「buffer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

An image of an eye 1 picked up by an imaging element 15 is once held in an image input buffer 16 before transferred to an image storage part 20 upon instruction from a transfer control part 30.例文帳に追加

撮像素子１５で撮影された目１の画像は、画像入力バッファ１６に一旦保持された後、転送制御部３０からの指示により、画像記憶部２０に転送される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light emitting element in a way such that a process of forming a low-temperature buffer layer before a GaInN forming process is omitted and only a high-temperature film forming process is carried out.例文帳に追加

ＧａＩｎＮ形成工程前に必要な低温バッファ層の形成工程を省略し、高温の膜形成工程のみとする方法による発光素子の製造方法。 - 特許庁

The detected output 8P and the detected output 8S of the s-polarized component stored in the buffer memory 52 are compared with each other for every two-dimensional picture element (bits) to detect the presence or absence of an error.例文帳に追加

その検出出力８Ｐとバッファメモリ５２に蓄えられたｓ偏光成分の検出出力８Ｓとを２次元データの画素（ビット）ごとに比較してエラーの有無を検出する。 - 特許庁

Each flow-controlled virtual channel has a virtual channel buffer allocated to each of the physical communication links to store a packet containing information transmitted among the processing element nodes.例文帳に追加

フロー制御された仮想チャネルは、処理要素ノード間において転送されるべき情報を含むパケットを格納するため、各物理通信リンクに対して割当てられた仮想チャネルバッファを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high reliability of a solder layer which bonds a buffer plate for mitigating thermal stress and distortion between a semiconductor element and a metal electrode layer, with the metal electrode layer.例文帳に追加

半導体素子と金属電極層との間の熱応力や歪みを緩和する緩衝板を金属電極層と接合する半田層の信頼性が高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the organic photoelectric conversion element, a polymerized layer formed using a mixture containing a polymer or oligomer having one or more polymerizable substituents is used as a buffer layer 4.例文帳に追加

有機光電変換素子において、バッファ層４を、１つ以上の重合可能な置換基を有するポリマー又はオリゴマーを含む混合物を用いて形成された重合層とする。 - 特許庁

To achieve a spin polarized electron generating element having high spin polarization degree and external quantum efficiency while providing flexibility in selecting materials of a substrate, a buffer layer, and a distorted superlattice layer.例文帳に追加

基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。 - 特許庁

The sample-hold circuit 20 includes: a switch element 21 for sampling an input signal Vin; the capacitive element 22 for holding the sampled input signal with a charging voltage of Vc=Vin-Vce; and a buffer amplifier 23 for applying impedance conversion to the input signal Vin=Vc+Vce held in the capacitive element 22 and providing an output.例文帳に追加

サンプル・ホールド回路２０は、入力信号Ｖｉｎをサンプリングするスイッチ素子２１と、サンプリングされた入力信号ＶｉｎをＶｃ＝Ｖｉｎ−Ｖｃｅの充電電圧でホールドするコンデンサ素子２２と、コンデンサ素子２２にホールドされた入力信号Ｖｉｎ＝Ｖｃ＋Ｖｃｅをインピーダンス変換して出力するバッファアンプ２３とを有している。 - 特許庁

This smoke detector for controlling a light emitting element for smoke detection is provided with a reference potential generation circuit for generating a predetermined reference potential; a buffer circuit for reducing the output impedance of the reference potential generation circuit and a constant current supply circuit for supplying constant currents corresponding to a potential to be output by the buffer circuit to the light emitting element.例文帳に追加

煙検出用の発光素子を制御する煙感知器において、所定の基準電位を発生する基準電位発生回路と、上記基準電位発生回路の出力インピーダンスを小さくするバッファ回路と、上記バッファ回路が出力する電位に応じた定電流を上記発光素子に供給する定電流供給回路とを有する煙感知器である。 - 特許庁

A transfer control circuit 152 reads image element data from a selected pattern image data area in a CGROM 142 according to a selected pattern read command, writes them in the selected pattern data buffer 155A of a VRAM 155, also reads image element data from a common pattern image data area in the CGROM 142 according to a common pattern read command and writes them in a pattern array data buffer 155B.例文帳に追加

転送制御回路１５２は、選択図柄読出コマンドに応じてＣＧＲＯＭ１４２における選択図柄画像データエリアから画像要素データを読み出して、ＶＲＡＭ１５５の選択図柄データバッファ１５５Ａに書き込む一方で、共通図柄読出コマンドに応じてＣＧＲＯＭ１４２における共通図柄画像データエリアから画像要素データを読み出して、図柄配列データバッファ１５５Ｂに書き込む。 - 特許庁

Each of the first and second magnetic shield layered structures 16A and 16B includes a magnetic shield film composed of a magnetic material and covering the semiconductor element 12 and a buffer film disposed between the semiconductor element 12 and the magnetic shield film and preventing diffusion of the magnetic material.例文帳に追加

第一および第二の磁気シールド積層構造１６Ａおよび１６Ｂは、いずれも、半導体素子１２を被覆する磁性体からなる磁気シールド膜および半導体素子１２と磁気シールド膜との間に介在し磁性体の拡散を防止するバッファ膜とを有する。 - 特許庁

A buffer unit 21 is provided with a first main surface 21a and a second main surface 21b while the first main surface 21a is arranged so as to be contacted with the second main surface 12b of the varistor element 12.例文帳に追加

バッファ部２１は、第１の主面２１ａと第２の主面２１ｂとを有しており、第１の主面２１ａがバリスタ素体１２の第２の主面１２ｂと接するように配置されている。 - 特許庁

The light receiving element is made by forming an n-InP buffer layer 102, an n-InGaAs optical absorption layer 103, and an n-InP window layer 104 in sequence on an InP substrate 101.例文帳に追加

本発明に係る受光素子は、ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１０２、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４が順次形成されている。 - 特許庁

A response message presenting part presents the response messages little by little from a buffer in an active state to each of the channel-categorized users with a pace understandable by the user asynchronously with user utterance by element units.例文帳に追加

応答メッセージ提示部は、活動状態のバッファからチャンネル別のユーザそれぞれに対して、応答メッセージを要素単位でユーザ発言とは非同期にユーザに理解できるペースで少しずつ提示する。 - 特許庁

A photoelectric element 10 includes a light absorption layer 16 that is a p-type semiconductor layer, a buffer layer 18, and a window layer 20, which are provided in this order.例文帳に追加

ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備え、光吸収層１６、バッファ層１８及び窓層２０がこの順に設けられている光電素子１０。 - 特許庁

In the plate-shaped substrate for forming semiconductor element, a main semiconductor region 4 composed of a nitride-based compound semiconductor for light emitting diode is provided on a silicon substrate 2 through a buffer region 3 composed of a nitride-based compound semiconductor.例文帳に追加

シリコン基板２の上に窒化物系化合物半導体から成るバッファ領域３を介して発光ダイオード用の窒化物系化合物半導体から成る主半導体領域４を設ける。 - 特許庁

To prevent stress from being applied to a motor and a power element by determining the abnormality of a PWM command signal by comparing digital comparators and by prohibiting an output from a buffer circuit.例文帳に追加

本発明は、ＰＷＭ指令信号の異常をディジタルコンパレータの比較により判定し、バッファ回路からの出力を禁止して、モータ及びパワー素子へのストレス付加を防止することを目的とする。 - 特許庁

The delay time adjustment element 121 delays an input signal for the delay time corresponding to the delay adjustment quantity stored in the delay time memory cell 111 and outputs the input signal to an output buffer 161.例文帳に追加

遅延時間調整素子１２１は、遅延時間記憶素子１１１に記憶された遅延調整量に応じた遅延時間で入力信号を遅延し、出力バッファ１６１へ出力する。 - 特許庁

To perform all deposition processes from a process of a buffer layer to that of a translucent conductive layer by a liquid phase method, in the manufacturing method of a CI(G)S group photoelectric conversion element.例文帳に追加

ＣＩ（Ｇ）Ｓ系光電変換素子の製造方法において、バッファ層の成膜工程から透光性導電層の成膜工程までの全ての成膜工程を液相法により実施する。 - 特許庁

The pulse signal Pd0 outputted from a system control circuit 35 to control a light emitting element (LD) is once given to the LD buffer circuit provide in the CCD drive circuit 30.例文帳に追加

システムコントロール回路３５から発光素子（ＬＤ）を制御するために出力されるパルス信号Ｐｄ０を一旦ＣＣＤ駆動回路３０内に設けられたＬＤバッファ回路に入力する。 - 特許庁

To provide a thin-film laminate that has a buffer layer having a function for forming an epitaxial ferroelectric thin film with an excellent crystallizability on an Si substrate, and a ferroelectric thin-film element.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に結晶性の良好なエピタキシャル強誘電体薄膜を形成させうる機能を持つバッファ層を備える薄膜積層体および強誘電体薄膜素子を提供する。 - 特許庁

Each flow-uncontrolled virtual maintenance channel has a maintenance channel buffer allocated to the each of the physical communication links to store a packet for maintenance information transmitted among the processing element nodes.例文帳に追加

フロー制御されない仮想メンテナンスチャネルは、処理要素ノード間において転送されるべきメンテナンス情報のパケットを格納するため、各物理通信リンクに対して割当てられたメンテナンスチャネルバッファを有する。 - 特許庁

The motion of the piston device in the hollow cylinder is buffered by absorbing a generated force and/or converting free energy depending on a case by at least one spring buffer element.例文帳に追加

少なくとも１個のばね緩衝素子によって、発生する力を吸収し、および／または、場合によっては自由エネルギーを転換することにより、中空シリンダ内においてピストン装置の運動を緩衝する。 - 特許庁

In an element formation region 9 surrounded by the deep trench 6, a P type drain buffer region 10, a drain contact region 11 and a drift region 12 are formed in the top layer of the epitaxial layer 5.例文帳に追加

ディープトレンチ６に取り囲まれる素子形成領域９には、エピタキシャル層５の表層部に、Ｐ型のドレインバッファ領域１０、ドレインコンタクト領域１１およびドリフト領域１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a convenient memory element used for a higher-performance network system by connecting a memory which has a very wide I/O width and a plurality of buffer memories which have wide I/O widths as well on a chip.例文帳に追加

非常に幅の広いI/O幅をもったメモリとそれにチップ上で同じく広いI/O幅をもつ複数のバッファメモリを接続し、より高性能なネットワークシステムで使う便利なメモリ素子を提供する。 - 特許庁

Heat is blocked by the buffer layer 13 at the time of sealing the sealing member 14 and temperature variation before and after sealing can be prevented from having a thermal effect on the LED element 12.例文帳に追加

緩衝層１３により、封止部材１４の封止時の熱が緩衝層１３によって遮られ、ＬＥＤ素子１２による熱的影響がＬＥＤ素子１２に及ばないようにすることができる。 - 特許庁

To provide an impact tool that prolongs the lives of an intermediate element and a body by suppressing an increase in impact energy even when the thickness of a buffer material reduces owing to deformation, degradation or the like thereof.例文帳に追加

本発明は、緩衝材の変形、劣化等により緩衝材の厚みが減っても打撃エネルギーの増加を抑え、中間子及び本体の長寿命化を図る衝撃工具を提供することである。 - 特許庁

To provide a convenient memory element, in which a memory that has a very-wide I/O width and a plurality of buffer memories that have a wide I/O width similar to that of the memory are connected on a chip, to be used in a higher performance network system.例文帳に追加

非常に幅の広いI/O幅をもったメモリとそれにチップ上で同じく広いI/O幅をもつ複数のバッファメモリを接続し、より高性能なネットワークシステムで使う便利なメモリ素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device has an active region 10 including a core circuit formation region 1 and a buffer formation region 2, and a fuse element formation region which is arranged at a corner part of the active region and can electrically be blown.例文帳に追加

半導体装置は、コア回路形成領域およびバッファ形成領域を含む活性領域と、活性領域の角部に配置された電気的に溶断可能なヒューズ素子形成領域とを有する。 - 特許庁

To realize a flow control in an ATM communication network that can reduce a cell loss in a buffer in a communication element and prevent partiality as to a band utilizing rate between connections from being caused.例文帳に追加

ＡＴＭ通信網において、通信要素内のバッファでのセル損失を低減し、コネクションの間での帯域使用率について不公平が生じるのを防止できるフロー制御を実現する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another, is provided on a low- resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

The EL light source body is constituted of a buffer member arranged overlapped on a translucent support substrate 2, an EL element 1, a conductive elastic body 4, a connecting conductor 5, a pressing member 7 or the like.例文帳に追加

ＥＬ光源体は、透光性支持基板２の上に重畳して配置される緩衝部材３、ＥＬ発光素子１、導電性弾性体４、連接導体５、押圧部材７などで構成されている。 - 特許庁

On a 1st inter-layer insulating film 116 formed on the switching element, a buffer layer 117 for lattice matching between the 1st inter-layer insulating film 116 and the ferroelectric thin film is formed.例文帳に追加

スイッチング素子の上に形成された第１の層間絶縁膜１１６の上には、該第１の層間絶縁膜１１６と強誘電体薄膜との格子整合をとるバッファ層１１７が形成されている。 - 特許庁

The MPX 81 supplies the printing data supplied from the line buffer 61 via the data line 91 to heating element groups #1-#4 of a thermal head 1 via data lines 71-74, respectively.例文帳に追加

ＭＰＸ８１は、ラインバッファ６１からデータ線９１を介して供給された印刷データをデータ線７１乃至７４を介してサーマルヘッド１の各発熱体群＃１乃至＃４にそれぞれ供給する。 - 特許庁

Subsequently, a pH buffering agent is made to exist on the dielectric oxidized film by immersing the capacitor element manufactured in such a way in a phosphate buffer solution to be used as the pH buffering agent.例文帳に追加

そして、このようにして作製したコンデンサ素子をｐＨ緩衝剤として用いるリン酸塩緩衝液に浸漬することで、当該誘電体酸化皮膜上にｐＨ緩衝剤を存在させている。 - 特許庁

A buffer material is disposed between a sensor panel unit where a plurality of sensor modules having the photoelectric conversion element are arranged on a CFRP substrate and the CsI substrate 126 having the CsI layer 123.例文帳に追加

また、光電変換素子を有する複数のセンサモジュールがＣＦＲＰ基板上に配置されたセンサパネルユニットとＣｓＩ層１２３を有するＣｓＩ基板１２６との間に緩衝材を具備する。 - 特許庁

A voltage signal outputted from a signal processing circuit for processing a voltage signal of a Hall element is buffered and amplified by a buffer amplifier 65 and is transmitted to an ECU through an output terminal 41.例文帳に追加

ホール素子の電圧信号を処理する信号処理回路から出力された電圧信号がバッファアンプ６５によって緩衝増幅され、出力端子４１を通じてＥＣＵに伝送される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride semiconductor device capable of easily preparing a vertical element where current flows in the thickness direction of a substrate regardless of the resistance of a gallium nitride growth layer and a buffer layer.例文帳に追加

窒化ガリウム成長層およびバッファ層の抵抗に関係なく、基板の厚さ方向に電流が流れる縦型素子を容易に作成可能な窒化ガリウム半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element and a method of forming the same, wherein a nitride semiconductor crystal formed on a high temperature AlN buffer layer is given with good crystal quality and good reproducibility.例文帳に追加

高温ＡｌＮバッファ層上に形成される窒化物半導体結晶の結晶品質が良好なものを再現良く得ることできる窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The weight member 15 fixed to the one fixed end 10a of the bi-tuning fork type piezoelectric vibrating element 10 is supported on the bottom surface of the recessed section 5a of the fixing member 5 via the buffer member 22.例文帳に追加

そして、双音叉型圧電振動素子１０の一方の固定端部１０ａに固定された重り部材１５を、緩衝部材２２を介して固定部材５の凹陥部５ａの底面に支持するようにした。 - 特許庁

Then, photographing processing of acquiring the image from the imaging element 2 at the imaging frame rate and storing it in the memory (buffer) 9 is executed, and live view display processing of reading the images from the memory (buffer) 9 at the display frame rate, sending them out to a driver 6 and successively displaying them in a display part 7 is executed by a memory read control part 11a.例文帳に追加

そして、上記撮像フレームレートで撮像素子２から画像を取得し、メモリ（バッファ）９に格納する撮影処理を実行し、メモリ読出し制御部１１ａにより、上記表示フレームレートでメモリ（バッファ）９から画像を読み出し、ドライバ６に送出して表示部７で順次表示するライブビュー表示処理を実行する。 - 特許庁

The near-field light generating device 15 includes the waveguide 31; the buffer layer 33 disposed on the top surface 31c of the waveguide 31; the adhesion layer 38 that is formed by incompletely oxidizing a metal layer and disposed on the buffer layer 33; and the near-field light generating element 32 disposed on the adhesion layer 38.例文帳に追加

近接場光発生装置１５は、導波路３１と、導波路３１の上面３１ｃの上に配置された緩衝層３３と、金属層が不完全に酸化されて形成され、緩衝層３３の上に配置された密着層３８と、密着層３８の上に配置された近接場光発生素子３２を備えている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a buffer layer grown using a growth substrate made of ZnO and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a nitrogen polar plane; and an active layer formed on the buffer layer and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a group III polar plane.例文帳に追加

ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層と、を備える。 - 特許庁

A writing pulse generation circuit 1 consisting of a delay buffer 103, an OR gate 202, a delay buffer 104, and an OR gate 203 is prepared and the delay time D of each of the delay buffers 103, 104 is set up to a prescribed value larger than the data holding time of the storage element 4 and considering the delay amounts of respective wiring parts and elements.例文帳に追加

ディレイバッファ１０３，ＯＲゲート２０２，ディレイバッファ１０４，ＯＲゲート２０３からなるライトパルス生成回路１を設け、ディレイバッファ１０３，１０４のそれぞれの遅延時間Ｄを記憶素子４のデータホールドタイムより大きく、然も、各部の配線及び素子における遅延量を考慮した所定値に設定する。 - 特許庁

In the thin film EL element, a lower electrode layer 2, lower insulating layer 3, first buffer layer 51, luminous layer 4, second buffer layer 52, upper insulating layer 6, and upper electrode layer 7 are laminated in order on a glass substrate 1, and the El emission from the luminous layer 4 is output through the glass substrate 1.例文帳に追加

この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、第１バッファ層５１、発光層４、第２バッファ層５２、上部絶縁層６および上部電極層７を順次積層することにより形成されており、発光層４からのＥＬ発光はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁