「active termination」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

POWER EFFICIENT LINE DRIVER WITH QUADRUPLE POWER SUPPLY VOLTAGE SWING AND ACTIVE TERMINATION SYNTHESIS例文帳に追加

４倍電源電圧スイング及び能動終端合成を持つ電力効率的ライン・ドライバ - 特許庁

To provide a controller and a method for an active termination resistor which can perform on/off control of the active termination resistor of DRAM regardless of operation mode of DRAM mounted on a memory module.例文帳に追加

メモリモジュールに装着されたＤＲＡＭの動作モードにかかわらずＤＲＡＭの能動終端抵抗のオン／オフを制御できる能動終端抵抗の制御装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for an active termination control in a memory by a module register providing an active termination control signal to the memory.例文帳に追加

メモリーに能動終端制御信号を与えるモジュール・レジスタによりメモリーの能動終端制御を行う方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a control device and method for an active termination resistor, capable of controlling an on/off state of the active termination resistor of a DRAM irrespective of an operation mode of DRAMs mounted in a memory module.例文帳に追加

メモリモジュールに装着されたＤＲＡＭの動作モードにかかわらずＤＲＡＭの能動終端抵抗のオン／オフを制御できる能動終端抵抗の制御装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Devices and methods for controlling active termination resistors can control on/off of the active termination resistors irrespective of an operational mode of a delay locked loop (DLL) or a phase locked loop (PLL), and this reduce data bubbles.例文帳に追加

本発明に係る能動終端抵抗を制御するための装置及び方法は、遅延同期ループまたは位相同期ループの動作モードにかかわらず終端抵抗のオン／オフを制御できるため、データバブルを最小化させることができる。 - 特許庁

To realize an active bus termination circuit in which termination processing can be easily adjusted in accordance with the type of a signal on a shared bus and chip making can be easily performed.例文帳に追加

共有バス上の信号の種類に応じて、終端処理の調節を容易に行うことができ、かつチップ化が容易に行えるアクティブバス終端回路を実現すること。 - 特許庁

Guard ring diffusions in the termination of a MOS gate device are laterally spaced from one another and are disposed beneath and are insulated from the termination field plate which extends from the periphery of the device active area.例文帳に追加

ＭＯＳゲートデバイスの終端におけるガードリング・ディフュージョンは、お互いの側面に間隔をおいて、活性領域の周辺から拡張する終端フィールドプレートの直下に配置され、絶縁される。 - 特許庁

The memory turns on the active termination based on information being programmed into one or more mode registers of the memory.例文帳に追加

メモリーは、その１つまたは２つ以上のモード・レジスタにプログラムされている情報に基づき能動終端をターン・オンする。 - 特許庁

In the case of detecting the read or write command, the module register generates the active termination control signal to the memory.例文帳に追加

読出しまたは書込みコマンドを検知すると、モジュール・レジスタはメモリーへの能動終端制御信号を発生する。 - 特許庁

In this method, average EMR emission of any electronic device can be reduced, by performing electrically-active modulated termination process.例文帳に追加

電気的にアクティブな被変調終端を実施することによって、電子デバイスの平均ＥＭＲ放射を低減することができる。 - 特許庁

To provide an active termination circuit for clamping a signal on a transmission line in an electronic device rapidly and effectively.例文帳に追加

電子デバイス内の伝送線路上の信号を高速且つ効率的にクランプするための能動終端回路について開示する。 - 特許庁

To deal with a fault in a termination node of an active system path, to achieve high-speed fault recovery and to reduce loads of nodes and a network.例文帳に追加

現用系パスの終端ノードの故障に対応でき、高速な障害復旧を実現し、ノードおよびネットワークの負荷を軽減する。 - 特許庁

To provide a polymer-carried optically active binaphthyl-type oxazoline compound which necessitates no complicated operation for recovering an optically active binaphthyl-type oxazoline compound after termination of an asymmetric synthesis.例文帳に追加

不斉合成反応終了後に光学活性ビナフチル型オキサゾリン化合物を配位子とする触媒の繁雑な回収操作を必要としない、高分子担持光学活性ビナフチル型オキサゾリン化合物を提供すること。 - 特許庁

The vertical semiconductor device comprises a device active region 100 actualizing an element function of an IGBT, and the element termination region 200 enclosing the device active region 100.例文帳に追加

縦型半導体装置は、ＩＧＢＴの素子機能を実現する素子活性領域１００と、素子活性領域１００を囲む素子終端領域２００とによって構成されている。 - 特許庁

A wavelength group consists of the wavelength of the active optical wave path and the wavelength of a standby optical wave path corresponding thereto, and when a fault occurs in an active optical wave path, a termination transmitter detects the fault and recovers the fault in units of the wavelength group.例文帳に追加

現用光波パスとそれに対する予備光波パスの波長で波長グループを構成し、ある現用光波パスに障害が発生した場合にはその終端伝送装置で検出して波長グループ単位で障害回復を行う。 - 特許庁

The positive electrode lead is welded to a plain-colored part formed by removing a part rich in a positive electrode active material of a positive electrode active material layer termination part applied by intermittent application, and the lead is covered with an insulating tape.例文帳に追加

正極リードを間欠塗着により塗着した正極活物質層終端部の正極活物質のリッチな部分を除去した無地部に溶接し、絶縁テープで前記リードを被覆する。 - 特許庁

To provide a differential line driver that has a quadruple power supply voltage swing, extends a loop length to a subscriber line, acts like an active impedance termination section and eliminates the need for a series termination resistor so as to save the transmission power by 6 dB.例文帳に追加

４倍電源電圧スイングを持ち、加入者線路に対してループ長を増長し、また能動インピーダンス終端部として働き、直列終端部抵抗器を不要とすることによって６ｄＢ送信電力を節約する差働ライン・ドライバを提供する。 - 特許庁

The second electrode is connected to the active region and the spacer through a conductive inter-layer oxide layer, and a curved region of a depression region is formed so as to be separated from the boundary of the active region by a predetermined length and so as to cover the active region, the spacer and a portion of the termination structure oxide layer 245.例文帳に追加

第２の電極は、導電層間酸化層を介して、活性領域及びスペーサに接続し、空乏領域の湾曲領域が活性領域の境界から所定の長さ離間するように、活性領域、スペーサ及び終端構造酸化層の一部を覆うように形成されている。 - 特許庁

In the element termination region 200, a trench 700 is formed in a closed-loop shape enclosing the device active region 100 substantially perpendicularly to a substrate surface.例文帳に追加

素子終端領域２００には、基板表面に略垂直に、素子活性領域１００を取り囲む閉ループ状にトレンチ７００が形成されている。 - 特許庁

The memory maintains the active termination in an ON state for a predetermined time based on the information being programmed into one or more mode registers of the memory.例文帳に追加

メモリーは、その１つまたは２つ以上のモード・レジスタにプログラムされている情報に基づき能動終端を所定の時間オン状態に維持する。 - 特許庁

The method comprises forming a plurality of first trenches for forming the trench MOS devices in an active region, and a second trench for forming the termination structure.例文帳に追加

活性領域にトレンチ金属酸化膜半導体素子を形成するための複数の第１のトレンチ及び終端構造を形成するための第２のトレンチを形成する。 - 特許庁

To transfer signals/data at high speed with low current consumption according to an active termination system and reduce the area occupied by an output drive circuit.例文帳に追加

アクティブ・ターミネーション方式に従って、高速かつ低消費電流で信号／データを転送しかつ出力ドライブ回路の占有面積を低減する。 - 特許庁

An active termination circuit is constituted to clamp a signal on a transmission line 306 to one of a first reference voltage level and a second reference voltage level.例文帳に追加

能動終端回路は、伝送線路３０６上の信号を第１の参照電圧レベルおよび第２の参照電圧レベルの一方にクランプするよう構成されている。 - 特許庁

To realize a high Vbd with a considerably low on-state resistance and on the other hand, to improve the structure of a high-voltage transistor by minimizing the edge termination region that separates an active device cell from its peripheral region.例文帳に追加

かなり低いオン状態抵抗で高いVbdを実現し、またその一方で、アクティブなデバイスセルを周辺領域から分離するエッジ終端領域を最小化する、高電圧トランジスタ構造の改良。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device capable of reducing difference in an amount of displacement at termination of writing and at the start of writing of a video signal and with high gradation reproducibility in a low gradation area.例文帳に追加

映像信号書き込み終了時と書き込み開始時とで映像信号線電位の変位量差を低減でき、低階調領域での階調再現性が高いアクティブマトリックス型表示装置を提供する。 - 特許庁

To improve a high-voltage transistor structure that achieves high Vbd with very low on-state resistance, and minimizes an edge termination region which isolates an active device cell from a peripheral region.例文帳に追加

かなり低いオン状態抵抗で高いVbdを実現し、またその一方で、アクティブなデバイスセルを周辺領域から分離するエッジ終端領域を最小化する、高電圧トランジスタ構造の改良。 - 特許庁

To provide a method and a system for controlling electromagnetic noise that is radiated from resonance metal infrastructure, using an electrically-active modulated termination method.例文帳に追加

電気的にアクティブな被変調終端を用いて共振金属下部構造が放射する電磁ノイズを制御するための方法およびシステムを提供する。 - 特許庁

The active termination circuit also has a top clamping transistor 332 coupled to a second potential having a top clamping transistor control node arranged for clamping a signal at about a second reference voltage.例文帳に追加

その能動終端回路は、さらに、信号を第２の参照電圧付近にクランプするよう構成された上側クランプトランジスタ制御ノードを有する第２の電位に接続された上側クランプトランジスタ３３２を備える。 - 特許庁

A non-aqueous electrolyte secondary battery contains polydimetyl siloxane having carboxyl radical or amide radical as a functional group at the termination at least in one of a positive electrode active material layer 2 and negative electrode active material layer 4 and coronate-L as a bridging agent.例文帳に追加

正極活物質層又は負極活物質層の少なくとも一方に、末端の官能基としてカルボキシル基またはアミド基を有するポリジメチルシロキサンと、架橋剤としてコロネートＬを含有する非水電解液二次電池を作製する。 - 特許庁

A p-partition region of the transition part 22 is made different in shape of a p-partition region from the active part 21 and terminal part 23, and charge balance is made between p-partition regions 4a, 4b and 4c of the active part 21, transition part 22 and termination part 23, and n-drift region 3, in order to prevent a decrease in breakdown voltage.例文帳に追加

活性部２１および終端部２３に対して遷移部２２のｐ仕切り領域の形状を変え、活性部２１、遷移部２２および終端部２３の各ｐ仕切り領域４ａ、４ｂ、４ｃとｎドリフト領域３とでチャージバランスをとることで、耐圧低下の防止を図る。 - 特許庁

In a reverse blocking semiconductor element, an only first termination for achieving a breakdown voltage of a forward direction is formed on a main surface, a second termination for achieving a breakdown voltage of a backward direction is formed in a first recess around an active region of the other main surface, and the high breakdown voltage of both forward and backward directions and high mass productivity are achieved.例文帳に追加

逆阻止半導体素子において、順方向耐圧達成用の第１のターミネーションのみを一方の主表面に形成し、逆方向耐圧達成用の第２のターミネーションは他方の主表面の活性領域の周囲に設けた第１の凹部の中に形成し、高い順逆両方向耐圧と高い量産性を実現する。 - 特許庁

An active session mobility solution for point-to-point protocol (PPP) provides fast and smooth handoff by reducing tunneling overhead on tunneling mechanisms, such as P-P tunneling from a serving Source (e.g., a PPP termination device) to a new serving Target (e.g., a PPP termination device).例文帳に追加

ポイント・ツー・ポイント・プロトコル（ＰＰＰ）のためのアクティブ・セッション・モビリティ・ソリューションは、サービスしているソース（例えば、ＰＰＰ終端デバイス）から新しいサービスしているターゲット（例えば、ＰＰＰ終端デバイス）へのＰ−Ｐトンネリングなどのトンネリング・メカニズム上のトンネリング・オーバーヘッドを減少させることにより、高速でスムーズなハンドオフを実現する。 - 特許庁

A device and method for controlling the active termination resistor can minimize the data bubble as they can perform on/off control of the terminal resistor regardless of the operation mode of the delay synchronous loop or the phase synchronous loop.例文帳に追加

本発明に係る能動終端抵抗を制御するための装置及び方法は、遅延同期ループまたは位相同期ループの動作モードにかかわらず終端抵抗のオン／オフを制御できるため、データバブルを最小化させることができる。 - 特許庁

In one embodiment, the active termination circuit has a bottom clamping transistor 320 coupled to a first potential having a bottom clamp transistor control node arranged for clamping a signal at about a first reference voltage.例文帳に追加

一実施形態では、その能動終端回路は、信号を第１の参照電圧付近にクランプするよう構成された下側クランプトランジスタ制御ノードを有する第１の電位に接続された下側クランプトランジスタ３２０を備える。 - 特許庁

An active termination circuit for outputting an input signal as it is for an optional period by the input signal from the shared bus and a control signal generated by a delay circuit is used, and the delay circuit is controlled from the outside of a chip.例文帳に追加

共有バスからの入力信号と遅延回路により生成される制御信号により、任意の期間、入力信号をそのまま出力するアクティブ終端回路を用い、遅延回路をチップ外部から制御することにより解決する。 - 特許庁

To secure a breakdown voltage at a periphery (peripheral region, junction terminal region), the voltage being equal to or greater than that of a cell, by the conventional periphery termination structure or Resurf (Reduced Surface Field) structure since the concentration of the body cell (active region) in a super junction structure becomes comparatively high.例文帳に追加

スーパ・ジャンクション構造では、本体セル部（活性領域）の濃度が比較的高濃度となるため、従来型の周辺ターミネーション構造またはリサーフ構造によってセル部と同等以上の耐圧を周辺部（周辺領域、接合終端領域）で確保することは困難となることである。 - 特許庁

The second processor aborts, upon receipt of the first interruption signal, active processing which is executed according to a first processing request transmitted from the first processor through a first communication path, and transmits a first processing response signal showing termination of the active processing through the first communication path.例文帳に追加

第２のプロセッサは、第１の割り込み信号を受信した場合において、第１のプロセッサから第１の通信経路を介して送信された第１の処理要求に従って実行されている実行中の処理を中止して、実行中の処理の終了を示す第１の処理応答信号を、第１の通信経路を介して送信する。 - 特許庁

Termination of polymerization reaction is conducted by adding a catalyst deactivating agent solubilized in an organic solvent having a SP value (solubility parameter) of 9.5 to 12.5 in a process of producing an oxymethylene polymer or a copolymer thereof by polymerizing trioxane or a mixture of trioxane and a cyclic ether and/or a cyclic acetal using a cationic active catalyst.例文帳に追加

トリオキサン、あるいはトリオキサンと環状エーテルおよび／または環状アセタールとの混合物を、カチオン活性触媒を用いて重合してオキシメチレン重合体または共重合体を製造するにあたり、該触媒の失活剤を、ＳＰ値（溶解度パラメーター）が９．５〜１２．５である有機溶媒に溶解して添加することを特徴とする重合反応の停止方法。 - 特許庁

On the occurrence of a fault in an active optical path 401, that is, when an optical fiber is broken between nodes 105 and 106, no loopback is switched and a switching request from a termination node 108 to a source node 106 is sent to select a switch of the source node 106 to take a detour to a spare optical path 402 and then the fault can be recovered.例文帳に追加

現用光パス４０１の障害時、例えばノード１０５とノード１０６の間で光ファイバの破断障害が発生した場合、ループバック切り替えを行わずに終端ノード１０８からソースノード１０６へ切り替え要求を送出することによりソースノード１０６のスイッチを切り替え予備光パス４０２へ迂回することにより障害回復を行う。 - 特許庁

This transmitter is provided with optical path termination processing sections 1060-1063, that detect faults depending on the signal reception state of an optical wave path which is terminated, optical path switches SW 1040, 1041 that switch an active optical wave path into a standby optical wave path, and signaling processing sections 1050, 1051 that transfer path switching information.例文帳に追加

本発明の伝送装置は、終端する光波パスの信号受信状態によって障害を検出する光波パス終端処理部１０６０〜１０６３と現用光波パスを予備光波パスに切り替える光波パスＳＷ１０４０、１０４１とパス切替情報を転送するシグナリング処理部１０５０、１０５１を有する。 - 特許庁

The anode has an active substance containing Si at least, and the nonaqueous electrolyte solution contains lithium phosphate hexafluoride as a main support electrolyte, with an acid content contained in the nonaqueous electrolyte solution of 50 to 200 ppm and a potential of the anode of 0.6 to 1.5 V vs V at a discharge termination voltage of a battery.例文帳に追加

負極は少なくともＳｉを含む活物質を有し、非水電解液中には主たる支持電解質として６フッ化リン酸リチウムが含まれ、非水電解液中に含まれる酸量は５０ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下であり、かつ電池の放電終止電圧において、負極の電位が０．６〜１．５Ｖ vs Ｖである。 - 特許庁