「Type D」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a driving device for an electrostatic type loudspeaker requiring no heat sink by particularly using a D-class amplifier regarding the driving device for the electrostatic type loudspeaker.例文帳に追加

静電型スピーカの駆動装置に関し、特にＤ級アンプを用いてヒートシンクを必要としない静電型スピーカの駆動装置を提供する。 - 特許庁

The measuring device 10 comprises an irregular (asynchronous-type) sampling clock oscillator 12, a D-type flip-flop circuit 14, a ones counter 16, a pulse counter 18, and a processor 20.例文帳に追加

測定装置１０は、不規則（非同期式）サンプリングけクック・オシレータ１２、Ｄ型フリップフロップ回路１４、ワンズカウンタ１６、パルス・カウンタ１８、およびプロセッサ２０を備える。 - 特許庁

A current supply part 11 supplies a constant control current to the D type element 10a and supplies control currents i1 and i2 for obtaining a desired attenuation quantity to the I type element 10b.例文帳に追加

電流供給部１１は、Ｄ型素子１０ａには一定の制御電流を供給し、Ｉ型素子１０ｂに所望の減衰量を得るための制御電流ｉ１，ｉ２を供給する。 - 特許庁

The exothermically foaming type detergent includes a foaming type slippery substance dissolving agent (A) containing hydrogen peroxide as a foaming component, a foaming promoter (B), an alkali metal sulfite (C) and a foam forming agent (D).例文帳に追加

上記課題を解決する発熱発泡型洗浄剤は、（Ａ）発泡成分として過酸化水素を含有する発泡型ヌメリ溶解剤、（Ｂ）発泡助剤、（Ｃ）亜硫酸アルカリ金属塩、及び（Ｄ）泡沫形成剤を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Furthermore, reduction in the capacity of the pin diode 1 is realized by decreasing the product of the width D of the p+ type diffusion layer 5 and the n+ type diffusion layer 6 and the thickness t of an epitaxial layer (i layer) 4.例文帳に追加

さらに、ｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６の幅Ｄとエピタキシャル層（ｉ層）４の厚さｔとの積とを小さくすることによりｐｉｎダイオード１の低容量化を実現する。 - 特許庁

A plurality of segments A1, A2, B1,... and so on are formed with p1, n2, p2-GaAsP layer (31, 22, 32) formed by adding n-type and d-type dopants to the n1-GaAsP layer (21).例文帳に追加

ｎ１−ＧａＡｓＰ層(21)にｎ型，ｐ型ドーパントを添加することにより形成されたｐ１，ｎ２，ｐ２−ＧａＡｓＰ層(31,22,32)で複数のセグメントＡ１，Ａ２，Ｂ１，…が構成されている。 - 特許庁

When Q terminal outputs of D type flip-flops 101 and 102 vary to high level as a reference frequency signal A and a frequency-division signal rise, an RS type flip-flop outputs a low-level reset signal.例文帳に追加

基準周波数信号Ａ、分周信号の立ち上がりに伴いＤ型フリップフロップ１０１、１０２のＱ端子出力がハイレベルに変化すると、ＲＳ型フリップフロップはローレベルのリセット信号を出力する。 - 特許庁

To provide a chopper type comparator by which an amplification factor of an inverter is not extremely lowered at the time of low voltage, a chopper type comparator of which the offset error is adjusted and an A/D converter using them.例文帳に追加

低電圧時においてインバータの増幅率が極端に低下することのないチョッパ型コンパレータ、オフセット誤差が調整されたチョッパ型コンパレータ、、およびそれらを用いたＡＤ変換器を提供する。 - 特許庁

Channel impurity concentration is controlled so that the gate charging NMOS transistor QN4 of the transfer circuit 22 may be D type at the time of initial boosting operation, and may change to E type when boosting potential becomes high after the elapse of prescribed time.例文帳に追加

転送回路２２のゲート充電用ＮＭＯＳトランジスタＱＮ４は、昇圧動作の初期にはＤ型で、ある時間経過して昇圧電位が高くなると、Ｅ型になるように、チャネル不純物濃度が調整されている。 - 特許庁

Then, by the structure, the upper end face α of a depletion layer including a pn junction interface does not reach the interface of the first non p-type layer 104 and a second non p-type layer 105 near respective electrodes S and D for conduction.例文帳に追加

そして、これらの構造によって、ｐｎ接合界面を内包する空乏層の上端面αは、各導通用電極Ｓ，Ｄの近傍においては第１非ｐ型層１０４と第２非ｐ型層１０５との界面に到達していない。 - 特許庁

A D-type HEMT second gate electrode is provided on a third nondoped layer (AlGaAs layer) 43, and an E-type HEMT first gate electrode is provided on a first nondoped layer.例文帳に追加

第２ゲート電極をＰｔ埋め込みゲート構造とし、埋め込まれたＰｔの底部を第３ノンドープ層中に留まらせ、ＩｎＧａＰ層(第２ノンドープ層)にＰｔが達しないようにする。 - 特許庁

A relative position of the contact part D and the contact center position M when looking at a straight line area of the chain 1 from the chain width direction W, is mutually different between the first type pin 3a and the second type pin 3b.例文帳に追加

チェーン１の直線領域をチェーン幅方向Ｗからみたときの、接触部Ｄと接触中心点Ｍとの相対位置が、第１種ピン３ａと第２種ピン３ｂとで相異なっている。 - 特許庁

(A) Waxes being solid at a room temperature, (B) Hydrocarbons being solid at a room temperature, (C) A branched type liquid oil, (D) An oil agent other than the A to C components, (E) A fatty acid ester type non-ionic surfactant and (F) water.例文帳に追加

（Ａ）室温で固形のロウ類（Ｂ）室温で固形の炭化水素類（Ｃ）分岐型液状油（Ｄ）Ａ〜Ｃ成分以外の油剤（Ｅ）脂肪酸エステル型非イオン界面活性剤（Ｆ）水 - 特許庁

To provide an inspecting method of a slot type shadow mask so that dimension test on a hole diameter D and a bridge B of the slot type shadow mask can be carried out efficiently and with high degree of precision.例文帳に追加

スロットタイプシャドウマスクの孔径ＤとブリッジＢの寸法検査を効率良く、精度良く検査するためのスロットタイプシャドウマスクの検査方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An identification mark 7 of a stripes type in which crimp type print parts 10 and mirror surface parts 9 are arranged alternately toward a loading direction 11 for a tape drive D of a magnetic tape cartridge are formed on an outer surface of a main body case 1.例文帳に追加

本体ケース１の外表面に、磁気テープカートリッジのテープドライブＤへの装填方向１１に向かってシボ状印刷部１０と鏡面部９とが交互に並ぶ縞状の識別標識７を形成しておく。 - 特許庁

So that the an interval D between plate type antennas 23a and 23b is an optimum value, e.g. about 0.1λ, heights of the antenna covers 21a and 21b, mount positions of the plate type antennas 23a and 23b, etc., are previously set.例文帳に追加

板状アンテナ２３ａ、２３ｂは、間隔Ｄが最適値例えば約０．１λとなるように、アンテナカバー２１ａ、２１ｂの高さ、板状アンテナ２３ａ、２３ｂの装着位置等を予め設定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which defects are not easily generated, increase of manufacturing cost is suppressed, and threshold voltages (Vth) of a D-type FET and an E-type FET can be reproduced with a good repeatability on the same substrate.例文帳に追加

欠陥が生じにくく、かつ、製造コストの増加を抑え、Ｄ型ＦＥＴとＥ型ＦＥＴの閾値電圧（Ｖ_th）を再現性良く同一基板上に作製することの可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A drain of the D-type Nch MOS transistor DNT1 is connected to a drain of an E-type Nch MOS transistor NT1 of a first stage amplifying circuit 1, and a gate is connected to a low potential side power (ground electric potential) VSS.例文帳に追加

Ｄ型Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＤＮＴ１は、ドレインが１段目の増幅回路１のＥ型Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＴ１のドレインに接続され、ゲートが低電位側電源（接地電位）ＶＳＳに接続される。 - 特許庁

The opening/closing element 19BD of the same structure, which a movable point-of-contact 24 is formed in one side using with a B point-of- contact type composition and a D point-of-contact type composition.例文帳に追加

Ｂ接点タイプの構成とＤ接点タイプの構成とで、可動接点２４が片面に設けられた同一構造の開閉素子１９ＢＤを使用する。 - 特許庁

The method for manufacturing the ridge waveguide type semiconductor laser element includes dry etching a ridge 8 by retaining a second conductivity type clad layer 7 by a thickness d from a second conductivity type etching stop layer 5, and then etching the second conductivity type clad layer 7 retained on the second conductivity type etching stop layer 5 to the second conductivity type etching stop layer 5 with a tartaric acid etchant to be formed in a rectangular shape.例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部８を第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５から厚さｄだけ残してドライエッチングした後、酒石酸エッチング液により第２導電型エッチング停止層５上に残こった第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５までエッチングして矩形状に形成する。 - 特許庁

(d) consist solely of a sign or phrase that can serve in trade to designate or describe the type, quality, quantity, purpose, value, place of origin, time of production or other data, characteristics or particulars of the products or services for which they are to be used;例文帳に追加

(d) 標章が使用されている製品又はサービスの種類，品質，数量，目的，価額，原産地，生産時期若しくはその他の詳細事項，特徴又は情報を指定若しくは説明するのに資する標識又は表示のみから成る標識 - 特許庁

The liquid detergent composition contains (A) 3-50 mass% polyoxyethylene alkyl ether sulfate, (B) secondary alkane sulfonic acid and/or its salt, (C) 1-20 mass% amine oxide type surfactant and (D) 1-10 mass% phenyl glycol ether.例文帳に追加

（A）3〜50質量％のポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩、（B）2級アルカンスルホン酸及び／又はその塩、（C）1〜20質量％のアミンオキシド型界面活性剤、及び（D）1〜10質量％のフェニルグリコールエーテルを含む液体洗浄剤組成物。 - 特許庁

In this heat regenerating type fuel cell system, an organic compound C is dissolved into its dehydrogenated compound D and a hydrogen gas H by a hydrogen generator 1, the dehydrogenated compound D is recovered by a separating and recovering unit 2, and the hydrogen gas H is sent to a fuel cell 3.例文帳に追加

本発明の「熱再生型の燃料電池システム」では、水素生成器１で有機化合物Ｃをその脱水素化合物Ｄと水素ガスＨとに分解し、分離回収器２で脱水素化合物Ｄを回収して水素ガスＨを燃料電池３に送る。 - 特許庁

The D type flip-flop comprises: a dynamic system mater latch circuit receiving a D signal synchronously with a clock to temporarily latch the signal; and a static system slave latch circuit for statistically latching an output signal of the master latch circuit synchronously with the clock.例文帳に追加

Ｄ信号をクロックに同期して入力して一時的に保持するダイナミック式マスタラッチ回路と、前記クロックに同期して前記マスタ回路の出力信号を静的に保持するスタティック式スレーブラッチ回路とから構成する。 - 特許庁

This display has a resistance string type D/A converting circuit, whose dynamic range can be made large by equalizing the source voltage of the D/A converting circuit to that of a signal line driving circuit of the display.例文帳に追加

本発明の表示装置は、抵抗ストリング型Ｄ／Ａ変換回路を有し、Ｄ／Ａ変換回路の電源電圧を表示装置の信号線駆動回路と同じとすることによって、Ｄ／Ａ変換回路のダイナミックレンジを大きく取ることができる。 - 特許庁

Further, β-D-galactosidase is reacted to the β-1,6-bound N-acetyllactosamine oligosaccharide to cleave the galactose residue on the non-reduced terminal, thus obtaining another type of β-1,6-bound N-acetyllactosamine oligosaccharide bearing N-acetylglucosamine on the non- reduced terminal.例文帳に追加

さらに、上記β−１，６結合型Ｎ−アセチルラクトサミンオリゴ糖にβ−D−ガラクトシダーゼを作用させて、非還元末端のガラクトース残基を切断することにより、非還元末端にＮ−アセチルグルコサミンを有するβ−１，６結合型Ｎ−アセチルラクトサミンオリゴ糖を得る。 - 特許庁

The thermosetting resin composition comprises an organic solvent (X), a bisphenol-A type epoxy resin (A) having ≤1,000 epoxy equivalent, bifunctional finely particulate epoxy resin (B) having ≤400 epoxy equivalent and hardly soluble in the organic solvent, an imidazol compound (C) and a curable compound (D).例文帳に追加

熱硬化性樹脂組成物は、有機溶剤（X）、エポキシ当量1000以下のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（A）、エポキシ当量400以下であり、前記有機溶剤に難溶性の二官能微粒状エポキシ樹脂（B）、イミダゾール化合物（C）、および硬化性化合物（D）を含有している。 - 特許庁

The sugar-binding type spiro crown ether derivative can be produced by using 2,3,4,6-tetra-O-benzyl-1-C-vinyl-α-D-glucopyranose, an ethylene glycol derivative in which one hydroxyl group is protected with a benzoyl group, and bismuth (III) triflate or trifluoromethanesulfonic acid as an activator.例文帳に追加

2,3,4,6-テトラ-O-ベンジル-1-C-ビニル-α-D-グルコピラノースと、一つの水酸基をベンゾイル基で保護したエチレングリコール誘導体を用い、ビスマス(III)トリフレート、またはトリフルオロメタンスルホン酸を活性化剤に用いることで、糖結合型スピロクラウンエーテル誘導体を製造することができた。 - 特許庁

The liquid addition curing type silicone rubber composition for a fixing belt contains: (a) alkenyl group-containing organopolysiloxane; (b) organohydrogen polysiloxane having two or more hydrogen atoms coupled to silicon atoms in one molecule; (c) a platinum-based catalyst; (d) an inorganic filler; and (e) an adhesiveness imparting component.例文帳に追加

(a) アルケニル基含有オルガノポリシロキサン (b) 一分子中に珪素原子に結合した水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン (c) 白金系触媒 (d) 無機充填剤、および (e) 接着性付与成分 を含む定着ベルト用液状付加硬化型シリコーンゴム組成物。 - 特許庁

Since JFETs operating in D and E modes are provided on the same substrate by the n-type channel layer 3 having a different thickness, an SiC semiconductor where the D-mode and E-mode JFETs are combined is achieved even by SiC.例文帳に追加

そして、このような厚みが異なるｎ型チャネル層３によってＤモードとＥモードで作動するＪＦＥＴを同一基板上に備えることができるため、ＳｉＣでもＤモードとＥモードのＪＦＥＴを組み合わせたＳｉＣ半導体装置を実現することが可能となる。 - 特許庁

On certain continued two stages 11-n, n+1 of the pipeline type A-D converter 10 which is constituted by using a CLS technique, comparison with a reference voltage is applied only to a level shift phase to perform the time sharing operation of an A-D converter circuit.例文帳に追加

ＣＬＳ技術を用いて構成されるパイプライン型Ａ／Ｄコンバータ１０のある連続した２段１１−ｎ，ｎ＋１において、参照電圧との比較をレベルシフトフェーズにのみ行うことでＡ／Ｄコンバータ回路のタイムシェア動作を行う。 - 特許庁

On certain continued two stages 11-n, n+1 of the pipeline type A-D converter 10 which is constituted by using a CLS technology, comparison with a reference voltage is applied only to an estimate phase to perform the time sharing operation of an A-D converter circuit.例文帳に追加

ＣＬＳ技術を用いて構成されるパイプライン型Ａ／Ｄコンバータ１０のある連続した２段１１−ｎ，ｎ＋１において、参照電圧との比較をエスティメートフェーズにのみ行うことでＡ／Ｄコンバータ回路のタイムシェア動作を行う。 - 特許庁

At this time, a cover plate 70 is arranged so that a gap t between an outer-side surface of a flat plate type base 11a on an outer side which forms an outer bottom surface of the package and the cover plate 70 may be equal to or smaller than a diameter D of the spherical sealing member 99a (t≤D).例文帳に追加

このとき、パッケージの外底面を形成する外部側の平板状基材１１ａの外部側の面とカバー板７０との隙間ｔが、球状の封止部材９９ａの直径Ｄよりも小さくなるようにカバー板７０を配置する（ｔ≦Ｄ）。 - 特許庁

A pull-in mechanism comprises: a catcher 2 provided on a main body, on which a turning body D is turnably assembled, and capturing a striker body 1, which approaches moved from a side in front of user, when operating the turning body D in a turning manner to position it toward the reference position; and a load response type brake device 6.例文帳に追加

回動体Ｄが回動可能に組み付けられる本体側に設けられると共に回動体Ｄを基準位置に向けて回動操作したときに手前側から移動されてくるストライカ体１を捕捉するキャッチャー２と、荷重応答型の制動装置６とを備えている。 - 特許庁

To shorten an inspection time of an A/D converter by dispensing with an operation for changing finely a voltage to be applied to an analog signal input terminal from a low-side reference voltage to a high-side reference voltage in a semiconductor integrated circuit including a flash-type A/D converter.例文帳に追加

フラッシュ型Ａ／Ｄコンバータを含む半導体集積回路において、アナログ信号入力端子に印加する電圧をロー側基準電圧からハイ側基準電圧まで細かく変化させる操作を不要にし、Ａ／Ｄコンバータの検査時間を短縮する。 - 特許庁

This gas fuel type engine lubricating oil composition has 2-20 range TBN, and contains (A) an oil having a lubricating viscosity, (B) a salicylic acid salt cleaning agent having ≤95 TBN, (C) a cleaning agent having ≥250 TBN, (D) a non-ash content dispersing agent and (E) an abrasion resistant additive.例文帳に追加

2〜20範囲のTBNを有し、(A) 潤滑粘度を有するオイル；（B）95以下のTBNを有するサリチル酸塩清浄剤；（C）250よりも大きいTBNを有する清浄剤；（D）無灰分分散剤；および(E) 耐摩耗添加剤を含むガス燃料型エンジン潤滑油組成物。 - 特許庁

To provide a ΣΔ type A/D converter and an angular velocity sensor using the same in which an output characteristic is stabilized without varying output signals from a D/A converter and an integration circuit because of the effect of power supply voltage variation or temperature variation.例文帳に追加

本発明は、電源電圧変化や温度変化の影響により、ＤＡ変換手段、積分回路からの出力信号が変動するということはなく、出力特性が安定しているΣΔ型ＡＤ変換器およびそれを用いた角速度センサを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

This oil in water type emulsified nail treatment contains following components (a) to (d); (a) 0.05-2 mass % oleyl alcohol, (b) 0.1-5 mass % nonionic surfactant having ≥14 HLB, (c) an oily component other than the oleyl alcohol and (d) an aqueous component.例文帳に追加

次の成分（ａ）〜（ｄ）；（ａ）オレイルアルコール ０．０５〜２質量％（ｂ）ＨＬＢ１４以上の非イオン性界面活性剤 ０.１〜５質量％（ｃ）オレイルアルコール以外の油性成分（ｄ）水性成分を含有することを特徴とする水中油型乳化ネイルトリートメント。 - 特許庁

The solvent type manicure preparation includes the following components (A) to (D): (A) a siloxy-group-containing (meth)acrylic acid based copolymer of a specific structure, (B) a powder of which the surface is treated with tridecafluorooctylethoxysilane, (C) a film-forming agent other than component (A), and (D) a non-aromatic solvent.例文帳に追加

以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）；（Ａ）特定構造をもつシロキシ基含有（メタ）アクリル酸系共重合体、（Ｂ）トリデカフルオロオクチルトリエトキシシランで表面処理した粉体、（Ｃ）成分（Ａ）以外の皮膜形成剤、（Ｄ）非芳香族系溶剤を配合することを特徴とする溶剤系美爪料。 - 特許庁

The aerosol-type sun-screening cosmetic comprises (A) metal oxide powder, (B) a sorbitan 12-18C mono fatty acid ester, (C) a hydrocarbon propellant, (D) dimethyl ether and has a content of (C)≥a content of (D) and internal pressure of aerosol at 25°C of 0.1-0.35 MPa.例文帳に追加

（Ａ）金属酸化物粉体、（Ｂ）炭素数１２〜１８のモノ脂肪酸ソルビタン、（Ｃ）炭化水素系噴射剤、（Ｄ）ジメチルエーテルを含有し、（Ｃ）と（Ｄ）の含有量がＣ≧Ｄであり、２５℃におけるエアゾール内圧が０．１〜０．３５ＭＰａであることを特徴とするエアゾール型日焼け止め化粧料。 - 特許庁

In the from-to list format 301, the layout for each MOS transistor is represented by adding a symbol "s" or "d" indicating a source or drain, respectively, on the left side of transistor type names A and B. EACH transistor can be connected with each other through the sources s and drains d.例文帳に追加

配列リスト形式３０１では各ＭＯＳトランジスタのレイアウトを、トランジスタタイプ名Ａ、Ｂの左側にソースを示す記号「ｓ」またはドレインを示す記号「ｄ」を付加して表現したもので、各トランジスタはソースｓ、ドレインｄによって相互に連結可能に構成される。 - 特許庁

A pants type disposable diaper 1A includes right an left elastic expansible parts D, D' respectively having the first body part elastic members 23a, 23a', the second body part elastic members 23b, 23b', and back side intersection parts 24a, 24a' formed by crossing the body part elastic members.例文帳に追加

本発明のパンツ型使い捨ておむつ１Ａは、左右の弾性伸縮部Ｄ，Ｄ’それぞれに、第１胴部弾性部材２３ａ，２３ａ’と、第２胴部弾性部材２３ｂ，２３ｂ’と、それら胴部弾性部材が交差して形成された背側交差部２４ａ，２４ａ’とを具備している。 - 特許庁

In the pulse delayed type A/D conversion circuit, a pulse delay circuit 10 is configured using a transistor with a low threshold voltage Vth1 and a delay unit DU constituting the pulse delay circuit 10 is operated fast, thereby achieving high-resolution and high-speed A/D conversion.例文帳に追加

パルス遅延型のＡ／Ｄ変換回路において、パルス遅延回路１０を、低閾値電圧Ｖth1 のトランジスタを用いて構成し、パルス遅延回路１０を構成する遅延ユニットＤＵを高速動作させることにより、高分解能で高速なＡ／Ｄ変換を実現する。 - 特許庁

The mounting position intervals (d) of two resonance type noise silencers whose set frequency ranges are closest to each other is set within the range of λxy/12≤d≤5λxy/12 (where λxy is (λx +λy)/2), when wavelengths in set frequencies (fx), (fy) are (λx) and (λy).例文帳に追加

設定周波数が互いに最も近い２つの共鳴型消音器の取り付け位置間隔（ｄ）を、設定周波数（ｆｘ），（ｆｙ）における波長を（λｘ），（λｙ）としたとき、少なくともλｘｙ／１２≦ｄ≦５λｘｙ／１２（但し、λｘｙ＝（λｘ＋λｙ）／２）の範囲にあるように設定する。 - 特許庁

The D/A conversion circuit 24 is of a capacitor element array type, and an offset compensating voltage is supplied to at least one capacitor element of the capacitor element array that compensates at least a part of offset voltage to be added to an analog signal sampled by the sub-A/D translation circuit 22.例文帳に追加

ＤＡ変換回路２４は、容量アレイ型であり、その容量アレイの少なくとも一つの容量に、サブＡＤ変換回路２２によりサンプリングされるアナログ信号に加わるオフセット電圧の少なくとも一部を補償するオフセット補償電圧を供給する。 - 特許庁