「MAGNETO-RESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A voltmeter 30 is connected through a probe 26 to a drawer electrode 206A connected to the magneto- resistive element of a yoke type head 12, and the characteristic of the magnet- resistance effect element is measured by this.例文帳に追加

ヨーク型ヘッド１２の磁気抵抗効果素子に接続する引出電極２０６Ａには、プローブ２６を介して電圧計３０が接続されており、これによって磁気抵抗効果素子の特性測定が行なわれる。 - 特許庁

To provide an MR element for blocking the generation of a metal compound deposited from a magneto-resistance effect (MR) film during an etching processing and surely discriminating binary magnetic information corresponding to the change of a magnetic field.例文帳に追加

エッチング処理中に磁気抵抗効果（ＭＲ）膜から析出する金属化合物の生成を阻止し、磁界の変化に応じて確実に２値の磁気情報を見分けることができるＭＲ素子を提供する。 - 特許庁

To prolong a life of an MR head by releasing the feedback control made for positioning a carriage and stopping the supply of a sense current to a magneto-resistance effect element of the MR head, when a magnetic disk device is in the standby state for operation.例文帳に追加

磁気ディスク装置が動作待機状態のときは、キャリッジの位置決めのためのフィードバック制御を解除し、ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子にセンス電流を流すのを止め、ＭＲヘッドの寿命を延ばす。 - 特許庁

To prevent occurrence of a deviation between a temperature elevating section and a reading section in a magnetic recording medium even though the highly accurate positioning is not carried out, and also to mitigate a restriction on materials to be used for a magneto-resistance effect element.例文帳に追加

高精度な位置合わせを行わなくても、磁気記録媒体の昇温部と読み取り部とのずれが生じないようにすると共に、磁気抵抗効果素子に使用される材料の制限を緩和する。 - 特許庁

To make it more reliable to read from a memory cell of an integrated memory provided with a memory cell MC having a magneto resistance memory effect inserted between column lines BL0-BLn and row lines WL0-WLm.例文帳に追加

列線路ＢＬ０〜ＢＬｎと行線路ＷＬ０〜ＷＬｍとの間に介挿されている、磁気抵抗メモリ効果を有するメモリセルＭＣを備えた集積メモリを、メモリセルから一層確実な読み出しが行われるようにする。 - 特許庁

Recessed parts are formed on the top surfaces of base bodies 21 and 22 and in the recessed parts, a lower shield layer 25, a thick insulating layer 26, a couple of thick conductive layers 27a and 27b for a magneto- resistance element, and a thick insulating layer 28, are formed.例文帳に追加

基体２１、２２の表面に凹部を形成し、この凹部内に下部シールド層２５、厚い絶縁層２６、磁気抵抗素子に対する一対の厚い導電層２７ａおよび２７ｂ、厚い絶縁層２８を形成する。 - 特許庁

The magnetoresistive memory has insulators 7 made of a nitride formed on the side surface of a magneto-resistance film, where first an second magnetic layers 3, 5 are laminated via a nonmagnetic layer (an insulation layer 4).例文帳に追加

第１磁性層３と第２磁性層５が非磁性層（絶縁層４）を介して積層されてなる磁気抵抗効果膜の側面に、窒化物からなる絶縁体７を形成したこと特徴とする磁気抵抗メモリ。 - 特許庁

To realize stable characteristics adaptive to high sensitivity and high density, even in the case of performing signal reproduction from a magnetic tape having the signal recording width narrower than a head element by using a magneto-resistance effect head element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型のヘッド素子を用いて、そのヘッド素子よりも狭い信号記録幅を有した磁気テープからの信号再生を行う場合であっても、高感度・高密度対応の安定した特性を実現する。 - 特許庁

To provide a method for forming a compound insulation film which is an extra-thin film of several tens to several hundreds Å whose acquisition has been difficult by the conventional sputtering process, and is convenient for the gap layer of a magnetic head and a tunnel joining type GMR (Giant Magneto-Resistance).例文帳に追加

従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型ＧＭＲに好都合な化合物絶縁膜を形成する方法を提案する - 特許庁

To provide a rotation angle detection apparatus used for the detection of the angle of rotation of a steering of an automobile etc. and capable of detecting short circuits between terminals of AMR (anisotropic magneto resistance) elements, preventing incorrect determination, and performing reliable detection.例文帳に追加

自動車のステアリングの回転角度検出等に用いられる回転角度検出装置に関し、ＡＭＲ素子の端子間の短絡を検出し、誤判定がなく確実な検出が可能なものを提供することを目的とする。 - 特許庁

The interval d2 between the magnetic shield layers 21 and 31 near the both sides of track width direction of the magnetic resistance effect layers 24-27 is smaller than the interval d1 of the magnetic shield layers 21, 31 of a part holding the magneto-resistive effect layers 24-31 between them.例文帳に追加

磁気抵抗効果層２４〜２７のトラック幅方向の両側付近の磁気シールド層２１，３１間の間隔ｄ２は、磁気抵抗効果層２４〜２７を挟んでいる箇所の磁気シールド層２１，３１間の間隔ｄ１より小さい。 - 特許庁

A reference cell 50, a transistor 51 which has its source connected to the reference cell 50 and to the gate of which a bias voltage V_bias is applied, and a transistor 52 which has its source connected to the magneto- resistance element 11 and to the gate of which the bias voltage V_bias is applied are provided.例文帳に追加

参照セル５０と、参照セル５０にソースが接続されバイアス電圧Ｖ____biasがゲートに印加されるトランジスタ５１と、磁気抵抗素子１１にソースが接続されバイアス電圧Ｖ_biasがゲートに印加されるトランジスタ５２とを設ける。 - 特許庁

To provide a rotation angle detection apparatus used for the detection of the angle of rotation of a steering of an automobile etc. and capable of detecting short circuits between terminals of AMR (anisotropic magneto resistance) elements, preventing an incorrect determination, and performing reliable detection.例文帳に追加

自動車のステアリングの回転角度検出等に用いられる回転角度検出装置に関し、ＡＭＲ素子の端子間の短絡を検出し、誤判定がなく確実な検出が可能なものを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect head of a narrow reading gap wherein Barkhausen noise, intermittently generated random noise and instability of reproducing output waveform are suppressed, and sufficient electric reliability is secured.例文帳に追加

磁気抵抗効果ヘッドにおいて、バルクハウゼンノイズ、間欠的に発生するランダムノイズ及び再生出力波形の不安定性を抑制し、且つ電気的信頼性を充分確保した狭い読み取りギャップ長の磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic head in which a magneto-resistance effect element having lamination structure is arranged between a pair of upper and lower magnetic shield layers, with which an element shape being flat in the element width direction and in the height direction can be easily manufactured.例文帳に追加

本件は、積層構造を有する磁気抵抗効果素子が上下一対の磁気シールド層間に配置された磁気ヘッドの製造方法に関し、素子幅方向、高さ方向ともに平坦な素子形状を容易に製造する。 - 特許庁

The element exhibits negative resistance when change of a magnetization direction of the magnetic free layer is continuously caused as a current applied to the magneto-resistive element so as to make electrons flow in from the side of the pinned magnetic layer increases.例文帳に追加

磁化固定層側から電子が流れ込むように磁気抵抗素子に印加される電流の上昇につれて磁化自由層の磁化方向の変化が連続的に引き起こされることにより負性抵抗を示すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film magnetic head, a method of manufacturing a magneto-resistance effect element assembly, a method of manufacturing a head gimbal assembly and a method of manufacturing a hard disk device all of which are capable of realizing an electron beam lithography having high plotting accuracy.例文帳に追加

描画精度の高い電子ビームリソグラフィを実現できる薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気抵抗効果素子集合体の製造方法、ヘッドジンバルアセンブリの製造方法、及び、ハードディスク装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In writing operation, a current is supplied to between the ferromagnetic word line and nonmagnetic bit line and then spins are accumulated in the nonmagnetic bit line from the ferromagnetic word line to invert the magnetization direction of a free layer of the magneto-resistance effect element.例文帳に追加

書き込み動作時には、強磁性ワード線と前記非磁性ビット線との間に電流を流し、強磁性ワード線から非磁性ビット線にスピンを蓄積させることで磁気抵抗効果素子の自由層の磁化方向を反転させる。 - 特許庁

To have a structure obtained by laminating a magnetic domain control film applying a bias magnetic field to a free layer on a magneto-resistance effect layer, and simultaneously to obtain, in the free layer, the bias magnetic field enough to suppress Barkhausen noises even if a valid track width is narrow.例文帳に追加

フリー層へバイアス磁界を与える磁区制御膜を磁気抵抗効果層に積層した構造を持ちながら、有効トラック幅が狭くても、バルクハウゼンノイズを抑制するために十分なバイアス磁界をフリー層内で得る。 - 特許庁

Mechanical polishing is carried out for the surface of the magnetic recording medium side of a structure including the substrate and the laminated part where the end surface of the laminated part including the end surface of the magneto-resistance effect element and the surface of the substrate appear (step S2).例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の端面を含む前記積層部の端面と前記基体の面とが現れる、前記基体及び前記積層部を含む構造体の磁気記録媒体側の面を、機械的に研磨する（ステップＳ２）。 - 特許庁

Since the time for making the sense current flow into the magneto-resistance effect element of the MR head 2 is remarkably reduced by this invention, the deterioration of the element property due to the electromigration, etc., is prevented, and life of the element is improved.例文帳に追加

本発明により、ＭＲヘッド２の磁気抵抗効果素子にセンス電流を流す時間が大幅に短縮されるため、エレクトロマイグレーションなどにより素子特性が劣化することを防止でき、素子の寿命を向上できる。 - 特許庁

The magneto-resistance effect device is provided with an MR element 5, a bias magnetic field application layer 18 arranged to be adjacent to each side of the MR element 5, and tow electrode layers 6 for supplying sense currents to the MR element 5.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置は、ＭＲ素子５と、このＭＲ素子５の各側部に隣接するように配置されたバイアス磁界印加層１８と、ＭＲ素子５に対してセンス電流を流す２つの電極層６とを備えている。 - 特許庁

The peripheral circuit is provided with a fourth wiring 19b, a fifth wiring 20b arranged above the fourth wiring 19b, and a second magneto resistance element 25b which is arranged between the fourth and the fifth wirings 19b, 20b, connected with the fourth and the fifth wirings 19b, 20b and used as the resistance element 30.例文帳に追加

また、周辺回路部は、第４の配線１９ｂと、この第４の配線１９ｂの上方に配置された第５の配線２０ｂと、第４及び第５の配線１９ｂ，２０ｂ間に配置され、第４及び第５の配線１９ｂ，２０ｂに接続され、抵抗素子３０として使用する第２の磁気抵抗効果素子２５ｂとを具備する。 - 特許庁

To actualize the compound thin-film magnetic head, which can accurately detect the output signal of a magneto-resistance element without being affected by noise and has excellent insulation characteristics between the conductive layer and a shield layer, and the method for manufacturing the magnetic head in high yield by making the conductive layer thick and lowering its resistance.例文帳に追加

磁気抵抗素子に接続された導電層を厚くして抵抗を下げ、その出力信号をノイズに影響されずに正確に検出でき、導電層とシールド層との間の絶縁特性も良好とした複合型薄膜磁気ヘッドおよびそれを高い歩留まりで製造する方法を提供する。 - 特許庁

A magnetization free layer 4 constituting a tunnel magneto- resistance effect element 3 is used as a part of a magnetic circuit, and a signal magnetic flux from a magnetic recording medium 13 is efficiently passed, so that conversion efficiency is increased, and a high output is obtained.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子３を形成する磁化自由層４を磁気回路の一部として使用して、磁気記録媒体１３からの信号磁束を効率よく通す構成としたことにより、変換効率が向上し、高出力を得ることができる。 - 特許庁

The semiconductor memory device is equipped with: a plurality of magneto-resistance elements Rx0, Rx1 respectively connected to bit lines BLx0, BLx1; a plurality of reference resistors Rmin, Rmax respectively connected to bit lines BL_Bx0, BL_Bx1; and the sense amplifier circuit 10.例文帳に追加

半導体記憶装置は、それぞれビット線ＢＬｘ０，ＢＬｘ１に接続された複数の磁気抵抗素子Ｒｘ０，Ｒｘ１と、それぞれビット線ＢＬ＿Ｂｘ０，ＢＬ＿Ｂｘ１に接続された複数のリファレンス抵抗Ｒｍｉｎ，Ｒｍａｘと、センスアンプ回路１０とを備える。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head capable of maintaining signal read-out capability by positively utilizing a TPTP(Thermal Pole Tip Protrusion) phenomenon to adjust d_MS, and restricting heat transmission to a magneto-resistance effect layer, and to provide a HGA (Head Gimbal Assembly) provided therewith and a magnetic disk device.例文帳に追加

ＴＰＴＰ現象を積極的に利用してｄ_ＭＳを調整し、磁気抵抗効果層への熱の伝搬を制限して信号の読み出し能力の維持が可能な薄膜磁気ヘッド、これを備えたＨＧＡ及び磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film electrode layer having high EM (electromigration) resistance which is a problem in a conventional electrode structure by a Ta layer/an Au layer/a Ta layer, a thin-film magnetic head using a magneto-resistive effect element, and an electrode forming method of the thin-film magnetic head.例文帳に追加

従来のＴａ層／Ａｕ層／Ｔａ層による電極構造では問題になっていた、ＥＭ（ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ）耐性に優れた薄膜電極層及び磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド並びに該薄膜磁気ヘッドの電極形成方法を得る。 - 特許庁

There is provided a driving method of the magnetic memory element, in which current variation depending on the direction of the current is reduced by changing a gate voltage of a transistor when applying the current in order to record data to a magneto-resistance structure.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗構造体にデータを記録するために電流を印加する際、トランジスタのゲート電圧を変化させることによって、電流方向による電流量の変化を減少させることができる磁気メモリ素子の駆動方法である。 - 特許庁

Further, since a recording head part 40 is disposed between the overcoat layer 21 and an MR element 20, the conduction of the generated heat to the magneto-resistance effect element 40 becomes difficult to suppress a problem caused by the temperature increase thereof.例文帳に追加

さらに、記録ヘッド部４０が、オーバーコート層２１とＧＭＲ素子２０との間に設けられているので、発生する熱が磁気抵抗効果素子４０に伝わりにくくなって磁気抵抗効果素子４０の温度上昇による不具合が抑制される。 - 特許庁

The spin memory has a ferromagnetic word line, a nonmagnetic bit line crossing the ferromagnetic word line, a wiring opposed to the ferromagnetic word line, and the magneto-resistance effect element 201 provided between an intersection part of the ferromagnetic word line and nonmagnetic bit line, and the wiring.例文帳に追加

強磁性ワード線と、強磁性ワード線と交差する非磁性ビット線と、強磁性ワード線と対向する配線と、強磁性ワード線及び非磁性ビット線の交差部分と配線との間に設けられた磁気抵抗効果素子２０１とを備える。 - 特許庁

Magnetic bodies with magneto-resistance in the direction of electron beam array larger than that in the tube shaft direction are arranged in a pair state in extension in the direction of the tube shaft so as to pinch the three electron beams and with at least a part of them in an opposing state.例文帳に追加

管軸方向の磁気抵抗より電子ビームの配列方向の磁気抵抗の方が大きい磁性体を、対の状態で、３本の電子ビームを挟むように、かつ、少なくとも一部が相対向するように管軸方向に延設する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head provided with a magneto-resistance effect type magnetic head element in which disturbance of magnetic domain structure in a magnetic shield layer by a high saturation magnetic flux density material is suppressed and occurrence of Barkhausen noise is suppressed, and its manufacturing method.例文帳に追加

高飽和磁束密度材料による磁気シールド層での磁区構造の乱れを抑制しバルクハウゼンノイズ発生が抑制された磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子を備える薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A magnetometric sensor comprises a bridge circuit which is constructed, such that a plurality of magneto-resistive elements, from which a resistance output according to a direction of a magnetic field to be input varies, are connected, and that a differential voltage between predetermined connecting points is detected.例文帳に追加

磁気センサは、入力される磁界の向きに応じて出力する抵抗値が変化する複数の磁気抵抗効果素子が接続され、所定の接続点間の差動電圧を検出可能なよう構成されたブリッジ回路を備えている。 - 特許庁

Magneto resistance elements 33 and 34 are arranged side by side, with a gap in a direction (namely, the axial direction of the rotor 12) which is vertical with respect to the rotating direction of the magnetic body 13, and at the same time, is arranged so as to counterpose the magnetic body 13.例文帳に追加

磁気抵抗素子３３，３４は、磁性体１３の回転方向に対して垂直な方向（言い換えると、回転体１２の軸方向）に間隔を設けて並置されるとともに、磁性体１３に対向するように配置されている。 - 特許庁

To provide a magneto-resistive head of a SV head type and a magnetic reproducing device which permit a higher output by mounting an SV element having a free magnetization layer which has low magnetic resistance, high sensitivity and high efficiency.例文帳に追加

磁気的な抵抗が低く且つ感度が高く効率の良い磁化自由層を有するＳＶ素子を搭載することにより高出力化が可能なＳＶヘッド型の磁気抵抗効果ヘッド及び磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To attain a magnetic head equipped with a magneto-resistance effect element, which is miniaturized as desired without any variances in shape or size by allowing a core width to be made finer without complicating processes needlessly, corresponding to a higher recording density in the future.例文帳に追加

今後の更なる高密度記録化に対応して、徒に工程の煩雑化を招くことなく更なるコア幅の微細化を可能とし、形状及び大きさのバラツキのない所望に微細化された磁気抵抗効果素子を備えた磁気ヘッドを実現する。 - 特許庁

The first and second magneto-resistance effect elements MTJ1, MTJ2 include, as basic structures, magnetic free layers 11-1, 11-2 variable in magnetization directions, magnetic pinned layers 12-1, 12-2 invariable in magnetization directions, and spacer layers 13-1, 13-2 disposed therebetween.例文帳に追加

第一及び第二磁気抵抗効果素子MTJ１，MTJ２は、磁化方向が可変の磁気フリー層１１−１，１１−２、磁化方向が不変の磁気ピンド層１２−１，１２−２、及び、これらの間に配置されるスペーサー層１３−１，１３−２を基本構造とする。 - 特許庁

A magneto resistance effect element 1 constituting a thin film magnetic head equipped at least with a reproducing head for detecting the magnetic signal of a recording medium as a reproduction signal, and a pair of terminals 4 are isolated by non-conductive materials 3 except for a part.例文帳に追加

記録媒体の磁気的信号を再生信号として検出する再生ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子１と一対の端子４とを、一部を除いて非導電体材料３で分離する。 - 特許庁

To improve performance of a whole device by setting optimum read-write offset quantity under use environment in accordance with variation of environment temperature at the time of use in a magnetic disk device using a head utilizing magneto-resistance effect.例文帳に追加

磁気抵抗効果を利用したヘッドを使用た磁気ディスク装置に関するもので、使用時における環境温度の変化に対応して使用環境下での最適なリードライトオフセット量を設定することにより、装置全体の性能を高めんとするものである。 - 特許庁

The configuration data are stored in the variable magneto-resistance elements and when data is transferred to storage nodes (NM0, NM1) of the inverter latches, a data transfer assist is performed for setting back gate bias of transistors (PT0, PT1, NT0, NT1) constituting the inverters to a forward bias state etc.例文帳に追加

可変磁気抵抗素子にコンフィギュレーションデータを格納し、インバータラッチのストレージノード（ＮＭ０，ＮＭ１）へのデータ転送時にインバータを構成するトランジスタ（ＰＴ０，ＰＴ１，ＮＴ０，ＮＴ１）のバックゲートバイアスをフォワードバイアス状態に設定するなどのデータ転送アシストを行う。 - 特許庁

To improve workability for arranging an element substrate on an attaching face of a wiring member, and to enhance magnetic field detection precision, by providing a plurality of vector detecting type magneto-resistance effect elements with the substantially same pin layer magnetization direction on the same element substrate.例文帳に追加

ピン層磁化方向が略同一のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を複数個同一素子基板上に設けることにより、素子基板を配線部材の取付面上に配置するための作業性を改善し、磁界検知精度の向上を図る。 - 特許庁

To provide a device and a method for inspection, capable of highly accurately quantifying and inspecting Barkhausen noise, output fluctuation or the like caused by the instability of a magneto-resistance effect magnetic head for reproducing the information of a tape magnetic recording medium.例文帳に追加

テープ状磁気記録媒体の情報を再生する磁気抵抗効果型磁気ヘッドの不安定性から生じるバルクハウゼンノイズや出力変動等を精度良く且つ定量化して検査することができる検査装置及び検査方法を提供すること。 - 特許庁

A material of ferromagnetic layers 106, 107 constituting the magneto-resistance effect element is constituted of a ferromagnetic material including at least one kind of 3d transition metals to control the magnetic resistance change rate, and the film thickness of the ferromagnetic layers is controlled at an atomic layer level to change the magnetization direction from the in-plane direction of a film surface to the film surface perpendicular direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 - 特許庁

To provide an inspection method and an inspection device for inspecting the quality of the shielding film of a magneto-resistance effect head which can detect a MR head, where inspection could not be performed completely by conventional inspection by normal magnetization, and for a shielding magnetic section that is liable to change.例文帳に追加

従来の通常着磁による検査では、完全に検出することのできなかったシールド磁区の変化しやすいＭＲヘッドの検出が可能となる磁気抵抗効果ヘッドのシールド膜の品質を検査する検査方法および検査装置を提供する。 - 特許庁