「buffer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor light-emitting element includes a buffer layer, a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、バッファ層と、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A buffer layer comprising a IV group element is formed on a porous Si, on which a crystal layer having a lattice constant different from that of an Si single crystal is deposited.例文帳に追加

ポーラスＳｉ上にＩＶ族元素からなるバッファ層を形成し、その上にＳｉ単結晶とは異なる格子定数を有する結晶層を堆積する。 - 特許庁

The plotting circuit 154 writes the image element data read from the automatic transfer area 155B to the write address in the frame buffer memory 156 to be stored.例文帳に追加

描画回路１５４は、自動転送エリア１５５Ｂから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリ１５６における書込アドレスに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

A semiconductor element structure is formed on the AlN, GaN, or AlGaN buffer layer formed on the principal plane of the sapphire substrate having the (11-22) semipolar plane.例文帳に追加

（１１−２２）半極性面を有するサファイヤ基板の主面上に、形成したＡｌＮ又はＡｌＧａＮバッファ層上に半導体素子構造を形成する。 - 特許庁

To effectively protect a pixel electrode 30 from stress even through an inorganic buffer layer is used as a substrate for forming a thin film active element 90.例文帳に追加

薄膜アクティブ素子９０を形成するための下地として無機バッファ層を用いるにもかかわらず、応力から画素電極３０を有効に保護する。 - 特許庁

The data basic buffer 58 warrants reception of data within a prescribed time to conduct decoding and presentation synchronously with the video or audio program element.例文帳に追加

データ基本バッファ５８は、ビデオまたはオーディオ要素と同期して復号化およびプレゼンテーションを行うために、所定時間にデータが受信されることを保証する。 - 特許庁

According to an embodiment, a nitride semiconductor element comprises a function layer formed on an AlN buffer layer formed on a silicon substrate.例文帳に追加

実施形態によれば、シリコン基板の上に形成されたＡｌＮバッファ層の上に形成された機能層を備える窒化物半導体素子が提供される。 - 特許庁

An optical waveguide 37 of the semiconductor laser element 1a is provided in a mesa shape on an n-type buffer layer 13 with a specific axial direction as a longitudinal direction.例文帳に追加

半導体レーザ素子部１ａの光導波路３７は、ｎ型バッファ層１３上に所定の軸方向を長手方向とするメサ状に設けられる。 - 特許庁

The value of the element current detected by the current- detecting resistance 24 is fed back to the applied voltage control circuit 21 via a buffer 28.例文帳に追加

電流検出用抵抗２４により検出される素子電流の検出値はバッファ２８を介して印加電圧制御回路２１に帰還される。 - 特許庁

This piezoelectric element 1 contains a substrate 2, a buffer layer 5 formed above the substrate 2, and a piezoelectric layer 6 having a perovskite type structure and formed above the buffer layer 5, and the buffer layer 5 comprises YBa_2Cu_3O_7-δ orientated preferentially to axis c (001), wherein δ is in the range of 0≤δ≤0.6.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子１は，基板２と、基板２の上方に形成されたバッファ層５と、バッファ層５の上方に形成された、ペロブスカイト型構造を有する圧電体層６と、を含み、バッファ層５は、ｃ軸（００１）に優先配向しているＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−δからなり、δは，０≦δ≦０．６の範囲である。 - 特許庁

The base material for a semiconductor device comprises a substrate, a GaInNP buffer layer or a GaNP buffer layer deposited on the substrate, and a base layer for formation of a functional element deposited on the GaInNP buffer layer or the GaNP buffer layer, wherein the base layer for a functional element includes a high crystalline Al_xGa_1-xN semiconductor layer as the uppermost layer and also includes a low crystalline AlGaN semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置用基材は、基板と、この基板上に形成されたＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層と、このＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層上に形成された積層体である機能素子形成用下地層とよりなり、機能素子形成用下地層は、その最上層が高結晶性Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ半導体層よりなり、当該機能素子形成用下地層中には低結晶性ＡｌＧａＮ半導体層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The radial buffer element 35 has at least two sector pieces 37 pressing the internal wall of the hollow cylinder 5 by prestress, and the sector pieces 37 are connected to each other by at least one spring buffer element 39 to press the internal wall of the hollow cylinder 5 radially by prestress.例文帳に追加

半径方向緩衝素子３５は少なくとも２個の、中空シリンダ５の内壁を予応力で押圧する扇形片３７を有し、少なくとも１個のばね緩衝素子３９によって円扇形片３７相互を、中空シリンダ５の内壁を半径方向に予応力で押圧するように互いに連結する。 - 特許庁

The provided analog signal buffer is connected between a photoelectric conversion element for conversion to an analog signal and an analog signal processing circuit for converting the analog signal to a digital signal, and is equipped with circuit means for blocking the reverse current from being induced within the analog signal buffer when the output power from the photoelectric conversion element is lowered.例文帳に追加

本発明は、アナログ信号に変換する光電変換素子と、アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ信号処理回路との間に接続され、光電変換素子の出力電力の低下時にアナログ信号バッファ内に生じる逆電流を阻止する回路手段と備えるアナログ信号バッファを提供する。 - 特許庁

By adjusting the mixed crystal ratio a of InN whose lattice constant is larger than that of GaN, the lattice constant of the buffer layer 2 is made to be nearer to the lattice constant of the semiconductor element layer 50 on the side of the boundary with the semiconductor element layer 50, as compared with a conventional buffer layer constituted of GaN, AlN, or their combination.例文帳に追加

ＩｎＮはＧａＮよりも格子定数が大であり、ＩｎＮ混晶比ａを調整することにより、ＧａＮやＡｌＮ又はそれらを組合せた従来のバッファ層と比較して、半導体素子層５０との境界側にてバッファ層２の格子定数を、半導体素子層５０の格子定数により近づけることができる。 - 特許庁

In an organic EL element composed by sequentially forming, on a substrate, a lower electrode, the organic EL layer, the buffer layer and an upper electrode, this organic EL element is provided by including, in the buffer layer, the phthalocyanine compound doped with at least one kind of metal selected from among Au, Pt, Pd and Ag.例文帳に追加

基板上に下部電極、有機ＥＬ層、バッファ層、及び上部電極が順次形成された有機ＥＬ素子において、前記バッファ層がＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、及びＡｇから選択される少なくとも１種の金属をドーピングしたフタロシアニン化合物を含有させることにより、上記有機ＥＬ素子を得る。 - 特許庁

In a semiconductor module 1 comprising a semiconductor element 2 and contact materials 3 (stress buffer members) connected to an electrode layer 2a of the semiconductor element 2, a plurality of grooves 3a-3c extending along an outer periphery of the semiconductor element 2 are formed on principal surfaces of the contact materials 3, which are planes contacting the semiconductor element 2.例文帳に追加

半導体素子２と、半導体素子２の電極層２ａと接続されるコンタクト材３（応力緩衝部材）とを備える半導体モジュール１において、コンタクト材３の主面であって半導体素子２と接する面に、半導体素子２の外周に沿った複数の溝３ａ〜３ｃを形成する。 - 特許庁

This buffer member 11 prevents the tool or the optical element from being directly brought into contact with an inner surface of the fluid tank 5 even when the tool or the optical element is dropped while attaching/detaching the tool or the optical element, and mitigates any shock caused by the drop, and the optical element and the tool can be prevented from being damaged or broken.例文帳に追加

この緩衝材１１によって、工具や光学素子の着脱作業時に工具や光学素子を落下させることがあっても、液槽５内面に直に接触させることがなく、落下による衝撃を緩和することができるために、光学素子や工具の損傷や破損を防止することができる。 - 特許庁

In this valve for a control muffler 1 provided with a valve element 3 to be opened/closed in relation to a valve seat 2 provided in a baffle plate B1 inside the control muffler 1, a buffer mat 6 is provided in a part of an abutting surface 31 of the valve element 3 to form a clearance A between the valve element 3 and the valve seat 2 when fully closing the valve element 3.例文帳に追加

制御マフラ１の内部のバッフルプレートＢ１に設けられる弁座２に対し開閉可能な弁体３を備えた制御マフラ１用バルブにおいて、弁体３の当接面３１の一部に緩衝マット６を設けて弁体３全閉の際に弁体３と弁座２の間に隙間Ａを設けるようにした。 - 特許庁

The second lens group 120 includes a third lens element 121, a second transparent body 122, a second buffer layer 123, and a fourth lens element 124, which are arranged in order from the object side OBJS toward the image surface 140 side.例文帳に追加

第２レンズ群１２０は、物体側ＯＢＪＳから像面１４０側に向かって順番に配置された、第３レンズエレメント１２１と、第２透明体１２２と、第２バッファ層１２３と、第４レンズエレメント１２４と、を含む。 - 特許庁

The second lens group 120 includes: a fourth lens element 121, a second transparent body 122; a second buffer layer 123; and a fifth lens element 124, arranged in order from the object side OBJS to the side of the image face 140.例文帳に追加

第２レンズ群１２０は、物体側ＯＢＪＳから像面１４０側に向かって順番に配置された、第４レンズエレメント１２１と、第２透明体１２２と、第２バッファ層１２３と、第５レンズエレメント１２４と、を含む。 - 特許庁

Moreover, the control circuit has a display signal buffer storing the display signal supplied to the control circuit in synchronization with the scanning signal and a first switching element for turning off the light emitting element at a prescribed timing.例文帳に追加

制御回路は、走査信号に同期して制御回路に供給された表示信号を記憶する表示信号バッファと、発光素子を所定のタイミングで消光するための第１スイッチング素子とを有する。 - 特許庁

In a liquid crystal display element 10, a buffer amplifier 11 is connected between control signal wiring S+ and the gate of a switching transistor Tr5 and a buffer amplifier 12 is connected between control signal wiring S- and the gate of a switching transistor Tr6.例文帳に追加

液晶表示素子１０は、バッファアンプ１１が制御信号用配線Ｓ+とスイッチングトランジスタＴｒ５のゲートとの間に接続され、バッファアンプ１２が制御信号用配線Ｓ-とスイッチングトランジスタＴｒ６のゲートとの間に接続されている。 - 特許庁

A buffer 11 successively inputs the pixels of a domain block from a domain unit 2 to an adjacent buffer 11 and a connected processing element (PE) 12.例文帳に追加

全てのレンジブロック（画素値：ｂ_i ）とドメインブロック（画素値：ａ_i ）の組み合わせにおいてその近似度Ｒを計算するのに必要な処理を行うプロセッシングエレメント（ＰＥ）を，再構成可能なハードウェア上に複数用意し，これらのＰＥを与えられたレンジブロックに特化して構成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric element comprises steps of forming a buffer layer 2 also serving as a sacrificial layer on a single crystal substrate 1, forming the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) on the buffer layer 2, separating the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) from the single crystal substrate 1, and disposing the ferroelectric element 6 separated from the single crystal substrate 1 on any substrate.例文帳に追加

単結晶基板１上に犠牲層としても機能するバッファー層２を形成する工程と、バッファー層２上に強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を形成する工程と、強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を単結晶基板１から分離する工程と、単結晶基板１から分離された強誘電体素子を任意基板上に配設する工程と、を備えた強誘電体素子の製造方法。 - 特許庁

In the core pack 5 of the battery pack 1, the safety element 50 is arranged on the sealing lid 10a with an element holder 60 as a buffer member against the bending stress from the sealing lid 10a interposed between the element body 51 and the sealing lid 10a.例文帳に追加

パック電池１のコアパック５では、安全素子５０が、封口蓋１０ａに対して、素子本体５１と封口蓋１０ａとの間に封口蓋１０ａからの曲げ応力に対する緩衝部材としての素子ホルダー６０が介挿された状態で、その上に配されている。 - 特許庁

In layout designing, after a supply source element and a plurality of elements to be supplied are arranged, a wiring path is determined while both of a wiring state and the insertion/arrangement state of a buffer are adjusted from the side of the element to be supplied toward the supply source element.例文帳に追加

レイアウト設計に際して、供給源素子および複数の被供給素子を配置した後に、被供給素子側から供給源素子へ向け、配線状態とバッファの挿入・配置状態との両方を調節しながら配線経路を決定するように構成する。 - 特許庁

In response to retrieving a queue element from the queue data structure, the network adapter requests translation of an untranslated address specified by the queue element, and the translated address is stored in the network adapter prior to receiving a data packet targeting a buffer related to the queue element.例文帳に追加

キュー・データ構造からキュー・エレメントを検索したことに応答して、ネットワーク・アダプタは、キュー・エレメントに指定された未変換アドレスの変換を要求し、キュー・エレメントに関連するバッファをターゲットにするデータ・パケットを受信する前に変換済みアドレスをネットワーク・アダプタに保管することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a buffer layer for a CZTS-based semiconductor such that a CdS buffer layer having excellent characteristics can be formed on a light absorption layer made of the CZTS-based semiconductor, a CBD solution for the CZTS-based semiconductor used for such a method, and a photoelectric element having the buffer layer obtained by such the method.例文帳に追加

ＣＺＴＳ系半導体からなる光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能なＣＺＴＳ系半導体用バッファ層の製造方法、このような方法に用いられるＣＺＴＳ系半導体用ＣＢＤ溶液、及び、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。 - 特許庁

Buffer layers are formed on an Si substrate, thereby orienting or epitaxially growing metal thin films and ferroelectric thin films through the buffer layers one after another, and the Si substrate and buffer layers are partly removed to form a small ferroelectric thin film element having a superior performance using various etching techniques.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファ層を形成することによって、これらのバッファ層を介して金属薄膜と強誘電体薄膜を順次、配向またはエピタキシャル成長させ、続いて各種エッチング技術を用いてＳｉ基板やバッファ層を部分的に除去することによって小型で優れた性能を有する強誘電体薄膜素子を形成する。 - 特許庁

The image element data read out of a read out address of the fixed address area in response to the reception of a fixed address designation display command are written and stored into a frame buffer memory.例文帳に追加

そして、固定アドレス指定表示コマンドの受信に応答して固定アドレスエリアの読出アドレスから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

The buffer amplifier has two amplifying elements which are connected symmetrically, and an output terminal of each amplifying element is wound around a primary winding of an output transformer 5.例文帳に追加

緩衝増幅器は、対称形に接続された２個の増幅素子を有し、各増幅素子の出力端子が出力トランス５の一次巻線に接続されている。 - 特許庁

The organic EL element is constituted by sequentially laminating a positive electrode 2, a hole-injection layer 3, a buffer layer 4, a light emitting layer 5 and a negative electrode 6, in this order, on one side face of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０の片面に、陽極２、ホール注入層３、バッファ層４、発光層５、陰極６を順次積層して有機ＥＬ素子１を構成する。 - 特許庁

The predictor 1,333 receives outputs from the motion estimator 14 and a buffer memory 17 and supplies an output to the subtractor 12 and a non-linear element 500.例文帳に追加

予測装置１３３３は、動き推定装置１４とバッファ・メモリ１７からの出力を受け取り、減算器１２と非線形要素５００に出力を供給する。 - 特許庁

The buffer 201 outputs a high signal for every semiconductor switching element of upper and lower arms as a control signal when there is an input of a three-phase open signal and a three-phase short signal.例文帳に追加

バッファ２０１は、３相オープン信号や３相ショート信号の入力があるとhigh信号を制御信号として上下アームの半導体スイッチング素子毎に出力する。 - 特許庁

To provide an output buffer circuit and a solid-state imaging element capable of reducing the power consumption without losing a frequency characteristic of an output signal.例文帳に追加

出力信号の周波数特性を損なうことなく消費電力の低減を図ることができる出力バッファ回路および固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which stress buffer performance is improved, Pb free solder can be adopted and further, a package for housing a semiconductor element can be downsized.例文帳に追加

応力緩和性能に優れ、かつＰｂフリー半田を採用することのでき、さらに半導体素子を収容するパッケージの縮小化が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The drive element updates a luminance signal in a buffer circuit via a designated channel in the group channel data area when receiving a latch permission signal for segment update.例文帳に追加

セグメント更新のためのラッチ許可信号を受信した時、本駆動素子は、バッファ回路内の輝度信号を該グループチャネルデータ領域の指定されたチャネルを介して更新する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the thickness of a buffer layer and a compound semiconductor can be gained and can improve the element breakdown voltage while suppressing the warpage of a substrate.例文帳に追加

基板の反りを抑制しつつ、バッファ層及び化合物半導体の厚さを稼ぐことができ、素子耐圧を向上することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, it is immersed into borate buffer of pH6-pH11 thus removing deposit on the surface of the magnet element produced through dissolution (step S106).例文帳に追加

続いて、ｐＨ６からｐＨ１１のホウ酸塩緩衝溶液に浸漬処理し、溶解処理により生じた磁石素体の表面の付着物を除去する（ステップＳ１０６）。 - 特許庁

Then, in response to the reception of a fixed address designation display command, the image element data read out of a reading address of the fixed address area are written into a frame buffer memory to be stored.例文帳に追加

そして、固定アドレス指定表示コマンドの受信に応答して固定アドレスエリアの読出アドレスから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

To prevent a circuit element of a radiator or a current buffer circuit from being overheated.例文帳に追加

本発明の課題は、放熱器または電流バッファ回路の回路素子の過熱を防止する半導体試験装置及び半導体試験装置における制御方法を提供することである。 - 特許庁

In another embodiment, an output stage is provided with a push-pull buffer utilizing a single current source in order to reduce the power consumption of the element in a logic family.例文帳に追加

本発明の別の態様によれば、論理ファミリにおける素子の電力消費を低減するために、単一の電流源を利用するプッシュ・プル・バッファを出力段に備える。 - 特許庁

A substance generating compounds or alloys with the substance contained in the varistor element assembly 14 and the substance contained in the metal section 13 respectively is comprised in the buffer section 12.例文帳に追加

バッファ部１２には、バリスタ素体１４に含まれる物質と金属部１３に含まれる物質とそれぞれ化合物又は合金を生成する物質が含まれる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element comprising a zinc oxide layer, having quality at least equivalent to that of a bulk single crystal formed on an annealed buffer layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

アニールされたバッファ層上に形成されたバルク単結晶と同等以上の品質を持つ酸化亜鉛層を具える半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After formation of an amorphous buffer layer, it is inverted to crystal gradually and a light- emitting element is constituted by keeping lattice matching to a gallium nitride phosphide light emission part.例文帳に追加

非晶質緩衝層を形成した後、これを徐々に結晶質に転化して、窒化リン化ガリウム系の発光部と格子整合を保って発光素子を構成する。 - 特許庁