「P chip」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A sensor chip 26 images the original P by light which the equal-magnification lens 24 concentrates.例文帳に追加

センサチップ２６は、等倍レンズ２４が集光した光により原稿Ｐを撮像する。 - 特許庁

The terminal resistor 130 is integrated on the same chip with the p-n junction structure.例文帳に追加

終端抵抗器１３０は、ｐｎ接合構造と同一のチップに集積されている。 - 特許庁

The p^+ silicon substrate 1 on the back face of a chip is made thin by grinding and mirror polishing.例文帳に追加

チップ裏面のｐ＋シリコン基板１をグラインドおよびミラーポリッシングによって薄くする。 - 特許庁

When P2>P/31/2, the interval D of the axis R becomes larger than the print dot pitch P and the chip interval d can be increased as compared with a conventional LED array chip where the light emitting parts are arranged in a row, at a pitch P, on a chip having a rectangular upper surface.例文帳に追加

Ｐ２＞Ｐ／√３のとき、軸Ｒの間隔Ｄは印刷ドットピッチＰよりも大きくなり、上面形状が長方形のチップ上に発光部をピッチＰで一列に配置した従来のＬＥＤアレイチップよりも、チップ間隙ｄを大きくすることができる。 - 特許庁

Further, a p-type gilding electrode 107 of the chip 1 for CD and a p-type gilding electrode 207 of the chip 2 for DVD come into contact directly without interposing solder material for adhesion.例文帳に追加

そして、ＣＤ用チップ１のＰ型金メッキ電極１０７と、ＤＶＤ用チップ２のＰ型金メッキ電極２０７とは、接合用半田材を介さずに、直接に接合されている。 - 特許庁

An ink cartridge is constituted of an LSI chip (P chip) equipped with an OTP circuit which is added to record the ink remaining amount data and a memory control circuit having a function to reset the bit for an OPT to "0" by the unit of 1 bit.例文帳に追加

インク残量データを記録するために付加したOTP回路を備えるLSIチップ（Pチップ）とOPTを１ビット単位でビットを“０”にリセットする機能を有するメモリ制御回路より構成される。 - 特許庁

A multiplexer samples signals from P-sets of sources at a rate of a multiple of P, with respect to a chip rate of the code in the incoming signal.例文帳に追加

マルチプレクサが来入信号中の符号のチップレートのＰ倍のレートでもってＰ個のソースのそれぞれからの信号をサンプリングする。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer in the outermost circumference (portion contacting with a solution in a chip end) is floated thereby, the maximum potential in the chip is imparted to the n-type semiconductor layer in an inner side thereof, and the minimum potential in the sensor chip is imparted to the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

このため、最外周（チップ端で溶液に接する部分）のｐ型半導体層をフローティング、その内側のｎ型半導体層にチップ内の最高電位を与え、ｐ型半導体層にはセンサチップの最低電位を与える。 - 特許庁

Thereby, after the master chip 1 and a subordinate chip 2 are jointed, the operation confirmation of only the master chip 1 or the subordinate chip 2 and the connection confirmation of the master chip 1 and the subordinate chip 2 are enabled, by pressing test probes P against the parts of the extending part 14 which is drawn out to the outside of the junction region 12.例文帳に追加

これにより、親チップ１と子チップ２とが接合された後であっても、延設部１４の接合領域１２の外方に引き出された部分にテストプローブＰを押し当てて、親チップ１または子チップ２のみの動作確認や親チップ１と子チップ２との接続確認を行うことができる。 - 特許庁

Moreover, the nozzle 52 is made to take scrub action, to firmly bond the chip P to the lead frame 1.例文帳に追加

またノズル５２にスクラブ動作を行わせて、チップＰをリードフレーム１にしっかりボンディングする。 - 特許庁

The LED bare chip is provided with a P-type electrode Lp and an N-type electrode Ln on a rear surface.例文帳に追加

このＬＥＤベアチップは、Ｐ型電極ＬｐとＮ型電極Ｌｎを裏面に備えている。 - 特許庁

The semiconductor chip comprises a p-type semiconductor substrate 40, on which an analog circuit 10 and a digital circuit 20 are provided mixedly.例文帳に追加

アナログ回路１０およびデジタル回路２０がｐ型半導体基板４０に混載されている。 - 特許庁

In the laser marking method, a reformed region P is formed for each chip C by irradiating the inside of a wafer W with laser light L to mark a product information part 15 associated with the chip C for the each chip C.例文帳に追加

ウェーハＷ内部へチップＣ毎にレーザー光Ｌを照射して改質領域Ｐを形成することにより、チップＣ毎にチップＣに関する製品情報部１５をマーキングする - 特許庁

Print elements n, n+1, n+2,..., n+6 at the left end of the print chip 12-n are arranged with a regular pitch P and print elements N, N+1, N+2,..., N+6 at the right end of the print chip 12-N are arranged with a pitch P' which is greater than the pitch P by 2 μm.例文帳に追加

印字チップ１２−ｎ左端の正規ピッチＰの印字素子ｎ、ｎ＋１、ｎ＋２、・・・、ｎ＋６に対して、印字チップ１２−Ｎの右端の印字素子Ｎ、Ｎ＋１、Ｎ＋２、・・・、Ｎ＋６は２μｍ大きいピッチＰ′で配列されている。 - 特許庁

In case of a non-defective chip, the P-channel transistor 24 is turned on according to the output signal and the internal Vcc is supplied, and, in case of a defective chip, the P-channel transistor 24 is turned off and the supply of the internal Vcc is stopped.例文帳に追加

良品チップではＰチャネルトランジスタ２４が該出力信号に応じてオンされ内部Ｖｃｃが供給され、不良チップでは、Ｐチャネルトランジスタ２４がオフされ内部Ｖｃｃ供給が停止する。 - 特許庁

Thus, the signal extracted from the semiconductor chip C is immediately isolated from the chip loading face of the package substrate P, so that it is possible to reduce stray capacitance between the wiring and the chip on the package substrate P and to improve signal quality as a result.例文帳に追加

これにより、半導体チップＣから引き出された信号は、すぐにパッケージ基板Ｐのチップ搭載面から遠ざけられるため、パッケージ基板Ｐ上の配線とチップとの間の浮遊容量が低減される結果、信号品質が高められる。 - 特許庁

The GaN based light-emitting diode chip has a transparent first layer where a p-type contact layer is applied to the p-side, and a reflective second layer applied onto the first layer.例文帳に追加

ｐ型接触層がｐ側に施された透明な第１の層およびこの第１の層上に施された反射性の第２の層を有している。 - 特許庁

The human information memory piece P is composed of an IC chip of a storage device into which information can be written.例文帳に追加

ヒト情報記憶ピースＰは、情報の書込が可能な記憶装置であるＩＣチップで構成される。 - 特許庁

The cross-sectional shape of the container drum 2 is made in a ellipical shape along the outer periphery of the molded potato chip P.例文帳に追加

容器胴２の横断面形状を、成型ポテトチップＰの外周縁に沿うようなだ円形とする。 - 特許庁

Thus, a distance from the active layer 4 on the p side of the chip side face is made large, thereby improving the light extraction efficiency from the side face of the chip.例文帳に追加

このようにして、チップ側面ｐ側における活性層４からの距離を大きく取るようにして、チップ側面からの光取り出し効率も向上させる。 - 特許庁

The half-coating diode is formed by laminating an n-side lead terminal 11, a diode chip 1 and a p-side lead terminal 13 and covering the diode chip 1 with a covering body 15.例文帳に追加

Ｎ側リード端子１１、ダイオードチップ１、Ｐ側リード端子１３を積層し被覆体１５によりダイオードチップ１を覆った半被覆ダイオードである。 - 特許庁

This LED chip 1 is provided with p-and n-type semiconductor layers formed on a substrate and p-and n-side electrodes 7 respectively provided in the p- and n-type semiconductor layers on the main surface of the chip 1 opposite to the substrate.例文帳に追加

基板上にｐ形半導体層およびｎ形半導体層を形成し、ｐ形半導体層およびｎ形半導体層において基板の反対側であるＬＥＤチップ１の主チップ面にそれぞれｐ側電極６およびｎ側電極７を設ける。 - 特許庁

In this semiconductor chip mounting method, a semiconductor chip P (thin plate) is transferred from the source to the destination with the semiconductor chip P held on the holding surface 2 of a holding member 1 with a liquid Q in between, and is mounted on a wired substrate 20.例文帳に追加

本発明の半導体チップの実装方法は、保持部材１の保持面２に、液体Ｑを介して半導体チップＰ（薄板）を保持させた状態で、半導体チップＰを搬送元から搬送先に搬送して配線基板２０に実装する手法である。 - 特許庁

In the light source device, the plurality of chip-shaped LEDs are arranged at a pitch P at even intervals, ball lenses with an approximate diameter P are fixed among the chip-shaped LEDs, and a luminous flux of the chip-shaped LED is irradiated through the ball lens at an angle of approximate 45°.例文帳に追加

チップ状のＬＥＤをピッチＰで等間隔に複数個配置し、概直径Ｐの大きさのボールレンズを前記チップ状のＬＥＤ間に固定し、チップ状のＬＥＤからの光束が概４５度の角度でボールレンズを通して照射するようにした光源装置。 - 特許庁

A chip of the paper sheet P abuts on a lateral rib not to be inserted more thereover, when inserting the paper sheet P into the clearance between the opening and closing cover 51 and the manual insertion tray 74.例文帳に追加

開閉カバー５１と手差しトレイ７４との隙間に誤って、用紙Ｐを挿入すると、用紙Ｐの先端が横リブに当ってそれ以上挿入できないようになる。 - 特許庁

Photodiodes 13a-13h are formed, by electrically dividing a single semiconductor chip, and each photodiode having the width of (3/8)P is arrayed at a pitch of (3/8)P.例文帳に追加

フォトダイオード１３a〜１３hは、１つの半導体チップを電気的に分離して形成されており、夫々は(３/８)Ｐの幅を有して(３/８)Ｐピッチで配列されている。 - 特許庁

An n-well 10 having no p-type diffusion layer inside is formed between pads 5 and the outside device region 4 on a chip formed by a p-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１により形成されたチップ上の、パッド５と外側素子領域４との間に、その内部にＰ型拡散層を有さないＮウェル１０が形成される。 - 特許庁

The GaAs chip 14 includes a p-type GaAs base layer 34 (p-type GaAs layer) and an n-type GaAs emitter layer 36 (n-type GaAs layer) formed thereon.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４は、ｐ型ＧａＡｓベース層３４（ｐ型ＧａＡｓ層）と、その上に形成されたｎ型ＧａＡｓエミッタ層３６（ｎ型ＧａＡｓ層）を有する。 - 特許庁

The chip 10 is constituted by stacking an n-type clad layer 22, an active layer 24, a p-type clad layer 26, and a p-type contact layer 28 in this order on an n-type GaN substrate 20.例文帳に追加

チップ１０は、ｎ型クラッド層２２、活性層２４、ｐ型クラッド層２６、ｐ型コンタクト層２８がこの順にｎ型ＧａＮ基板２０に積層して構成される。 - 特許庁

A chip Ch is held by a vertically moving bonding head 6 and is pressed onto a board P when the head 6 is moved down while ultrasonic vibration is applied to the chip Ch, thereby being mounted on the board P.例文帳に追加

昇降可能なボンディングヘッド６によりチップＣｈを保持し、チップＣｈに超音波振動を与えながら、ヘッド６の下降に伴いチップＣｈを基板Ｐに圧接することによりチップＣｈを基板Ｐに装着するようにした。 - 特許庁

A p-electrode 25 and an n-electrode 26 are formed on an LED luminous layer 28 in an LED chip 20.例文帳に追加

また、ＬＥＤチップ２０のＬＥＤ発光層２８上には、ｐ電極２５およびｎ電極２６が形成されている。 - 特許庁

In a first light-emitting diode chip 2, an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer 6 are laminated, and one part of the p-type semiconductor layer 6 is removed in a part of surface of the chip 2 opposed to a mounting substrate 9 to form an electrode.例文帳に追加

第１の発光ダイオードチップ２は、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層６が積層されており、実装基板９との対向面の一部においてはｐ型半導体層６の一方が除去されて電極が形成されている。 - 特許庁

Chip components P can be inserted in sequence into recessed in a carrier tape by pushing out the chip components P through a component discharging port of a component insertion machine 100 at a timing when the carrier tape moving intermittently is stopped at every space of the recesses.例文帳に追加

凹部間隔毎に間欠的に移動するキャリアテープが停止したタイミングで、部品挿入機１００の部品排出口１０８ｄからチップ部品Ｐを押し出すことにより、このチップ部品Ｐをキャリアテープの凹部内に順次挿入することができる。 - 特許庁

Only when the photovoltaic power generator 5 receives light from the lighting equipment 8, electric power is fed to the IC chip 4, and the information signal P is transmitted to the reader/writer 2 from the IC chip 4, and then, the information signal P is received by the reader/writer 2.例文帳に追加

光発電装置５が照明設備８の光を受光したときにのみ、ＩＣチップ４に電力が供給され、ＩＣチップ４からリーダライタ２に情報信号Ｐが発信されて、リーダライタ２によって情報信号Ｐが受信される。 - 特許庁

On an alumina substrate 1, capacitors C1 to C3 and a wiring pattern P are formed in a thin film and part of the wiring pattern P is used as a connection land 5 to mount a bare chip 6 of a transistor Tr.例文帳に追加

アルミナ基板１上にコンデンサＣ１〜Ｃ３と配線パターンＰを薄膜形成すると共に、配線パターンＰの一部を接続ランド５としてトランジスタＴｒのベアチップ６を搭載する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a flip-chip type semiconductor light emitting element 10 in which p-type first bumps 14, 15 are respectively provided at p-type element side electrodes 11, 12 so that the bumps are each an Au plated bump.例文帳に追加

フリップチップ型の半導体発光素子１０に設けられたｐ型の素子側電極１１、１２にｐ型等の第１のバンプ１４、１５を設け、該バンプはＡｕのメッキバンプである。 - 特許庁

This laser array has a plurality of stripe structures in one LD chip and p-electrodes on the p-type contact layers which become the uppermost layers of the stripe structures.例文帳に追加

特に、この窒化物半導体レーザアレイは、１つのＬＤチップに複数のストライプ構造を備え、かつストライプ構造の最上層となる各ｐ型コンタクト層に、ｐ電極を有する。 - 特許庁

Lead pitch p, lead width w, and lead plate thickness t at the tip end of the inner lead connected to a semiconductor chip 1 is w<t, p≤1.2 t, with the inner lead fixed to the heat-radiation plate.例文帳に追加

半導体チップと接続されるインナーリード先端のリードピッチｐ，リード幅ｗ，リード板厚ｔが、ｗ＜ｔ、ｐ≦１．２ｔとなっており、前記放熱板にインナーリードを固定する。 - 特許庁

An n-type buried layer 11 and an epitaxial layer 12, and a P-type semiconductor layer 13 are arranged on a surface of a P-type semiconductor substrate 10 constituting an IC chip 10A.例文帳に追加

ＩＣチップ１０Ａを構成するＰ型の半導体基板１０の表面には、Ｎ型の埋め込み層１１及びエピタキシャル層１２と、Ｐ型の半導体層１３が配置されている。 - 特許庁

The conductor piece 50 can be connected to a p-type region 72 of the bare chip diode 70, while the other terminal plate 30 can be connected to the n-type region 71 of the bare chip diode 70.例文帳に追加

導体片５０はベアチップダイオード７０のＰ形領域７２と接続可能とされ、他方の端子板３０はベアチップダイオード７０のＮ形領域７１と接続可能とされる。 - 特許庁

If power P supplied to the heat generating chip is greater than a threshold value Pth, processes from step S102 to step S107 are performed.例文帳に追加

発熱チップへの投入電力Ｐが閾値Ｐｔｈよりも大きいとき、ステップＳ１０２乃至ステップＳ１０７の処理を行う。 - 特許庁

A voltage is applied to a chip TP via a probe needle P from a voltage drive section 30, thereby moving the movable section of the minute structure.例文帳に追加

電圧駆動部３０よりプローブ針Ｐを介して電圧をチップＴＰに印加して、微小構造体の可動部を動かす。 - 特許庁

As to a P code generated in the GPS receiver, an E2 code and an L2 code separated from each other longitudinally by a half chip are generated.例文帳に追加

ＧＰＳ受信器で生成するＰコードに対して前後に１／２チップずつ離れたＥ２コードおよびＬ２コードを生成する。 - 特許庁

The second p-n junction region has no electrodes, and further reaches the end surface of the photodiode chip 1B.例文帳に追加

第２のｐｎ接合領域に電極はなく、また、第２の接合領域はフォトダイオードチップ１Ｂの端面にまで達している。 - 特許庁

The LED 20 has a chip body 21 having a light emission area, a P-type electrode 22a, and an N-type electrode 22b.例文帳に追加

ＬＥＤ２０は、発光領域を有するチップ本体２１と、Ｐ型電極２２ａおよびＮ型電極２２ｂとを有している。 - 特許庁