「block layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A similarity computing part 32 obtains a characteristic amount distance representing a difference in characteristic amount between a predetermined block of a first image and a block of a second image corresponding to the predetermined block based on a characteristic amount extracted from a predetermined block in a designated layer of the first image and a characteristic amount extracted from a block corresponding to a predetermined block of a layer corresponding to the predetermined layer.例文帳に追加

類似度計算部３２は、第１の画像の所定のレイヤにおける所定のブロックから抽出される特徴量と、第２の画像における、所定のレイヤに対応するレイヤの所定のブロックに対応するブロックから抽出される特徴量とに基づいて、第１の画像の所定のブロックと、所定のブロックに対応する第２の画像のブロックとの間の特徴量の隔たりを表す特徴量距離を求める。 - 特許庁

This pavement block having the two layer structure is constituted such that a surface layer part and a basic layer part have substantially same shape, the surface layer part has water permeability, and an outer peripheral end face of the surface layer part is positioned outward more than an outer peripheral end face of the basic layer part.例文帳に追加

表層部と基層部とが略同一形状をなし、前記表層部が透水性を有し、かつ、この表層部の外周端面が基層部の外周端面よりも外方に位置した２層構造の舗装ブロック。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type GaN clad layer 14 and an n-type InGaN guide layer 15, and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN electron block layer 16 and a p-type GaN guide contact layer 17.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６およびｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７を含む。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 formed sequentially from the GaN single crystal substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an InGaP etching blocking layer 11 as an etching selection layer having etching selectivity relative to current block layers 10 is formed on the n-type AlInP current block layer 10 as a layer which does not absorb light.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、非光吸収層であるｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０の上に、電流ブロック層１０に対してエッチング選択性を有するエッチング選択層としてのＩｎＧａＰエッチング阻止層１１が形成されている。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device, a tunnel insulating layer 12, a charge storage layer 13 and a charge block layer 14 are formed on a silicon substrate 11 in this order, and a plurality of control gate electrodes 15 are provided above the charge block layer 14.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１において、シリコン基板１１上にトンネル絶縁層１２、電荷蓄積層１３及び電荷ブロック層１４をこの順に形成し、電荷ブロック層１４上に複数の制御ゲート電極１５を設ける。 - 特許庁

The composite cast iron member consists of: a carbon-containing cylinder block body 12; a decarburized layer 12a formed on the surface of the cylinder block body 12a; and a nonferrous metal material layer 14 integrally stacked to the decarburized layer 12a in a joined state.例文帳に追加

カーボンを含んだシリンダブロック本体１２と、シリンダブロック本体１２の表面に形成された脱炭層１２ａと、脱炭層１２ａに接合して一体に積層された非鉄金属材料層１４とから成る。 - 特許庁

In the ceramic block, 5-35% of the thickness of the block is a surface layer comprising glass aggregate bonded by a sintered binder of a glass powder, and the surface layer is stacked on a base layer.例文帳に追加

ブロックの厚さの５〜３５％が、主としてガラス粉末焼結バインダにより結合されたガラス骨材で構成されている表層であり、その表層は、基層と積層されていることを特徴とするセラミックブロック。 - 特許庁

It is possible to restrain impurities of the p-InP clad layer 7 from diffusing to the current block layer 6, thus bringing about the low resistance of the current block layer 6 and to enable the rapid operation of the laser equipped with the modulator.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰクラッド層７の不純物が電流ブロック層６に拡散して電流ブロック層６が低抵抗化することを抑止でき、変調器付きレーザの高速動作を実現することができる。 - 特許庁

A current block layer 110 which including Al, whose refractivity is lower than that of the second upper clad layer, is formed with the ridge interposed, and a second conductive third upper clad layer 112 whose band gap is larger than that of the active layer is formed on the ridge and the current block layer.例文帳に追加

リッジを挟むようにして第２上部クラッド層より屈折率が低くかつＡｌを含む電流ブロック層１１０が形成され、リッジと電流ブロック層の上に活性層よりも大きなバンドギャップを有する第２導電型の第３上部クラッド層１１２が形成される。 - 特許庁

With a phosphorescent luminous element having at least an electrode, a luminous layer containing a host material and a phosphorescent material, and a hole block layer, a high-efficiency and long-life luminous element is realized by providing a layer made of the host material on an interface of the luminous layer and the hole block layer.例文帳に追加

少なくとも電極と、ホスト材料と燐光材料とを含む発光層と、正孔ブロック層とを有する燐光発光素子において、発光層と正孔ブロック層の界面に、前記ホスト材料からなる層を設けることにより、高効率で長寿命の発光素子を実現することができる。 - 特許庁

The etching stop layer underlying the third cad layer has a thickness T1≤100 nm and the etching stop layer underlying the block layer has a thickness T2 satisfying following relations; T1-T2>1 nm and T2>1 nm.例文帳に追加

第３クラッド層下部のエッチング停止層の層厚Ｔ１はＴ１≦１００ｎｍであり、ブロック層下部のエッチング停止層の層厚Ｔ２は、Ｔ１−Ｔ２＞１ｎｍかつＴ２＞１ｎｍである。 - 特許庁

The active layer 30 is formed on a first main surface of the first conductive clad layer 20, and the current block 40 is formed on both sides of the active layer 30 on the first conductive clad layer 20.例文帳に追加

活性層は第1導電型クラッド層の第1の主表面側に形成され、電流ブロック部は第1導電型クラッド層上の活性層の両側に形成されている。 - 特許庁

The first lamination part 110 includes a block insulating layer 113, a charge storage layer 114, and an n-type semiconductor layer 116 formed in contact with a sidewall of a tunnel insulating layer 115.例文帳に追加

第１積層部１１０は、ブロック絶縁層１１３、電荷蓄積層１１４、及びトンネル絶縁層１１５の側壁の側壁に接して設けられたｎ−型半導体層１１６を備える。 - 特許庁

To improve water retaining performance and water permeability by combining a water retaining layer and a water permeable layer with each pavement surface layer and each pavement block to be disposed on the surface layer.例文帳に追加

舗装表層及び表層に配置する舗装用ブロックにそれぞれ保水層および透水層を組みあわせて形成させることにより、保水性および透水性の向上を可能とする。 - 特許庁

A p-second clad layer 7 and a p-contact layer 8 are successively formed on the n-current block layer 6 and the p-first clad layer 5 within the opening part 20.例文帳に追加

ｎ−電流ブロック層６上およびストライプ状開口部２０内のｐ−第１クラッド層５上にはｐ−第２クラッド層７およびｐ−コンタクト層８が順に形成される。 - 特許庁

The semiconductor laser includes a first conductive clad layer 20, an active layer 30, a current block 40, a second conductive clad layer 50, a contact layer 60, a first electrode 70, a second electrode 80, and a through-electrode 90.例文帳に追加

第1導電型クラッド層20と、活性層30と、電流ブロック部40と、第2導電型クラッド層50と、コンタクト層60と、第1電極70と、第2電極80と、貫通電極90とを備えて構成される。 - 特許庁

The paper cup container comprises a cylindrical body member, and a bottom member provided to the lower end of the body member, wherein the body member has at least a paper layer, and a styrene block copolymer layer on the outside of the paper layer, and there exist air bubbles produced by heating and evaporating moisture contained in the paper layer between the styrene block copolymer layer and the paper layer.例文帳に追加

筒形状の胴部材と、胴部材の下端部に設けた底部材とからなる紙カップ容器において、胴部材が少なくとも、紙層と、紙層の外側にスチレン系ブロックコーポリマー層を有し、スチレン系ブロックコーポリマー層と紙層の間に、紙層に含有されている水分の加熱蒸発による気泡がある。 - 特許庁

Since the etching block layer 11 prevents the current block layers 10 on both sides of a ridge 20 from being etched in manufacturing, a contact layer 12 can be prevented from permeating between side surfaces of the ridge 20 and the current block layers 10.例文帳に追加

このエッチング阻止層１１は、製造時に、リッジ２０の両側の電流ブロック層１０がエッチングされることを防ぐから、このリッジ２０の側面と電流ブロック層１０との間に、コンタクト層１２が入り込むのを防止できる。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer on a support, wherein the photosensitive layer contains a block copolymer which has a hydrophobic block segment and a hydrophilic block segment and in which a backbone has an alkenyl ether structure.例文帳に追加

支持体上に感光層を有する電子写真感光体であって、前記感光層が、疎水性ブロックセグメントと親水性ブロックセグメントを有し、且つ主鎖がアルケニルエーテル構造のブロックポリマーを含有する電子写真感光体。 - 特許庁

In the inkjet recording medium having a coloring material accepting layer on a support, the coloring material accepting layer includes a block copolymer including a water-soluble block and a block having a cationic group.例文帳に追加

支持体上に色材受容層を有するインクジェット記録媒体において、該色材受容層が、水溶性ブロックとカチオン性基を有するブロックとを含むブロック共重合体を含有することを特徴とするインクジェット記録媒体である。 - 特許庁

The semiconductor laser has a first and a second current block layers 106 and 107 and both current block layers 106 and 107 are removed in a current injected region and the first current block layer 106 is left and only the second current block layer 107 is removed in the vicinity of the end face.例文帳に追加

半導体レーザは、第１及び第２電流ブロック層１０６、１０７を有し、電流注入領域では双方の電流ブロック層１０６、１０７を除去し、端面の近傍では第１電流ブロック層１０６を残し、第２の電流ブロック層１０７のみを除去する。 - 特許庁

A laminated block in which a surface layer composed of ceramic tiles is laminated on a block base layer constituted by kneading inorganic aggregate and cement is used as the permeable block, and the coefficient of permeability of the laminated block is set in 1×10^-2 cm/sec or more.例文帳に追加

本発明の透水性ブロックは、無機質骨材とセメントが混練されて構成されたブロック基層に、セラミックタイルからなる表層が積層されてなる積層ブロックであって、かつ、この積層ブロックの透水係数が１×１０^-2ｃｍ／ｓｅｃ以上であることを特徴とするものである。 - 特許庁

A lattice mismatching coefficient of an n-type Al_xIn_zP current block layer 50 for an n-type GaAs substrate 41 is set to the uniform value of -0.10% within the n-type Al_xIn_zP current block layer 50.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板４１に対するｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０の格子不整合率を、ｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０内で一様に−０.１０％とする。 - 特許庁

The current block layer 14 is formed adjacent to the current passage, and an area excluding the vicinity of the current passage includes areas where the current block layer 14 is not formed.例文帳に追加

そして、電流ブロック層１４は、電流通路部の近傍に形成されており、電流通路部の近傍以外の領域は、電流ブロック層１４が形成されていない領域を含む。 - 特許庁

Since the block layer 12 is formed at the lower part of the fuse 22, the fuse is cut by laser ablation, and furthermore the block layer 12 can make the laser ablation stop with favorable controllability.例文帳に追加

ヒューズ２２の下層部にブロック層１２を設けることにより、レーザアブレーションによりヒューズを切断し、且つ、ブロック層１２によってレーザアブレーションを制御性よく停止することができる。 - 特許庁

For example, the block layer 12a consists of porous layers, preventing the defective crystal arisen in a location deeper than the block layer 12a from propagating to the surface of the second monocrystalline semiconductor 12.例文帳に追加

阻止層１２ａは、例えば多孔質層で構成され、阻止層１２ａよりも深い部分の結晶欠陥が第２単結晶半導体１２の表面に伝播することを防止する。 - 特許庁

The tape has a pressure-sensitive adhesive layer 2 comprising styrene-isoprene block copolymer pressure-sensitive adhesive or styrene-butadiene block copolymer adhesive and the thickness of the layer 2 is 0.05-03 mm.例文帳に追加

粘着剤層２として、スチレンーイソプレンブロック共重合体系粘着剤もしくはスチレンーブタジエンブロック共重合体系粘着剤を用い、その膜厚を０．０５〜０．３ｍｍとする。 - 特許庁

A Hadamard mode setting section 240 sets a Hadamard mode depending on a quantity relation between a DC block size of a present layer as a result of orthogonal transform and a DC block size with respect to a lower layer.例文帳に追加

アダマールモード設定部２０４は，直交変換結果の現階層の直流ブロックサイズと下位階層に対する直流ブロックサイズとの大小関係に応じてアダマールモードを設定する。 - 特許庁

To provide a method for realizing a small distance between an active layer and a current block layer with excellent controllability in a buried type semiconductor laser.例文帳に追加

埋込構造の半導体レーザに関し、活性層と電流ブロック層との距離を狭くかつ制御性よく実現すること。 - 特許庁

Furthermore, since the concentration of PCBM, which is a conductive material, is high near the TiO2 hole block layer, electrons are made easier to flow into the TiO2 layer.例文帳に追加

また、TiO2ホールブロック層の近くにおいて導電性材料であるPCBMの濃度が高いため、電子がTiO2層に流入しやすくなる。 - 特許庁

Then the titanium layer 8 on a non-silicified silicide block layer 7 is removed by wet etching as shown in Fig. (c).例文帳に追加

そして、図３（ｃ）に示すように、シリサイド化されていないシリサイドブロック層７上のチタン層８をウエットエッチングして除去する。 - 特許庁

Also, since the sub-collector layer 3 is in sufficiently high density, a roughly zero electric field is attained near a boundary with the carrier block layer 2.例文帳に追加

また、サブコレクタ層３は十分高濃度であるため、キャリアブロック層２との境界面近傍ではほぼ零電界となっている。 - 特許庁

To effectively reduce uneven wear in a pneumatic tire 11 of a block type having tread rubber 16 composed of a cap rubber layer 19 and a base rubber layer 20.例文帳に追加

トレッドゴム16がキャップゴム層19、ベースゴム層20からなるブロックタイプの空気入りタイヤ11において、偏摩耗を効果的に低減させる。 - 特許庁

At this time, the antibody layer 14 is formed only on the surface of the metal electrodes by the blocking action of the block layer 14.例文帳に追加

このとき、ブロック層１４のブロッキング作用によって、金属電極の表面上にだけ抗体層１４が形成される。 - 特許庁

Since the carrier block layer 2 uses the wide gap semiconductor to the sub-collector layer 3, it forms a barrier to electrons.例文帳に追加

キャリアブロック層２はサブコレクタ層３に対するワイドギャップ半導体を用いているため、電子に対して障壁を形成している。 - 特許庁

High-pressure oxidation processing is carried out to form a block layer 13 of silicon oxide between the charge layer 12 and electrode film 4.例文帳に追加

次に、高圧酸化処理を行い、チャージ層１２と電極膜４との間に、酸化シリコンからなるブロック層１３を形成する。 - 特許庁

By forming a buried clad layer and a contact layer by selective growth, a narrow mesa structure formed by etching a part of the carrier trap layer and semi-insulating block layer can be formed without etching the buried clad layer.例文帳に追加

埋め込みクラッド層及びコンタクト層を選択成長により形成することにより、埋め込みクラッド層をエッチングすることなくキャリアトラップ層および半絶縁性ブロック層の一部がエッチングされた狭メサ構造を形成する。 - 特許庁

A holding block C and a holding block D are fixed on the track block B and on the track block A, respectively, while deviating the side face of the holding block D to the opposite side face of the track block B in the cross direction, to form a tunnel supply track 124 inside for transferring parts R in single line and in single layer in the longitudinal direction.例文帳に追加

更に、トラックブロックＢ上には抑えブロックＣ、トラックブロックＡ上には抑えブロックＤを、対向する抑えブロックＤの側面の位置とトラックブロックＢの側面の位置を幅方向にずらせて固定し、部品Ｒを長さ方向に単列、単層で移送するトンネル状の供給トラック１２４を内部に形成させる。 - 特許庁

An FD-SOI having a thin-film buried oxide film layer is used, a lower-layer semiconductor region of the thin-film buried oxide film layer serves as a back gate, and in a logic circuit block, a voltage of the back gate is controlled from outside the block for a logic circuit with a light load in accordance with block activation.例文帳に追加

薄膜埋め込み酸化膜層を持つＦＤ−ＳＯＩを使用し、薄膜埋め込み酸化膜層の下層半導体領域をバックゲートとし、論理回路ブロックにおいてブロック中の負荷の軽い論理回路にはバックゲートの電圧をブロック活性化に合わせてブロック外から制御する。 - 特許庁

The coated block 20 is a composite body where a metal layer 22 with abrasion resistance overlies the surface of the base layer 21 consisting of the easily weldable metal, and is fixed on the surface of the member body 10 by welding the base layer 21 of the coated block 20 and the horizontal ribs 12, 12 between which this block is put.例文帳に追加

被覆ブロック２０は、易溶接性金属からなるベース層２１の表面に耐摩耗性金属層２２が積層された複合体であり、被覆ブロック２０のベース層２１とこれを挟む横リブ１２，１２との溶接により部材本体１０の表面に固定される。 - 特許庁

When thermal expansion coefficients of the first current block layer 18, second current block layer 19 and third current block layer 22 are denoted by η1, η2 and η3 respectively and the thermal expansion coefficient of gallium nitride is denoted by ηg, ηg>η1, ηg>η2 and ηg<η3 are satisfied.例文帳に追加

第１の電流ブロック層１８、第２の電流ブロック層１９及び第３の電流ブロック層２２の熱膨張係数をそれぞれη１、η２及びη３とし、窒化ガリウムの熱膨張係数をηｇとすると、ηｇ＞η１、ηｇ＞η２及びηｇ＜η３とする。 - 特許庁

Between an analog block 50 and a digital block 51, a dummy diffusion layer 11 is formed as countermeasures against dishing in CMP of STI process.例文帳に追加

アナログブロック５０とデジタルブロック５１との間に、ＳＴＩ工程のＣＭＰにおけるディッシング対策のために、ダミー拡散層１１を形成する。 - 特許庁

The sample block 1 is moved toward the edge of a cutter 4 at a cutting feed speed (V1) to thinly cut the surface layer part of the sample block 1.例文帳に追加

試料ブロック１をカッタ４の刃先に向けて切断送り速度（Ｖ１）で移動させて、試料ブロック１の表層部を薄く切断する。 - 特許庁

The basic structure consists of a subgrade 1, a roadbed 2, an adjusting layer 4, a block paving material 5, and a joint 6 in sequence from the lower side, similarly to conventional block pavement.例文帳に追加

基本構造は、従来のブロック舗装と同様、下から順に、路床１、路盤２、調整層４、ブロック舗装材５および目地６となる。 - 特許庁