「buffer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To permit sufficient emission from a luminescent element even in a region where the sunshine is less or a place having the shade so that any person approaching a buffer stop can be definitely recognized even at night, thereby offering an extremely safe buffer stop.例文帳に追加

日照の少ない地方や日陰の場所等でも十分に発光素子の発光が可能となり、夜間でも車止めに接近した人が確実に視認できる極めて安全な車止めを提供する。 - 特許庁

To provide a compound having high heat resistance while keeping an interaction with an electrode and mobility as an electrode buffer material, and to provide an electrode buffer material and a photoelectric conversion element using the compound.例文帳に追加

電極バッファー材料として電極との相互作用と移動度を維持しつつ，高い耐熱性を有する化合物，およびこれを用いた電極バッファー材料ならびに光電変換素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes at least a metal oxide semiconductor layer and a buffer layer made of In_2S_3, wherein the buffer layer is formed on the metal oxide semiconductor layer by the spray method and its thickness is 0.2 to 1.0 μm.例文帳に追加

少なくとも、金属酸化物半導体層、及びＩｎ_２Ｓ_３からなるバッファー層を備え、該バッファー層は、金属酸化物半導体層上にスプレー法により形成され、厚みが０．２〜１．０μｍである、光電変換素子。 - 特許庁

Since the buffer layer is composed of a composite material containing an organic compound exhibiting hole-transporting property and a metal compound, voltage luminance efficiency of the light emitting element is not affected even if the buffer layer is made thick for optical design.例文帳に追加

バッファ層は正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物を含む複合材料でなるため、光学設計のためバッファ層を厚くしても、発光素子の電圧輝度効率に影響を与えることがない。 - 特許庁

Image data used in a case of recording by one time scanning of the recording head are stored in a recording buffer, and the image data for three arrays used in the recording element arrays of these image data are stored in a transfer buffer.例文帳に追加

記録ヘッドの１回の走査で記録される際に用いられる画像データを記録バッファに格納し、この画像データのうち、前記記録素子列で使われる３列分の画像データを転送バッファに格納する。 - 特許庁

An element which enables quick access to data in a page like an SDRAM is used as the data buffer and a means which puts access to the data buffer for error correction together by page units is provided, and error data are rewritten by pages.例文帳に追加

データバッファにＳＤＲＡＭのようにページ内のデータアクセスの高速な素子を用い、誤り訂正のためのデータバッファへのアクセスをページ単位にまとめる手段を設け、誤りデータの書き換えをページ単位で行う。 - 特許庁

When the element 1 is rotated, the writing of the low-frequency component of the output of the filter 31 in the buffer 34 is stopped, and the offset values of a plurality of samples written in the buffer 34 are read.例文帳に追加

被検出体１が回転しているときには、ローパスフィルタ３１の出力の低周波成分のリングバッファ３４への書き込みを停止し、リングバッファ３４に書き込まれている複数サンプル分のオフセット値を読み出す。 - 特許庁

There are provided a method of forming a thin-film crystal, and a semiconductor element using the crystal including a high-temperature buffer layer 2 formed on a substrate 1 and a low-temperature thin film 3 which is formed on this high-temperature buffer layer 2.例文帳に追加

薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子において、基板１上に形成される高温バッファー層２と、この高温バッファー層２上に形成される低温薄膜３とを具備する。 - 特許庁

A photoelectric element 10 comprises a light absorbing layer 16 being a p-type semiconductor layer, a buffer layer 18, and a window layer 20, and the light absorbing layer 16, the buffer layer 18, and the window layer 20 are provided in this order.例文帳に追加

ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備え、光吸収層１６、バッファ層１８及び窓層２０がこの順に設けられている光電素子１０。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an EL element, in which a problem such as swelling out or eluting out of a buffer layer is not generated even when manufacturing the EL element which has both the organic EL layer, by which patterning is carried out by the photo lithography method, and the buffer layer.例文帳に追加

本発明は、フォトリソグラフィー法によりパターニングされる有機ＥＬ層とバッファー層とを共に有するＥＬ素子を製造する場合でも、バッファー層が膨潤もしくは溶出するといった問題が生じることのないＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

A vector instruction issuing part sorts a plurality of elements comprising the vector data to an element group and controls to start the tranferring the element group with all element out of the plurality of element groups read from the main memory by the memory access control part from the load buffer to the vector processing part.例文帳に追加

ベクトル命令発行部は、ベクトルデータを構成する複数の要素を複数の要素群に分け、複数の要素群のうちで全ての要素がメモリアクセス制御部によりメインメモリから読み出された要素群に対して、ロードバッファからベクトル処理部への転送を開始するように制御する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element material improving durability while maintaining interaction with an electrode and mobility as an electrode buffer material or the like for a solar cell, to provide a photoelectric conversion element using the photoelectric conversion element material, and to provide a solar cell using the photoelectric conversion element.例文帳に追加

太陽電池の電極バッファー材料等として、電極との相互作用と移動度を維持しつつ、耐久性を向上させることができる光電変換素子材料、該光電変換素子材料を用いた光電変換素子、及びその光電変換素子を用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

An alternating current power source circuit 26, a buffer 27 and a current measuring resistance 28 are connected in series to an S-terminal of the sensor element 10.例文帳に追加

また、センサ素子１０のＳ−端子には、交流電源回路２６、バッファ２７及び電流計測抵抗２８が直列に接続されている。 - 特許庁

An AC power circuit 26, a buffer 27, and a current measuring resistor 28 are serially connected to an S-negative terminal of the sensor element 10.例文帳に追加

また、センサ素子１０のＳ−端子には、交流電源回路２６、バッファ２７及び電流計測抵抗２８が直列に接続されている。 - 特許庁

The display including a control module, a plastic rear cover, a reflector, a display panel, a buffer element, a plastic front cover, a metallic bracket and a speaker is provided.例文帳に追加

表示装置は、制御モジュール、プラスチック製後カバー、リフレクタ、表示パネル、バッファ要素、プラスチック製前カバー、金属製ブラケット、およびスピーカを含む。 - 特許庁

Since a structure absorbs a machine error or the like by the buffer device, an operation is performed without being affected by displacement of a machine element part or the like.例文帳に追加

緩衝装置により機械誤差等を吸収する構造である為、機械要素部の変位等に影響されることなく運転が可能。 - 特許庁

The offset voltage of the analog buffer circuit can be adjusted by changing the element characteristics of the non-volatile memory elements 131, 132, 133, ....例文帳に追加

不揮発性メモリ素子１３１，１３２，１３３，…の素子特性の変更して、アナログバッファ回路のオフセット電圧を調整することが可能になっている。 - 特許庁

To provide a light receiving element with a ZnO-based electrode without increasing an environmental load and doing damage to a ZnS-based buffer layer.例文帳に追加

環境負荷を増大させず、かつＺｎＳ系バッファ層にダメージを与えずに、ＺｎＯ系電極を形成した受光素子を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of an organic LED element comprises the steps of forming a cathode 9 in which a first conductive layer 9a, a buffer layer 9b, and a second conductive layer 9c are laminated in this order.例文帳に追加

陰極９は、第１の導電層９ａ、バッファ層９ｂおよび第２の導電層９ｃが順次積層されて形成される。 - 特許庁

The memory address buffer element includes one or more ways that are operable to store one or more of the data segments that may be retrieved from the cache memory.例文帳に追加

メモリアドレスバッファ要素は１以上のウエイを含み、ウエイはキャッシュメモリから抽出された１以上のデータセグメントを格納するように動作する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitrogen compound semiconductor element that can form a buffer layer excellent in crystallinity and surface flatness.例文帳に追加

結晶性および表面の平坦性に優れたバッファ層を形成することができる窒素化合物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the element 1 is stopped, the low-frequency component of the output of the filter 31 is written as an offset value in a ring buffer 34.例文帳に追加

被検出体１が静止しているときには、ローパスフィルタ３１の出力の低周波成分を、オフセット値としてリングバッファ３４に書き込む。 - 特許庁

To provide a ferroelectric element excellent in characteristics by using a γ-Al_2O_3 single crystal film as a buffer layer on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上にバッファ層としてγ−Ａｌ_２Ｏ_３単結晶膜を用いることにより、優れた特性の強誘電体素子を提供する。 - 特許庁

The buffer layer 64 contains titanium and cobalt as metal elements, and its metal element ratio is the following, where Ti:Co=1-x:x, 0.05≤x<1.例文帳に追加

バッファ層６４は、金属元素としてチタン及びコバルトを含み、金属元素比がＴｉ：Ｃｏ＝１−ｘ：ｘとすると０．０５≦ｘ＜１である。 - 特許庁

This method is used for manufacturing a gas sensor 1 comprising the gas sensor element 2, an insulator 3, a housing 4, a hermetic sealant 5, and a buffer sealant 6.例文帳に追加

ガスセンサ素子２と絶縁碍子３とハウジング４と密閉封止材５と緩衝封止材６とを有するガスセンサ１の製造方法。 - 特許庁

The memory part 1 is provided with a line memory for a buffer, which corrects sub-scanning-direction displacement between the odd-numbered dot exposure element and the even-numbered dot exposure element, when the exposure elements are arranged in the staggered pattern.例文帳に追加

奇数ドットメモリ部１には、露光素子を千鳥配列型とした場合の、奇数ドット露光素子と偶数ドット露光素子の副走査方向ずれ分を補正するバッファ用のラインメモリを設ける。 - 特許庁

This display device is provided with a monitor use EL element in addition to pixel part EL elements, and a current is supplied to the pixel part EL elements via a temperature correction circuit comprised of this monitor use EL element, a buffer amplifier or the like.例文帳に追加

画素部ＥＬ素子の他に、モニター用のＥＬ素子を設け、このモニター用のＥＬ素子と、バッファアンプ等によって構成される温度補正回路を介して、画素部ＥＬ素子に電流を供給する。 - 特許庁

For a buffer layer 12, a compound of a group III element and a group V element which has a lattice constant between the lattice constant of a silicon substrate 11 and the lattice constant of the epitaxial layer 13 is permissible selected.例文帳に追加

バッファ層１２は、シリコン基板１１の格子定数と、エピタキシャル層１３の格子定数との間の格子定数をもつ、第３族元素と第５族元素との化合物が選択されればよい。 - 特許庁

AC voltage outputted by a buffer circuit 103 is supplied to the transmission electrode 101a via a resistance element 104 and to the auxiliary electrode 101d not via the resistance element 104.例文帳に追加

バッファ回路１０３が出力する交流電圧は、抵抗素子１０４を介して送信電極１０１ａに供給され且つ抵抗素子１０４を介さずに補助電極１０１ｄに供給される。 - 特許庁

Alternating voltage outputted by a buffer circuit 103 is supplied to the transmission electrode 101a via a resistance element 104, and supplied to the auxiliary electrode 101c without the resistance element 104.例文帳に追加

バッファ回路１０３が出力する交流電圧は、抵抗素子１０４を介して送信電極１０１ａに供給され、且つ、抵抗素子１０４を介さずに補助電極１０１ｃに供給される。 - 特許庁

The lens group 110 includes: a first lens element 111, a buffer layer 112; a transparent body 113; and a second lens element 114, arranged in order from the object side OBJS to the side of the image face 130.例文帳に追加

レンズ群１１０は、物体側ＯＢＪＳから像面１３０側に向かって順番に配置された、第１レンズエレメント１１１と、バッファ層１１２、透明体１１３と、第２レンズエレメント１１４と、を含む。 - 特許庁

A timing control circuit 311 and a switch 315 apply the light emitting voltage Vb output from the buffer 314 to the light emitting element 12 with time density according to grayscale designated by the light emitting element 12.例文帳に追加

タイミング制御回路３１１およびスイッチ３１５は、バッファ３１４から出力された発光電圧Ｖbを、発光素子１２に指定された階調に応じた時間密度で当該発光素子１２に印加する。 - 特許庁

Even when the high temperature-side end surface 25b of the thermoelectric element 25 is convexly curved due to heat, the buffer member 33 deforms concavely to the thermoelectric element 25 according to the amount of deformation thereof.例文帳に追加

熱によって熱電素子２５の高温側端面２５ｂが凸状に変化しても、その変形量に応じて緩衝部材３３が熱電素子２５側に対して凹状に変形するようになる。 - 特許庁

A block layer which is a novel element with this kind of the element is formed on the surface of the buffer layer and functions to suppress or reduce the occurrence of an unnecessary chemical reaction on the surface or near the same.例文帳に追加

バッファ層の表面には、この種の素子では新規の要素であるブロック層が形成され、該表面また近傍で無用な化学反応が生起することを抑制ないし低減すべく機能する。 - 特許庁

A through-hole 23 penetrating the buffer unit 21 is formed at a part corresponding to the central region of the first main surface 21a in the buffer unit 21, so as to be continued to the through-hole 19 formed on the varistor element 12.例文帳に追加

バッファ部２１における第１の主面２１ａの中央領域に相当する部分には、バリスタ素体１２に形成された貫通孔１９に連続して、バッファ部２１を貫通する貫通孔２３が形成されている。 - 特許庁

In an oxide superconductive thin film deposited on the sapphire substrate (R-Al_2O_3) through the buffer layer, the buffer layer consists of orthorhombic LnAlO_3, and Ln is either one of an element Eu, Sm or Y.例文帳に追加

サファイア基板（Ｒ-Ａｌ_２Ｏ_３）上にバッファー層を介して堆積された酸化物超電導薄膜において、前記バッファー層は、斜方晶のＬｎＡｌＯ_３からなり、Ｌｎは元素Ｅｕ、Ｓｍ、Ｙのいずれかであることを特徴とする。 - 特許庁

At the time of forming a semiconductor layer, e.g. an InGaAs channel layer, on a GaAs substrate 1 through InAlAs buffer layers 71, 73, As on the surface of the InAlAs buffer layer 71 is substituted by another group V element.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上にＩｎＡｌＡｓバッファ層７１，７３を介してＩｎＧａＡｓチャネル層などの半導体層を形成するに際し、そのＩｎＡｌＡｓバッファ層７１の表面のＡｓを別のＶ族元素で置換する。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin-film transistor array substrate comprises a process of forming a buffer layer on a substrate made of a low-grade glass and a process of building thin-film transistors and picture element electrodes, which include a semiconductor layer, on the buffer layer.例文帳に追加

本発明は、低級なガラスからなる基板上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層上に半導体層を含む薄膜トランジスタ及び画素電極を形成する段階とを含めてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a liquid level detector for restraining tensile force from acting on a connection part between a lead wire and an ultrasonic oscillation element even if a buffer member swells.例文帳に追加

緩衝部材が膨潤してもリード線と超音波発振素子との接続部に引張力が作用することを抑制できる液面検出装置を提供する。 - 特許庁

Besides, a control signal from a microcomputer 14 is supplied to a switching element 16 through a buffer amplifier 15 so as to control the light emission of the light emission diode 11.例文帳に追加

またマイクロコンピュータ１４からの制御信号がバッファアンプ１５を通じてスイッチング素子１６に供給され、発光ダイオード１１の発光が制御される。 - 特許庁

To provide a packet switch for shared buffer system of a large scale (or a large capacity) through a building block structure employing same switching element devices.例文帳に追加

同じスイッチングエレメントのデバイスを複数使用して積み木構造により、大規模（あるいは大容量）な共有バッファ方式のパケットスイッチを提供する。 - 特許庁

The multiplication layer 2121 of the outer APD element 21 is constituted as an electric field buffer layer 2121 by a fine pattern containing a plurality of islands.例文帳に追加

外側のＡＰＤ素子２１の増倍層２１２１は、複数のアイランドを含む微細パターンにより電界緩和層２１２１として構成されている。 - 特許庁

Thus, the conductive plates are made to be buffer plates and the conductors 40 and 41 are directly connected to the surface of the semiconductor element 32 without wire bonding.例文帳に追加

そのことにより、導電板を緩衝板とし半導体素子３２表面に直接導線４０、４１をワイヤーボンディングすること無くすことができる。 - 特許庁

This invention relates to a method of manufacturing an organic electroluminescent element 1 equipped with a first electrode 11, a buffer layer 30, a light emitting layer 40, and a second electrode 50.例文帳に追加

第１電極１１と、バッファ層３０と、発光層４０と、第２電極５０とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子１を製造する方法に関する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for buffer layer of photoelectric conversion element, capable of effectively removing adhering colloid-like solid on a deposition film surface by chemical bath deposition process.例文帳に追加

光電変換素子のバッファ層の製造において、化学浴析出法による析出膜表面に付着コロイド状固形物を効果的に除去する。 - 特許庁