「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve relieving efficiency by using a memory cell group for redundancy sharing one data transfer bus line for relieving plural defects, in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体記憶装置において、１本のデータ転送バス線を共通にする冗長用メモリセル群を複数の欠陥の救済に使用し、救済効率を改善する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which forming operation, set/reset operation, and read-operation can be performed normally even when a defective memory cell is present.例文帳に追加

欠陥メモリセルが存在する場合にもフォーミング動作、並びにセット、リセット及びリード動作を正常に実行することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of easily embedding an insulating film between gate electrodes of a memory cell transistor, low-voltage transistor, and high-voltage transistor.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと低電圧トランジスタと高電圧トランジスタのゲート電極の間に絶縁膜を埋め込むことが容易な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which control voltage for a control gate line selection switching element is made low voltage by analyzing read-operation for a twin memory cell.例文帳に追加

ツインメモリセルへのリード動作を解析することで、コントロールゲート線選択スイッチング素子への制御電圧を低電圧化した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Then, responding to the block (or the page) initialization verify command, the initialized state of the memory cell of the nonvolatile memory device corresponding to the block (or the page) address is verified.例文帳に追加

前記ブロック（又は、ページ）初期化検証命令に応答して、前記ブロック（又は、ページ）アドレスに相応する不揮発性メモリ装置のメモリセルの初期化状態を検証する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device and its driving method for protecting data for a memory cell when power supply is turned off in performing designated operation.例文帳に追加

所定の動作を行うにあたって電源がオフされる場合にメモリセルのデータを保護するための強誘電体メモリ装置及びその駆動方法を提供することにある。 - 特許庁

An orthogonal memory 80 for converting an array of system bus data (DTV) and arithmetic data (DTH) is disposed between a system bus interface and a memory cell mat for storing the arithmetic data.例文帳に追加

システムバスインターフェイスと演算用データを格納するメモリセルマットの間に、システムバスデータ（ＤＴＶ）と演算用データ（ＤＴＨ）の配列を変換する直交メモリ（８０）を設ける。 - 特許庁

Each memory cell MC of the molecule battery memory device comprises combination of a molecule battery 11 and a selection transistor 12, parasitic capacitance 26 exists in the molecule battery 11.例文帳に追加

分子電池メモリ装置の各メモリセルＭＣは、分子電池１１と選択トランジスタ１２との組み合わせからなり、分子電池１１には寄生容量２６が存在している。 - 特許庁

There is provided a memory cell in which a self-organized monolayer and a memory film capable of switching between at least two resistant states are arranged between two electrodes.例文帳に追加

２つの電極の間に自己組織化単分子膜と少なくとも２つの抵抗状態の間でスイッチング可能なメモリー膜が置かれたメモリーセルが提供されている。 - 特許庁

A memory cell array is disposed in an area other than a wiring area for buffering, and the wiring for buffering is constituted in the same wiring layer as the wiring comprising the functions of the memory macro.例文帳に追加

メモリセルアレイは、バッファ用の配線領域以外の領域に配置され、バッファ用の配線は、メモリマクロの機能を構成する配線と同一の配線層に形成される。 - 特許庁

This non-volatile semiconductor memory is provided with a transistor M6 and a cut transistor M7 diode-connected to a current mirror circuit for reading out data of a memory cell.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置ではメモリセルのデータを読み出すためのカレントミラーに対し、ダイオード接続されるトランジスタＭ６とカットトランジスタＭ７とを設ける。 - 特許庁

To manufacture a nonvolatile semiconductor memory which has memory cell with a high coupling ratio without generating etching residue on a separation oxide film of a peripheral circuit.例文帳に追加

周辺回路の分離酸化膜上にエッチング残渣を発生させることなく、高いカップリング比を有するメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置を製造する。 - 特許庁

To provide an integrated semiconductor memory constituted so that a redundant memory cell unit can be tested and the circuit configuration therefor is scarcely complexed inevitably.例文帳に追加

集積半導体メモリにおいて、冗長メモリセルユニットのテストを行うことができ、かつそのために必然的に回路が余分に複雑になる程度が僅かになるよう構成する。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory, a plurality of word lines (10_1, ...) and a plurality of bit lines (20_1, ...) are provided on a semiconductor substrate, and each memory cell, in each intersection wherein each word line intersects each bit line, is arranged.例文帳に追加

半導体基板上に複数本のワード線（１０＿１，…）と複数本のビット線（２０＿１，…）とが配置され、ワード線とビット線との交差部にメモリセルを有している。 - 特許庁

To eliminate the need to subject a memory cell to high temperatures during the manufacturing of magnetic memory cells, and reduce the influence of a demagnetization field from a reference layer on a sense layer.例文帳に追加

磁気メモリセルの製造時にメモリセルを高温にさらす必要性をなくすとともに、基準層から発生する消磁界がセンス層に与える影響を低減すること。 - 特許庁

To provide a memory cell such as a PCM and a non-volatile memory in which increase in power consumption during reading and reduction in an SN ratio can be suppressed and many values can be stored.例文帳に追加

読み出し時における消費電力の増大、および、Ｓ／Ｎ比の低下を抑制可能で多値記憶可能なＰＣＭ等のメモリセルおよび不揮発性メモリを実現する。 - 特許庁

To enable finishing erasure operation normally and to prevent causing erroneous read-out even if threshold voltage distribution of a memory cell in a block is dispersed in a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいて、ブロック内のメモリセルのしきい値電圧分布がばらついたとしても、正常に消去動作を完了でき、誤読み出しが生じないようにする。 - 特許庁

This device is provided with a memory cell array and an information changing circuit, an the information changing circuit is provided with a register for storing outside depth information outputted from a memory controller.例文帳に追加

メモリセルアレイ及び情報変更回路を備え、情報変更回路は、前記メモリコントローラから出力される外部深さ情報を貯蔵するレジスターを備える。 - 特許庁

The memory is provided with a current detector circuit for comparing the matching between accumulated information and retrieval information written in a memory cell line in a nonvolatile state at data retrieval.例文帳に追加

データ検索時にメモリセル行に不揮発的に書込まれた蓄積情報と検索情報との一致比較動作を実行する電流検出回路を設ける。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which high reliability can be attained by preventing defective sidewall in an MONOS type flash memory cell, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のフラッシュメモリセルにおける側壁不良を防止し高信頼性が得られる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this way, the dispersion of the threshold values of each cell of a memory cell array can be suppressed, the controllability of this threshold distribution can be improved, and program speed can be improved.例文帳に追加

これにより、メモリセルアレイの各セルの閾値のばらつきを抑制でき、この閾値分布の制御性を向上でき、プログラム速度も向上できることを実験で確認できた。 - 特許庁

In the twin cell mode, two sub-word lines are driven simultaneously to a selection state, storage data of a memory cell is read out with bit lines being a pair, and sense-operation is performed.例文帳に追加

ツインセルモードにおいては２本のサブワード線を同時に選択状態へ駆動して対をなすビット線にともにメモリセルの記憶データを読出してセンス動作を実行する。 - 特許庁

In the reference cell 2, characteristics are deviated so as to following deviation of these characteristics when characteristics of the non-volatile memory cell MC00-MC12 are deviated by influence of temperature variation or the like.例文帳に追加

リファレンスセル２は、温度変化などの影響で不揮発性メモリセルＭＣ００〜ＭＣ１２の特性がずれたときに、この特性のずれに追従するように特性がずれる。 - 特許庁

As data read out from the real cell array and the parity cell array are compared simultaneously with the expected value, a test time can be shortened and a manufacturing cost of a semiconductor memory can be reduced.例文帳に追加

リアルセルアレイおよびパリティセルアレイから読み出されるデータが同時に期待値と比較されるため、試験時間を短縮でき、半導体メモリの製造コストを削減できる。 - 特許庁

When the threshold voltage is made to be low, such a state that the threshold voltage of 1-element/1-cell type memory cell made into a depletion type is transferred to an undesirable low level can be prevented.例文帳に追加

低い閾値電圧にされたときデプレッション型にされる１素子／１セル型のメモリセルの閾値電圧が不所望に低いレベルに遷移する事態を防止することができる。 - 特許庁

To prevent decrease in a data reading margin depending on address selection in a storage device for reading data on the basis of the electrical resistance difference between a selected memory cell and a reference cell.例文帳に追加

選択メモリセルとリファレンスセルとの電気抵抗差に基づいてデータを読出す記憶装置において、アドレス選択に依存したデータ読出マージンの低下を防止する。 - 特許庁

Moreover, the memory cell region Cell includes the substrate 1 and a p-type deep well region 5a that is formed under the p-type well region 2 and the n-type well region 3.例文帳に追加

また、メモリセル領域Ｃｅｌｌは、基板１とｐ型ウェル領域２及びｎ型ウェル領域３の下に形成されたｐ型深ウェル領域５ａを備える。 - 特許庁

A column control circuit 13 repeats execution of steps S102 to S104 and steps S105 to S107 on the basis of a cell current Icell flowing through a memory cell MC.例文帳に追加

カラム制御回路１３は、メモリセルＭＣを流れるセル電流Ｉｃｅｌｌに基づき、ステップＳ１０２〜Ｓ１０４、及びステップＳ１０５〜Ｓ１０７を繰り返し実行する。 - 特許庁

A cell current made to flow from the bit line by the output of a column latch via a memory cell of write complete when verifying the program is bypassed by the source line MSL outside the block.例文帳に追加

プログラムベリファイ時にカラムラッチの出力でビット線から書き込み完了のメモリセルを介して流れるセル電流をこのブロック外ソース線ＭＳＬでバイパスさせる。 - 特許庁

Charge is accumulated in a charge accumulation area of one reference cell between two reference cells so as to be equivalent to a memory cell characteristic with the minimum current.例文帳に追加

２つのリファレンスセルのうちの一方のリファレンスセルの電荷蓄積領域に、最も電流が少ないメモリセル特性と等価な状態となるように電荷が蓄積される。 - 特許庁

To provide such a technology for nonvolatile ferroelectric memory device that a high integration cell is embodied by sharing a plate line especially in a sub-cell array block unit.例文帳に追加

本発明は不揮発性強誘電体メモリ装置に関し、特にサブセルアレイブロック単位でプレートラインを共通に用い高集積セルが具現できるようにする技術を開示する。 - 特許庁

When starting the fuel cell 104 thereafter, if there is a record of inclination exceeding the prescribed angle in the memory 176, the fuel cell 104 is started by a restoration mode.例文帳に追加

その後の燃料電池１０４の起動時に、メモリ１７６内に所定以上の傾斜ありの記憶があれば燃料電池１０４を復旧モードで起動させる。 - 特許庁

When contents of the memory cell Do are logic '1' and stored contents of the polarity holding cell Dc are logic '0', a value of read out output data Do0 is logic '1'.例文帳に追加

メモリセルＤ0の内容が論理「１」で極性保持セルＤcの記憶内容が論理「０」であったとすると、読み出される出力データＤo0の値は論理「１」となる。 - 特許庁

The memory cell region Cell and the core region Core are provided with a substrate 1, a p-type well region 2 and an n-type well region 3, both of which are formed on the substrate 1.例文帳に追加

メモリセル領域Ｃｅｌｌ及びコア領域Ｃｏｒｅは、基板１と、基板１上に形成されたｐ型ウェル領域２及びｎ型ウェル領域３を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device in which cell area can be reduced and minimum processing size is not limited by a film thickness of a material included in a memory cell.例文帳に追加

セル面積の縮小が可能であり、かつ、最小加工寸法がメモリセルを構成する材料の膜厚に制限されない半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

Controllers (312, 322) maps automatically a unit of a first main storage cell to a unit of a second storage cell again mapping to the command signal without interrupting access for memory data.例文帳に追加

コントローラ(312,322)は、メモリデータへのアクセスを中断することなく、コマンド信号に応答して前記第１の主記憶セルのユニットを自動的に第２の記憶セルのユニットへ再マッピングする。 - 特許庁

A plurality of word lines connected to the cell transistor in the memory cell block are selected sequentially by a word line selecting circuit 15 based on an address signal during an active cycle period.例文帳に追加

アクティブサイクル期間中にアドレス信号に基づいて、ワード線選択回路１５によりメモリセルブロック内のセルトランジスタに接続された複数のワード線が順次選択される。 - 特許庁

A cell current made to flow from the bit line by output of a column latch via a memory cell in which write is completed is bypassed by this source line MSL outside the block.例文帳に追加

プログラムベリファイ時にカラムラッチの出力でビット線から書き込み完了のメモリセルを介して流れるセル電流をこのブロック外ソース線ＭＳＬでバイパスさせる。 - 特許庁

To provide a method for exactly reading data of a memory cell even when a normal read operation (to set one reference cell) is difficult or impossible.例文帳に追加

通常の読み出し動作（１つのリファレンスセルを設定すること）が困難若しくは不可能な場合においても、メモリセルのデータを正確に読み出す方法を提供する。 - 特許庁

When data of a memory cell MC are read to a bit line (a selecting bit line) BL1, a reference potential is supplied to a bit line (a reference bit line) BL2 from the cell DC.例文帳に追加

メモリセルＭＣのデータがビット線（選択ビット線）ＢＬ１に読み出されるとき、ビット線（参照ビット線）ＢＬ２には、ダミーセルＤＣから参照電位が供給される。 - 特許庁

A resistance values of each resistance element of a resistance array 20 connected to a source of a reference cell RMC is set conforming to an equivalent resistance value of source diffusion resistance of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのソース拡散抵抗の等価抵抗値に従って、リファレンスセルＲＭＣのソースに接続される抵抗アレイ２０の各抵抗素子の抵抗値が設定される。 - 特許庁

To provide a memory cell which is free of excessive erasure, has a large cell current for reading operation to easily read accurate data, has no variance in characteristics, and can be made fine.例文帳に追加

過剰消去の問題がなく、読出動作時のセル電流が大きくて正確なデータ読出が容易であり、特性にバラツキがなく、微細化が可能なメモリセルを提供する。 - 特許庁

The reference potential is generated by the SRAM cell, so that the deterioration of the reference memory cell is hardly generated, and the reliability of read data and element life are improved.例文帳に追加

参照電位をＳＲＡＭセルで生成するので、参照用メモリセルの劣化が生じ難く、したがって、読み出しデータの信頼性や素子寿命が向上する。 - 特許庁

To provide a memory cell which is free of excessive erasure, has a large cell current for reading operation to easily make an accurate data read, has no variance in characteristics, and can be made fine.例文帳に追加

過剰消去の問題がなく、読出動作時のセル電流が大きくて正確なデータ読出が容易であり、特性にバラツキがなく、微細化が可能なメモリセルを提供する。 - 特許庁

To make it possible to recognize from outside a state where deterioration of a memory cell is progressed to a certain extent and a state where deterioration is progressed to a level at which the cell does not satisfy required specification.例文帳に追加

メモリセルの劣化がある程度進行している状態と、要求仕様を満たさなくなるまで劣化が進行した状態とを外部で認識できるようにする。 - 特許庁