「Photoluminescence」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

By using the strong excitation micro photoluminescence method, each intensity of photoluminescence light emitted from an evaluated semiconductor silicon wafer and from the non-contaminated portion of a reference semiconductor silicon wafer is measured and compared, and thus Cu contamination in the semiconductor silicon wafer is evaluated.例文帳に追加

強励起顕微フォトルミネッセンス法を用い、評価対象の半導体シリコンウェーハと参照半導体シリコンウェーハの汚染のない部分とから発光されるフォトルミネッセンス光の光強度を測定して比較することにより当該半導体シリコンウェーハ中のＣｕ汚染を評価するようにした。 - 特許庁

To provide a polyfluorene and use thereof in photoluminescence and electroluminescence by solving the problems in new polyfluorene, the synthesis thereof, and use of the polyfluorene in a light-emitting device including a light-emitting diode and a light-emitting electrochemical cell as a material for photoluminescence and electroluminescence.例文帳に追加

ポリフルオレンおよび、それらのフォトルミネセンスおよびエレクトロルミネセンスデバイスにおける使用、新しいポリフルオレンおよびそれらの合成および発光ダイオードおよび発光電気化学セルを含む発光デバイスにおけるフォトルミネセンス用およびエレクトロルミネセンス用材料としてのこれらのポリフルオレンの使用における課題の克服。 - 特許庁

In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。 - 特許庁

Then photoluminescence light intensity and film quality are similarly measured with respect to an amorphous or polycrystalline reference oxide semiconductor formed in the same processes with the oxide semiconductor layer to be inspected and having the same element composition and film thickness with the oxide semiconductor layer to be inspected to obtain a relationship between the photoluminescence light intensity and film quality, and the film quality of the oxide semiconductor layer is estimated based upon the relationship.例文帳に追加

そして、被検査酸化物半導体層と同じ工程で作製され、被検査酸化物半導体層と同じ元素組成と膜厚とを有する、非晶質又は多結晶性の参照用酸化物半導体層に対し、同じフォトルミネッセンス光強度の測定と、膜質の測定とを行い、フォトルミネッセンス光強度と膜質との関係を得て、この関係に基づいて酸化物半導体層の膜質を推定する。 - 特許庁

The agglomerated particle 92 consisting of an agglomerate of plural magnesium oxide crystal grains is such that a ratio of the maximum intensity of photoluminescence in the range of wavelengths from 200 nm and over to less than 300 nm to the maximum intensity of photoluminescence in the range of wavelengths from 300 nm and over to less than 500 nm is 0.1 to 10, both ends incl.例文帳に追加

酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子９２は、波長２００ｎｍ以上３００ｎｍ未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度と、波長３００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度との比が、０．１以上１０以下である。 - 特許庁

The evaluation method of a semiconductor substrate includes a process in which a semiconductor substrate is submerged in an etching liquid filled in a vessel, a process in which the semiconductor substrate submerged in the etching liquid is irradiated with light through the etching liquid so that the semiconductor substrate emits photoluminescence light, and a process for observing the photoluminescence light that has been released.例文帳に追加

容器に満たされたエッチング液中に半導体基板を浸漬する工程、エッチング液中に浸漬されている半導体基板に対し、エッチング液を介して光を照射して、半導体基板によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び放出されたフォトルミネッセンス光を観察する工程を含む、半導体基板の評価方法。 - 特許庁

Excitation light having energy that is lower than the band gap energy of a substrate is applied from the rear side of the substrate and photoluminescence is detected from the rear of the substrate in a method for non-destructively inspecting the carrier concentration of the semiconductor epitaxial film formed on the front of the substrate via a buffer layer by photoluminescence.例文帳に追加

基板の表面にバッファ層を介して形成された半導体エピタキシャル膜のキャリア濃度をフォトルミネッセンスで非破壊検査する方法において、該基板のバンドギャップエネルギーより低いエネルギーをもつ励起光を該基板の裏面側から照射し、フォトルミネッセンスを該基板の裏面から検出することを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor laser element, a semiconductor layer interface 116 containing oxygen atoms is present at least above an active layer 103 in the internal region of the laser resonator, and a peak wavelength of photoluminescence on the active layer 103 in end face close region of the laser resonator is shorter than a peak wavelength of photoluminescence on the active layer in the inner region of the laser resonator.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、酸素原子を含む半導体層界面１１６が少なくともレーザ共振器の内部領域の活性層１０３の上方に存在し、かつ、レーザ共振器の端面近傍領域の活性層１０３のフォトルミネッセンスのピーク波長が、レーザ共振器の内部領域の活性層のフォトルミネッセンスのピーク波長よりも短くなっている。 - 特許庁

In a step S106, a photoluminescence spectrum intensity of the yellow band wavelength band and the band edge wavelength is compared with a reference value to select the epitaxial substrate and produce a selected epitaxial substrate E1.例文帳に追加

工程Ｓ１０６では、イエローバンド波長帯およびバンド端波長のフォトルミネッセンススペクトル強度を基準値と比較することによってエピタキシャル基板を選別して、選別済みエピタキシャル基板Ｅ１を作製する。 - 特許庁

To provide a semiconductor characteristics evaluating apparatus capable of obtaining the distribution of photoluminescence spectra of an ingot without the need to make optical adjustments to ingots having different diameters.例文帳に追加

口径の異なるインゴットに対しても複雑な光学系の調整が不要で、インゴットのフォトルミネッセンススペクトルの分布を求め得る半導体の特性評価装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nondestructive test method for a semiconductor epitaxial film, capable of evaluating a sheet carrier concentration from a measurement of a photoluminescence spectrum near a room temperature without destroying the semiconductor epitaxial film.例文帳に追加

本発明は、半導体エピタキシャル膜を破壊することなく、室温付近のフォトルミネッセンススペクトルの測定から、シートキャリア濃度を評価することが可能な半導体エピタキシャル膜の非破壊検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new boron nitride nanowire useful as an optical device or the like such as a photoluminescence or a cathode luminescence and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

フォトルミネッセンス、カソードルミネッセンス等の光学デバイス等として有用な新規な窒化ホウ素ナノワイヤーとその製造方法を提供する。 - 特許庁

It can hold the ingot 1 without the optical adjustments including irradiating the semiconductor crystal with a laser beam as an excitation light and condensing the photoluminescence light PL1 even if the aperture of the ingot 1 differs.例文帳に追加

インゴット１の口径が異なっても半導体結晶への励起光としてのレーザ光の照射及びフォトルミネッセンス光ＰＬ１の集光を行う光学系の調整をしないでインゴット１を保持できる。 - 特許庁

In addition, the polymer has a compound showing photoluminescence having a luminescent quantum yield of ≥0.2 in a visible light wavelength region of 390 to 800 nm.例文帳に追加

さらに上記ポリマーは波長が３９０〜８００ｎｍの可視領域において、発光量子収率が０．２以上のフォトルミネッセンスを示す化合物である。 - 特許庁

To provide a photoluminescence measuring apparatus by which an emission spectrum from a sample at an emission wavelength peak of 1.1 μm or less can be observed.例文帳に追加

発光波長ピークが１．１μｍ以下にあるような試料からの発光スペクトルの観察が可能なフォトルミネッセンス測定装置を提供すること。 - 特許庁

In a silicon crystal containing a trace of impurities, the impurities are converted into optically active recombination centers, then luminescence centers arising from the recombination centers are detected using photoluminescence.例文帳に追加

微量の不純物を含むシリコン結晶において、前記不純物を光学的に活性な再結合センターに変換させ、フォトルミネッセンスを用いて前記再結合センターに起因した発光センターを検出する。 - 特許庁

To provide a method and a device for precisely evaluating two dimensional distribution of crystal structure defects of a semiconductor sample by a photoluminescence method in nondestructive and noncontact manner.例文帳に追加

フォトルミネッセンス法により、非破壊、非接触で半導体試料の結晶構造欠陥の２次元分布の評価を高精度で行うことを可能にする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This thin film pattern generates a fluorescent pattern image by adjacently arranging a fluorescent light emitting part composed of a compound semiconductor emitting fluorescence by the photoluminescence action, and an non-fluorescent light emitting part of not emitting the fluorescence.例文帳に追加

この薄膜パターンは、フォトルミネッセンス作用によって蛍光を発する化合物半導体からなる蛍光発光部と、蛍光を発しない非蛍光発光部とを隣接して配置することにより、蛍光パターン像を発生する。 - 特許庁

The magnesium oxide solid solution particle has a photoluminescence emission peak in the wavelength range of 260 to 330 nm, and in which the group IIB elements in the periodic table are solid-solubilized in a content of 1 to 45 mol% expressed in terms of oxide.例文帳に追加

波長２６０〜３３０ｎｍの範囲にフォトルミネッセンス発光ピークを有し、周期表第ＩＩＢ族元素を酸化物換算で１〜４５モル％の含量で固溶していることを特徴とする酸化マグネシウム固溶体粒子。 - 特許庁

The cured product contains a large amount of uniformly dispersed ultrafine zinc oxide particles without causing the agglomeration of the particles and having excellent photoluminescence, electroluminescence, ultraviolet shielding performance, high refractive index and transparency.例文帳に追加

酸化亜鉛超微粒子が互いに凝集することなく高含量で均一分散した硬化物が得られ、フォトルミネッセンス、エレクトロルミネッセンス、紫外線遮蔽能、高屈折率、透明性に優れる。 - 特許庁

Since carbon nanotube does not emit photoluminescence in its aggregated state, it is possible to recognize the progress of aggregation from reduction in the intensity over the lapse of time.例文帳に追加

カーボンナノチューブは凝集した状態ではフォトルミネッセンスを発しないため、時間経過に伴う強度の低下状態により凝集化の進行を把握することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element and method of manufacturing the same whereby a change in peak wavelength of photoluminescence is reduced in an internal region of a laser resonator and high reliability can be obtained over a long period.例文帳に追加

レーザ共振器の内部領域でのフォトルミネッセンスのピーク波長の変動を抑制し、かつ、長期信頼性に優れた半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor quantum dot element and its manufacturing method, wherein the condition that quantum dots of high uniformity are formed, the half-width of photoluminescence can be narrowed down to an irreducible minimum.例文帳に追加

均一性の高い量子ドットの作製条件を見つけることにより、フォトルミネッセンス半値幅を極限まで狭めることができる半導体量子ドット素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An excitation light scanning of the sample (dispersion fluid in which carbon nanotube is dispersed) is performed over the whole range of wavelength to measure the spectrum of photoluminescence, and a chirality distribution is created and displayed based on the its results (S1-S3).例文帳に追加

まず試料（カーボンナノチューブが分散された分散液）に対する全波長領域の励起光走査を行ってフォトルミネッセンスのスペクトルを測定した結果に基づき、カイラリティ分布を作成・表示する（Ｓ１〜Ｓ３）。 - 特許庁

To improve a fluorescent substance to realize reproduction of different colors and high luminescent colors by high photoluminescence effect due to its phenomenally good absorption of ultraviolet rays of primary light source or blue color radiation.例文帳に追加

蛍光体による第１の光源の紫外線もしくは青色の放射の著しく良好な吸収によって、高い光ルミネセンス効果で異なる光の色ならびに高い色の再現が実現される程度に変更する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III-V compound semiconductor optical device, and a method of forming a group III-V compound semiconductor capable of improving photoluminescence characteristics.例文帳に追加

フォトルミネッセンス特性を向上させることができる、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体光装置を作製する方法、及びＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To detect the defect of the pole surface layer of a semiconductor substrate with satisfactory efficiency by using a photoluminescence concerning the checking method of the semiconductor substrate and the checking device of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の検査方法及び半導体基板の検査装置に関し、フォトルミネッセンスを用いて良好な効率で半導体基板の極表層の欠陥を検出する。 - 特許庁

To provide a magnesium oxide particle which can reduce driving voltage while showing photoluminescence emission in an ultraviolet region for improving discharge velocity by being arranged on a protective film or a back face plate of a PDP (Plasma Display Panel).例文帳に追加

ＰＤＰの保護膜上又は背面板上に配置することで放電速度を向上するため紫外線領域でフォトルミネッセンス発光を示しながらも、駆動電圧を低減することが可能な酸化マグネシウム粒子を提供する。 - 特許庁

The light emitting element is structured so that a transparent electrode, light emitting layer and a back electrode are provided on a base board, wherein the light emitting layer contains metal oxide nano-particles having photoluminescence with a mean particle size of 1-50 nm.例文帳に追加

本発明の発光素子は、基板上に透明電極、発光層及び背面電極を有し、前記発光層は平均粒子径が１〜50 nmのフォトルミネッセンスを有する金属酸化物ナノ粒子を含有することを特徴とする。 - 特許庁

The photomagnetic sensor which is excellent in S/N (signal-to-noise ratio), and can perform high-frequency magnetic field measurement is constituted by utilizing the magnetic semiconductor film showing the photoluminescence effect rather than a Faraday effect.例文帳に追加

このようにファラデー効果よりもフォトルミネッセンス効果を現出する磁性半導体膜を利用することにより、高周波磁界測定のできるＳ／Ｎ（信号雑音比）に優れた光磁気センサが構成できる。 - 特許庁

To provide a method for forming a photoluminescent coating film which allows the formation of a coating film extremely excellent in smooth properties and photoluminescence with good workability, and achieve the reduction of environment load, and a coated article excellent in designability prepared by the method.例文帳に追加

平滑性や光輝性に極めて優れた塗膜を作業性よく形成することができ、環境負荷の低減も実現可能な光輝性塗膜形成方法と、該方法によって得られる意匠性に優れた塗装物品とを提供する。 - 特許庁

Accordingly, an additional polarizer may not be on a rear surface of the light control unit 50, so that photoluminescence liquid crystal display may have a simpler structure and increased light use efficiency.例文帳に追加

これにより、光制御部５０の背面側に別途の偏光板をさらに備える必要がないので、その構造が簡単になり、光効率が向上する。 - 特許庁

The luminescent fiber contains semiconductor nanoparticles having a mean particle size of 2 to 12 nm, and silicon, the luminescent fiber having a diameter of 20 nm to 2 μm, a length of 40 nm to 500 μm, an aspect ratio of 2 to 1,000, and photoluminescence efficiency of not less than 5%.例文帳に追加

平均粒径が２〜１２ｎｍの半導体ナノ粒子を含み、直径が２０ｎｍ〜２μｍ、長さが４０ｎｍ〜５００μｍ、アスペクト比が２〜１０００である、蛍光発光効率が５％以上のケイ素を含む蛍光性ファイバー。 - 特許庁

When for the Cu_2O films subjected and not subjected respectively to the cyanide treatment, their photoluminescence measurements are performed, a light emission has been observed near the band end of the Cu_2O thin film subjected to the cyanide treatment.例文帳に追加

このシアン処理を行ったＣｕ_2Ｏ薄膜とシアン処理を行わなかったＣｕ_2Ｏ薄膜について、フォトルミネッセンスを測定すると、シアン処理後のＣｕ_2Ｏ薄膜にはバンド端付近に発光が観測された。 - 特許庁

The carrier concentration of a III-V compound semiconductor wafer on which an n-type buffer layer is formed is measured through C-V measurement and, in addition, the photoluminescence of the wafer is also measured.例文帳に追加

ｎ型バッファ層形成済みのIII−Ｖ族化合物半導体ウェーハで、Ｃ−Ｖ測定によりキャリア濃度を測定する一方、フォトルミネッセンス測定も行う。 - 特許庁

The compound is a new compound which has not been reported and has properties suitable for a photosensitive material and an electroconductive material since the compound shows strong absorption and photoluminescence in the ultraviolet-visible light range.例文帳に追加

本発明の化合物は、これまで報告されていない新規の化合物であり、紫外ー可視領域に強い吸収及びフォトルミネッセンス示す事から、感光材料及び導電性材料として適した性質を有するものである。 - 特許庁

To provide an organic EL element, and the like, excellent in light emission efficiency, thermal stability and electric stability and having a long driving life by using an organic metal complex expressing phosphorus photoluminescence.例文帳に追加

りん光発光を示す有機金属錯体を用い、発光効率、熱的・電気的な安定性に優れ、駆動寿命の長い有機ＥＬ素子等の提供。 - 特許庁

For the physical constants of the grown film, the lattice mismatch rate between the grown film and the substrate, the photoluminescence wavelength of the grown film, and the absorption edge wavelength of the grown film are used.例文帳に追加

成長膜の物性定数としては、成長膜と基板との格子不整合率、成長膜のフォトルミネッセンス波長や成長膜の吸収端波長が用いられる。 - 特許庁

An apparatus for performing non-contact material characterization includes a wafer carrier 10 adapted to hold a plurality of substrates 12, and a material characterization device 20, such as a device for performing photoluminescence spectroscopy.例文帳に追加

非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板１２を保持するように適合されたウエハキャリア１０と、材料特性評価装置２０、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。 - 特許庁

Performance of photoluminescence measurement by light excitation of the intense electric field drift layer 6 detects peaks of emission from the silicon microcrystals 63.例文帳に追加

強電界ドリフト層６に光エネルギを与えて励起させてフォトルミネッセンス測定を行うと、シリコン微結晶６３からの発光のピークが検出される。 - 特許庁

A photosensitive layer S3 receiving light L1, which is a reception object from an upper part, emitting photoluminescence light L2 and is formed of a GaN material is installed in the stacked matter S.例文帳に追加

積層体Ｓ中には、上方からの受光対象光Ｌ１を受けてフォトルミネセンス光Ｌ２を発するＧａＮ系材料からなる光感応層Ｓ３を設ける。 - 特許庁

2. Deposition rate monitoring devices capable of achieving control by employing computers and that utilize the principle of ionized atom photoluminescence of ionized atoms occurring in vapor flow to control the rate of deposition when coating with two or more elements 例文帳に追加

（二）　コンピュータを用いて制御することができる溶着速度の監視装置であって、二以上の元素をコーティングする際の溶着速度を制御するために蒸気流中におけるイオン化原子のホトルミネセンスの原理を利用するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

In the evaluating method of composition of the nitriding silicon oxide film 2 formed on a substrate 1, the composition or the composition distribution of the nitriding silicon oxide film 2 is evaluated by measuring and analyzing a photoluminescence spectrum employing laser as a light source therefor.例文帳に追加

本発明は、基板１上に形成された窒化酸化シリコン膜２の組成を評価する方法であって、光源としてレーザを用い、フォトルミネッセンススペクトルを計測し解析することによって、窒化酸化シリコン膜２の組成又は組成分布を評価する。 - 特許庁

The method for measuring the phosphoric acid, the pyrophosphoric acid and the polyphosphoric acid in the sample includes reacting an ATP-luciferase complex obtained by binding luciferase with adenosine triphosphate, with luciferin and the sample, and detecting the photoluminescence caused by the reaction.例文帳に追加

ルシフェラーゼとアデノシン３リン酸とが結合したＡＴＰ−ルシフェラーゼ複合体と、ルシフェリンと、試料とを反応させ、該反応により生じる発光を検出することにより、該試料中のリン酸、ピロリン酸またはポリリン酸を測定する。 - 特許庁

The amorphous or polycrystalline oxide semiconductor layer to be inspected is irradiated with pumping light 2, and the intensity of photoluminescence light 4, in a wavelength range longer than a wavelength corresponding to band-gap energy, of light emitted from the oxide semiconductor layer to be inspected is measured.例文帳に追加

検査しようとする非晶質又は多結晶性の被検査酸化物半導体層に対して励起光２を照射し、被検査酸化物半導体層から放出される光のうち、バンドギャップエネルギーに対応する波長よりも長い波長領域のフォトルミネッセンス光４の強度を測定する。 - 特許庁