「buffer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The solder 3, penetrating into the gap in between the semiconductor element 1 and the buffer plate 36, spreads from the center to periphery of the joint surface of the semiconductor element while wetting the joint surface, and all the gap between the semiconductor element 1 and the buffer plate 36 is filled with the solder 3.例文帳に追加

半導体素子１と緩衝板３６との隙間に潜入した半田３は半導体素子接合面の中央から周辺部へと濡れ拡がり、半導体素子１と緩衝板３６との隙間全体に充填される。 - 特許庁

The other end of the resistance element RD is connected to the input of a buffer circuit 62, and an internal reference voltage Vout is output from the buffer circuit 62.例文帳に追加

抵抗素子ＲＤの他端はバッファ回路６２の入力へ接続され、バッファ回路６２から内部基準電圧Ｖｏｕｔが出力される。 - 特許庁

To provide a new buffer and a new buffer system having a volatile combustion product used in an analytical technique using an element specificity detector.例文帳に追加

元素特異性検出器を用いた分析技術で使用するための、揮発性燃焼生成物を有する新規のバッファーおよびバッファーシステムの提供。 - 特許庁

The video data that is held in the second-memory element is output to a source line through a buffer.例文帳に追加

そして、第２メモリ素子に保持されている映像データはバッファを介してソース線に出力される。 - 特許庁

Thereafter, the image element data read out of the automatic transfer area written into a frame buffer memory to be stored.例文帳に追加

そして、自動転送エリアから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

A voltage depending on electric charges charged in the capacitive element C2 is applied to the clock buffer for this period.例文帳に追加

この期間では容量素子Ｃ２の充電電荷で定まる電圧がクロックバッファに供給される。 - 特許庁

An element having a larger atomic radius than phosphorus has is used as the impurity added to the low-temperature buffer layer 102.例文帳に追加

低温緩衝層１０２に添加する不純物をリンより原子半径を大とする元素とする。 - 特許庁

The buffer material which is foamed prevents the ceramic element 2 from being broken during the polishing.例文帳に追加

また、研磨の際にセラミック素子２が破損するのが発泡成形された緩衝材により防止される。 - 特許庁

The image element data read out of the automatic transfer area are written and stored into a frame buffer memory.例文帳に追加

そして、自動転送エリアから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

An element resulting from the received packet is recorded in a buffer memory (6) composed of a FIFO mode.例文帳に追加

受信したパケットから得た要素は、先入れ先出しモードで構成されるバッファメモリ（６）に記録される。 - 特許庁

Then a nitride-based compound semiconductor region 4 for HEMT element is formed on the buffer region 3.例文帳に追加

バッファ領域３ の上にＨＥＭＴ素子用の窒化物系化合物半導体領域４を形成する。 - 特許庁

This device is provided with a step for receiving the packet by the element having the buffer and a step for determining whether the mean buffer fill of the buffer in which a packet h is stored is larger than a minimum threshold and smaller than a maximum threshold.例文帳に追加

バッファを有するエレメントでパケットを受け取るステップを具え、パケットｈが記憶されるバッファの平均バッファフィルが、最小しきい値より大きく最大しきい値よりも小さいか否かを判断するステップを備える。 - 特許庁

To provide a material for an electroluminescent element and an electroluminescent element using the material capable of forming a buffer layer without using water as a solvent, as is different from a polymer system material used in a conventional buffer layer.例文帳に追加

従来のバッファー層に用いた高分子系材料とは異なり、水を溶媒とせずにバッファー層を形成することができる電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子を提供する。 - 特許庁

By constituting the input/output buffer 13 from the high withstand-voltage elements, the input/output buffer 13 can be protected from element breakage due to an abnormal voltage such as ESD without providing an overvoltage protection element.例文帳に追加

入出力バッファ１３を高耐圧素子で構成することにより、過電圧保護素子などを設けることなく、入出力バッファ１３をＥＳＤなどの異常電圧による素子破壊などから保護することができる。 - 特許庁

Since the occurrence of the two-dimensional electronic gas in the buffer region 3 is suppressed, the buffer region 3 becomes higher in resistance and the leakage current of a HEMT element is suppressed.例文帳に追加

バッファ領域３に２次元電子ガスが発生することが抑制されるので、バッファ領域３が高抵抗になり、ＨＥＭＴの漏れ電流が抑制される。 - 特許庁

Secondly, a buffer layer 500 to support an electrode 94 of the thin film active element 90 is thinly formed in the shape of a solid image to such an extent that does not impair a function of the buffer layer.例文帳に追加

第２に、薄膜アクティブ素子９０の電極９４を支持するバッファ層５００を、バッファ層の機能を損なわない範囲でベタ状に薄く形成する。 - 特許庁

The piston device 1 insertable in a hollow cylinder 5 is provided with a radial buffer element 35 to buffer the motion of the piston device 1 relative to the hollow cylinder 5.例文帳に追加

中空シリンダ５に挿入可能なピストン装置１に、半径方向緩衝素子３５を備えることにより、中空シリンダ５に対してピストン装置１の運動を緩衝する。 - 特許庁

To provide: a method for manufacturing a light-emitting element that can suppress the occurrence of peeling of a buffer layer at the time of manufacturing a light-emitting element having a Ga_2O_3 substrate; and a light-emitting element.例文帳に追加

Ｇａ_２Ｏ_３基板を有する発光素子の製造時におけるバッファ層の剥離の発生を抑制することができる発光素子の製造方法及び発光素子を提供する。 - 特許庁

Pressure is intermittently applied to the first buffer tank (20) by the pressurized gas in the second buffer tank (21), so that the washing liquid in the first buffer tank (20) is intermittently force fitted to the washing liquid washing the filter element (2), as a result, the pressure of the washing liquid washing the filter element (2) can intermittently be increased.例文帳に追加

第２バッファタンク（２１）内の加圧気体で、第１バッファタンク（２０）に間欠的に圧力を加え、第１バッファタンク（２０）内の洗浄液を、フィルタエレメント（２）を洗浄する洗浄液に間欠的に圧入することで、フィルタエレメント（２）を洗浄する洗浄液の圧力を間欠的に増加させる。 - 特許庁

In the spin polarized electron generating element consisting of a substrate, a buffer layer, and a distorted superlattice layer formed on the buffer layer, an intermediate layer is interposed between the substrate and the buffer layer, the intermediate layer being made of crystal having a lattice constant larger than that of crystal constituting the buffer layer.例文帳に追加

基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板とバッファ層との間に、バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させた。 - 特許庁

The sources of group II and group VI are operated to expose the III-V buffer layer to group II element flux before exposing to group VI element flux.例文帳に追加

ＩＩ族及びＶＩ族ソースを操作して、ＩＩＩ−Ｖバッファ層をＶＩ族元素フラックスに暴露する前にＩＩ族元素フラックスに暴露させる。 - 特許庁

The one terminal of the capacitive element 22 is connected to a connecting point between the switch element 21 and the buffer amplifier 23, and the other terminal is connected to an intermediate potential Vce.例文帳に追加

コンデンサ素子２２は、一端がスイッチ素子２１とバッファアンプ２３との接続点に接続されており、他端が中間電位Ｖｃｅに接続される。 - 特許庁

A buffer circuit of a light emitting element control circuit 44 is provided in a silicon chip in which a CCD drive circuit 30 is integrated.例文帳に追加

ＣＣＤ駆動回路３０と同一シリコンチップ内に発光素子制御回路４４のバッファ回路を設ける。 - 特許庁

LEVEL WOUND COIL CARRYING HOLDER, LEVEL WOUND COIL PACKAGING ELEMENT, AND BUFFER SHEET FOR LEVEL WOUND COIL CARRYING HOLDER例文帳に追加

レベルワウンドコイルの積載保持体及びレベルワウンドコイルの梱包体並びにレベルワウンドコイル積載保持体用緩衝シート - 特許庁

A buffer element is formed so as to provide the space inside the intermediate wall 5 as an exhaust gas injection part 6.例文帳に追加

緩衝要素は排ガス噴射部（６）として中間壁（５）の内側の空間を備えるよう形成される。 - 特許庁

A backing material 6 is provided on the back side of the buffer layer 5 and damps an ultrasonic wave from the transducer element 1.例文帳に追加

背面材６は、緩衝層５の背面側に設けられ、振動子部１からの超音波を減衰する。 - 特許庁

The electricity apparatus may further include a sound-gathering means 22 for holding the piezoelectric element 21 in midair by a buffer material 23.例文帳に追加

圧電素子２１を緩衝材２３により中空に保持する集音手段２２をさらに備えてもよい。 - 特許庁

To detect a fault in the inverter (or a buffer) of each element via a clock distributing circuit with a mesh structure.例文帳に追加

メッシュ構造のクロック分配回路にて、各要素のインバータ（もしくはバッファ）の故障を検出可能とする。 - 特許庁

The element layer consisting of Mg_xZn_1-xO (here: 0≤x≤1) is grown on the buffer layer 11 through epitaxial growth.例文帳に追加

該バッファ層１１上にＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）からなる素子層をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

A gate of the switching element 92 for charging is connected with a buffer circuit 100 through a resistor 102.例文帳に追加

充電用スイッチング素子９２のゲートは、抵抗体１０２を介してバッファ回路１００に接続されている。 - 特許庁

To provide a page buffer for flash memory device in which program trouble of a NAND flash memory element can be reduced.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のプログラム障害を減らすことが可能なフラッシュメモリ素子のページバッファを提供する。 - 特許庁

The pressure loss generation part 80a is provided with a pressure loss element 82a which can be attached to and detached from the inlet buffer part 44.例文帳に追加

この圧損発生部８０ａは、入口バッファ部４４に着脱可能な圧損要素８２ａを備える。 - 特許庁

A semiconductor device comprising an active structure comprising a substrate, a buffer structure or nucleus generation structure, and a circuit element.例文帳に追加

基板(2)、緩衝構造又は核生成構造、及び回路要素を含む活性構造(6)を備えた半導体デバイス。 - 特許庁

To solve the problem that the leakage current of a nitride-based compound semiconductor element having a multilayered buffer region becomes larger.例文帳に追加

多層構造のバッファ領域を有する窒化物系化合物半導体素子の漏れ電流が大きくなる。 - 特許庁

A buffer 321 stores correction values Aa according to respective characteristics of a plurality of the light emitting elements E for each element.例文帳に追加

バッファ３２１は、複数の発光素子Ｅの各々についてその特性に応じた補正値Ａaを記憶する。 - 特許庁

An AVP signal obtained from an output load current sensing element supplies an input to the buffer amplifier 62.例文帳に追加

出力負荷電流感知要素から得られたＡＶＰ信号が、バッファ増幅器６２に入力を供給する。 - 特許庁

A perovskite oxide with the deficiency of oxygen and constituent element substitution or the like is used for the electrode buffer layer 7.例文帳に追加

電極バッファ層７には、酸素欠損や構成元素置換を有するぺロブスカイト型酸化物などか用いられる。 - 特許庁

The power consumption of the capacitive element is smaller than the power consumption of a buffer being a general delay means.例文帳に追加

容量素子の消費電力は、一般的な遅延手段であるバッファの消費電力と比べると小さい。 - 特許庁

One end of a resistance element RA is connected to a Vcc power supply voltage terminal pin 41, and the other end of the resistance element RA is connected to one end of a resistance element RB and the input of a buffer circuit 61.例文帳に追加

抵抗素子ＲＡの一端はＶｃｃ電源電圧端子ピン４１へ接続され、また抵抗素子ＲＡの他端は抵抗素子ＲＢの一端とバッファ回路６１の入力へ接続されている。 - 特許庁

The output of the buffer circuit 61 is connected to one end of a resistance element RC, and the other end of the resistance element RC is connected to a Vc external input terminal pin 42 and one end of a resistance element RD.例文帳に追加

バッファ回路６１の出力は抵抗素子ＲＣの一端へ接続され、抵抗素子ＲＣの他端はＶｃ外部入力端子ピン４２と抵抗素子ＲＤの一端へ接続されている。 - 特許庁

A buffer circuit is provided between a first terminal of the capacitance element connected to the switch element and the first power terminal, and a second terminal of the capacitance element is connected to the second power terminal.例文帳に追加

また、スイッチ素子に接続された容量素子の第１の端子と第１の電源端子との間にバッファ回路を有し、第２の電源端子に容量素子の第２の端子が接続されている。 - 特許庁

By changing a connection state of a peripheral element of the buffer amplifier, an element constant of the peripheral element or the like, the output characteristic of the characteristic adjustment circuit 48 to a signal transmission line 40 is adjusted.例文帳に追加

バッファアンプの周辺素子の接続状態、周辺素子の素子定数等を変化させることで、特性調整回路４８の信号伝送線４０に対する出力特性が調整される。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor element structure wherein crystal defects are reluctant to occur along the boundary between a buffer zone and a semiconductor element layer and wherein high-quality element layers are realized with stability, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

バッファ層と素子層との境界において結晶欠陥が発生しにくく、ひいては高品質の素子層を安定的に実現できる半導体素子構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To allow the output capability of a buffer to be hardly affected by an imaging signal level while suppressing the power consumption of a buffer part provided between a CCD solid-state imaging element and an analog front end.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像素子とアナログフロントエンドとの間に設けるバッファ部の電力消費を抑えつつ、バッファの出力能力が撮像信号レベルの影響を受け難いようにする。 - 特許庁

This semiconductor element includes a substrate 11, a BN-based compound semiconductor buffer layer 24 on the substrate 11, and nitride-based compound semiconductor crystalline layers 34, 25 and 36 on the buffer layer 24.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上のＢＮ系化合物半導体バッファー層２４と、バッファー層２４上の窒化物系化合物半導体結晶層（３４、３５，３６）とから構成されている。 - 特許庁