| 意味 | 例文 |
block layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1213件
The method of forming the probe array includes forming a layer of tip material 101 over a block of probe material 102.例文帳に追加
プローブアレイを形成する方法は、プローブ材料102のブロックにわたって先端部材料101の層を形成することを含む。 - 特許庁
To provide a suitable device for carrying out rapid and efficient removal of a block which forms a protective layer of a protective embankment.例文帳に追加
保護堤防の保護層を形成するブロックの迅速で効率的な取り除きを実施するのに適当な装置を提供する。 - 特許庁
A hard mask layer is patterned through self-organization of a block copolymer, by which a micropattern is formed in the hard mask layer, and at the same time the hard mask layer can be formed as a mask having a high etching selection ratio to a thin-film layer.例文帳に追加
本発明によれば、ハードマスク層をブロックコポリマーの自己組織化を用いてパターニングを行うことにより、ハードマスク層に微細パターンを形成するのと同時に、ハードマスク層を薄膜層に対して高いエッチング選択比を備えたマスクとして形成することが出来る。 - 特許庁
The multilayer printed board 1 having a ground layer 3 comprises a heating layer 10 which heats by an applied current as an inner layer in order to block heat of a solder jet flow from diffusing to the ground layer 3 when solder 4 on component leads 5 is melted by the solder jet flow.例文帳に追加
アース層3を持つ多層プリント基板1において、その内層に電流印可により発熱する発熱層10を設け、部品リード5の半田4を半田噴流により溶解する際、半田噴流の熱がアース層3に逃げることを防止したもの。 - 特許庁
A buried current block layer 10 in which a first buried layer 7 made of p-type InP, a second buried layer 8 made of n-type InP and a third buried layer 9 made of semi-insulated Fe-doped InP are sequentially laminated is formed on both sides of the ridge 6.例文帳に追加
リッジ部6の両側には、p型InPからなる第1埋め込み層7、n型InPからなる第2埋め込み層8、半絶縁性FeドープInPからなる第3埋め込み層9が順に積層された埋め込み電流ブロック層10が形成されている。 - 特許庁
A layer for burying a mesa structure including an active layer 1 is grown in an atmosphere simultaneously containing n- and II-family p-type impurities when an n-type current block layer 3 positioned at the upper part of the active layer 1 is selected for growing.例文帳に追加
活性層1を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、活性層1より上部に位置するn型電流ブロック層3を選択成長させる際に、n型不純物とII族p型不純物とを同時に含んだ雰囲気中で成長させる。 - 特許庁
This multilayer film is composed of a polyalkylene terephthalate layer and an olefinic polymer layer which are laminated respectively with an adhesive layer containing an epoxidized diene block copolymer through a liquid crystalline polymer layer containing a thermotropic liquid crystalline polymer.例文帳に追加
サーモトロピック液晶性ポリマーを含有する液晶性ポリマー層を介して、ポリアルキレンテレフタレート層とオレフィン系ポリマー層とがそれぞれエポキシ化ジエン系ブロック共重合体を含有する接着層で積層されていることを特徴とする多層フィルムを製造し用いる。 - 特許庁
The surface protective film has an adhesive layer (I) and a substrate layer (II) and the adhesive layer (I) is mainly made up of a block copolymer (Ia) having a crystalline olefin block and a linear low density polyethylene (Ib) having 0.880-0.938 g/cm^3 density.例文帳に追加
粘着層(I)と基材層(II)とを有する表面保護フィルムであって、該粘着層(I)が、結晶性オレフィンブロックを有するブロック共重合体(Ia)と、密度が0.880〜0.938g/cm^3である直鎖状低密度ポリエチレン(Ib)とを主成分とすることを特徴とする新規表面保護フィルムを提供する。 - 特許庁
The semiconductor laminated layers 10 have a current block layer 23 having an opening exposing the upper surface of the semiconductor laminated layers 10 and a protection layer 24 composed of a group III-V nitride compound continuously covering at least a part of the current block layer 23 along the opening formed thereon.例文帳に追加
半導体層積層体10の上には、半導体層積層体10の上面を露出する開口部を有する電流ブロック層23と、電流ブロック層23の上面の少なくとも一部を開口部に沿って連続して覆うIII−V族窒化物系化合物からなる保護層24とが形成されている。 - 特許庁
The styrene-based heat-shrinkable film is characterized by laminating a surface layer (A) and a back layer (C) each containing a styrene butadiene block copolymer and an intermediate layer (B) comprising 70 to 90 w/% of a styrene butadiene block copolymer and 10 to 30 w/% of a styrene homopolymer in order of (A)/(B)/(C).例文帳に追加
スチレンーブタジエンブロック共重合体を含む表面層(A)及び裏面層(C)と、スチレンーブタジエンブロック共重合体70〜90重量%とスチレン単独重合体10〜30重量%とからなる中間層(B)が、(A)/(B)/(C)の順に積層されたことを特徴とするスチレン系熱収縮性フィルム。 - 特許庁
The first cuter blade 2 is used for a face preparation process, where the surface layer part of a sample block 11 is cut to form a plane parallel to the cutting direction, on the surface of the sample block 11.例文帳に追加
第一のカッタブレード2は、面出し工程、即ち、試料ブロック11の表層部を切断して試料ブロック11の表面に切断方向に対して平行な平面を形成する際に使用される。 - 特許庁
To provide a ventilation structure and a ventilation method for a heat insulating block with a leg, laid on a roof slab etc., which can easily lower the temperature of an air layer on the downside of each heat insulating block with the leg easily in summer.例文帳に追加
屋根スラブなどの上に敷設した脚付き断熱ブロックの通気構造並びに通気方法に関し、各脚付き断熱ブロックの下側の空気層の夏期の温度低下を容易にする。 - 特許庁
For example, when the cavity forming surface 59 of a core block 56 is re-ground or re-polished, a thickness adjusting layer 102 is formed on an abutting surface 56a to a movable receiving plate 52 in the core block 56 by chromium plating.例文帳に追加
例えばコアブロック56のキャビティ形成面59を再研削または再研磨したとき、コアブロック56における可動側受け板52への突き合わせ面56aにクロームめっきにより厚さ調整層102を形成する。 - 特許庁
A suspended metal mask 7 or a resin layer 20 is formed on the stainless steel mesh 4, a plurality of middle block holes 8 are provided in the suspended metal mask 7, and the middle block holes are coated with an emulsion resist 9.例文帳に追加
ステンレスメッシュ4上にサスペンドメタルマスク7または樹脂層20が形成されており、サスペンドメタルマスク7に複数の中ブロック孔8が設けられ、中ブロック孔8にはエマルジョンレジスト9が塗布されている。 - 特許庁
Since the surface of the elastic pavement block is formed of the surface layer 1 formed by binding the granular rubber chip materials by the binder, the wear resistance of the surface of the elastic pavement block is maintained.例文帳に追加
弾性舗装ブロックの表面は粒状ゴムチップ材をバインダーで結合させて形成される表面層1で形成されているため、弾性舗装ブロックの表面の耐摩耗性を維持することができる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a cylinder block for an internal combustion engine devised to effectively restrain welding distortion at the time of forming an abrasion resistant layer by padding welding on the cylinder block of the internal combustion engine.例文帳に追加
内燃機関のシリンダブロックに肉盛溶接による耐摩耗性層を形成するにあたり、溶接ひずみを効果的に抑制するようにした内燃機関用シリンダブロックの製造方法を提供する。 - 特許庁
The scanning output line of the scanning driver block SB is wired over the link controller LKC and detours the physical layer circuit PHY, from the scanning driver block SB to the scanning driver pad placing region PR.例文帳に追加
走査ドライバブロックSBの走査出力線が、物理層回路PHYを迂回してリンクコントローラLKC上を、走査ドライバブロックSBから走査ドライバ用パッド配置領域PRに対して配線される。 - 特許庁
In blocks spread all over a side walk, a plurality of protrusions (3) are formed on the surface of the block bodies (2) and an optical catalyzer layer (10) is baked at the face side of the protrusions of the block bodies (2).例文帳に追加
歩道上に敷き詰められるブロックにおいて、ブロック本体(2)の表面に複数の突起部(3)を設けると共に、該ブロック本体(2)の突起部面側に光触媒層(10)を焼成した。 - 特許庁
To provide a linear motion guide device, having a moving block which can easily form a synthetic resin layer with an uniform thickness and improved the yield extremely and the manufacturing method of the moving block.例文帳に追加
均一な厚さの合成樹脂層を容易に形成することができ、歩留まりを大幅に向上させた、移動ブロックを有する直線運動案内装置及び移動ブロックの製造方法を提供する。 - 特許庁
Each circuit block 14, 17 is brought into contact with the other circuit blocks 14, 17 and a non-exclusive area 18 in which in-block wiring is performed is provided without using at least one wiring layer.例文帳に追加
その各回路ブロック14,17は、他方の回路ブロック14,17に接し少なくとも1つの配線層を使用せずにブロック内配線が行われている非専用領域18を備えている。 - 特許庁
When the surface layer part of the sample block 1 is thinly cut, the sample block 1 is sent out toward the cutter blade 3 and the carrier tape 5 is allowed to run in connection with the movement of the sample block 1 to suck and hold the cut thin sample 1 on its undersurface.例文帳に追加
試料ブロック1の表層部分を薄切りする際、試料ブロック1をカッタブレード3に向けて送り出すとともに、キャリアテープ5を試料ブロック1の動きに連動させて走行させ、切り取られた薄片試料をその下面に吸着して保持する。 - 特許庁
When a reception block 101 receives a wake-up frame from another node, an upper layer processing block 105 puts the reception block into a sleep mode until the time designated by the wake-up frame to prevent it from receiving any frames so that any collisions are prevented from occurring hereafter.例文帳に追加
受信ブロック101が他ノードからのウェイクアップフレームを受信した際に、上位層処理ブロック105がウェイクアップフレームで指定されている時刻まで受信ブロックをスリープモードにしてフレームを受信させないようにして以降のコリジョンを発生させないようにする。 - 特許庁
The multilayered semiconductor device is such as to have a plurality of processing blocks arranged in each layer, and a control block for controlling the processing inputs to the processing block so that the activity state by the processing block in action is dispersed.例文帳に追加
上記課題は、各レイヤに配置される複数の処理ブロックと、動作中の処理ブロックによる活性状態が分散するように処理ブロックへの処理投入を管理する管理ブロックとを有することを特徴とする積層型半導体装置により達成される。 - 特許庁
The logic circuit HL for high-speed I/F is arranged between the physical layer circuit PHY and logic circuit block LB for the driver and the high-speed I/F circuit block HB is arranged so that the physical circuit PHY and logic circuit block LB for the driver are not adjacent to each other.例文帳に追加
物理層回路PHYとドライバ用ロジック回路ブロックLBとの間に高速I/F用ロジック回路HLが配置され、且つ、物理層回路PHYとドライバ用ロジック回路ブロックLBとが隣接しないように、高速I/F回路ブロックHBが配置される。 - 特許庁
Data of the color picture pattern block are compressed by the color 24-bit jpeg method (120), data of the monochromatic picture pattern block and the monochromatic background block are compressed by the monochromatic 8-bit jpeg method (128, 134), and the compressed data are assembled with a background layer in the multilayer format as other picture plane data (158, 160).例文帳に追加
カラー絵柄ブロックのデータはカラー用の24ビットjpeg形式方式で圧縮し(120)、モノクロ絵柄ブロック及びモノクロ下地ブロックのデータはモノクロ用の8ビットjpeg形式で圧縮し(128,134)、別の画像プレーンのデータとして多層フォーマットにおけるバックグラウンド層に組み込む(158,160)。 - 特許庁
A rectangular block 1 of foamed synthetic resin is fixed in place on top of a leveling layer 29 and an upper block 1A is laid on top of the block 1 via a framed joint member 9, with their piled condition provided over a predetermined spread in the horizontal direction as well.例文帳に追加
レベリング層29の上にまず矩形状発泡合成樹脂製ブロック1が配設固定され、更にこの上に枠状接合部材9を介して上位ブロック1Aが積層され、この積層状態が水平方向にも所定の広さにわたって施工される。 - 特許庁
This film is manufactured by co-extruding a film laminated with a resin layer comprising at least one kind of polyethylene as the first layer, a pressure-sensitive flexible layer comprising an acrylic block copolymer as the second layer, and a resin layer comprising at least one kind of polyethylene selected from the group comprising a medium density polyethylene or high density polyethylene as the third layer, sequentially in this order.例文帳に追加
第1層に少なくとも1種のポリエチレンからなる樹脂層、第2層にアクリル系ブロック共重合体からなる粘着性柔軟層、第3層に中密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンから選択される少なくとも1種のポリエチレンからなる樹脂層を順次積層したフィルムを共押出成形することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁
A capacitor C11 and capacitors C13 and C14 are embedded in the insulating connecting members 18 in the lower face of the core insulating layer L12 of the block B11 and the upper face of he core insulting layer L13 of the block B12 immediately below and above the semiconductor parts 12a.例文帳に追加
半導体部品12aの真下及び真上のブロックB11のコア絶縁層L12下面及びブロックB12のコア絶縁層L13上面に、コンデンサC11及びコンデンサC13、C14が共に絶縁性接合材18に埋め込まれて形成されている。 - 特許庁
It scans a block 74 if it is possible to detect black lines 70 as 4 lines in any one block out of the 4 blocks 74, determines that an imaging device 12 has resolution of the layer 72, and next shifts to scanning of the layer 72 of a higher resolution side.例文帳に追加
そして、ブロック74をスキャンして、4つのブロック74のうちいずれか1つでも黒線70を4本として検出できれば、撮像装置12がこの階層72の解像度を有すると判断し、次に高解像度側の階層72のスキャンに移行する。 - 特許庁
Since a block layer 58a is provided, a step corresponding to the thickness of the block layer 58a is formed between a first seal part 52A and an extension part 16A to increase adhesive strength for bonding the first seal part 52A and a TFT array substrate 10 to each other.例文帳に追加
ブロック層58aが設けられている分、第1シール部52A及び延在部16A間にブロック層58aの厚みに応じた段差が形成され、第1シール部52A及びTFTアレイ基板10を相互に接着する接着力を高めることができる。 - 特許庁
The section of the first layer (20) opposes a zone at the bottom of the cavity, and a stopper block (37) projects while keeping an interval from the deformable first layer (20) inside the cavity.例文帳に追加
第1層(20)の部分は、空洞の底のゾーンに対向しており、空洞の内部で、ストッパブロック(37)が変形可能第1層(20)から間隔を保ちつつ突出するようになる。 - 特許庁
As for the compound of the electron transfer layer, HOMO level is deeper than that of light-emitting material of adjacent blue light-emitting layer, and this offers a superior positive hole block function.例文帳に追加
上記電子輸送層の化合物はHOMO準位が隣接する青色発光層の発光材料のHOMO準位より深く、優れた正孔ブロック機能を発揮する。 - 特許庁
The coloring layer applied to the back face is seen through a block surface, and the peculiar design effect is performed, and there is no risk of deteriorating design such as the coloring layer peels off.例文帳に追加
背面に施した着色層がブロック表面に透けて見え、独特の意匠的効果を奏すると共に、着色層が剥がれるなどして意匠が劣化するおそれがない。 - 特許庁
Specifically, a portion of pattern of a metal wiring material located on a layer above a channel layer of a sampling transistor making up a pixel circuit is so laid out as to block a channel region of the sampling transistor.例文帳に追加
すなわち、画素回路を構成するサンプリングトランジスタのチャネル層よりも上層に位置する金属配線材料の一部パターンを、サンプリングトランジスタのチャネル領域を塞ぐようにレイアウトする。 - 特許庁
A current block layer on the outside of the stripe region is formed with AlGaInP, whose band gap is larger than that of an active layer 105, so that absorption loss of laser beam can be reduced.例文帳に追加
また、ストライプ領域外側の電流ブロック層は活性層105よりもバンドギャップの大きいAlGaInPから形成されており、レーザ光の吸収損失を低減できる。 - 特許庁
A light-shield layer 4 is formed between a single-crystal silicon layer 2 and a transparent support substrate 1 of the optoelectronic substrate, to block the light from entering a substrate rear-surface.例文帳に追加
このため電気光学基板の透明支持基板1と単結晶シリコン層2の間に遮光層4を形成することにより、基板裏面からの光入射を遮る構造とした。 - 特許庁
Besides, just before the waveguide is embedded by a current block layer 11, an active layer 4 is removed by etching so that the end face injection type semiconductor laser with window structure can be prepared.例文帳に追加
また、導波路を電流ブロック層11で埋め込む直前に、活性層4をエッチングにより除去する事で、窓構造付で端面非注入な半導体レーザが簡便に作成できる。 - 特許庁
To provide an embedded ridge type semiconductor laser in which the crystalline deterioration of a third upper clad layer is prevented when a current block layer contains Al, an operating voltage is low and an efficiency is high.例文帳に追加
電流ブロック層がAlを含む場合における、第3上部クラッド層の結晶性劣化を防止し、動作電圧が低く高効率な埋込リッジ型半導体レーザを提供する。 - 特許庁
The intersection 102 is provided with a semiconductor layer between the signal line Sig and the bias line Vs and a carrier block part between the semiconductor layer and the signal line Sig.例文帳に追加
交差部102では、信号線Sigとバイアス線Vsとの間に半導体層が配置され、前記半導体層と信号線Sigとの間にキャリア阻止部が配置されている。 - 特許庁
The audio CD file system 213 generates a command for controlling the CD-ROM driver 221 of a block device layer 220 in accordance with a system call from an application layer 100.例文帳に追加
オーディオCDファイルシステム213は、アプリケーション層100からのシステムコールに応じて、ブロックデバイス層220のCD−ROMドライバ221を制御するためのコマンドを生成する。 - 特許庁
Since Al and N are strongly joined with each other after annealing, electric conductivity is lowered, and a band gap is increased because of the crystal mixing effect of guide layers 3 and 5 and the quantum well layer 4 so as to form a current block layer.例文帳に追加
アニール後にAlとNが強く結合するために電気伝導率が低下し、さらにガイド層3,5と量子井戸層4との混晶効果によりバンドギャップが増大し、電流ブロック層となる。 - 特許庁
A base course material layer 3, which is composed of crushed stones 3a, is formed inside and outside the trays 11, and the porous water-retentive block 5 is installed via a water-absorbing material layer 4 such as dry-mixed mortar.例文帳に追加
トレイ11の内外に砕石3aからなる路盤材層3を形成し、空練りモルタルなどの吸水材層4を介在させて、多孔質の保水性ブロック5を設置する。 - 特許庁
The lower clad layer 12 and the upper clad layer 16 are made of oxetane resin, wherein a specific block coloring matter is added and uniformly dispersed so as to be 1.0 wt%.例文帳に追加
下部クラッド層12及び上部クラッド層16は、オキセタン樹脂からなり、添加率が1.0重量%になるように特定黒色色素が添加され、一様に分散されている。 - 特許庁
The resin block layer 3 is formed by aligning a lot of resin blocks 5 made by a resin (excluding a resin foam) and water can be penetrated to inside of the layer through an opening.例文帳に追加
樹脂ブロック層3は、樹脂(発泡樹脂を除く)製の樹脂ブロック5を多数並べることで形成されており、開口を通して内部に水が浸入できようになっている。 - 特許庁
To improve reliability of a multilayer piezoelectric element by eliminating a stretch (burr) of a metallic layer occurring on a part of an internal electrode layer on a cut surface when cutting the multilayer piezoelectric element from a baked block.例文帳に追加
ブロック焼成から多層圧電素子を切り出したときに、その切断面に内部電極層の個所に生じる金属層の伸び(バリ)を無くし、多層圧電素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁
A cavity 130 is provided adjacent to and nearly parallel with the ridge stripe-shaped third clad layer 109 in the first current block layer 112.例文帳に追加
第1電流ブロック層112内に、上記リッジストライプ形状の第3クラッド層109近傍に、かつ、上記第3クラッド層109に略平行に、空洞部130が設けられている。 - 特許庁
To provide an organic EL element exhibiting excellent reliability in which element characteristics do not deteriorate by blocking the migration of holes to an electron injection layer without employing a hole block layer such as BCP.例文帳に追加
BCPのような正孔阻止層を用いることなしに、正孔の電子注入層への移動を阻止し、素子特性の劣化のない信頼性に優れた有機EL素子の提供。 - 特許庁
An n-GaAs current block layer is formed in the areas on the side face of a ridge and the upper surface of the ridge above a window area on the first clad layer of p-AlGaInP.例文帳に追加
p−AlGaInP第1クラッド層上、リッジ部の側面および窓領域の上方におけるリッジ部の上面の領域にn−GaAs電流ブロック層が形成される。 - 特許庁
The current constriction part 24 is sequentially provided, to the upper part from the side of the semiconductor active layer 15, with a second conductive upper first cladding layer 17 and a second conductive upper second cladding layer 19 having the width smaller than that of the upper first cladding layer and being embedded within a first conductive current block layer 21.例文帳に追加
電流狭窄部24は、半導体活性層15側から上方に、第2導電型上部第1クラッド層17と、前記上部第1クラッド層の層幅より小さい層幅を有しかつ第一導電型電流ブロック層21で埋め込まれた第2導電型上部第2クラッド層19とを順次有する。 - 特許庁
The through-electrode 90 is formed in a through-hole penetrating the first conductive clad layer 20, the current block 40, the second conductive clad layer 50, and the contact layer 60, and is electrically connected to either of the first electrode 70 and the second electrode 80.例文帳に追加
貫通電極は、第1導電型クラッド層、電流ブロック部、第2導電型クラッド層及びコンタクト層を貫通する貫通孔内に形成され、第1電極及び第2電極のいずれか一方と電気的に接続されている。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|