「a sin of」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A sound collection device 32 generates a sound collection signal SIN, by collecting sound (clicking sound of tongue) via the mouth 70 of the user.例文帳に追加

収音機器３２は、利用者の口腔７０を経由した音響（舌打音）を収音することで収音信号ＳINを生成する。 - 特許庁

However, after being preached about the sin of killing by Enchin, Tamuramaro became a believer of Kannon and donated his residence as the Hondo main hall (main sanctuary) to enshrine the statue of Kannon. 例文帳に追加

延鎮より殺生の罪を説かれ、観音に帰依して観音像を祀るために自邸を本堂として寄進したという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He was charged with escaping from the domain because of smuggling, but he was forgiven for his sin through the mediation of Morihide NOMURA, also a feudal retainer of Satsuma clan, who had met GODAI in Nagasaki City. 例文帳に追加

このために、藩からは脱藩の罪に問われるが、長崎市で出会った同じ薩摩藩士の野村盛秀の取り成しによって罪を許された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

However, Korenori lost a ship, which this fan was on, by the attack of Yi Sun-sin in the first year of Japanese invasions of Korea. 例文帳に追加

しかし茲矩は朝鮮出兵初年にこの扇を搭載した船を李舜臣の攻撃で奪われてしまった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A sealing layer 29 consists of a PSG film 23, an SiN film 25 and a photosensitive polyimide layer 27, and has an opening 31 on the land area 21.例文帳に追加

ＰＳＧ膜２３、ＳｉＮ膜２５及び感光性ポリイミド層２７からなり、ランド部２１上に開口部３１をもつ封止層２９を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide (SiC) or silicon nitride (SiN) micro ceramic tube having a diameter of several μm to several hundred μm.例文帳に追加

直径数ミクロン〜数百ミクロンの炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び窒化ケイ素（ＳｉＮ）のマイクロセラミックチューブの製造法に関する。 - 特許庁

On the surface and the back of a silicon monocrystal substrate 1, an SiN film 2 as a support body is formed by LP-CVD or the like (a).例文帳に追加

シリコン単結晶基板１の表裏面に、ＬＰ−ＣＶＤ等により、支持体となるのSiＮ膜２を成膜する（ａ）。 - 特許庁

Trenches 3 are formed in a Si substrate 1 by using a SiN film 2 having openings in the device isolating regions of the Si substrate 1 as a mask.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の素子分離領域が開口したＳｉＮ膜２をマスクとして、Ｓｉ基板１にトレンチ３を形成する。 - 特許庁

A scintillator 16 having a columnar structure for converting an incident radiation into a visible ray is formed on the surface of the SiN film 14.例文帳に追加

このＳｉＮ膜１４の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が形成されている。 - 特許庁

The individual displacement sections 4-1, 6-2 curve in a direction opposite to the substrate 1 and have a double-layer structure, consisting of a lower SiN film and an upper Al film.例文帳に追加

個別変位部４−１，６−２は、基板１とは反対側に湾曲し、下側のＳｉＮ膜と上側のＡｌ膜との２重膜からなる。 - 特許庁

A TFT comprises an underlying SiN film 2, an underlying SiO_2 film 3 and a Si film 14 which are sequentially placed on a substrate 1 made of glass.例文帳に追加

ＴＦＴにおいては、ガラスからなる基板１上に、下地ＳｉＮ膜２、下地ＳｉＯ_2膜３、およびＳｉ膜１４が順に配置されている。 - 特許庁

A remodulated digital signal is a high frequency and then, does not contribute to sin (x)/x precorrection ahead of D/A conversion.例文帳に追加

再変調されたディジタル信号は、高周波であり、従って、Ｄ／Ａ変換に先立つｓｉｎ（ｘ）／ｘプレ補正に貢献しない。 - 特許庁

Each of weighting coefficients excluding other weighting coefficients which include at least one maximum weighting coefficient or more among the plurality of weighting coefficients is set to a 2nd power of value which approximates a value of weighting coefficient obtained by a spline transformation for approximating a function of sin(x)/x.例文帳に追加

複数の重み係数の内で最大の重み係数を少なくとも含む１以上の重み係数を除く他の重み係数それぞれの値は、sin(x)／xの関数を近似する区分多項式によって得られる重み係数の値をそれぞれ近似する２のべき乗の値に設定されている。 - 特許庁

Kashiwagi also notices this, and terrified of his sin, he falls ill to hear Genji's bitter sarcasm at a rehearsal of court dances and music held in Rokujo-in Palace. 例文帳に追加

柏木もそのことを知らされ罪におののき、さらに六条院で行われた試楽の際、源氏に痛烈な皮肉を言われて病に臥した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The SiO2 film 7 is removed from the part except the opening of the SiN film 3 and the inside of the trench 5, and a trench element isolation region is formed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３の開口およびトレンチ５の内部以外の部分をＳｉＯ_2 膜７を除去し、溝素子分離領域を形成する。 - 特許庁

Thus, when the phase difference is large, the sin data and the cosine data are largely changed independently of a characteristic of the loop filter 13.例文帳に追加

従って、位相差が大きいときに、ループフィルタ１３の特性に関係なく、サインデータ及びコサインデータを大きく変化させることができる。 - 特許庁

Before cleaning the substrate placing section, a protective film (SiN film), against plasma etching performed at cleaning of the section, is formed on the surface of the section.例文帳に追加

クリーニング前に基板載置部の表面にクリーニング時のプラズマエッチングに対する保護膜（ＳｉＮ膜）を形成する。 - 特許庁

The peripheral section of the extended section 52b of the electrode 52 is separated from the SiN film 42 so that a gap G may be formed between the section and film 42.例文帳に追加

Ｔ字型ゲート電極５２の延在部５２ｂの周辺部分は、ＳｉＮ膜から離隔して、ＳｉＮ膜との間に間隙Ｇを有する。 - 特許庁

Then, a cleaning process is carried out for cleaning the surface of the SiN layer 12 with liquid flow consisting of aqueous cleaning liquid f_L.例文帳に追加

次いで、ＳｉＮ層１２の表面を水性の洗浄液ｆ_Ｌからなる液流で洗浄する洗浄工程を行なう。 - 特許庁

The CPU 50 checks the voltage of a capacitor 56 while changing the frequency of the SIN wave to determine resonance frequency.例文帳に追加

ＣＰＵ５０は、ＳＩＮ波の周波数を変えながらコンデンサ５６の電圧を調べ、共振周波数を求める。 - 特許庁

On both side surfaces of the gate 160, a charge retainer consisting of SiO films 171 and 181 and SiN films 172 and 182 is provided.例文帳に追加

さらに、ゲート部１６０の両側面には、ＳｉＯ膜１７１，１８１、ＳｉＮ膜１７２，１８２からなる電荷保持部が設けられる。 - 特許庁

The voltage level of a logic signal Sin is converted by a level shifter 30 and given to inverters 43, 45 from connecting nodes N1 and N2.例文帳に追加

ロジック信号Ｓ_inの電圧レベルが、レベルシフタ３０によって変換され、接続ノードＮ１及びＮ２からインバータ４３，４５に与えられる。 - 特許庁

When a bare chip is mounted on the leadframe 14, it is sealed with a sealing re sin 24 from one surface side of the substrate.例文帳に追加

リードフレーム１４にベアチップを実装した場合、基板の一面側から封止樹脂２４で封止される。 - 特許庁

A SiN film 20 as a capacitance insulating film of the MIM capacitor is formed on the fluorine polymer layer 18 and the lower electrode 17.例文帳に追加

フッ素系ポリマー層１８及び下部電極１７上にＭＩＭキャパシタの容量絶縁膜であるＳｉＮ膜２０を形成する。 - 特許庁

A control circuit 15 respectively outputs DC voltages of cosθ and sinθ, wherein θ is a phase control signal, to offset circuits 21, 22 as control voltages.例文帳に追加

制御回路１５は、位相制御信号θに対するcos θ、sin θの直流電圧をオフセット回路２１、２２に制御電圧として出力する。 - 特許庁

A titanium oxide film 5 and a SiN film 6 are formed on the surface of the compound semiconductor field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタの化合物半導体の表面にチタン酸化膜５とＳｉＮ膜６とを設ける。 - 特許庁

A differential signal SIN is supplied to an input terminal 321 and an input terminal 322 of a signal processing circuit 30.例文帳に追加

信号処理回路３０の入力端子３２１および入力端子３２２には差動信号ＳINが供給される。 - 特許庁

The individual displacement sections 4-2, 6-1 curve toward the substrate 1 and have a double-layer structure, consisting of a lower Al film and an upper SiN film.例文帳に追加

個別変位部４−２，６−１は、基板１側に湾曲し、下側のＡｌ膜と上側のＳｉＮ膜との２重膜からなる。 - 特許庁

SiN buffers 12 are dispersedly formed on the surface of a board 10, and a low-temperature GaN buffer layer 14 is formed thereon.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成し、その上に低温ＧａＮバッファ層１４を形成する。 - 特許庁

When a control signal Sin of 'H' level is inputted, a control circuit 36 is actuated, and an FET 35 is on/off-operated.例文帳に追加

“Ｈ”レベルの制御信号Ｓｉｎが入力されると、制御回路３６が動作し、ＦＥＴ３５がオン、オフ動作する。 - 特許庁

MOSFETs Q2, Q3 are nonconductive in a standby state and a MOSFET Q1 is also nonconductive in the absence of an input signal Sin.例文帳に追加

スタンバイ時ＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ３はオフであり、入力信号Ｓｉｎが無いときＭＯＳＦＥＴＱ１もオフしている。 - 特許庁

SiN buffers 12 are dispersedly formed on the surface of a board 10, on which a low-temperature GaN buffer layer 14 is formed.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成し、その上に低温ＧａＮバッファ層１４を形成する。 - 特許庁

The insulating film is constituted of a first and a second SiN films 32a and 32b formed on the substrate in this order.例文帳に追加

絶縁膜は、基板上に順次成膜された第１のＳｉＮ膜３２ａと第２のＳｉＮ膜３２ｂとから構成されている。 - 特許庁

A half SIN1 of a test data SIN is input into FFs 10, 11 from a data input and output node 15 in a test data input mode, and the other half of the half SIN2 of the test data SIN is input into FFs 13, 14 from a data input and output node 16.例文帳に追加

テストデータ入力モード時は、データ入出力ノード１５からテストデータＳＩＮの半分ＳＩＮ１をＦＦ１０、１１に入力すると共に、データ入出力ノード１６からテストデータＳＩＮの他の半分ＳＩＮ２をＦＦ１３、１４に入力する。 - 特許庁

When a reception signal Sin received from a wireless signal having a plurality of channels is input, a mixer 2 selects a physical reception channel based on the number of channels set by the upper layer 20 to find a base band signal S2.例文帳に追加

複数のチャンネルを有する無線信号から受信された受信信号Sinが入力されると、上位レイヤ２０により設定されたチャンネル数に基づき、ミキサ２により、物理的な受信チャンネルが選択されてベースバンド信号Ｓ２が求められる。 - 特許庁

To provide a method of forming an insulating film, an apparatus for forming an insulating film, and a plasma processing unit, those of which can successfully implement film quality control at an interface between a silicon substrate and an SiN film, and can form a high quality SiN film, in a short time.例文帳に追加

シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。 - 特許庁

In the high frequency amplifier circuit, a signal separator 12 generates a pair of phase modulation signals Sb1(t), Sb2(t) accompanying phase modulation corresponding to amplitude modulation and phase modulation of an input modulation signal Sin(t) and having a phase difference corresponding to an amplitude of the input modulation signal Sin(t).例文帳に追加

信号分離器１２は、入力変調信号Ｓｉｎ(ｔ)の振幅変調及び位相変調に応じた位相変調を伴い且つ入力変調信号Ｓｉｎ(ｔ)の振幅に応じた位相差を有する位相変調信号対Ｓｂ１(ｔ)，Ｓｂ２(ｔ)を生成する。 - 特許庁

a British or Irish monk who denied the doctrines of original sin and predestination and defended human goodness and free will 例文帳に追加

原罪と運命の主義を否定して、人間の善良さと自由意思を防御した英国の、または、アイルランド人の僧 - 日本語WordNet

In a Shinto prayer, sin and impurity were washed away to the Nenokuni, and it was considered the root of evil spirits and noxious vapor. 例文帳に追加

祝詞においては、罪穢れは根の国に押し流すとしていたり、悪霊邪鬼の根源とされたりしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Yi Dynasty ordered Sun-sin YI to attack Kiyomasa, but the conspiracy failed because he thought it was a trap and hesitated to attack ("Jingborok [The book of Correction]" by Seong-ryong YU). 例文帳に追加

李氏朝鮮は李舜臣に攻撃を命じたが、李は罠だと思い攻撃を躊躇ったために陰謀は失敗した（柳成龍『懲毖録』）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Amenowakahiko was popular among ordinary people as a tragic and rebellious deity because of his falling love with Shitateruhime and giving up on his mission and then being killed for the sin. 例文帳に追加

シタテルヒメとの恋に溺れて使命を放棄しその罪によって亡くなるという悲劇的かつ反逆的な神として、民間では人気があった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

HDP4 is polished until the surface of SiN 5 is exposed, using a ceria (cerium oxide: CeO_2) slurry.例文帳に追加

そして、セリア（酸化セリウム；ＣｅＯ_２）スラリーを用いて、ＳｉＮ５の表面が露出するまで、ＨＤＰ４の研磨を行う。 - 特許庁

The substrate 1 is subjected to thermal processing in a nitrogen atmosphere to form an SiN layer 18 on the surface of the electrode 4.例文帳に追加

窒素雰囲気中で半導体基板１を熱処理し、ゲート電極４の表面にＳｉＮ層１８を形成する。 - 特許庁

A complex multiplication part 7 performs complex multiplication of cos(θ+nΔθ), sin(θ+nΔθ), and reception signals I and Q to correct the frequency offset.例文帳に追加

複素乗算部７はｃｏｓ（θ＋ｎΔθ）、ｓｉｎ（θ＋ｎΔθ）と受信信号（Ｉ，Ｑ）とを複素乗算し、周波数オフセットを補正する。 - 特許庁

Forming the nitride film SIN with a hydrogen-free from causes the interface trap in the neighborhood of the structure transition layer to contribute to charge accumulation more than before.例文帳に追加

窒化膜ＳＩＮを水素フリーの膜で形成すると、構造遷移層付近の界面トラップが今まで以上に電荷蓄積に寄与するようになる。 - 特許庁