「RF source」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the peak position of the Fourier transform data is detected by a detector 24, and an RF power source 18 is adjusted in accordance with the peak position detected by the detector 24 so that calculated etching amounts can be obtained.例文帳に追加

ここでフーリエ変換されたデータは、そのピーク位置が検出器２４で検出され、該検出器２４で検出されたピーク位置に従ってＲＦ電源１８が調整されて、求められたエッチング量が得られる。 - 特許庁

Here, when the controller 5 receives the signal B from the power source IC3, it checks if an RF section 7 conducts telecommunication, and if it is not, the controller 5 controls the charging current controller 4 by using a signal C.例文帳に追加

ここで、制御部５は電源ＩＣ３から信号Ｂを受け取ると、ＲＦ部７が通信中か確認を行い、通信中ではない場合には、制御部５が信号Ｃを用いて充電電流制御部４を制御する。 - 特許庁

A light beam 151 from a UV laser light source 101 is applied to a traveling lens acousto-optical device 104 responsive to an RF input signal to selectively generate a plurality of traveling lenses in an active region.例文帳に追加

ＵＶレーザ光源１０１からの光ビーム１５１は、複数の移動レンズを活性領域に選択的に生成するようにＲＦ入力信号に対して応答する移動レンズ音響光学デバイス１０４に適用される。 - 特許庁

A bump electrode 8s for a source electrode is provided as an oscillation shield between a bump electrode 8g for the gate electrode of a semiconductor chip 1 constituting an RF power module and a bump electrode 8d for a drain electrode.例文帳に追加

ＲＦパワーモジュールを構成する半導体チップ１のゲート電極用のバンプ電極８ｇと、ドレイン電極用のバンプ電極８ｄとの間に、発振シールドとしてソース電極用のバンプ電極８ｓを設けた。 - 特許庁

LIGHT SOURCE FOR DIRECT MODULATION TYPE OPTICAL COMMUNICATION, OPTICAL OUTPUT WAVEFORM CHARACTERISTIC STORED THEREIN, OPTICAL OUTPUT POWER CHARACTERISTIC AND MEASURING POINT SELECTING METHOD FOR RF AMPLITUDE CHARACTERISTIC例文帳に追加

直接変調型光通信用光源部、並びに直接変調型光通信用光源部に格納する光出力波長特性、光出力電力特性及びＲＦ振幅特性の測定点の選定方法 - 特許庁

An HDPO process generally generates plasma using an inductively and/or capacitively coupled RF energy transmitting device, controls the plasma generated on a substrate, and injects a gas containing an oxidizing source to grow an interface layer.例文帳に追加

ＨＤＰＯ処理は、一般的に、誘導及び／又は容量結合ＲＦ伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。 - 特許庁

Plasma 14 excited by RF source HF, LF of multiple frequencies is formed in the chamber, a hollow ring 21 formed by a dielectric material is set between the chamber chassis 15 of the chamber and the first electrode 11.例文帳に追加

前記チャンバ中には多周波のＲＦ源ＨＦ，ＬＦにより励起されるプラズマ１４が形成され、前記チャンバのチャンバ筐体１５と第一電極間１１には誘電材料により形成される中空リング２１が設置される。 - 特許庁

Further, even when a voltage higher than the inside of an IC chip is impressed to the power source terminal, an internal voltage is continuously operated by RF power from a regulator output and the combination card capable of dealing with electric attack can be provided.例文帳に追加

さらに、電源端子にＩＣチップ内より高い電圧が加えられたとしても内部電圧はレギュレータ出力からのＲＦ電力で動作し続け、電気的攻撃にも対処できるコンビネーションカードを提供することができる。 - 特許庁

When a card detection part 6 detects an IC card 8, the reader sends a signal to a power source control part 5 to supply power to a control part 3, an RF transmission/reception part 4, etc., to be shifted from a low power consumption mode to a normal mode.例文帳に追加

リーダ装置は、カード検出部６がＩＣカード８を検出すると、電源管理部５に信号を送り、制御部３とＲＦ送受信部４等の電源を入れ、低消費電力モードから通常のモードへ移行する。 - 特許庁

Also, a bias RF power to be impressed to a substrate is controlled within a range from 50W to 200W, and the gas pressure of source gas is controlled so as to be 532mPa(40mTorr) or less, and a substrate temperature is controlled so as to be 60°C or less so that further the film damage can be suppressed.例文帳に追加

また、基板に印加するバイアスＲＦ電力を５０〜２００Ｗの範囲内に制御し、ソースガスのガス圧力を５３２ｍＰａ（４０ｍＴｏｒｒ）以下に制御し、基板温度を６０℃以下に制御することで、さらなる膜ダメージの抑制が可能になる。 - 特許庁

For example, the second RF source and the conductive grid can be a part of a capacitive circuit configured such that voltage change in the capacitive circuit affects properties of the sputtering gas and, then properties of a sputter deposition process is changed.例文帳に追加

例えば、第２のＲＦ電源及び導電グリッドは、容量性回路の一部を構成しており、容量性回路内における電圧の変化によりスパッタリング・ガスの特性が変化し、その後、スパッタ・成膜プロセスの特性が変化する。 - 特許庁

A laser beam emitted from the light source 510 of a pickup 500 is diffracted to be an RF signal light, a focus signal light, a tracking signal light or a defect detection light by the diffraction grating 522 of a diffraction element 520.例文帳に追加

ピックアップ５００における光源５１０から出射したレーザ光は、回折素子５２０における回折格子５２２によってＲＦ信号光、フォーカス信号光、トラッキング信号光、及び欠陥検出光に回折される。 - 特許庁

The processing component 310 also supplies the baseband controller 320 with the first control signal for adjusting the variable baseband source 340, and the linearization controller 330 with the second control signal for adjusting the RF component 350.例文帳に追加

また、プロセシングコンポーネント３１０はベースバンドコントローラ３２０に可変ベースバンドソース３４０を調整する第一制御信号を供給し、線形化コントローラ３３０にＲＦコンポーネント３５０を調整する第二制御信号を供給する。 - 特許庁

An RF(radio frequency) bias is applied from a bias power source 38 to the wafer 29 through a support base 37 and the jig 36 and cooled to '-10°C' or below by using a refrigerant by a low temperature circulator 39.例文帳に追加

ウエハ２９には支持台３７及び治具３６をを介して一方ではバイアス電源３８からＲＦ（高周波）バイアスが印加されると共に他方では低温サーキュレータ３９により冷媒を用いて「−１０℃」以下の冷却が行われる。 - 特許庁

In the reflector 20, a photo-acoustic optical crystal 21 is used as a substrate, a comb-line electrode 22 is located on an upper surface thereof, and a surface acoustic wave(SAW) 201 corresponding to the frequency of a high frequency signal impressed from an RF power source 23 is generated.例文帳に追加

反射部２０は、光音響光学結晶２１を基板とし、その上面にくし形電極２２が配置され、ＲＦ電源２３から印加される高周波信号の周波数に応じた表面弾性波２０１を発生させる。 - 特許庁

An ionization chamber 3 keeps a potential to accelerate the cluster, and electrons from the RF plasma electron source 5 are irradiated to the cluster in the ionization chamber 3 from some of holes 3a (electron introducing openings) provided in the wall of the ionization chamber 3 to ionize the cluster.例文帳に追加

イオン化室３がクラスターを加速するための電位を保ち、イオン化室３の壁に設けられた穴３ａの一部（電子導入用開口）から、イオン化室３内のクラスターにＲＦプラズマ電子源５からの電子が照射され、クラスターをイオン化する。 - 特許庁

The amplitude modulation unit 2 inputs the signal outputted from the amplification unit 3, performs amplitude modulation on the signal level of the local input signal in accordance with the input current level of the current source GEN1, and outputs it as an RF modulation output.例文帳に追加

振幅変調部２は増幅部３から出力された信号を入力し、電流源ＧＥＮ１の入力電流レベルに応じてローカル入力信号の信号レベルを振幅変調し、ＲＦ変調出力として出力する。 - 特許庁

The optical transmitter 10A includes a light source 101, optical phase modulating part 102, light intensity modulating part 103, predistortion part 104, offset part 105, pilot signal generating part 106, optical coupler 107, light receiving part 108, and RF signal generating part 109.例文帳に追加

光送信器１０Ａは、光源１０１、光位相変調部１０２、光強度変調部１０３、プリディストーション部１０４、オフセット部１０５、パイロット信号発生部１０６、光カプラ１０７、受光部１０８およびＲＦ信号発生部１０９を備える。 - 特許庁

The area of a portion (Rf) where the floating electrode and gate electrode overlap each other is smaller than the sum of the area of a portion (Rs) where the source electrode and gate electrode overlap each other and the area of a portion (Rd) where the drain electrode and gate electrode overlap each other.例文帳に追加

浮遊電極及びゲート電極が互いに重なる部分（Ｒｆ）の面積は、ソース電極及びゲート電極が互いに重なる部分（Ｒｓ）の面積と、ドレイン電極及びゲート電極が互いに重なる部分（Ｒｄ）の面積との和よりも小さい。 - 特許庁

Ions generated from an RF type ion generating source 11 of an ion implantation device 10 is applied to a wafer W in an ion implantation chamber 15 through an ion acceleration part 12, an energy filter 13 and a scanning part 14, so that particles are secondarily generated from the wafer W.例文帳に追加

イオン注入装置１０のＲＦ型イオン発生源１１から発生されたイオンが、イオン加速部１２、エネルギフィルタ１３、走査部１４を介して、イオン注入室１５のウエハＷ上に照射されと、ウエハＷから二次的に粒子が発生される。 - 特許庁

This film forming equipment 10 includes parallel plate electrodes 16, 22 provided in a reaction chamber 12, gas supply sources 20, 30 for introducing process gases containing SiH4, SiF4, and an oxygen source substance into the reaction chamber 12, valves 36, 38, 40, a gas mixing chamber 28 and a power source 44 for supplying RF power to generate plasma of the process gases.例文帳に追加

成膜装置１０は、反応チャンバ１２内に設けられた平行平板型電極１６、２２と、ＳｉＨ_4、ＳｉＦ_4および酸素ソース物質を含むプロセスガスを反応チャンバ１２内に導入するためのガス供給源２０、３２、３４、バルブ３６、３８、４０、およびガス混合室２８と、プロセスガスのプラズマを生成するためのＲＦ電力を供給する電力源４４と、を備える。 - 特許庁

The MISFET used for the RF module for the portable telephone suppresses the generation of a hot carrier by forming a field plate electrode 13 connected to a source potential on the side face of the drain 9 side of a gate electrode 6, and reduces a capacity (feedback capacity) between a gate and a drain.例文帳に追加

携帯電話用ＲＦモジュールに使用されるＭＩＳＦＥＴは、ゲート電極６のドレイン９側の側面に、ソース電位に接続されたフィールドプレート電極１３を形成することによって、ホットキャリアの発生を抑制すると共に、ゲート、ドレイン間容量（帰還容量）を低減する。 - 特許庁

This self-output type wireless converter 10 includes an energy conversion source, such as a piezoelectric sensor 16 generating power and a characteristic signal to monitor an external physical state, such as excessive vibrations in a bearing, detects the external physical state and feeds power to an RF transmitter circuit 28.例文帳に追加

自己出力型ワイヤレス変換器10は、軸受における過度の振動等の、外部の物理的状態を監視するために、電力および特性信号を発生する圧電センサ16等のエネルギー変換源を含み、外部の物理的状態を感知して、ＲＦ送信機回路28に電力を供給する。 - 特許庁

The optical transmitter 10A includes a light source 101, a light phase modulation part 102, a light intensity modulation part 103, a predistortion part 104, an offset part 105, a pilot signal generating part 106, a photocoupler 107, a light receiving part 108, an RF signal generating part 109 and a band pass filter 110.例文帳に追加

光送信器１０Ａは、光源１０１、光位相変調部１０２、光強度変調部１０３、プリディストーション部１０４、オフセット部１０５、パイロット信号発生部１０６、光カプラ１０７、受光部１０８、ＲＦ信号発生部１０９およびバンドパスフィルタ１１０を備える。 - 特許庁

For each target power level in the dynamic range, a control module 44 in the transmitter 38 configures operational settings of amplification stages of the transmitter 38 in order to produce the output RF signal having the appropriate target power level, while consuming minimal power from the power source.例文帳に追加

ダイナミックレンジにおける各ターゲット電力レベルについては、送信器３８における制御モジュール４４が、電源からの最小電力を消費している間に、適切なターゲット電力レベルを有する出力ＲＦ信号を生成するために、送信器３８の増幅ステージの動作設定を構成する。 - 特許庁

Thus, the IF signal whose phase advances by 90° in comparison with an IF signal output from the first DDS 3 is output from the second DDS 12, input to first and second mixers 4 and 5, mixed with an LO wave from an LO source 10, converted into an RF signal and output.例文帳に追加

これにより、第２のＤＤＳ１２からは、第１のＤＤＳ３から出力されるＩＦ信号に比べて90度位相が進んだＩＦ信号が出力され、第1、第２のミクサ４、５に入力され、ＬＯ源１０からのＬＯ波と混合されてＲＦ信号に変換されて出力される。 - 特許庁

Mixed gas 15 of He and O_2 is introduced to the inside of a line gun 13 and the terminal part 19 of the liquid crystal panel 18 placed on a stage 17 which is electrically grounded is superposed on a plasma part 16 generated at the tip part of the line gun by high frequency from an RF power source 14.例文帳に追加

ラインガン１３内部にＨｅとＯ_2の混合気体１５を導入し、ラインガン先端部にＲＦ電源１４からの高周波によって発生したプラズマ１６部分に電気的に設置したステージ１７上に乗せた液晶パネル１８の端子部分１９を重ねる。 - 特許庁

By periodically turning on and off a switch 34 inserted in series into a high frequency power source 30, a high frequency electric power RF is intermittently fed to the space between a supporting body 8 serving also as a high frequency electrode and a high frequency electrode 28 to intermittently generate plasma 20 on the space therebetween.例文帳に追加

高周波電源３０に直列に挿入したスイッチ３４を周期的にオンオフすることによって、高周波電極兼用の支持体８と高周波電極２８との間に高周波電力ＲＦを断続して供給して、両者間にプラズマ２０を断続して生成する。 - 特許庁

To provide a system and a method for service using an RF (radio frequency recognizing) IC(integrated circuit) sight-seeing card and a recording medium storing a program source thereof capable of utilizing the services such as finance, communication, transportation, shopping, and leisure by using one sheet of RFIC sight-seeing card having both credit card function and cash-on delivery card function.例文帳に追加

本発明は、ＲＦ(radio frequency recognizing) ＩＣ(integrated circuit)観光カードを用いたサービスシステム及び方法とそのプログラムソースを格納した記録媒体に関し、特にクレジットカード機能と先払いカード機能の両機能を有する一枚のＲＦＩＣ観光カードを用いて、金融、通信、交通、ショッピング、レジャーなどのサービスを利用することができるようにする。 - 特許庁

To solve a problem that an erroneous write such as writing change of a value held by a memory cell at the readout is generated in conventional constitution consisting of six transistors in one memory cell, when an SRAM is produced in such a situation that transistor characteristics of a TFT, etc., are dispersed or a power source supplied from an RF circuit is not stabilized.例文帳に追加

ＴＦＴなどのトランジスタ特性がばらつく状況や、ＲＦ回路から電源が供給され電源が安定しない状況で、ＳＲＡＭを作製する場合、従来の１つのメモリセルに６つのトランジスタの構成では読み出し時にメモリセルが保持する値が書き換わる誤書き込みが発生してしまう。 - 特許庁

On the ion trap RF power source formed so as to supply a high frequency from a power amplifier 10 to a secondary side resonance circuit 30 composed of a trap electrode 9 and end gap electrodes 11, 12 through an air-core coil 3, an energy absorbing circuit 40 instantaneously absorbing resonance energy through the air-core coil is arranged.例文帳に追加

パワーアンプ部１０からの高周波を空芯コイル３を介してトラップ電極９，エンドギャップ電極１１，１２からなる２次側共振回路部３０に供給するようにしたイオントラップＲＦ電源において、共振エネルギーを瞬時に吸収するエネルギー吸収回路部４０を前記空芯コイル３を介して設けるように構成する。 - 特許庁

The RF amplifying unit is equipped with a cathode electrode formed on the substrate, a gate electrode formed at one side of and in isolation from the cathode electrode, an anode electrode formed at one side of the gate electrode, an electron emission source formed on the cathode electrode, and a reflection electrode formed on the upper portion of and parallel with the substrate.例文帳に追加

前記ＲＦ増幅部は、前記基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極の一側に離隔して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の一側に形成されたアノード電極と、前記カソード電極上で形成された電子放出源と、前記基板の上方に前記基板と平行に形成された反射電極を備える。 - 特許庁

A gate bias voltage in a source ground FET (or base bias voltage in emitter ground bipolar transistor) and a drain bias voltage in an RF gate ground FET (or collector bias voltage in a base ground bipolar transistor) are independently set by applying bias voltage to a connection part of both FETs (or both bipolar transistors) of the cascode circuit.例文帳に追加

カスコード回路の両ＦＥＴ（または両バイポーラトランジスタ）の接続部にバイアス電圧を印加することで、ソース接地ＦＥＴにおけるゲートバイアス電圧（またはエミッタ接地バイポーラトランジスタにおけるベースバイアス電圧）と、ＲＦゲート接地ＦＥＴにおけるドレーンバイアス電圧（またはベース接地バイポーラトランジスタにおけるコレクタバイアス電圧）とを、独立に設定できる。 - 特許庁

A clock input interface circuit 1 includes impedance matching/output voltage regulating resistances R11, R13, output voltage regulating resistances R12, R14, current stabilizing resistances R15, R16, an antireflection terminating resistance R17, DC level blocking capacitances C1, C2, RF bypass capacitances C3, C4, and current source transistors Q1, Q2.例文帳に追加

クロック入力インターフェース回路１は、インピーダンス整合・出力電圧調整抵抗Ｒ１１，Ｒ１３と、出力電圧調整抵抗Ｒ１２，Ｒ１４と、電流安定化抵抗Ｒ１５，Ｒ１６と、反射防止終端抵抗Ｒ１７と、ＤＣレベル阻止容量Ｃ１，Ｃ２と、ＲＦバイパス容量Ｃ３，Ｃ４と、電流源トランジスタＱ１，Ｑ２とから成る。 - 特許庁

The circuit assembly in the resonance circuit (12) of a transponder (10) not having a battery power source generates a maintenance pulse, i.e., a plucking pulse each time the amplitude of RF oscillation drops under a specified threshold value and the instant value gets in the specified relation with the reference voltage (VPREAK) which changes with time as the charge voltage of a capacitor (70).例文帳に追加

バッテリー電源を有しないトランスポンダ（１０）の共振回路（１２）における回路アセンブリにおいて、ＲＦ発振の振幅が所定のスレッショルド値よりも低下し、その瞬間値がコンデンサ（７０）の充電電圧として時間的に変化する基準電圧（ＶＰＥＡＫ）に対し所定の関係となるたびに、維持パルス、すなわちプラッキングパルスを発生する。 - 特許庁

This method for forming an ohmic layer comprises a first step of forming injecting hydrogen or argon gas with a semiconductor substrate stored in the plasma chamber of a chemical vapor deposition system, a second step of injecting a Ti-containing source gas into the a plasma chamber, and a third step of forming a RF plasma in the plasma chamber to deposit a titanium film.例文帳に追加

半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第１工程と、前記プラズマチャンバーにＴｉを含んだソースガスを注入する第２工程と、前記プラズマチャンバーにＲＦプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第３工程とを備えることを特徴とするＰＣＶＤによるオーミック層形成方法。 - 特許庁

Then a detecting circuit 11 and a power source S are disposed so as not to cover a gap between the divided electrodes, so signals reach a device 102 from a device 101 used for an RF-ID system and the device 101 from the device 102, and the problem of the failure in communication between the devices 101 and 102 can be prevented.例文帳に追加

そして、分割された電極間の隙間を覆わないように検出回路１１と電源Ｓを配置したので、ＲＦ−ＩＤシステムで使用される装置１０１から装置１０２へ、また、装置１０２から装置１０１へ信号が到達し、よって、装置１０１と装置１０２間の通信が行えないという問題の発生を防止することができる。 - 特許庁

The splitter circuit 10 includes a plurality of transistors 11 to 13 to connect each collector to a direct-current power source 14 and to supply a common RF signal to each base and a plurality of first resistances 16 to 18 to ground one ends each and to connect each of other ends to emitters of each of the transistors 11 to 13 corresponding to each of other ends.例文帳に追加

このスプリッタ回路１０は、それぞれのコレクタが直流電源１４に接続され、それぞれのベースに共通のＲＦ信号が供給される複数のトランジスタ１１〜１３と、一端がそれぞれ接地され他端が各々対応する前記各トランジスタ１１〜１３のエミッタに接続された複数の第一の抵抗１６〜１８とを備える。 - 特許庁

Since an RF down-convert section acting like a largest heat source in the receiver is located at an exterior part exposed to the outside of a card slot when a card main body is housed in the card slot, the heat stored in the card slot can be much more decreased, so that the unstable operation and the failure in the element due to heat can be prevented.例文帳に追加

受信装置の中で最も大きな熱源となるＲＦダウンコンバート部を、カード本体がカードスロット内に収容されたときにカードスロットより外側に露出する外出部に設けたので、カードスロットに蓄積される熱をより小さくすることが可能となり、熱による動作の不安定や素子の故障を防止することが可能となる。 - 特許庁

The RF may be connected to the mirror 150 or the metallic backing material, and in this case, a dark shield made of an appropriate conductive material and connected to the earth potential may be formed by covering the back face of the collector mirror 150, and is separated from the mirror by an insulator (air gap) and a voltage (DC from the DC power source 220 connected to the mirror 150 as well).例文帳に追加

ＲＦは、ミラー１５０または金属製バッキング材に接続されてもよく、この場合、適切な導電性材料製で且つアース電位に接続された暗シールドが、コレクタミラー１５０の背面を覆って形成されてよく、これは絶縁体（空気ギャップ）および電圧（ミラー１５０にも接続されたＤＣ電源２２０からのＤＣ）によってミラーから分離される。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

An incorporeal judgment part 32a which judges whether the capsule type endoscope exists inside or outside the specimen on the basis of the distribution in the color space of the images taken with an imaging circuit 3 after the closure of a power source switch 34a provided within a drive control part 34 and the drive control part 34 which starts an RF transmission unit when the capsule type endoscope 3 exists inside the specimen.例文帳に追加

駆動制御部３４内に設けられた電源スイッチ３４ａの電源投入後、撮像回路３によって撮像された画像の色空間上の分布をもとにカプセル型内視鏡が被検体内部にあるか被検体外部あるかを判定する体内判定部３２ａと、カプセル型内視鏡３が被検体内部であると判定された場合にＲＦ送信ユニットを起動させる駆動制御部３４とを備える。 - 特許庁