「PULSED LASER」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

From a laser light source, pulsed laser light of a wavelength of 250-400 nm is emitted, and the laser light is shaped into first laser beams 10 whose length along a prescribed cutting line is short and is allowed to strike the glass substrate at a first interval whose distance along the prescribed cutting line is long.例文帳に追加

レーザ光源から、波長が２５０〜４００ｎｍのパルスレーザ光を出射し、このレーザ光を切断予定線に沿う長さが短い第１のレーザビーム１０に成形して、切断予定線に沿う距離が長い第１の間隔でガラス基板に照射する。 - 特許庁

As light source, one can be used that has a short-pulse laser for generating short pulsed laser light and a medium, having a nonlinear optical effect and outputs the short pulse laser light generated from the short pulse laser, after widening its band by the nonlinear optical effect of the medium.例文帳に追加

光源としては、短パルスレーザ光を発生する短パルスレーザと非線形光学効果をもった媒体とを有し、短パルスレーザが発生する短パルスレーザ光を媒体の非線形光学効果により広帯域化して出力するものが使用できる。 - 特許庁

The method for forming the thin film of diamond-like carbon on the substrate by a pulsed laser deposition method using the polymer as a target, is characterized by employing a linear structured polymer having a benzene ring in the molecule as a target, and irradiating the target with an ultraviolet-light pulsed laser having a pulse width of 50 ns or less.例文帳に追加

ポリマーをターゲットとして使用するパルスレーザーデポジション法によって基板上にダイヤモンド様炭素薄膜を形成する方法において、分子内にベンゼン環を有する線状構造ポリマーをターゲットとして使用し、これにパルス幅が５０ｎｓ以下の紫外光パルスレーザーを照射することを特徴とするダイヤモンド様炭素皮膜の形成方法。 - 特許庁

(a) A pulsed laser beam, which is made incident by forming an irradiation region of a first shape, is emitted in a plurality of shots into a machining region, while the irradiation position is shifted so that the incident region is partly overlapped, and in a manner that the entire machining region is fully irradiated and that no irradiation region of the pulsed laser beam protrudes outside the machining region.例文帳に追加

（ａ）加工領域中に、第１の形状の入射領域を形成して入射するパルスレーザビームを、入射領域が部分的に重複するように入射位置をずらしながら、かつ、加工領域の全域が隈なく照射され、パルスレーザビームの入射領域が加工領域の外側にははみ出さないように、複数ショット照射する。 - 特許庁

The processing method comprises the step (i) of irradiating glass (a glass sheet 12) with a pulsed laser 12 at a wavelength λ after condensation with a lens to form a degenerated part 13 on that part of the glass which is irradiated with the pulsed laser 12 and the step (ii) of etching the regenerated part 13 with an etchant having a larger etching rate to the regenerated part 13 than to the glass.例文帳に追加

（ｉ）波長λのレーザパルス１２をレンズで集光してガラス（ガラス板１２）に照射することによって、ガラスのうちレーザパルス１２が照射された部分に変質部１３を形成する工程と、（ii）ガラスに対するエッチングレートよりも変質部１３に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて変質部１３をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

For recognizing the object based on the distance image data acquired by emitting a pulsed-laser to the object and introducing the pulsed-laser reflected off the object, edge-related information such as an edge line which is part of the object is extracted from the acquired distance image data, and a plane of the object is extracted using the edge-related information.例文帳に追加

対象物にパルスレーザを発射し、対象物で反射されたそのパルスレーザを入射して取得される距離画像データに基いて対象物を認識するにあたり、取得された距離画像データから対象物の一部であるエッジラインなどのエッジに係る情報を抽出し、そのエッジに係る情報を利用して対象物の平面を抽出する。 - 特許庁

The pulsed laser 12 has a pulse width in the range of 1 to 200 ns, a wavelength λ of 535 nm or shorter, an absorption coefficient of 100 cm^-1 or smaller at the wavelength λ in glass, and has a value of 7 or larger when the focal length L (mm) of the lens is divided by the beam diameter D (mm) of the pulsed laser upon its incidence into the lens.例文帳に追加

レーザパルス１２のパルス幅が１ｎｓ〜２００ｎｓの範囲にあり、波長λが５３５ｎｍ以下であり、波長λにおけるガラスの吸収係数が１００ｃｍ^-1以下であり、レンズの焦点距離Ｌ（ｍｍ）を、レンズに入射する際のレーザパルスのビーム径Ｄ（ｍｍ）で除した値が７以上である。 - 特許庁

To obtain plural converging (machining) spots of nearly same size on a workpiece, when plural places of the workpiece are simultaneously machined by branching one laser beam, even in laser machining by using ultra-short pulsed laser such as a femto-second pulse.例文帳に追加

１本のレーザービームを分岐させて被加工物の複数箇所を同時に加工する際に、フェムト秒パルス等の超短パルスレーザーを用いたレーザー加工においても、被加工物上に複数のほぼ同じ大きさの集光（加工）スポットを得る。 - 特許庁

Heat production is suppressed when the low energy density laser beam is applied for providing time intervals in high energy density laser application while high-speed boring is under way by the high energy density UV pulsed laser beam which is optimum for the boring process.例文帳に追加

これにより、加工に最適な高エネルギー密度の紫外線パルスレーザによって高速で穴あけ加工しながら、低エネルギー密度のレーザ照射で高エネルギー密度照射の間隔をあけることで、熱の発生を抑制することができる。 - 特許庁

Consequently, while excitation energy is stored in the laser oscillator 11, the excitation energy stored in the laser oscillator 11 is released in a desired output timing by the Q switch element 14 to emit Q-switched pulsed laser light.例文帳に追加

これにより、レーザ発振器１１内に励起エネルギーを蓄積させる一方で、Ｑスイッチ素子１４により所望の出力タイミングにてレーザ発振器１１内に蓄積された励起エネルギーを解放してＱスイッチパルスレーザ光を出力させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the spark plug 100 includes a laser welding process in which an electrode chip 133 is arranged at an electrode base material 131 and by irradiating a pulsed laser beam LS on it, unit welding parts 135n1 to 135n10 are formed in the order corresponding to respective laser pulses N1 to N10.例文帳に追加

スパークプラグ１００の製造方法は、電極チップ１３３を電極母材１３１に配置し、これにパルス状のレーザ光ＬＳを照射することにより、各レーザパルスＮ１〜Ｎ１０に対応した単位溶接部１３５ｎ１〜１３５ｎ１０を順次形成するレーザ溶接工程を備える。 - 特許庁

The deposition apparatus 1 is an apparatus for depositing a film by a PLD (pulsed laser deposition) method where a target 3 placed on a rotating targer table 5 is irradiated with a laser beam 42 emitted from a laser part 4 to excite atoms constituting the target 3 and liberate metal atoms from the target 3 by a thermal/photochemical action.例文帳に追加

成膜装置１は、ＰＬＤ法によって成膜する装置であり、レーザ部４からレーザ光４２を、回転するターゲット台５に載置されたターゲット３に照射し、ターゲット３を構成する原子を励起し、熱的・光化学的作用により、ターゲット３から金属原子を遊離させる。 - 特許庁

Laser for generating pulsed laser emission 2 includes: a resonator 3; a laser active medium 6 arranged in the resonator 3; and a Q switch 8 arranged in the resonator 3 and capable of setting a first state and a second state to set the quality of the resonator.例文帳に追加

パルスレーザ放射２を生成するレーザは、共振器３と、共振器３内に配置されるレーザ活性媒質６と、共振器３内に配置され、かつ共振器の質を設定するために第１状態と第２状態とに設定可能なＱスイッチ８とを備える。 - 特許庁

A method for manufacturing a spark plug 100 includes a laser welding step for forming unit welding parts 135n1 to 135n10 corresponding to respective laser pulses N1 to N10 by arranging an electrode chip 133 on an electrode base material 131 and irradiating it with a pulsed laser beam LS.例文帳に追加

スパークプラグ１００の製造方法は、電極チップ１３３を電極母材１３１に配置し、これにパルス状のレーザ光ＬＳを照射することにより、各レーザパルスＮ１〜Ｎ１０に対応した単位溶接部１３５ｎ１〜１３５ｎ１０を順次形成するレーザ溶接工程を備える。 - 特許庁

The beam emitted from a titanium/sapphire laser 1 which generates picosecond pulsed light is split into a heating beam H and a temperature measuring beam P by means of a beam splitter 2.例文帳に追加

ピコ秒のパルス光を発生するチタン／サファイヤ・レーザー１から発せられるビームは、ビームスプリツタ２で加熱ビームＨと測温ビームＰに分割される。 - 特許庁

The removal method comprises irradiating adhered matter on the top of a carbon nanotube (CNT) with a pulsed laser beam to remove the adhered matter from the carbon nanotube (CNT).例文帳に追加

カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）先端部の付着物にパルスレーザーを照射することにより、付着物を脱離させる除去方法を提供する。 - 特許庁

The multiple electric signals have inherently spatial position information of the arrangement peculiar to geometrical arrangement as well as temporal position information corresponding with the detecting time of pulsed laser beam by the multiple photoelectric conversion elements.例文帳に追加

複数の電気信号は、幾何学的配列が固有に持つ配列の空間的位置情報を本質的に有し、更に、その複数の光電変換要素がパルスレーザー光を検出する時刻に対応する時間的位置情報を有している。 - 特許庁

The single crystal semiconductor layer bonded to the supporting substrate is irradiated with the pulsed laser beam in an atmosphere containing an inert gas such as nitrogen and oxygen so that the surface thereof is made rough.例文帳に追加

支持基板に接合した単結晶半導体層に、窒素等の不活性気体と酸素を含む雰囲気中でパルスレーザビームを照射して単結晶半導体層の表面を凹凸化する。 - 特許庁

To irradiate a plurality of fluorescent agents on a fundus oculi using a single wave-length light source and provide the respective fluorescent fundus oculi images by irradiating the examination object fundus oculi by femtosecond pulsed infrared laser beams.例文帳に追加

被検眼眼底をフェムト秒パルス赤外レーザー光で照明することにより、１つの波長光源を使用して、眼底上の複数の蛍光剤を個々に照明しそれぞれの蛍光眼底像を得る。 - 特許庁

The ultra-high density Si plasma (10^14/cm^3) 1 generated by a pulsed laser beam is subjected to collision reaction against the plasma 2 generated through a different plasma reaction using a silane gas, a hydrogen gas, etc.例文帳に追加

パルスレーザー光によって発生した超高密度のＳｉプラズマ（１０^１４／ｃｍ^３）１を、シランガス、水素ガス等を用いた別のプラズマ反応で生成されたプラズマ２と衝突反応させる。 - 特許庁

The pulsed laser light has oscillation pulse cycles of one pulse per one rotation or integral rotations of the rotary tool, and irradiates the same angle range of the rotary tool during an oscillation-pulse ON period.例文帳に追加

パルス化レーザ光は、回転工具の１回転又は整数回転当たり１パルスの発振パルス周期を有し、該発振パルスオン期間の間に回転工具の同一角度範囲に照射する。 - 特許庁

To obtain an effective defoaming effect by directing a pulsed sound wave generated by impact caused by laser-induced breakdown to a liquid surface using an acoustic waveguide.例文帳に追加

レーザー誘起ブレークダウンの衝撃によって発生するパルス状音波を、音響導波管を用いて液体表面方向に向けることにより、効果的な消泡効果が得ること。 - 特許庁

Pulsed laser light L is condensed with a reductive condensing optical system 51, fairing it to a circular geometry corespondent to the geometry of a negative electrode face 23 the leakage of lithium electrolysis solution of a lithium coin cell 2 is be worried.例文帳に追加

リチウムコイン電池２のリチウム電解液の漏洩が予想される負極面23の形状に対応させて、パルスレーザ光Ｌを縮小集光光学系51にて円形状に整形しつつ集光する。 - 特許庁

In the glass member for optical parts, the heterogeneous phase region distinguishable by a different refractive index is formed at an intended location inside a glass by focused irradiation of a pulsed laser.例文帳に追加

この光学部品用ガラス部材は、パルスレーザーを集光照射して、ガラス内部の所望の位置に屈折率差が異なることにより区分される異質相領域が形成される。 - 特許庁

With air 32 blown at a machining point 8A, ablation plume 18 rising from the machining point is removed, thereby a pulsed laser beam 16 is prevented from diffusing.例文帳に追加

加工点８Ａにエア３２を吹付けて、加工点から上がるアブレーションプルーム１８を除去することにより、パルスレーザ光１６の拡散を防ぐ。 - 特許庁

The depth of the cavity formed on the laminate of the sugar-coated layers can be controlled in a submicron unit by the nonthermal processing of the ultrashort pulsed laser so as to expose the color of the desired sugar-coated layer.例文帳に追加

超短パルスレーザの非熱加工により、糖衣層の積層に形成される窪みの深さをサブミクロン単位で制御することができ、所望の糖衣層の色を露出させることができる。 - 特許庁

The ITO film is evaporated onto a crystalline substrate (e.g. YSZ single crystal substrate) at 500 to 1,000°C substrate temperature using a pulsed laser assisted vapor deposition method.例文帳に追加

パルス・レーザー・蒸着法を用いて結晶性基板（例えば、ＹＳＺ単結晶基板）上に基板温度５００〜１０００℃においてＩＴＯ膜を形成する。 - 特許庁

The pulsed laser beam (84) includes a pulse duration including a range less than about 50 μs, an energy per pulse having a range less than about 0.1 Joule, and a repetition rate with a range greater than about 1,000 Hz.例文帳に追加

パルスレーザビーム（８４）は、約５０μｓよりも小さい範囲を備えたパルス幅と、約０．１ジュールよりも小さい範囲を有するパルス当たりエネルギーと、約１０００Ｈｚよりも大きい範囲になった繰返し速度とを含む。 - 特許庁

At least the region opposing the P^+ type semiconductor region 3 of the second main face 1a of the n^- type semiconductor substrate 1 is irradiated with pulsed laser light, and irregular recesses and protrusions 10 are formed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸１０を形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal orientating agent imparting parallel orientating capability to a liquid crystalline molecule by irradiating polarization pulsed laser and having performance to impart a thermally stable pretilting angle thereto, and to provide a polymer for the orientating agent and a manufacturing method of the polymer.例文帳に追加

偏光パルスレーザの照射によって、液晶分子に対する平行配向能が付与され、熱的に安定なプレチルト角を付与する性能を備えた液晶配向剤、そのための重合体およびその製造法を提供する。 - 特許庁

A first ultraviolet ray beam or visible light beam 5 and a second light beam 16 as the ultrashort pulsed laser beam are simultaneously applied to a surface of a dielectric material as a workpiece.例文帳に追加

紫外または可視光である第１の光ビーム５と超短パルスレーザー光である第２の光ビーム１６とを被加工物である誘電体材料の表面に同時的に照射する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus of modulating a fiber laser which generates a rectangular form pulsed light without a surge pulse by optimizing the input pattern of a pump light source.例文帳に追加

ポンプ光源の入力パターンを最適化して、サージパルスを伴わない矩形状パルス光を生成するファイバレーザーの変調方法及び変調装置を提供する。 - 特許庁

A pulsed light emission timing of the LD_2 27 on the downstream side is controlled in accordance with a timing when the droplet 1 passes the laser beam 2a on the upstream side, to thereby cope with a speed change of the droplet 1.例文帳に追加

また、上流側のレーザ光束２ａを液滴１が通過したタイミングに合わせて、下流側のＬＤ_2 ２７のパルス発光タイミングを制御することで、液滴１の速度変化に対応する。 - 特許庁

The outgoing timing of the pulsed laser beam is controlled according to the target speed during a constant speed period when the feeding rate is retained at the constant target speed after reaching the target speed.例文帳に追加

送り速度が目標速度に到達して一定の目標速度に維持されている等速期間には、パルスレーザビームの出射時期が、目標速度に基づいて制御される。 - 特許庁

In the method for removing the biofilm due to organisms which is adhered to the surface of a solid member, a pulsed laser is irradiated to the part where the biofilm is adhered while bringing the part into contact with liquid.例文帳に追加

生物によるバイオフィルムを表面に付着した固体部材から該バイオフィルムを除去する方法であって、バイオフィルムの付着部分を液体と接触させながら、それにパルスレーザを照射する。 - 特許庁

An embodiment is possible, in which the second light beam 16 is formed of fundamental waves of the output of the ultrashort pulsed laser beam, and the first light beam 5 is formed of harmonic waves converted by a non-linear optical element or the like.例文帳に追加

超短パルスレーザー光源出力の基本波を第２の光ビーム１６、非線形光学素子などによって変換された高調波を第１の光ビーム５とする実施形態も可能である。 - 特許庁

To divide a workpiece (34) along a dividing line (36) fully accurately and easily by improving the method and device of dividing a sheet-like workpiece (34) using a pulsed laser beam (78).例文帳に追加

パルスレーザ光線（７８）を利用する薄板状被加工物（３４）の分割方法及び装置を改良して、分割ライン（３６）に沿って充分精密に且つ充分容易に被加工物を分割することができるようにせしめる。 - 特許庁

Then an energy absorption layer 16 is formed in such a way as to cover the entire surface of the substrate 10 to irradiate a pulsed laser beam from the side of the layer 16.例文帳に追加

次に、基板１０の全面を覆うようにエネルギー吸収層１６を形成して、エネルギー吸収層１６の側からパルスレーザビームを照射する。 - 特許庁

The surface of a single crystal semiconductor layer bonded to a supporting substrate is irradiated with a pulsed laser beam to make the surface rough.例文帳に追加

支持基板に接合させた単結晶半導体層の表面にパルスレーザビームを照射して、該単結晶半導体層の表面を凹凸化させることを要旨とする。 - 特許庁

The light source control device 35 controls the relation between phase velocity and group velocity in a resonator of the laser light source 10 to adjust the CEP (carrier envelope phase) of the pulsed light.例文帳に追加

そして、光源制御装置３５は、求められた制御条件に基づいて、レーザ光源１０の共振器内での位相速度と群速度との関係を制御し、パルス光のＣＥＰを調整する。 - 特許庁

The depositing speed of the SiO_2 film is varied by the pulsed energy of a laser beam 5 that is adjustable outside a film deposition container 1, with the refractive index of the pure SiO_2 film continuously controlled in 10^-2 order.例文帳に追加

成膜容器１の外で調整可能なレーザー光５のパルスエネルギーによりＳｉＯ_２膜の堆積速度を変化させ、純粋なＳｉＯ_２膜の屈折率を１０^−２オーダーで連続的に制御する。 - 特許庁

A resin layer 32 and a copper foil layer 33 formed on the surface is irradiated with the ultraviolet rays pulsed laser beam that a peak of a pulse less than 10 kW and a pulse length no less than 100 ns to drill a hole.例文帳に追加

樹脂層３２及びその表面上に形成された銅箔層３３に、パルスのピークパワーが１０ｋＷ未満、パルス幅が１００ｎｓよりも長い紫外パルスレーザビームを照射して孔開けを行う。 - 特許庁

This light is pulsed in accordance with a predetermined method and can be transmitted by a discharge lamp with which the intensity can be rapidly attenuated or by a quasi-continuous wave pulsing laser.例文帳に追加

この光は、所定の方式に従ってパルス化し、強度が急速に減衰する放電ランプまたは準連続波パルス化レーザーによって送達することができる。 - 特許庁

A propagation optical system has the first and second pulsed laser beams propagate along a common path and carry out incidence to the object for annealing held on the stage.例文帳に追加

伝搬光学系が、第１及び第２のパルスレーザビームを共通の経路に沿って伝搬させ、ステージに保持されたアニール対象物に入射させる。 - 特許庁

The energy size of one output pulse of the pulsed laser beam is set to a value necessary to reach the minimum temperature for forming alloy as a result of melting the first and second Si lumps with the Ge material.例文帳に追加

パルスレーザ光の出力パルス一つ分のエネルギーの大きさは、第1のSi塊及び第2のSi塊とGe材が融解して合金が形成されるための最小の温度に到達するために必要な値に設定されている。 - 特許庁