrode 24A in the semiconductor substrate 1 is formed on the semiconductor substrate 1, so that it covers at least the full silicide gate electrode 24A.例文帳に追加

半導体基板１上には、該半導体基板１におけるフルシリサイドゲート電極２４Ａの下側部分のチャネル領域に応力歪みを生じさせるストレッサ膜である第２の下地絶縁膜１７が、少なくともフルシリサイドゲート電極２４Ａを覆うように形成されている。 - 特許庁

Diffraction gratings 13a, 13b are disposed on the partial region of the layer 4, an insulating film 16 is disposed on the layer 8 corresponding to the grating 13a to prevent the injection current from flowing to the grating 13a.例文帳に追加

また、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４の一部領域において回折格子１３ａ、１３ｂを配置し、回折格子１３ａに対応するｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層８上には絶縁膜１６を配置して回折格子１３ａに対して注入電流が流入することを防止する構造とする。 - 特許庁

An island-like semiconductor region on an insulating surface is scanned by a laser beam, having a wavelength of 1,064 nm that is continuously oscillated for crystallizing the island-like semiconductor region, and the crystallized island-like semiconductor region is used to form an active layer.例文帳に追加

絶縁表面上の島状半導体領域に連続発振された波長１０６４ｎｍのレーザー光を走査しながら照射して該島状半導体領域を結晶化し、該結晶化された島状半導体領域を用いて活性層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In addition, on the semiconductor substrate 1 between the source region 2 and semiconductor region 4 and between the drain region 3 and semiconductor region 4, first and second floating gates 6a and 6b are mutually separated, and respectively formed through a first gate insulating film 5.例文帳に追加

そして、このソース領域２と半導体領域４との間、及びドレイン領域３と半導体領域４との間の半導体基板１上には、第１及び第２の浮遊ゲート６ａ、６ｂが互いに隔てられ、かつ第１のゲート絶縁膜５を介してそれぞれ形成されている。 - 特許庁