「atomic structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In the Si dispersed vitreous carbon material, Si is uniformly dispersed and combined in the structure of the vitreous carbon in atomic level and the bound energy of 2p orbit of Si atom, which is determined from the peak value of a photoelectron spectrum by an X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), is 101-103 eV.例文帳に追加

ガラス状カーボンの組織中にＳｉが原子レベルで均一に分散複合し、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による光電子スペクトルのピーク値から求めたＳｉ原子の２ｐ軌道の束縛エネルギーが１０１〜１０３ｅＶの範囲にあることを特徴とするＳｉ分散ガラス状カーボン材。 - 特許庁

A wiring film for a display comprises a laminated structure of Mo alloy which includes at least one element selected from the group consisting of rare-earth-metal elements, Zn, Mg, and Ca in the range of 5 to 50 atomic % and pure Cu or Cu alloy.例文帳に追加

希土類金属元素、Ｚｎ、Ｍｇ、およびＣａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を５原子％以上５０原子％以下の範囲で含むＭｏ合金と、純ＣｕまたはＣｕ合金との積層構造を有する表示装置用配線膜である。 - 特許庁

The toner for electrostatic charge image development is composed of toner particles which contain colored resin material prepared by chemically connecting an atomic group originated from a coloration compound to a high molecular weight structure via a connective group, wherein the colored resin material is represented by a general formula (I).例文帳に追加

トナーは、呈色化合物由来の原子団が結合基を介して高分子量構造に化学的に結合されてなる有色樹脂物質を含有するトナー粒子よりなるものであって、有色樹脂物質が、一般式（１）で表されるものであることを特徴とする。 - 特許庁

The injection system by which a neutral active substance formed in such a way that one or both of a component used to lower the corrosion potential of a plant structure material and a component used to lower a radiation dose are dispersed to a neutral substance is injected into cooling water inside a pressure vessel 8 of the atomic power plant is installed.例文帳に追加

原子力プラントの圧力容器８内の冷却水にプラント構造材料の腐食電位を低下させる成分と放射線線量を低下させる成分の一方又は両方を中性物質に分散させてなる中性活物質を注入する注入系統を設ける。 - 特許庁

In a Faraday cup 2 for measuring an electron beam, tantalum or a heavy metal material having an atomic number larger than that of tantalum is used, and a Faraday cup structure having a high aspect ratio is composed, so that electron beam measurement capable of preventing large beam leakage even for a fine and highly accelerated electron beam 1 can be realized.例文帳に追加

電子ビーム計測用ファラディカップ（２）において、タンタルもしくはタンタル以上の原子番号の大きな重金属材料を用い、かつアスペクト比の高いファラディカップ構造をとることにより微細でも高加速電子ビーム（１）に対してもビーム漏えいの少ない電子ビーム計測が可能となる。 - 特許庁

The lithium transition metal oxide has the layer structure expressed by a composition formula Li_1+XMO_2, wherein M in the composition formula is composed of a transition metal containing Mn, Co and Ni in the atomic ratio of nearly 1:1:1, and the value of (x) is 0.01-0.5.例文帳に追加

組成式Ｌｉ_1+xＭＯ_2で表される層構造を有するリチウム遷移金属酸化物において、当該組成式中のＭがＭｎ、Ｃｏ及びＮｉをほぼ１：１：１の原子比で含む遷移金属からなり、xの値が０．０１〜０．５であることを特徴とするリチウム遷移金属酸化物を提案する。 - 特許庁

To provide a method for an eddy current flaw detection by which flaw inspection of a thick plate of a structure such as an atomic power plant and an aircraft can be executed, and detection of flaws not only on the surface but also on a rear face opposite to the inside and a flaw detection face can be executed, and a flaw detection probe which is optimum therefor.例文帳に追加

原子力プラントや航空機などの構造物の、厚板のキズ検査が可能であり、表面のみならず、内部及び探傷面とは反対の裏面キズの検出ができる渦電流探傷法及びそれに最適な探傷プローブを提供することを課題とする。 - 特許庁

The ferroelectric film 13 of the ferroelectric capacitor 3 is made of a single crystal of a compound having a Perovskite crystal structure expressed by Pb(Zr, Ti, Nb)O_3, and the ferroelectric film compound is such that the atomic ratio of Nb [{Nb/(Zr+Ti+Nb)}×100] in a B site is ≥2.5% and ≤5%.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ３の強誘電体膜１３は、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ_３で示されるペロブスカイト型の結晶構造を有した化合物の単一結晶からなり、この強誘電体膜化合物は、Ｂサイト中におけるＮｂの原子数比［{Ｎｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ＋Ｎｂ）}×１００］が２．５％以上５％以下である。 - 特許庁

To provide an underwater welding head for performing repair welding of a hollow structure member in an atomic power plant and the like and which insures the execution of good quality welding approximately equivalent to that of aerial welding by stably maintaining a gaseous environment of a welding area even when, for example, a welding execution surface is not a plane surface.例文帳に追加

原子力発電施設などにおける水中構造部材の補修溶接を行うための水中溶接ヘッドであり、例え溶接施工面が平面でない場合でも、溶接部位の気体環境を安定に保持し、気中溶接と同程度の上質な溶接を実施すること。 - 特許庁

The lithium transition metal oxide has the layer structure expressed by a composition formula Li_1+XMO_2, wherein M in the composition formula is composed of a transition metal containing Mn, Co and Ni in the atomic ratio of nearly 1:1:1, (x) being 0.01-0.5.例文帳に追加

組成式Ｌｉ_1+xＭＯ_2で表される層構造を有するリチウム遷移金属酸化物において、当該組成式中のＭがＭｎ、Ｃｏ及びＮｉをほぼ１：１：１の原子比で含む遷移金属からなり、xの値が０．０１〜０．５であることを特徴とするリチウム遷移金属酸化物を提案する。 - 特許庁

The method for refining the structure of an Al series target material for sputtering in which a molten alloy containing one or more elements selected from transition metals by 10 atomic % or less, essentially containing the group 3A elements as the above transition elements and the balance substantial by Al is subjected to rapid cooling treatment to finely disperse and form compounds in the target structure is applied.例文帳に追加

遷移元素から選択される元素のいずれか１種または２種以上を１０原子％以下含み、前記遷移元素として３Ａ族元素を必須として含有し、残部実質的にＡｌからなる合金溶湯を急冷処理することにより、ターゲット組織中の化合物を微細に分散形成させるＡｌ系スパッタリング用ターゲット材の組織微細化方法を適用する。 - 特許庁

An integrated circuit having the mutilayered barrier-metal thin film structure and a substrate is the barrier-metal thin film deposited on the substrate by an atomic layer chemical vapor deposition, and the barrier- metal thin film comprises the barrier-metal thin film including metal nitride and a thin copper film deposited on the barrier-metal thin film.例文帳に追加

本発明の集積回路は、多層バリアメタル薄膜構造を備える集積回路であって、基板と、原子層化学的気相成長のプロセスによって該基板上に堆積されたバリアメタル薄膜であって、バリアメタル薄膜は金属窒化物を含む、バリアメタル薄膜と、バリアメタル薄膜上に堆積された薄い銅膜とを備える。 - 特許庁

To provide a method for producing a high performance material by which a crystals constituting a material such as a semiconductor can be refined and further grown in such a manner that the crystal orientation is made uniform without deforming the shape of the material and adding impurities thereto and a compositional gradient structure on an atomic scale can be formed.例文帳に追加

半導体などの材料を構成している結晶を、材料の形状を変形させたり、不純物を添加したりすることなく、微細化し、更には結晶方位を揃えて結晶を成長させること、および原子スケールの組成傾斜構造を形成させることができる高性能材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one wiring comprises a Cu alloy thin film that contains at least one kind selected from rare earth elements as an additional element by 0.01 to 1 atomic% and the balance Cu and inevitable impurities, and that has a wiring structure directly layered on a transparent conductive film.例文帳に追加

配線の少なくともひとつが、添加元素として希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜１原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金薄膜からなり、かつ、透明導電膜と直接積層した配線構造を有する液晶ディスプレイパネルとする。 - 特許庁

The dielectric multilayer film mirror reflecting a specific wavelength region is made by joining at least two sheets of dielectric multilayer film structures 10 each of which is prepared by film-depositing a pair of dielectric multilayer films 2 having a both surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to an atomic layer deposition (ALD) method.例文帳に追加

特定波長域を反射させる誘電体多層膜ミラーであって、基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２が原子層堆積（ＡＬＤ）法により成膜された誘電体多層膜構造体10を２枚以上接合して成ることを特徴とする。 - 特許庁

According to one exemplary embodiment of the present invention, electrons or ion dynamics are obtained by solving a set of equations for the motion of electrons by using spin-dependent quantum trajectories calculated from electron current with one equation for each electron in the atomic structure of a material of interest.例文帳に追加

本発明の一の例示的な態様では、電子の運動に対する１セットの方程式を、電子カレントから計算されるスピン依存量子軌道を用いて、関心のある材料の原子構造におけるそれぞれの電子に対して１つの方程式によって、解くことによって、電子あるいはイオンのダイナミクスが得られる。 - 特許庁

In the Co alloy target material for a magnetic recording medium, in a Co alloy target material contains 25 to 90 atomic percent of one or more kinds of elements selected from Nb, Ta, Mo, W and Ti, and the balance substantially Co, an αCo phase or an εCo phase remains in the structure.例文帳に追加

（Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ）から選択される１種以上の元素を２５〜９０原子％含有し、残部実質的にＣｏとからなるＣｏ合金ターゲット材において、ターゲット材の組織中にαＣｏ相あるいはεＣｏ相が残存している磁気記録媒体用Ｃｏ合金ターゲット材である。 - 特許庁

This method for manufacturing the probe for atomic force microscopic examination includes a step of preparing a semiconductor substrate 1, a step for generating a molding die on a surface in one side of the substrate, a step for generating probe structure in the one side, and a step for attaching a holder 6 to a contact areas.例文帳に追加

原子間力顕微鏡検査用のプローブを製造する方法は、半導体基板１を準備するステップと、基板の一方側の表面にモールド型を生成するステップと、上記一方側においてプローブ構造を生成するステップと、コンタクト領域に対してホルダ６を取り付けるステップとを含んでいる。 - 特許庁

The ink set consists of the first ink containing a self-dispersible pigment in which an ionizable group is chemically bonded on a surface of the pigment particle directly or via the other atomic group, and the second ink containing a color material having a specified structure.例文帳に追加

第１のインク及び第２のインクで構成されるインクセットであって、前記第１のインクが、顔料粒子の表面にイオン性基が直接又は他の原子団を介して化学的に結合している自己分散顔料を含有し、前記第２のインクが、特定構造の色材を含有することを特徴とするインクセット。 - 特許庁

In an electrode for a battery having a current collector and an active material layer formed on the surface of the current collector and including an active material and a binding agent, the binding agent has a functional group including atomic oxygen capable of being coordinated with a lithium-ion in a molecular structure.例文帳に追加

集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質および結着剤を含む活物質層と、を有する電池用電極であって、前記結着剤が、分子構造中にリチウムイオンに配位しうる酸素原子を含む官能基を有することを特徴とする、電池用電極によって上記課題は解決される。 - 特許庁

In the magnetic body, in which at least a part is composed of a magnetic substance phase having magnetism, at least a part of the magnetic substance phase or the aggregate of the magnetic substance phases is formed into a structure, comprising a gradient function region having a magnetic characteristic or electrical characteristics or chemical bonding or atomic arrangement structural gradient function.例文帳に追加

磁性を有する磁性体相によって少なくともその一部が構成されている磁性体において、該磁性体相または該磁性体相の集合体の少なくともその一部が、磁気特性的または電気特性的または化学結合的または原子配列構造的な傾斜機能を有した傾斜機能領域から成る構造にする。 - 特許庁

In this protective structure 10, a protective hill 14 is installed along the entire perimeter of a protective object building 11 (e.g. an atomic power plant building) as a protective object, set higher than the protective object building 11, and constituted with strength high enough to bear the collision of the vehicle 13 or the flying object such as the aircraft 12.例文帳に追加

本防護構造１０では、防護対象物としての防護対象建屋１１（例えば原子力発電プラント建屋）の全周に沿って防護丘１４が設置され、この防護丘１４は、防護対象建屋１１よりも高く設定されると共に、航空機１２その他の飛来物及び車両１３の衝突に耐え得る強度に構成されたものである。 - 特許庁

The lithium nickel cobalt manganese composite oxide is represented by the composition formula of Li[Ni_1/3Co_1/3Mn_1/3]O_2 in which the actual atomic ratio of nickel, cobalt, and manganese is 1:1:1, has high crystalline layered structure of a rhombohedral system, and the length of a C axis belonging as a hexagonal system is 14.15 Å or more.例文帳に追加

本発明にかかるリチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物は、ニッケルとコバルトとマンガンの原子比が実質的に１：１：１である、Ｌｉ[Ｎｉ_1/3Ｃｏ_1/3Ｍn_1/3]Ｏ_2なる組成式で表されるものであり、高結晶性の層状構造を有し、菱面体晶系に属し、六方晶系として帰属したＣ軸の長さが１４.１５オングストローム以上であることを特徴とする。 - 特許庁

As the positive active material for the nonaqueous electrolyte battery, crystalline particles of lithium composite oxide containing a nickel element and a manganese element in the form of a solid solution of practically the same ratio are used, an error of the ratio of the nickel element and the manganese element is made less than 10 atomic%, and the crystal structure of the crystalline particles is formed in a rhombohedral system.例文帳に追加

非水電解質電池用正極活物質として、実質的に同比率で固溶したニッケル元素およびマンガン元素を含むリチウム複合酸化物の結晶粒子を用い、前記ニッケル元素とマンガン元素の比率の誤差が１０原子％以内とし、かつ前記結晶粒子の結晶構造を菱面体構造とする。 - 特許庁

In a multilayerd film dielectric, of which at least a part is comprised on two or more layers of dielectric having a dielectric property, at least a part between the dielectric layers adjoining in arrangement order is formed of a functionally gradient region which is provided with gradient function in terms of electrical properties, or chemical bonding, or atomic arrangement structure.例文帳に追加

誘電性を有する誘電体層が二層以上配置された構成によって、少なくともその一部が構成されている多層膜誘電体において、配置順的に隣接する該誘電体層間の少なくとも一部が、電気特性的または化学結合的または原子配列構造的な傾斜機能を有した傾斜機能領域から成る構造にする。 - 特許庁

The rhodopsin prepared from the eyeball of a cow is crystallized, a mercury derivative is prepared using a long time, six diffraction data are measured from only one crystal by MAD method (a measuring method by changing wavelength especially using radiated light from a SPring-8 and a beamline with a trichromator), and a crystal structure of GPCR can be analyzed by atomic resolution.例文帳に追加

牛の眼球から調製したロドプシンを結晶化した後、長時間かけて水銀誘導体を調製し、その後ＭＡＤ法（特に、ＳＰｒｉｎｇ−８の放射光とトリクロメータを備えたビームラインを使って波長を変えて測定する方法）を使って、ただひとつの結晶から６つの回折データを測定することにより、原子分解能でＧＰＣＲの結晶構造解析に成功した。 - 特許庁

Since, based on the means of stepwise controlling the vapor in a molecular or atomic state, a film is formed according to the mechanism of surface-nucleation, condensation and growth, a film having superior evenness, nano-scale adjustability, specialized structure and function that can not be achieved by the films from conventional spray coating and ink jet means can be obtained.例文帳に追加

蒸気を原子或いは分子状態で段階的制御を行う手段に基づき、蒸着対象基材の表面にて核生成、凝結、及び核生成、成長させるメカニズムにより薄膜を形成するため、伝統的な塗布及びインクジェット技術では得られなかった均等性、ナノサイズのコントロール特性等を備える特殊構造及び機能性を有する薄膜を獲得できる。 - 特許庁

Further, the method of manufacturing the dielectric multilayer film mirror is characterized in that the dielectric multilayer film structures 10 are manufactured by film-depositing the pair of dielectric multilayer films 2 having both the surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to the atomic layer deposition (ALD) method and the dielectric multilayer film mirror is made by joining at least two obtained sheets of dielectric multilayer film structures.例文帳に追加

また、このミラーの製造方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）法により基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２を同時に成膜して誘電体多層膜構造体10を製造し、得られた２枚以上の誘電体多層膜構造体を接合して誘電体多層膜ミラーを製造することを特徴とする。 - 特許庁

In the color organic EL display 100 in which the color filter layer 13, the gas barrier layer 20 and the organic EL structure 30 are laminated in the order on a substrate 11, an underlying part of the gas barrier layer 20 is one subjected to degasification treatment, and is formed by the atomic layer growth method at a temperature equal to or lower than the decomposition initiating temperature of the color filter layer 13.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイ１００において、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。 - 特許庁

To provide a sample pre-processing technique for locally cutting out the place desired to be analyzed of a device to form a needle-like projection, and a technique capable of subjecting even a sample having a multilayered structure, which contains an element layer of a small evaporation electric field in the circumstances described hereinbelow, to sequential stable ion evaporation to enable SAP analysis of an atomic level.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、デバイスの分析したいところを局所的に切出して針状突起にする試料予備加工の技術を提示すると共に、後述する事情の中で小さな蒸発電界の元素層を含む多層構造の試料であっても順次の安定したイオン蒸発を可能とし、原子レベルのＳＡＰ分析を可能とする技術を提供することにある。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face.例文帳に追加

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。 - 特許庁

Atomic or clustery carbon at ≥1,000°C is generated by irradiating a carbon target with CO_2 laser light in an inert gaseous atmosphere under 5-10 atm. to obtain the objective nano-graphite spherical bodies having a structure in which a plurality of polygonal pyramid-shaped multiwalled graphite bodies are arranged with the vertexes at the center without leaving a gap and having a wholly or partly nearly spherical outer shape.例文帳に追加

５〜１０気圧の不活性ガス雰囲気中で、炭素ターゲットにＣＯ_2レーザーを照射することで、１０００℃以上の原子あるいはクラスター状の炭素を発生させることで、複数の多角錐状の多層グラファイトがその頂点を中心にして互いに隙間なく配置された構造を有し、外形が、全体としてもしくは一部として略球形であることを特徴とするナノグラファイト球状体を得る。 - 特許庁

This constitution has the peculiarity, in which a protective material having carbon skeleton containing nitrogen in the molecular is coordinately modificated on the surface of the metallic grain by forming the nitrogen or atomic group containing the nitrogen as anchor and this protective material is contained of one side or both of functional group of alkoxyl group or silanol group in the molecular structure.例文帳に追加

本発明の金属コロイド粒子は、水又は有機溶媒からなる分散媒に分散して金属コロイドを形成する金属コロイド粒子の改良であり、その特徴ある構成は、分子中に窒素を含む炭素骨格を有する保護剤が窒素又は窒素を含む原子団をアンカーとして金属粒子表面に配位修飾し、保護剤がアルコキシシリル基又はシラノール基のいずれか一方又はその双方の官能基を分子構造に含むところにある。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁