「a P-H」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A variable conversion means 104 generates e=a^αb^β mod p, g=c^αd^β mod p, h=c^γd^δ mod p using prime numbers p and q that specify finite group, original elements a, b, c, and d, and random numbers α, β, γ, and δ.例文帳に追加

変数変換手段104は、有限群を指定する素数p,qと、元の要素a,b,c,dと、乱数α,β,γ,δを用いて、e=a^αb^β mod p,g=c^αd^β mod p,h=c^γd^δ mod pを生成する。 - 特許庁

A P-type transistor Tr22 is driven with high-voltage electric power V_H and outputs the high-voltage electric power V_H to a transfer gate.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＴｒ２２は、高圧電源Ｖ_Hにより駆動し、転送ゲートに高圧電源Ｖ_Hを出力する。 - 特許庁

Integrated fins are arranged in the tube shaft direction on an outer periphery of a copper or copper alloy tube, a ratio H/P of a fin height H and a fin pitch P is at least 1 and less than 4, and the fin height H is 7 mm or less.例文帳に追加

銅または銅合金管の外周に一体のフィンを管軸方向に並設してなり、フイン高さHとフィンピッチPの比、H／Pを１以上４未満とし、フィン高さＨが７ｍｍ以下とする吸着器伝熱管としたことを特徴とする。 - 特許庁

A projected amount h from the guide plate 82 of a guide roller 86 is ≥H×(W-P)/W.例文帳に追加

ガイドローラ８６のガイド板８２からの突出量ｈをｈ≧Ｈ×（Ｗ−Ｐ）／Ｗにする。 - 特許庁

The detected value of the element current is inputted to an S/H(sample hold) circuit 30 and a P/H(peak hold) circuit 31.例文帳に追加

ここで、素子電流の検出値は、Ｓ／Ｈ回路３０並びにＰ／Ｈ回路３１に入力される。 - 特許庁

A comparative determination device 24 calculates a distance d(h_k, g_p) between the sample image I_k and a non-target image J_p.例文帳に追加

比較判定装置２４は、サンプル画像Ｉ_kと対象外画像Ｊ_pとの距離である距離ｄ（ｈ_k、ｇ_p）を計算する。 - 特許庁

The counter 1 is cleared at the rear edge, counts a horizontal synchronizing signal PH(P) of the system at each clearing and outputs a scan signal L(P)i.例文帳に追加

カウンタは、その後縁でクリアされ、クリア毎に該方式の水平同期信号Ｐ_H(P)を計数し、走査信号Ｌ_(P)iを出力する。 - 特許庁

The offset value is controlled so that the outputted detected phase difference falls within a phase difference range from a predetermined lower limit value (P_L) to a predetermined upper limit value (P_H).例文帳に追加

出力された検出位相差が所定の下限値（Ｐ_L ）以上、上限値（Ｐ_H ）以下の位相差範囲となるように、前記オフセット値が制御される。 - 特許庁

When a magnetic pole slot teeth width is taken as B, a slot pitch as P, a slot pitch as P, and a teeth root portion height as H, H/P = 0.08 to 0.12 and S/P = 0.01 to 0.03 in the range of B/P = 0.5 to 0.7.例文帳に追加

また、磁極スロットティース幅をＢ、スロットピッチをＰ、ティース付根部高さをＨとした時、Ｂ／Ｐ＝０．５〜０．７の範囲のもので、Ｈ／Ｐ＝０．０８〜０．１２とし、Ｓ／Ｐ＝０．０１〜０．０３と設定したことを特徴とする。 - 特許庁

A groove pitch P is formed to become one fourth or more of a groove depth H.例文帳に追加

溝ピッチＰが溝深さＨの１／４以上となるように形成される。 - 特許庁

A planar distribution shape H of targets P is calculated based on information of detected targets P.例文帳に追加

検出された物標Ｐの情報に基づいて、物標Ｐの平面分布形状Ｈを算出する。 - 特許庁

Impurities, such as C, H and O are prevented from being mixed into the i-type μc-Si:H layer 3 (photoelectric conversion layer) at the p-type a-Si:H layer 5.例文帳に追加

Ｃ，Ｈ，Ｏ等の不純物のｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３（光電変換層）への混入がｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５にて防止される。 - 特許庁

Conditions of air (raw material air) to be raw material for forming ozone of a discharge reactor 26 (in concrete, flow fate V_real, temperature T_air, pressure P_air, humidity H_air) are acquired.例文帳に追加

放電反応器２６のオゾン生成の原料となるエア（原料エア）の状態（具体的には、流量V_real、温度T_air、圧力P_air、湿度H_air）を取得する。 - 特許庁

A heel cup H is provided on the rear parts of the paired pillars P.例文帳に追加

ヒールカップＨは、１対のピラーＰの後部に設けられる。 - 特許庁

Film thickness of the p-type a-Si:H layer 5 is 50 to 200 Å.例文帳に追加

このｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５の膜厚は５０〜２００Åである。 - 特許庁

The underlayer 3 consists of a p-type poly-Si, the (p) layer 4 consists of p-type a-Si:H, the (i) layer 5 consists of i-type a-Si:H, the (n) layer 6 consists of n-type a-Si:H, and the electrode 7 consists of Al.例文帳に追加

下地層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、ｐ層４は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｉ層５は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層６は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、電極７は、Ａｌからなる。 - 特許庁

An adder 21 of this OFDM receiver sums pilot signal transmission line response estimate values H-(l,kp,l) and H-(l+4,kp,l+4) using an adder 21, a bit shift circuit 22 shifts the sum by 1-bit to obtain a value H-(l+2,kp,l+2).例文帳に追加

パイロット信号の伝送路応答推定値Ｈ~(ｌ,ｋ_p,l)とＨ~(ｌ＋４,ｋ_p,l+4)を加算器２１で加算し、ビットシフト回路２２で１ビットシフトしてＨ~(ｌ＋２,ｋ_p,l+2)を得る。 - 特許庁

In Middle Japanese the [p] sound, which had once disappeared before Old Japanese, appeared again but as it paralleled [ɸ], it was treated as a newly-introduced phoneme/p/, independent from [ɸ] (which is referred to as a phoneme/h/). 例文帳に追加

中世日本語には上代までに一旦消えた[p]が再び現れたが、[ɸ]と並立することから[ɸ]（音素/h/としておく）とは異なる、新しく導入された音素/p/として扱われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A point interior-dividing H and G into HP:PG=1:3 is P, a straight line in parallel to the surface of the substrate passing P is L_1, and points intersecting the cross section of the deep color separation picture wall by L_1 are B_1 and B_2.例文帳に追加

HとGをHP:PG=1:3に内分する点をPとし、Pを通り基板表面に平行な直線をL_1とし、L_1が濃色離画壁の断面と交わる点をB_1、B_2とする。 - 特許庁

H-mold steel having a plurality of protrusions on the inner surface side satisfies P/h≤10 and P/b_2≥4, wherein b2 represents the upper side width of the protrusions, h represents the protrusive height, and P represents the protrusion pitch in a cross mold perpendicular to the H-mold steel face formed with the protrusions.例文帳に追加

内面側に複数の突起を有するＨ形鋼であって、前記突起が形成されたＨ形鋼面に垂直な断面における該突起の上辺幅ｂ_2、突起高さｈ、突起ピッチＰが、Ｐ／ｈ≦１０、かつ、Ｐ／ｂ_2≧4を満たすようにした。 - 特許庁

When a distance between the light-emitting diodes 131 and the light-transmitting tube 110 is set up to be H and a distance between installed positions of two light-emitting diodes 131 is set up to be P, H/P is≥ 0.134, and H is 9.5-38 mm.例文帳に追加

発光ダイオード１３１と透光性チューブ１１０との距離がＨであり、２つ発光ダイオード１３１間の設置位置距離がＰであり、Ｈ／Ｐが０．１３４以上であり、Ｈが９．５〜３８ｍｍである。 - 特許庁

In this status, a node A connected to a node N of H level before change is connected to the node P of H level through the change.例文帳に追加

この状態で、切り替え前にＨレベルのノードＮに接続されていたノードＡは、切り替えによりＨレベルのノードＰへ接続される。 - 特許庁

Based on these operating condition parameters and model constants A-H, a function model parameter X is calculated according to equation: X=A×P^B×Veff^C×Pc^D×EGR^E×Ne^F×q^G×exp(H/T).例文帳に追加

Ｘ＝Ａ×Ｐ^Ｂ×Ｖeff^Ｃ×Ｐc^Ｄ×ＥＧＲ^Ｅ×Ｎe^Ｆ×ｑ^Ｇ×ｅｘｐ（Ｈ/Ｔ） - 特許庁

Then a hash h is generated based on the accepted pass phrase p in S102 (S103) and a bit string b is generated from the hash h (S104).例文帳に追加

つぎにＳ１０２で受け付けたパスフレーズｐに基づきハッシュｈを生成し（Ｓ１０３）、該ハッシュｈからビット列ｂを生成する（Ｓ１０４）。 - 特許庁

In this state, a node (A) that has been connected to an H-level node N before the changeover is connected to the H-level node P through the changeover.例文帳に追加

この状態で、切り替え前にＨレベルのノードＮに接続されていたノードＡは、切り替えによりＨレベルのノードＰへ接続される。 - 特許庁

An aligner E synchronously moves a mask M and a substrate P from an accelerating section H 1 to a decelerating section H 4 through a setting section H 2 and a normal section H 3, and during the movement, transfers the image of a pattern formed on the mask M to the substrate P.例文帳に追加

露光装置Ｅは、マスクＭ及び基板Ｐを、加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順に同期移動させ、この移動中にマスクＭに形成されたパターンの像を基板Ｐ上に転写する。 - 特許庁

On a substrate 1, an n-type μc-Si:H layer 2, an i-type μc-Si:H layer 3 serving as photoelectric conversion layer, a p-type μc-Si:H layer 4, a p-type a-Si:H layer 5 and a transparent electrode 6 made of ITO are laminated and formed in the order.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層２、光電変換層となるｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３、ｐ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層４、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５、及び、ＩＴＯ製の透明電極６がこの順に積層形成されている。 - 特許庁

A P type transistor Tr21 is driven with the high-voltage electric power V_H and outputs intermediate-voltage electric power V_M to the transfer gate.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＴｒ２１は、高圧電源Ｖ_Hにより駆動し、転送ゲートに中圧電源Ｖ_Mを出力する。 - 特許庁

First a revolution manipulated variable P_H concerning the revolution motion is detected by a revolution manipulated variable detecting means 11, and the increment per unit time of the revolution manipulated variable P_H is limited by a rise limiting means 13, and is used as a limit revolution manipulated variable F.例文帳に追加

まず、旋回動作に係る旋回操作量Ｐ_Hを旋回操作量検出手段１１で検出し、該旋回操作量Ｐ_Hの単位時間当たりの増加量を立ち上がり制限手段１３で制限し、これを制限旋回操作量Ｆとする。 - 特許庁

A height (h) of the girdle is 0.026-0.3 of a girdle radius and a pavillon angle (p) is 37.5°-41°.例文帳に追加

ガードル高さｈがガードル半径の0.026〜0.3であり、パビリオン角ｐが37.5°〜41°である。 - 特許庁

PLEASE REMEMBER TO SET A PASSWORD FOR THE MySQL root USER !To do so, issue the following commands to start the server and change the applicable passwords:(Note the next 3 lines)/etc/init.d/mysql start/usr/bin/mysqladmin -u root -h pegasos password 'new-password'/usr/bin/mysqladmin -u root password 'new-password'Depending on your configuration, a -p option may be needed in the last command.例文帳に追加

(次の3行をメモして下さい。 - Gentoo Linux

A plurality of holes H are formed in the signal line P to align along a length direction.例文帳に追加

信号線路Ｐには、長さ方向に沿って並ぶように複数の孔部Ｈが形成される。 - 特許庁

A rear belt B2 is provided on the heel cup H, the rear parts of the paired pillars P or the heel plate 3.例文帳に追加

後ベルトＢ２は、ヒールカップＨ、１対のピラーＰの後部または踵プレート３に設けられる。 - 特許庁

When the H/P water supply temperature T1 is low, COP can be increased by lowering a boiling-up temperature.例文帳に追加

Ｈ／Ｐ給水温度Ｔ１が低い時は、沸き上げ温度を低くすることでＣＯＰを高くできる。 - 特許庁

When an output enable signal/OE is at H level, a P type MOS transistor 5 turns off.例文帳に追加

出力イネーブル信号／ＯＥがＨレベルのときＰ型ＭＯＳトランジスタ５がＯＦＦする。 - 特許庁

The plasma processing device to supply this plasma P to a treating object H is provided.例文帳に追加

このプラズマＰを被処理物Ｈに供給するプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

When a sheet end dropping speed is designated as V2, a contact distance P of the sheet 116 relative to the guide 114 satisfies a relationship of P=h×V1/V2-C.例文帳に追加

ここで、シート端落下速度Ｖ２とすると、シート１１６のガイド１１４に対する当接距離Ｐは、Ｐ＝ｈ×Ｖ１／Ｖ２−Ｃの関係にある。 - 特許庁

Positioning of a pouch P is performed by inserting positioning pins 11 into positioning holes H for the pouch P fed at a spout mounting position.例文帳に追加

スパウト装着位置に供給されたパウチＰの位置決め穴Ｈに位置決めピン１１が挿入され、パウチＰの位置決めが行われる。 - 特許庁

The p-side pad electrode 22 of a red semiconductor laser device 2 is bonded onto the p-side pad electrode 13 with the corresponding solder film H sandwiched therebetween.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１３上に接合されている。 - 特許庁

(In the formulae, Ph is a benzene ring such as phenyl, phenylene or the like m≥0, n≥0, m+n≥1, P≥0).例文帳に追加

Ph(OH)-[HC(Ph)-(Ph)OH)]_m[CH_2-(Ph)-CH_2-(Ph)OH]_n-H………………(2) Ph(OH)-[CH_2-(Ph)-(Ph)-CH_2-(Ph)OH)]_p-CH_2-(Ph)-(Ph)-CH_2-(Ph)OH)……(3) （式中Phは,フェニル、フェニレン等ベンゼン核残基であり、ｍ≧０、ｎ≧０で、ｍ＋ｎ≧１、ｐ≧０である） - 特許庁

Z-[(AO)_n-H]_p (1), wherein, Z is a residue formed by removing an active hydrogen atom from an active hydrogen atom-containing compound (a) having a valence of p, A is a 1-8C alkylene group, and n is an integer of 1-400, and p is an integer of 1-100.例文帳に追加

Ｚ−［（ＡＯ）_n−Ｈ］_p （１）式中、Ｚはｐ価の活性水素含有化合物から活性水素を除いた残基；Ａは炭素数１〜８のアルキレン基；ｎは１〜４００の整数；ｐは１〜１００の整数である。 - 特許庁

The optical thin film manufacturing apparatus comprises a lens holder H to rotatably hold a lens L1, a support holder P, and a vapor deposition source S to evaporate a vapor deposition material S1 for forming a thin film toward a surface of the lens L1.例文帳に追加

レンズ(L1)を自転可能に保持するレンズホルダー(H)と支持ホルダー(P)、レンズ(L1)の表面に向けて薄膜形成用の蒸着材料(S1)を蒸散させる蒸着源(S)を設けた。 - 特許庁

The substrate sensor comprises a light emitting element H for emitting an illumination light t to the surface of a wafer W, a photodetector J for receiving a reflected light (h) from the wafer W and a plate-like partial shield plate P installed between the element H and the photodetector J.例文帳に追加

ウエハＷの表面に照射光ｔを照射する発光素子ＨとウエハＷからの反射光ｈを受ける受光素子Ｊを備え、その間に板状の部分的遮蔽板Ｐを設置する。 - 特許庁

A refrigerant pipe P is connected to a housing H of a pressure detector 10, and the pressure detector 10 includes a stem 22 for introducing a pressure in the refrigerant pipe P into the housing H.例文帳に追加

圧力検出器１０のハウジングＨには冷媒配管Ｐが接続されるとともに、圧力検出器１０は、冷媒配管Ｐ内の圧力をハウジングＨ内に導入するステム２２を備える。 - 特許庁

By a heat treatment in an hydrogen atmosphere or by the application of a hydrogen plasma, resistances of the portions (H regions) of the p-type AlGaInN cladding layer 6 and the p-type GaN layer 7 are increased.例文帳に追加

次に水素化物雰囲気中での熱処理または水素プラズマ照射を行いp-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７の一部分（Ｈ領域）を高抵抗にする。 - 特許庁