「buffer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The plotting circuit of a VDP writes the image element data read from the fixed address area into a frame buffer memory to be stored.例文帳に追加

ＶＤＰの描画回路は、固定アドレスエリアから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

A pad oxide film 2 and a first polysilicon layer 3 are used as a stress buffer member when an element isolation oxide film 5 is formed.例文帳に追加

パッド酸化膜（２）、第１のポリシリコン層（３）を素子分離酸化膜（５）の形成時にはストレス緩衝部材として用いる。 - 特許庁

To provide a buffer layer for a photoelectric element such that a CdS buffer layer having excellent characteristics can be formed on a light absorption layer of a CZTS-based semiconductor, a CIGS-based semiconductor, etc., a method of manufacturing the same, and the photoelectric element having the buffer layer obtained by such a method.例文帳に追加

ＣＺＴＳ系半導体やＣＩＧＳ系半導体などの光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能な光電素子用バッファ層及びその製造方法、並びに、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。 - 特許庁

Since borate buffer is employed, oxidation of the magnet element is suppressed, and adhesion between the magnet element and the protective film is enhanced resulting in enhancement of corrosion resistance.例文帳に追加

ホウ酸塩緩衝溶液を用いることにより、磁石素体の酸化が抑制され、磁石素体と保護膜との密着性が向上し、耐食性が向上する。 - 特許庁

(5) A spare buffer chamber filled with inert gas is provided in the semiconductor element manufacturing device, and a member for the semiconductor element contaminated with LMCS is subjected to heating treatment in the chamber.例文帳に追加

（５）半導体素子製造装置内に不活性ガスを充満させた予備バッファ室を設け、この室内でＬＭＣＳで汚染された半導体素子用部材を加熱処理する。 - 特許庁

The buffer memories 52, 53 are arranged between the light receiving element 50 and the vertical transmission path 54, and temporarily store the charge transmitted from the light receiving element 50.例文帳に追加

バッファメモリ５２，５３は、受光素子５０及び垂直転送路５４の間に配置されており、受光素子５０から転送されてきた電荷を一時的に蓄積する。 - 特許庁

A voltage applied from an external battery power source 23 to an output terminal of the power semiconductor element 24 is fed to the buffer circuit 29 via a resistor element 28.例文帳に追加

バッファ回路２９には、外部のバッテリー電源２３からパワー半導体素子２４の出力端子に印加される電圧が抵抗型素子２８を介して供給される。 - 特許庁

To provide sputtering deposition equipment capable of forming a semiconductor light-emitting element having a buffer layer having high crystallinity, and a method for manufacturing the semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

結晶性の高いバッファ層を有する半導体発光素子を形成することができるスパッタ成膜装置、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a structure capable of controlling the potential of the buffer layer 2 made of an n-GaN layer, the semiconductor element employs a structure in which a source electrode 6 is buried in an epitaxial layer (channel layer 3 and electron supplying layer 4) formed on the buffer layer 3 and is extended to the depth reaching the buffer layer 2 so as to be in ohmic contact with the buffer layer 2.例文帳に追加

n-GaN層から成るバッファ層２の電位を制御できる構造として、ソース電極６が、バッファ層２とオーミック接触するように、バッファ層３上に形成されるエピタキシャル層（チャネル層３と電子供給層４）に埋め込まれてバッファ層２に達する深さまで延びている構成が採られている。 - 特許庁

An output image data generator is equipped with a buffer memory 26 which stores once a part of an inputted original image data, and an interpolation computing part 27 which generates the picture element data of an interpolating picture element by interpolating computation based on the original image data stored in the buffer memory 26.例文帳に追加

入力される元画像データの一部を一時記憶するバッファメモリ２６を備えるとともに、バッファメモリ２６に記憶されている元画像データに基づいて、補間画素の画素データを補間演算によって生成する補間演算部２７を備える。 - 特許庁

A printing head control circuit 811 stores, e.g. black printing picture element data and red printing picture element data to a first data storing buffer 1104a which stores low level coloring printing picture element data, and a second data storing buffer 1104b which stores high level coloring printing picture element data by an address switching unit 1103 based on the kind of a heat-sensitive paper.例文帳に追加

印刷ヘッド制御回路８１１は、アドレス切換部１１０３により、低レベル発色印刷画素データを格納する第１のデータ格納バッファ１１０４ａおよび高レベル発色印刷画素データを格納する第２のデータ格納バッファ１１０４ｂへ、例えば黒色の印刷画素データと赤色の印刷画素データとを、感熱紙の種類に基づいて格納する。 - 特許庁

To provide a column address buffer device in which the column access time in an element such as a synchronous semiconductor memory can be shortened.例文帳に追加

同期式半導体メモリ等の素子におけるカラムアクセス時間を短縮することのできるカラムアドレスバッファ装置を提供する。 - 特許庁

To feed a stable direct current power supply to an amplifying element of a buffer circuit with a simple configuration, and to stabilize an operation.例文帳に追加

簡単な構成でバッファ回路の増幅素子に安定した直流電源を供給でき、動作の安定化を図ること。 - 特許庁

In addition, the organic electroluminescence element is provided in which a stress buffer layer is added between the antistatic layer and the gas barrier layer.例文帳に追加

また、上記帯電防止層とガスバリア層の間に応力緩衝層を付加した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

The photoelectric element 10 further comprises a Zn_1-xMg_xO film 19 between the buffer layer 18 and the window layer 20.例文帳に追加

光電素子１０が、バッファ層１８と窓層２０との間に設けられたＺｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ膜１９を更に備える。 - 特許庁

A lithographic circuit writes the image element data, which is read from the selected symbol data buffer 155C, in the symbol array data buffer 155D to create symbol array data in response to a selected symbol setting command.例文帳に追加

描画回路は、選択図柄設定コマンドに応じ選択図柄データバッファ１５５Ｃから読み出した画像要素データを図柄配列データバッファ１５５Ｄに書き込んで図柄配列データを作成する。 - 特許庁

A sapphire substrate is overlaid with a high-temperature buffer layer and a silicon nitride buffer body are formed to greatly improve characteristics of a light emitting element formed of GaInN, and energy cost is reduced to prolong the life of a device.例文帳に追加

サファイア基板上に高温バッファ層、窒化珪素バッファ体を作成することにより、ＧａＩｎＮからなる発光素子の特性が大幅に向上し、エネルギーコストが低減し、装置の寿命が長くなる。 - 特許庁

An image-drawing circuit writes the image element data read from the selected symbol data buffer 155C on the symbol array data buffer 155D to form symbol array data in response to a selected symbol setting command.例文帳に追加

描画回路は、選択図柄設定コマンドに応じ選択図柄データバッファ１５５Ｃから読み出した画像要素データを図柄配列データバッファ１５５Ｄに書き込んで図柄配列データを作成する。 - 特許庁

A plotting circuit 154 prepares pattern array data by reading the image element data from the selected pattern data buffer 155A according to a selected pattern setting command and writing them in the pattern array data buffer 155B.例文帳に追加

描画回路１５４は、選択図柄設定コマンドに応じて選択図柄データバッファ１５５Ａから画像要素データを読み出し、図柄配列データバッファ１５５Ｂに書き込むことにより、図柄配列データを作成する。 - 特許庁

A buffer plate 36, with a through-hole 36a, is placed on a bus bar 4 as a metal electrode plate through the intermediary of a solder 3, and a semiconductor element 1 is mounted on the buffer plate 36.例文帳に追加

金属電極板であるバスバー４上に、半田３を挟んで中央に貫通孔３６ａが形成された緩衝板３６を載置し、その緩衝板３６の上に半導体素子１を載置する。 - 特許庁

A layered structure consisting of the buffer layer 33, the adhesion layer 38 and the near-field light generating element 32 has a peel-test adhesive strength higher than that of a layered structure, consisting of the buffer layer 33 and the near-field light-generating element 32.例文帳に追加

緩衝層３３、密着層３８および近接場光発生素子３２からなる積層体におけるピール試験による付着強度は、緩衝層３３および近接場光発生素子３２からなる積層体における付着強度よりも大きい。 - 特許庁

A first light emitting element, a second emitting element (equivalent to a light emitting element for monitor), a constant current source for supplying a fixed current to the second light emitting element, and a circuit (for example, equivalent to a buffer amplifier) for outputting a potential equal to an inputted potential are provided.例文帳に追加

第１の発光素子と、第２の発光素子（モニター用発光素子に相当）と、第２の発光素子に一定の電流を供給する定電流源と、入力された電位と等しい電位を出力する回路（例えば、バッファアンプに相当）とを有する。 - 特許庁

An LED element 12 is mounted on the wiring layers 11c and 11d of a substrate 11 and a buffer layer 13 of silicon, or the like, is provided to cover the LED element 12.例文帳に追加

基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上にはＬＥＤ素子１２が搭載され、このＬＥＤ素子１２を覆うようにしてシリコン等による緩衝層１３が設けられている。 - 特許庁

The controller (116) receives data stored in a buffer memory (302), specifies a basic element address (308) in a heater array from that data, and determines the jet pulse rate of a heater element (117) in the heater array.例文帳に追加

コントローラ(116)は、バッファメモリ(302)に格納されているデータを受け取り、該データからヒータアレイにおける基本要素アドレス(308)を特定し、及び該ヒータアレイ内のヒータ要素(117)の発射パルスレートを決定する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element without generating a lateral smear characteristic when imaging a high-luminance object, in a solid-state imaging element equipped with a buffer amplifier at the output of a column amplifier.例文帳に追加

カラムアンプの出力にバッファアンプを設けた固体撮像素子において、高輝度被写体を撮影する場合に横スミア特性が発生しない固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To improve reliability by eliminating disconnection of wiring caused by large stepping of a semiconductor element due to a metamorphic buffer layer in a semiconductor device with a non-grating matching semiconductor element.例文帳に追加

非格子整合半導体素子を有する半導体装置において、半導体素子におけるメタモルフィックバッファ層による大きな段差の発生による段切れ等の改善を図る。 - 特許庁

(5) A reserve buffer room in which inert gas is filled, is prepared in the device for manufacturing the semiconductor element, and a member for the semiconductor element contaminated with the LMCS in the room, is heat-treated.例文帳に追加

（５）半導体素子製造装置内に不活性ガスを充満させた予備バッファ室を設け、この室内でＬＭＣＳで汚染された半導体素子用部材を加熱処理する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element with sufficient heat resistance and conversion efficiency, and to provide a manufacturing method of the photoelectric conversion element uniformly forming a cathode buffer layer extremely thin.例文帳に追加

耐熱性、および変換効率が十分に高い光電変換素子並びに陰極バッファ層を極めて薄く均一に成膜する光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor-based photoelectric converting element, in which the photoelectric converting element is manufactured at low cost by suppressing time loss in film-formation of a buffer layer by a CBD method.例文帳に追加

化合物半導体系光電変換素子の製造方法において、ＣＢＤ法によるバッファ層成膜時のタイムロスを抑制して、低コストに光電変換素子を製造する。 - 特許庁

An upper element isolation film for filling the groove and trench is formed on the lower element separation film, and the hard mask film and buffer insulating film are etched until the semiconductor substrate is exposed for removal.例文帳に追加

下部素子分離膜上にグルーブ及びトレンチを満たす上部素子分離膜を形成し、ハードマスク膜及びバッファ絶縁膜を半導体基板が露出するまでエッチングして除去する。 - 特許庁

By this, it is not necessary to install a buffer provided between an accumulator and the second compression element in a conventional compressor.例文帳に追加

このため、従来の圧縮機におけるアキュームレータと第２圧縮要素との間に設けられたバッファを設置する必要がなくなる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes on a substrate 10: a buffer layer 11; a lower clad layer 12; an active layer 13; an upper clad layer 14; and a contact layer 15.例文帳に追加

基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、活性層１３、上部クラッド層１４およびコンタクト層１５を備える。 - 特許庁

The ceramic element 2, a polishing medium 3, and a buffer material 4 are thrown in a barrel 1a, the ceramic element 2 is polished through rotation of the barrel 1a to be chamfered, and polishing wastes of the ceramic element 2 are attracted to the buffer material 4 through electrostatic attracting operation, so the buffer material 4 where the polishing wastes stick is only sorted out after the polishing process to efficiently remove the polishing wastes.例文帳に追加

セラミック素子２と、研磨媒体３と、緩衝材４とがバレル１ａに投入されて、バレル１ａが回転することにより、セラミック素子２が研磨されて面取りが行われるため、セラミック素子２の研磨屑は静電吸着作用により緩衝材４に吸着されるので、研磨工程の後に研磨屑が付着した緩衝材４を選り分けるだけで、研磨屑を効率よく除去することができる。 - 特許庁

When the buffer layer 102 is provided on a silicon substrate 101, particularly, an element having atomic radius larger than that of silicon is used as the impurity.例文帳に追加

特に、シリコン基板１０１上の低温緩衝層に添加する不純物は、珪素より原子半径を大とする不純物とする。 - 特許庁

The data of the buffer element are outputted to the system B with the data width of a data object of the system B, in response to a request from the system B.例文帳に追加

このバッファエレメントのデータは、システムＢからの要求により、システムＢのデータオブジェクトのデータ幅で、システムＢに出力される。 - 特許庁

A CPU 28 as a main heating element on a wiring board 22 is brought into contact with the box body 24 through a thermal buffer plate 30.例文帳に追加

配線基板２２上の主要な発熱素子であるＣＰＵ２８が、熱バッファ板３０を介して筐体２４に接触している。 - 特許庁

After the intermediate stream is tentatively stored in a buffer 23, binary decoding is executed, and intra-loop decoding is executed using the obtained syntax element.例文帳に追加

中間ストリームをバッファ２３に一旦記憶したのち二値復号化を行い、得られたシンタックス要素を用いてループ内復号化を行う。 - 特許庁

Other input data, address data, a processor number and picture element position information are stored in the data storing region 1b of the data buffer 1.例文帳に追加

残りの入力データであるアドレスデータ、プロセッサＮｏ．、及び画素位置情報がデータバッファ１のデータ格納領域１ｂに格納される。 - 特許庁

The output of the flip- flop circuit 4 is inputted to the control electrode of a power switching element 21 through a buffer circuit 35.例文帳に追加

フリップフロップ回路４の出力信号は、バッファ回路３５を通じて電力用スイッチング素子２１の制御電極へ入力される。 - 特許庁

When an element a1 is received from the server device, a transmitting side operation part writes E(a1) obtained by encrypting a1 in an encryption buffer 222.例文帳に追加

送信側演算部はサーバ装置から要素ａ１を受信すると暗号化バッファ２２２にａ１を暗号化したＥ（ａ１）を書き込む。 - 特許庁

In the oxide semiconductor light emitting element, an Li_1-bNa_bGaO_2 buffer layer 102 is formed between a sapphire substrate 101 and a quantum well light emitting layer 105.例文帳に追加

サファイア基板１０１と量子井戸発光層１０５との間に、Ｌｉ_１−ｂＮａ_ｂＧａＯ_２バッファ層１０２を形成している。 - 特許庁

A digital output buffer circuit 53 is constituted of a CMOS inverter and a control circuit or element 4a is of a CMOS selector circuit.例文帳に追加

デジタル出力バッファ回路５３はＣＭＯＳインバータで構成され、制御回路乃至素子４ａはＣＭＯＳセレクタ回路で構成される。 - 特許庁

The pixel circuit P comprises a control circuit CTL, a latch circuit 70, a buffer circuit 80, a supply circuit 90, and an OLED element 100.例文帳に追加

画素回路Ｐは、制御回路ＣＴＬ、ラッチ回路７０、バッファ回路８０、供給回路９０、及びＯＬＥＤ素子１００を備える。 - 特許庁

An element operation layer composed of a GaN electron transit layer 45 and an AlGaN electron supply layer 46 is formed on the buffer layer 44.例文帳に追加

バッファ層４４上には、ＧａＮ電子走行層４５およびＡｌＧａＮ電子供給層４６からなる素子動作層を形成する。 - 特許庁

There is provided a photoelectric conversion element comprising at least a metal oxide semiconductor layer, a buffer layer stacked on the metal oxide semiconductor layer so as to contact the metal oxide semiconductor layer, and a light absorbing layer stacked on the buffer layer on a side opposite to the metal oxide semiconductor layer so as to contact the buffer layer.例文帳に追加

この光電変換素子は、金属酸化物半導体層と、金属酸化物半導体層に接して積層させたバッファー層と、バッファー層に接して金属酸化物半導体層とは反対側に積層させた光吸収層とを少なくとも具備している。 - 特許庁