「buffer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The light emitting element comprises a sapphire substrate 1, an oxygen-containing layer 4 made of an oxygen-containing nitride located on the sapphire substrate 1 and a third buffer layer 5 made of a nitride semiconductor located on the oxygen-containing layer 4.例文帳に追加

サファイア基板１と、前記サファイア基板１上に位置するとともに酸素が含有された窒化物からなる酸素含有層４と、前記酸素含有層４上に位置する窒化物系半導体からなる第３バッファ層５とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A light receiving element of an image pickup section 18 placed corresponding to a color filter of a color separation filter CF of a digital still camera 10 receives a light, an A/D converter section 20 converts an obtained image pickup output into image digital data and a buffer memory 22 stores the image data.例文帳に追加

ディジタルスチルカメラ10は、色分解フィルタCFの色フィルタに対応して配設されている、撮像部18の受光素子で受光し、得られた撮像出力をA/D 変換部20手段でディジタル信号の画像データに変換し、バッファメモリ22に画像データを記憶する。 - 特許庁

A positive electrode buffer layer 8 which the organic EL element 1 comprises is formed by changing a polysiloxane derivative into SiO_2 by irradiating ultraviolet rays on the coating film of the polysiloxane derivative obtained by the plasma polymerization of a precursor (monomer).例文帳に追加

この有機ＥＬ素子１が有する陽極バッファ層８は、前駆体（モノマー）をプラズマ重合して得られたポリシロキサン誘導体の被膜に、紫外線を照射することにより、ポリシロキサン誘導体をＳｉＯ_２に変化させて形成されたものである。 - 特許庁

To obtain a buffer circuit of a source follower type capable of reducing the space factor of a boosting power source circuit by reducing places using boosting power voltage at the linear sensor part of a solid-state image pickup element to reduce a boosting power stabilizing capacity.例文帳に追加

固体撮像素子のリニアセンサ部分で、昇圧電源電圧が使用される箇所を減らし、昇圧電源安定化容量を小さくし、もって昇圧電源回路の占有面積が縮小できるソースフォロア型バッファ回路を提供する。 - 特許庁

This gas supply device for supplying a gas (fuel gas, air and the like) particularly to a combustion device and the like, uses the buffer tank 2 and a pressure loss element 3, and the pulsation of the gas 10 through the pulsation of a blower 1 can be effectively reduced.例文帳に追加

特に燃焼装置等にガス（燃料ガスや空気など）を供給するガス供給装置において、バッファタンク２と圧損要素３とを使用し、ブロア１の脈動によるガス１０の脈動を効果的に低減できるガス供給装置である。 - 特許庁

The image data for continuous two arrays of the image data for three arrays used in the recording element arrays are read out at a unit of a block from the transfer buffer, and which row of the image data is used is selected from the inclination information.例文帳に追加

前記転送バッファから、ブロックの単位で、前記記録素子列で使われる３列分の画像データのうち連続する２列分の画像データを読み出し、前記傾き情報に基づいて、いずれの列の画像データを用いるかを選択する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which has a buffer layer formed on a semiconductor substrate when necessary and also has a semiconductor layer formed by stacking an n-type or p-type lower semiconductor layer, a light emitting layer and a p-type or n-type upper semiconductor layer, the semiconductor light emitting element having high light emission efficiency for a specified wavelength.例文帳に追加

半導体基板上に、必要に応じて緩衝層を形成し、ｎ型又はｐ型の下側半導体層と、発光層と、ｐ型又はｎ型の上側半導体層とを積層してなる半導体層を持つ半導体発光素子において、特定の波長に対して高い発光効率を有する半導体発光素子を提供することにある。 - 特許庁

In this optical waveguide element constituted by forming a branch interference type optical waveguide and a modulating electrode positioned near the branch interference type optical waveguide on a crystal substrate having electro-optic effect, a buffer layer formed between the crystal substrate and the modulating electrode is an optical waveguide element comprising a highly dielectric material layer.例文帳に追加

電気光学効果を有する結晶基板上に、分岐干渉型光導波路およびこの分岐干渉型光導波路の近傍に位置する変調電極を形成して構成される光導波路素子において、前記結晶基板と変調電極との間に形成されるバッファ層は高誘電体層からなる光導波路素子とする。 - 特許庁

A semiconductor device or a radiographic imaging apparatus for bonding the substrate, having a semiconductor element or a conversion element and the support member via the bonded member has a gap between the substrate of a region, including the electrical connection part connected to at least the electrical component and the support member and has a buffer member in the gap.例文帳に追加

半導体素子または変換素子を有する基板と支持部材とが貼り合わせ部材を介して接着されてなる半導体装置または放射線撮像装置において、少なくとも電気部品が接続された電気接続部を含む領域の基板と支持部材との間に間隙を有し、間隙に緩衝部材を有することを特徴とする。 - 特許庁

This output buffer has a pull-up element for pulling up an output terminal to first power supply voltage at the time of turn-on, and a pull-down element for pulling down the output terminal to second power supply voltage that is at a level lower than the first power supply voltage at the time of the turn-on.例文帳に追加

出力バッファは、ターンオン時に出力端子を第１電源電圧にプルアップするためのプルアップ素子(MPU)と、ターンオン時に出力端子を第１電源電圧より低いレベルの第２電源電圧にプルダウンするためのプルダウン素子(MPD)と、待機モードではプルアップ素子及び、プルダウン素子(MPD)をターンオフ状態に維持して出力端子をハイインピーダンス状態に維持する。 - 特許庁

A BSR (buffer status report) MAC control element generation part 115 generates a BSR MAC control element for reporting to a base station the transmittable data amount that is derived from a transmittable data amount notification inputted from a memory usage amount management part 106 and a transmittable data amount notification inputted from a memory usage amount management part 111.例文帳に追加

ＢＳＲ ＭＡＣコントロール・エレメント生成部１１５は、メモリ使用量管理部１０６から入力した送信可能データ量通知と、メモリ使用量管理部１１１から入力した送信可能データ量通知とから求めた送信可能なデータ量を基地局に報告するためのＢＳＲ ＭＡＣ ｃｏｎｔｒｏｌ ｅｌｅｍｅｎｔを生成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the III nitride semiconductor light- emitting element having the high light-emitting intensity comprises the step of providing the light-emitting part having a barrier layer made of the III nitride semiconductor, containing nitrogen(N) and a group V element other than nitrogen and a light-emitting layer via a buffer layer on the Si substrate and having superior crystallinity of a lattice-matching heterojunction structure.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に緩衝層を介して、窒素（Ｎ）と窒素以外の第Ｖ族元素とを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる障壁層と発光層とからなる格子整合系のヘテロ接合構造の結晶性に優れる発光部を設けることにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

The driving circuit for a display which has display elements arrayed in rows and/or columns is provided with a means for selecting the individual display elements or a display element group and also provided with buffer circuits for buffering driving signals, in which supply voltages to 1st and 2nd buffer circuits are sequentially and independently selectable.例文帳に追加

行及び／又は列状に配列されたディスプレイ素子を有するディスプレイ用の駆動回路であって、個々のディスプレイ素子又はディスプレイ素子グループを選択するための手段が設けられており、駆動信号を緩衝するためにバッファ回路が設けられている形式のものにおいて、第１及び第２のバッファ回路に対する供給電圧が順次、独立して選択可能である、ことを特徴とする駆動回路 - 特許庁

The piezoelectric element 100 includes a substrate 10, a first conductive layer 20 provided on the substrate 10, the piezoelectric layer 30 covering an upper part and a side part of the first conductive layer 20, the buffer layer 40 provided on an upper surface 32 of the piezoelectric layer 30 and provided along an edge of the upper surface 32, and the second conductive layer 50 for covering at least the buffer layer 40 and the piezoelectric layer 30.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に設けられた第１導電層２０と、第１導電層２０の上方および側方を覆う圧電体層３０と、圧電体層３０の上面３２に設けられ、上面３２の端に沿って設けられた緩和層４０と、少なくとも緩和層４０、および圧電体層３０を覆う第２導電層５０と、を含む。 - 特許庁

The surface acoustic wave element is provided with a silicon substrate 1, a buffer layer 3 formed by epitaxial growth of at least one layer of oxide containing a metal on the silicon substrate 1, a piezoelectric layer 4 consisting of potassium niobate and formed on the buffer layer 3, a silicon oxide layer 5 formed on the piezoelectric layer 4, and an electrode layer 6 formed on the silicon oxide layer 5.例文帳に追加

本発明の表面弾性波素子は、シリコン基板１と、該シリコン基板１上に、金属を含む酸化物を少なくとも一層以上エピタキシャル成長させて形成されたバッファ層３と、該バッファ層３上に形成されたニオブ酸カリウムからなる圧電体層４と、該圧電体層４上に形成された酸化シリコン層５と、該酸化シリコン層５上に形成された電極層６とを備えた構成とされている。 - 特許庁

To reduce power consumption by lessening an area supplied to layout of an output stage of a drive signal by being applied to a flat display device by an organic EL element for instance, concerning a buffer circuit, a circuit for driving a display device and the display device.例文帳に追加

本発明は、バッファ回路、ディスプレイ装置の駆動回路、ディスプレイ装置に関し、例えば有機ＥＬ素子によるフラットディスプレイ装置に適用して、駆動信号の出力段のレイアウトに供する面積を小さくして消費電力を低減することができるようにする。 - 特許庁

To provide a flash memory element which is increased in data loading speed in a page buffer by selecting data input via an IO pad to make only a desired data bus active, and prevents a power loss by reducing current consumption by an excess current.例文帳に追加

ＩＯパッドを介して入力されるデータを選択してプログラムを希望するデータパスだけをアクティブさせて、ページバッファへのデータロード速度を改善し、過度電流により電流消費を低減して電力損失を防止できるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

An input protection circuit 2 disclosed herein for a differential amplifier circuit 1 includes a nonlinear element 22 and a buffer 21 whose amplification factor is the unity, which are connected in series between a noninverting input terminal IN (+) and an inverting input terminal IN (-) of the differential amplifier circuit 1.例文帳に追加

差動増幅回路１の入力保護回路２であって、前記差動増幅回路１の一方の正入力端子ＩＮ（＋）と他方の負入力端子ＩＮ（−）との間で、それぞれが直列に接続される非線形素子２２と１倍バッファ２１とを備える - 特許庁

To provide a noise elimination circut whose its occupied are and power consumption are reduced, no buffer circuit is required for an output of a solid-state image pickup element, the time constant can easily be set to a proper value and a reset noise can sufficiently be eliminated.例文帳に追加

占有面積と消費電力を小さくでき、固体撮像素子の出力にバッファ回路が不要で、時定数が容易に最適な値に設定可能でリセット雑音を充分に除去することができる、固体撮像素子用雑音除去回路を提供する。 - 特許庁

Thus, the internal space 163a of the valve box 163 can be served as a buffer because the internal space 163a of the valve box 163 is larger, when low pressure fluid is introduced from the upstream side of a first compression element into the internal space 163a of the valve box 163.例文帳に追加

このため、弁箱１６３の内部空間１６３ａに、第１圧縮要素の上流の低圧流体が導入されたとき、弁箱１６３の内部空間１６３ａは大きいため、弁箱１６３の内部空間１６３ａをバッファとして兼用できる。 - 特許庁

The buffer system includes a multi-purpose memory constitution element 32 which not only buffers information transferred between a peripheral storage device and a host computer system, but also stores a scratch pad accessible by a controller processor 52 and/or instructions.例文帳に追加

バッファシステムは、周辺記憶装置とホストコンピュータシステム４間で転送される情報をバッファするためだけでなく、コントローラプロセッサ５２によりアクセス可能なスクラッチパッドおよび／または命令の格納に使用するようにすることができる多目的メモリ構成要素３２を含んでいる。 - 特許庁

To provide an organic EL light emitting device preventing a stress concentration in an edge part of a buffer layer or a base layer of a gas barrier layer, improving dampproofing of the gas barrier layer, having no deterioration of light emission characteristics due to water invasion into an organic EL element, and having a high reliability.例文帳に追加

ガスバリア層の下地層である緩衝層の縁部における応力集中を防止して、ガスバリア層の防湿性を向上させ、有機ＥＬ素子への水分浸入による発光特性の劣化がなく、信頼性の高い有機ＥＬ発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric or an antiferroelectric liquid crystal display element capable of adjusting cell gaps of a plurality of liquid crystal cells in a lump without frequently exchanging buffer materials and consequently capable of manufacturing the same at a low cost.例文帳に追加

複数の液晶セルのセルギャップの一括調整を、緩衝材を頻繁に交換すること無く行なうことができ、したがって、強誘電性または反強誘電性液晶表示素子を低コストに製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion element comprises a central electrode formed as a conductive thin wire, organic semiconductor layers laminated on the outer peripheral surface of the central electrode, and an outer buffer layer formed as a transparent conductive adhesive laminated on the outer peripheral surface of the organic semiconductor layer.例文帳に追加

光電変換素子が、導電細線からなる中心電極と、中心電極の外周面に積層した有機半導体層と、有機半導体層の外周面に積層した透明な導電性接着剤からなる外側バッファ層とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor element, an AlGaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an n-type InGaN crack preventing layer 5, an n-type AlGaN clad layer 6, an MQW active layer 7, and a p-type AlGaN clad layer 8 are successively on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡｌＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８が順に形成されている。 - 特許庁

An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.例文帳に追加

発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。 - 特許庁

To provide impact-resistant structure constituted not to transmit impact acceleration to internal structure, regardless of the deformation quantity of a buffer element and the frequency characteristic of impact load when external structure having the internal structure receives the impact load from the outside.例文帳に追加

内部構造を有する外部構造が外から衝撃荷重を受けたときに、緩衝要素の変形量とその衝撃荷重の周波数特性に関わらずその内部構造に衝撃加速度を伝えないように構成した耐衝撃構造を提供すること。 - 特許庁

On the wiring boards 100 and 200, a selector 2 selecting signals to be inputted to the CLK input terminal 1a of the clock driver 1, a buffer circuit 3 constituting the control circuit of the selector 2, a delay element 4 and resistor components R1-R3 are loaded.例文帳に追加

配線基板１００、２００には、クロックドライバ１のＣＬＫ入力端子１ａに入力される信号を選択するセレクタ２と、セレクタ２の制御回路を構成するバッファ回路３、遅延素子４および抵抗部品Ｒ１〜Ｒ３が搭載されている。 - 特許庁

Accordingly, since the nitride semiconductor grown on the buffer layer can be formed with small polarization or without polarization, the nitride semiconductor growth substrate suitable for formation of a light emitting element assuring higher light emitting efficiency and the manufacturing method of the same substrate can be realized.例文帳に追加

これにより、バッファ層の上に成長させた窒化物半導体は分極が小さく、あるいは、分極なしに形成できるので、発光効率の高い発光素子を形成するのに適した窒化物半導体成長基板及びその製造方法が可能となる。 - 特許庁

As a result, the N-type clad layer 6, the MQW active layer 7 and the P-type clad layer 8 are grown only on the respective buffer layers 5, and an element isolation groove 4 for separating the respective semiconductor light-emitting elements 3 is of necessity formed between them.例文帳に追加

その結果、各バッファ層５上のみに、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８を成長させることができ、各半導体発光素子３間に、それらを分離するための素子分離溝４が必然的に形成される。 - 特許庁

To provide an image pickup device that is made advantageous from the standpoint of a mounting area and a cost by simplifying synchronizing signal wires even when the number of drive circuits is increased, stably operating them and eliminating the need for a relay use buffer and a crystal oscillator/ oscillating element.例文帳に追加

駆動回路の数が増えても同期信号線の配線を簡単にし、且つ、安定した動作をさせるとともに中継用のバッファや水晶発振器／発振子などを削減でき、実装面積的にもコスト的にも有利な撮像装置を提供する。 - 特許庁

When the output section outputs the data read out from the buffer memory to the device of the succeeding stage, the section outputs the data in order from the line close to the picture origin of the picture data after the data are rotated based on a set rotational angle and the picture element close to the picture origin (step Sa4).例文帳に追加

バッファメモリから読み出した画像データを後段の装置に出力する際、設定された回転角度に基づく回転後の画像データの画像原点に近いラインから順番に、かつ画像原点に近い画素から順番に出力している（ステップＳａ４）。 - 特許庁

The nitride single crystal of high quality is grown on the silicon substrate 31 using the buffer layer containing Si and Ge, thereby manufacturing the nitride semiconductor light emitting element having silicon substrate in place of an expensive sapphire substrate or an SiC substrate.例文帳に追加

シリコン基板３１上にＳｉとＧｅを含んだバッファ層を利用して高品質窒化物単結晶を成長させることにより、高価なサファイア基板またはＳｉＣ基板を代替してシリコン基板を含んだ窒化物半導体発光素子を製造することができる。 - 特許庁

In the semiconductor switching element 1, an N-type reduced surface field region 302 is formed in a semiconductor substrate 301, and a P-type collector region 303a, an N-type drain region 306b and an N-type buffer region 314 are formed in the reduced surface field region 302.例文帳に追加

半導体スイッチング素子１において、半導体基板３０１内にはＮ型リサーフ領域３０２が設けられており、リサーフ領域３０２内にはＰ型コレクタ領域３０３ａとＮ型ドレイン領域３０６ｂとＮ型バッファ領域３１４とが設けられている。 - 特許庁

After a reset level in the input signal of the solid-state image pickup element 1 receiving the prescribed operating level is clamped to the prescribed level Vref, the level is sampled and held by a sample-hold circuit consisting of the MOS TR4 and the capacitor C4 via the buffer circuit 12.例文帳に追加

所定の動作電位を与えられた固体撮像素子１の出力信号中のリセット電位は所定の電位Ｖｒｅｆにクランプされた後、バッファ回路１２を経て、ＭＯＳトランジスタＴＲ４と容量Ｃ４で構成されるサンプリングホールド回路でサンプルホールドされる。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based semiconductor layer which solves the problem that can not make a GaN based semiconductor layer having a uniform orientation sufficiently stable even if forming a group III GaN nitride semiconductor layer on a sapphire substrate through a low temperature buffer layer, its manufacturing method, a compound semiconductor element using it, and a luminous element thereof.例文帳に追加

サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系III族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子を提案する。 - 特許庁

The photography exposure by the light receiving element 50 is performed by overlapping time with the transmission of charge from the buffer memory 53 to the vertical transmission path 54 or the vertical transmission of charge by the vertical transmission path 54 and the horizontal transmission of charge by a horizontal transmission path 55, thus reducing photographing time.例文帳に追加

バッファメモリ５３から垂直転送路５４への電荷の転送、又は垂直転送路５４による電荷の垂直転送、水平転送路５５による電荷の水平転送と時間を重複して、受光素子５０による撮影露光を行うことで、撮影時間及び撮影時間を短縮する。 - 特許庁

The element also comprises a buffer layer 6 provided between the layer 3 and the layer 9, and since the light emitted from the layer 3 to an electrode 14 side is reflected to the substrate 1 side by the layer 6, the retrieving efficiency of the light from the substrate 1 side can be enhanced.例文帳に追加

又、第１発光層３と第２発光層９との間にはバッファ層６が設けられ、このバッファ層６により第１発光層３から電極１４側に発光された光が基板１側に反射されるので、基板１側からの光の取り出し効率を高めることができる。 - 特許庁

To prevent the increase in DC drift of an optical waveguide element in which opening part formed by etching a buffer layer and exposing the primary face of a substrate is located at least between electrodes on which a DC bias is applied for the purpose of controlling an operating point.例文帳に追加

バッファ層をエッチングして基板の主面を露出することにより形成される開口部が、少なくとも動作点制御のためにＤＣバイアスが印加される電極を構成する電極間に位置する構造を有する光導波路素子の、ＤＣドリフトの増大を防止する。 - 特許庁

An amplifier circuit 3 comprises: a buffer amplifier transistor Tr1; an oscillation transistor Tr2; bias resistors R1 to R4; capacitors C4 to C7; bypass capacitors C1, C3, a coupling capacitor C2; a choke coil SL1; a resonance capacitor C8; and a resonance inductor SL3 acting as an inductive element.例文帳に追加

増幅回路３は、緩衝増幅用トランジスタＴｒ１と、発振用トランジスタＴｒ２と、バイアス抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、コンデンサＣ４〜Ｃ７と、バイパスコンデンサＣ１，Ｃ３と、結合コンデンサＣ２と、チョークコイルＳＬ１と、共振用コンデンサＣ８と、インダクタンス素子である共振用インダクタＳＬ３とで構成されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a main transistor 30 for switching between an ON state and an OFF state in response to a control signal; and a buffer element 40 for controlling the ON state and the OFF state of the master transistor 30 by switching the control signal to high level or low level in accordance with a current value flowing in the master transistor 30.例文帳に追加

制御信号に応じてオン状態とオフ状態を切り替える主トランジスタ３０と、主トランジスタ３０に流れる電流値に応じて制御信号をハイレベル又はローレベルに切り替えて主トランジスタ３０のオン状態とオフ状態とを制御するバッファ素子４０と、を備える。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor light-emitting element comprises: a sapphire substrate 10 on which an uneven shape is formed; and an n-type layer, a light-emitting layer, and a p-type layer that are sequentially stacked on a surface of the sapphire substrate 10 at the uneven shape side via a buffer layer and are composed of a group III nitride semiconductor.例文帳に追加

実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子は、凹凸形状が形成されたサファイア基板１０と、サファイア基板１０の凹凸形状側表面上に、バッファ層を介して順に積層された、III 族窒化物半導体からなるｎ型層、発光層、ｐ型層と、を有している。 - 特許庁

The trimmer is equipped with a buffer element 13 of wool felt or the like between eccentric cams 6 and 7 and a blade holder 11 not to directly contact the eccentric cams 6 and 7 with the blade holder 11 and so causes no noise generated by the eccentric cams 6 and 7 and the blade holder 11 and, thereby, the trimmer is improved to decrease noise.例文帳に追加

偏心カム６,７とブレ−ドホルダ１１の間に羊毛フェルト等の緩衝部材１３を設け、偏心カム６,７とブレ−ドホルダ１１が直接接触させないようにすることにより、偏心カム６,７とブレ−ドホルダ１１の衝突音を無くし、刈込機の低騒音化を図る。 - 特許庁

To provide a new heterohelicene which is used as various materials, for example as a molecular recognition material, and in addition, which is expected to be applied to various optical devices such as an organic EL element, a fluorescent material, an organic buffer layer component, a nonlinear optical material and so on, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

各種の材料、例えば分子認識の材料として用いられる他、有機ＥＬ素子、蛍光材料、有機バッファ層構成材料、非線形光学材料などの各種の光学デバイスなどに応用することが期待される、新規なヘテロヘリセン、及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The alternating voltage is supplied to the transmission electrode and auxiliary electrode from the buffer circuit via different wires, and only the current flowing through the transmission electrode is detected by a current detecting resistance element, so that the detection precision of the detected object can be improved.例文帳に追加

本発明によれば、異なる配線を介してバッファ回路から送信電極および補助電極に交流電圧を供給し、送信電極を流れる電流のみを電流検出抵抗素子で検出するので、被検出物の検出精度を向上させることができる。 - 特許庁