「buffer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce deformation of a piezoelectric vibration element and frequency draft resulted therefrom caused by the temperature change of a sensor or a buffer solution, or a variety of another reasons in a QCM sensor which detects the amount of adsorbed material on the surface of the piezoelectric vibration element from the change of the resonance frequency of the piezoelectric vibration element.例文帳に追加

圧電振動子の共振周波数の変化から当該圧電振動子表面への物質の吸着量を検出するＱＣＭセンサーにおいて、センサーあるいはバッファー溶液の温度変化や、その他さまざまな原因によってもたらされる圧電振動子の変形および、その結果もたらされる周波数ドリフトを低減することにある。 - 特許庁

The metamorphic buffer layer 20 on a base body 1 has its extension area 20R formed outside a formation part for a semiconductor element across an inter-element separation groove 41 to reduce a substantial step between the semiconductor element and another part adjacent thereto, thereby improving reliability of an insulating layer, a wire, etc., against the stepping.例文帳に追加

基体１上のメタモルフィックバッファ層２０を、素子間分離溝４１を挟んで半導体素子の形成部の外側に、メタモルフィックバッファ層２０の延在領域２０Ｒを形成して、半導体素子部と、これに隣接する他部との実質的段差の緩和を図って、この段差に基づく絶縁層、配線等の信頼性の向上を図るものである。 - 特許庁

The near-field light generator for generating near-field light from light emitted from an optical element to a plasmon probe is constructed in such a manner that the optical element is made of silicon, the plasmon probe is made of gold, and a buffer layer is formed between the optical element and the plasmon probe to prevent a eutectic phenomenon between the silicon and the gold.例文帳に追加

光学素子からプラズモンプローブに照射した光から近接場光を発生する近接場光発生器において、光学素子の材質はシリコン、プラズモンプローブの材質は金であり、光学素子と前記プラズモンプローブとの間に、シリコンと金の共晶現象を防止するバッファ層を形成したことを特徴とする近接場光発生器。 - 特許庁

This display apparatus comprises a thin film transistor formed on a substrate material; a picture element electrode connected electrically with the thin film transistor and having a first maximum roughness; a buffer layer formed on the picture element electrode and having a second maximum roughness less than the first maximum roughness; and an organic light emitting layer formed on the buffer layer.例文帳に追加

本発明による表示装置は、基板素材の上に形成されている薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、第１最大粗度を有する画素電極と；前記画素電極の上に形成されており、前記第１最大粗度より小さい第２最大粗度を有するバッファー層と；前記バッファー層の上に形成されている有機発光層とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A stress-relaxing layer 20, comprising a buffer part 21 and a conductive part 22, consisting of nickel layer (conductive layer) 24 and a solder layer 23 and electrically connects an emitter electrode 25 to a circuit side electrode, is provided on the emitter electrode (element-side electrode) 25 on a semiconductor element 10.例文帳に追加

半導体素子１０上のエミッタ電極（素子側電極）２５の上に、緩衝部２１および、ニッケル層（導電性層）２４と半田層２３とからなる導電部２２を有し、エミッタ電極２５と回路側電極とを電気的に接続する応力緩和層２０が設けられている。 - 特許庁

To provide an organic EL (electroluminescent) element restrained or reduced in driving voltage rise due to damage to an organic EL layer in forming an upper electrode by a high-energy film formation method, in an organic EL element including a buffer layer containing a phthalocyanine compound, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

フタロシアニン化合物を含有するバッファ層を含む有機ＥＬ素子において、高エネルギー成膜法による上部電極の形成の際の有機ＥＬ層へのダメージによる駆動電圧上昇を抑制または低減化した有機ＥＬ素子及びその製造を提供すること。 - 特許庁

To prevent exfoliation of a near-field light generating element, and to suppress a drop in use efficiency of light propagating via a waveguide resulting from an adhesion layer, in a near-field light generating device having the near-field light generating element disposed above the waveguide with a buffer layer and the adhesion layer interposed therebetween.例文帳に追加

導波路上に緩衝層および密着層を介して近接場光発生素子が配置された構成の近接場光発生装置において、近接場光発生素子の剥離を防止し、且つ導波路を伝播する光の利用効率の、密着層に起因した低下を抑制する。 - 特許庁

This photoelectric conversion device 10 includes: a light-absorbing layer 3 containing a I-III-VI compound semiconductor, and having a part where a molar ratio of a group I-B element to a group III-B element is smaller on one principal surface side than that on the other principal surface side; and a buffer layer 4 formed on the one principal surface.例文帳に追加

光電変換装置１０は、Ｉ-III-VI化合物半導体を含み、Ｉ-Ｂ族元素のIII-Ｂ族元素に対するモル比が他方主面側よりも一方主面側において小さい部分を有する光吸収層３と、前記一方主面上に設けられたバッファ層４と、を具備する。 - 特許庁

The delay elements 421-42n delay an input signal by a delay decided by voltages VC1, VC2 received from terminals 453, 454 and output the delayed signal to a delay element of a next stage and the dummy buffers 441, 442, etc., or the delay element of the next stage and the output buffer 450.例文帳に追加

遅延素子４２１〜４２ｎは、端子４５３，４５４から入力される電圧ＶＣ１，ＶＣ２によって決定される遅延量だけ入力信号を遅延させて、次段の遅延素子およびダミーバッファ４４１，４４２，・・・、または次段の遅延素子および出力バッファ４５０へ出力する。 - 特許庁

The ice-melting and snow-melting/ice and snow accretion prevention means is provided with a heating element 6 of three layer structure, the heating element laminating a buffer layer (S_iOx film), an ultraviolet absorbing layer (ZnO film) also serving as a heat generation layer, and a hard coat layer (SiO_xfilm) in order on a lens base body (polycarbonate).例文帳に追加

融氷融雪・着氷着雪防止手段は、レンズ基材（ポリカーボネート）上に順次バッファ層（ＳｉＯ_Ｘ膜）、発熱層を兼ねた紫外線吸収層（ＺｎＯ膜）、およびハードコート層（ＳｉＯ_Ｘ膜）を積層した３層構造の発熱体６を設けたことである。 - 特許庁

To provide a solenoid-operated valve system and a control method thereof, capable of gently seating a valve element with a small power consumption by effectively utilizing spring tension in a deceleration direction by a spring holding the valve element, without using deceleration by electromagnetic force and a buffer spring.例文帳に追加

電磁力による減速や緩衝ばねを使用することなく、弁体を保持しているばねによる減速方向のばね力を効果的に利用することで、少ない消費電力で弁体を緩やかに着座させることができる電磁式動弁およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

This drive/protective device detects an amount of a time change of a gate voltage VGE of the switch element Q1, detects an amount of time change of an input terminal voltage in the buffer circuit 2, and detects a gate short circuit fault of the switch element Q1 based on these detected amounts of the voltage time changes.例文帳に追加

駆動・保護装置は、スイッチ素子Ｑ１のゲート電圧ＶＧＥの時間変化量を検出すると共に、バッファ回路２における入力端子電圧の時間変化量を検出し、これら検出された電圧時間変化量に基づいて、スイッチ素子Ｑ１のゲート短絡故障を検出する。 - 特許庁

In the light emitting element formed by interposing a light-emitting substance containing layer between a pair of electrodes, a buffer layer made of a composite material for a light-emitting element, including aromatic hydrocarbon containing at least one vinyl skeleton and metal oxide in part of the light-emitting substance containing layer is provided.例文帳に追加

一対の電極間に発光物質を含む層が挟持されてなる発光素子において、発光物質を含む層の一部に、ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素および金属酸化物とを含む発光素子用複合材料で形成されたバッファー層を設ける。 - 特許庁

To provide a further improved ultraviolet sensing element whose manufacturing process is simple, capable of front surface irradiation without being provided with a buffer layer and capable of reliable ultraviolet sensing and measurement for obtaining the ultraviolet sensing element by using a gallium nitride (GaN) semiconductor element having various merits, and to provide its manufacturing method and an ultraviolet sensing system including the ultraviolet sensing element.例文帳に追加

多様な長所を有するガリウムナイトライド（ＧａＮ）半導体素子を用いて紫外線感知素子を具現するにおいて、緩衝層を含まなくて前面照射が可能であって、さらに信頼性のある紫外線感知及び測定が可能であり、その製作工程が単純で、さらに改善された紫外線感知素子及びこれの製造方法と紫外線感知素子を含む紫外線感知システムを提供する。 - 特許庁

A plotting circuit 154 writes the image element data read from the read address of the fixed address area 155A to a write address in a frame buffer memory 156 to be stored in response to the reception of a fixed address specification display command.例文帳に追加

描画回路１５４は、固定アドレス指定表示コマンドの受信に応答して固定アドレスエリア１５５Ａの読出アドレスから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリ１５６における書込アドレスに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

The base unit 31 is formed of a material having a heat conductivity and a light reflection coefficient higher than those of the varistor element 12, and the first main surface 31a is arranged so as to be contacted with the second main surface 21b of the buffer unit 21.例文帳に追加

基体部３１は、バリスタ素体１２よりも熱伝導率及び光反射率が高い材料からなり、第１の主面３１ａがバッファ部２１の第２の主面２１ｂと接するように配置されている。 - 特許庁

In this apparatus, a buffer amplifier 107 applies potential, whereby a potential is applied on column wirings of a surface conducting type emitting element substrate 101 and a potential is applied on one row wiring selected by a line selecting circuit 102.例文帳に追加

バッファアンプ１０７によって電位が印加されて表面伝導型放出素子基板１０１の列配線に電位が印加され、ライン選択回路１０２により選択されたの１行の行配線に電位が印加される。 - 特許庁

The semiconductor element includes an undoped GaN layer 3, an Si film 31, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 laminated in this order on an AlN buffer layer 2 formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に形成されたＡｌＮバッファ層２上にアンドープＧａＮ層３、Ｓｉ膜３１、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

The inside of the cylinder 22 is partitioned into a first compartment A1 and a second compartment A2 by a partitioning wall part 24a of the engagement element 24, and the compartments A1 and A2 are filled with a liquid buffer agent 26.例文帳に追加

さらに、シリンダ２２内は、係合子２４の区画壁部２４ａによって第１区画室Ａ１と第２区画室Ａ２とに区画され、それら区画室Ａ１，Ａ２内には液状緩衝剤２６が充填されている。 - 特許庁

To provide a horizontal register transfer pulse generating circuit capable of generating an optimum horizontal register transfer pulse by adjusting a load drive capability of an output buffer circuit depending on a CCD solid-state imaging element to be connected.例文帳に追加

接続するＣＣＤ型固体撮像素子に応じて出力バッファ回路の負荷駆動能力を調整し、最適な水平レジスタ転送パルスを生成することができる水平レジスタ転送パルス生成回路を提供する。 - 特許庁

To provide an ESD protection circuit using an output buffer, capable of protecting satisfactorily a prestage circuit such as a prebuffer, without providing a dedicated element for making a surge current flow when applying an ESD surge.例文帳に追加

ＥＳＤサージ印加時にサージ電流を流すための専用の素子を設けることなく、プリバッファなどの前段回路を良好に保護することができる出力バッファを利用したＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁

All electric potential is impressed on column wires of a surface conduction type emission element substrate 101 by a buffer amplifier 107, and the electric potential is impressed on one row of row wire selected by a line selection circuit 102.例文帳に追加

バッファアンプ１０７によって電位が印加されて表面伝導型放出素子基板１０１の列配線に電位が印加され、ライン選択回路１０２により選択された１行の行配線に電位が印加される。 - 特許庁

An electric potential is impressed on column wires of a surface conduction type emission element substrate 101 by a buffer amplifier 107, and the electric potential is impressed on one row of row wire selected by a line selection circuit 102.例文帳に追加

バッファアンプ１０７によって電位が印加されて表面伝導型放出素子基板１０１の列配線に電位が印加され、ライン選択回路１０２により選択されたの１行の行配線に電位が印加される。 - 特許庁

The network element units 11 to 18 each has an input part to which packet data are inputted, a buffer memory in which the inputted packet data are stored, and an output part for outputting the stored packet data to the outside.例文帳に追加

各ネットワークエレメントユニットは、パケットデータが入力される入力部３１と、入力されたパケットデータを蓄積するバッファメモリ３２と、蓄積されたパケットデータを外部に出力する出力部３３とを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emission device for compatibly improving light emission efficiency and reducing element resistance by totally eliminating the resistance of a buffer layer formed between a substrate and a formed film and contriving the shape.例文帳に追加

基板と成膜した膜との間に形成されるバッファ層の抵抗を皆無とし、その形状を工夫することにより、発光効率の向上と素子抵抗の低減を両立した半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

The buffer membrane formed by using a polymer composition having the above composition has an ashing property to reduce the step for forming a pattern of a semiconductor element and a capacitor and maximize the process efficiency.例文帳に追加

このような組成を有する高分子組成物で形成されたバッファ膜は半導体素子のパターン及びキャパシタを形成する工程の縮小及び工程効率を極大化させることができるアッシング特性を有する。 - 特許庁

To provide: a semiconductor wafer allowing a compound semiconductor layer to be thickly formed on a substrate, and capable of reducing parasitic capacitance generated in a buffer region; a semiconductor element; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

基板上に化合物半導体層を厚く形成することができ、バッファ領域内に生じる寄生容量を低減することができる半導体ウェーハ、半導体素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion element 1, buffer layers 13a and 13b each formed of a mixture body of magnesium silicide and a metal material are formed between the thermoelectric conversion layer 11 and the electrode layers 12a and 12b.例文帳に追加

本発明に係る熱電変換素子１は、熱電変換層１１と電極層１２ａ，１２ｂとの間にマグネシウムシリサイドと金属材料との混合体からなるバッファ層１３ａ，１３ｂが形成されている。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor element 20 is provided with a buffer layer 2 formed on a sapphire (0001) substrate 1, a channel layer 3 made of an undoped GaN layer, and an electron supplying layer 4 made of an undoped AlGaN layer.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子２０は、サファイア（０００１）基板１上に形成されたバッファ層２と、アンドープＧａＮ層から成るチャネル層３と、アンドープＡｌＧａＮから成る電子供給層４とを備える。 - 特許庁

While receiving the element of the data block, the interface logic decides repeatedly a free memory capacity of the buffer memory, if the free memory capacity is lower than a prescribed threshold value, a block transfer is stopped temporarily.例文帳に追加

データ・ブロックの要素を受信している間、インタフェース・ロジックは、メモリ・バッファの空きメモリ容量を繰り返し決定し、空きメモリ容量が所定のしきい値を下回るときにブロック転送を一時的に停止する。 - 特許庁

In addition, the difference between constituent materials of both the layers are reduced by the buffer layers 13a and 13b, contact resistance can be reduced, and the thermoelectric conversion element 1 excelling in electrical characteristics such as generated electromotive force can be provided.例文帳に追加

さらに、バッファ層１３ａ，１３ｂにより、両層の構成材料の違いが緩和されて、接触抵抗を低下させることができ、発生する起電力等の電気的特性が良好な熱電変換素子１となる。 - 特許庁

A simultaneous notice holding part 62 holds the previously reported simultaneous output elements in a simultaneous output element buffer, so as to immediately use the elements for executing the address translation when the address translation is enabled.例文帳に追加

同時通知保持部６２は、アドレス変換が行なえる状態になった時にすぐにアドレス変換実行に使用できるように先行通知された前記同時出力要素を同時出力要素バッファに保持する。 - 特許庁

A minimum capacity of the data basic buffer 58 is selected to be thrice the capacity of a nominal data access unit or thrice the data quantity received by the receiver at a maximum rate within a time when the receiver displays the video element.例文帳に追加

データ基本バッファ５８の最小サイズは公称データアクセスユニットのサイズの３倍またはビデオ要素が受信機によってディスプレイされる時間内に受信機が最大レートで受信できるデータ量の３倍である。 - 特許庁

The first inductive buffer is connected to the buffering element, expands the bandwidth and increases an input impedance with increase of a frequency within a prescribed range so that the gain change is not almost shown.例文帳に追加

第１インダクティブバッファは、バッファリング素子に接続されており、帯域幅を拡張すると共に、利得変化を殆ど示さないように、周波数が所定範囲内で増加するにつれて、入力インピーダンスを増加させる。 - 特許庁

An input buffer portion 18, a CR filter consisting of a resistor 14 and a capacitance element 15, a Schmitt circuit 16, and a noise canceling circuit 10 are connected to a system control terminal of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路装置のシステム制御端子には、入力バッファ部１８、抵抗１４と静電容量素子１５とからなるＣＲフィルタ、シュミット回路１６、およびノイズキャンセル回路１０が接続されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, semiconductor layers are epitaxially grown on only an SOI element forming region 13 in a silicon substrate 11 on condition that a silicon buffer layer 18 and a silicon germanium layer 15 can grow.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、シリコン基板１１上におけるＳＯＩ素子形成領域１３のみに、シリコンバッファ層１８及びシリコンゲルマニウム層１５が成長する条件でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Input information of a multi-dimensional arrangement is inputted, and a cumulative information value corresponding to each element position of the input information is calculated, and the cumulative information value is held in a buffer having a prescribed bit size.例文帳に追加

複数次元配列の入力情報を入力し、前記入力情報の各要素位置に対応する累積情報値を計算し、前記累積情報値を所定ビットのサイズを持つバッファに保持する。 - 特許庁

A second coupling path (FB2) has a filter device (4), a buffer circuit (5) and a second impedance element (R2) connected in series, and connects the feedback input (32) to the signal output (33) or to the signal input (31).例文帳に追加

第２の結合路（ＦＢ２）は、直列に接続したフィルタ装置（４）と、バッファ回路（５）と、第２のインピーダンス素子（Ｒ２）を有し、帰還入力（３２）を信号出力（３３）または信号入力（３１）に接続する。 - 特許庁

In a printed circuit board 1 in which the semiconductor element 3 with lead terminals 16 is mounted on the surface of the printed wiring board 2 having a wiring pattern on its surface, a buffer substrate 4 having a thickness thinner than that of the printed wiring board 2 absorbs the strains of the wiring board 2 and semiconductor element 3 in between the board 2 and the element 3.例文帳に追加

配線パターンが形成されたプリント配線基板２上にリード端子１６付き半導体素子３が表面実装されるプリント回路板１において、プリント配線基板２と半導体素子３との間に、プリント配線基板２の厚さよりも薄い厚さを有するプリント配線基板２と半導体素子３との歪みを吸収する緩衝基板４が介在されている。 - 特許庁

The test circuit includes: first and second resistive elements connected between differential signals output from a differential buffer and first and second test channels of a tester; a first node between the first resistive element and the first test channel; a second node between the second resistive element and the second test channel; and a capacitive element between the first and second nodes.例文帳に追加

テスト回路は、差動バッファから出力される差動信号の各々とテスタの第１および第２のテストチャネルとの間にそれぞれ接続された第１および第２の抵抗素子と、第１の抵抗素子と第１のテストチャネルの間の第１のノードと、第２の抵抗素子と第２のテストチャネルの間の第２のノードと、の間に接続された容量素子とを備えている。 - 特許庁

To provide a surface elastic wave element, a biosensor device, and a measuring method using the surface elastic wave element capable of accurate measurement by stirring sufficiently a mixture of solution such as buffer liquid and a detection object, or a liquid detection object even in the case of a micro-amount below several tens of μl, without applying vibration from the outside of the surface elastic wave element.例文帳に追加

表面弾性波素子の外部から振動を加えることなく、バッファー液等の溶液と被検出物との混合物、或いは、液状の被検出物が数十μｌ以下という微少量であっても十分に攪拌することができ、正確な測定を可能な表面弾性波素子、バイオセンサー装置及び表面弾性波素子を用いた測定方法を提供する。 - 特許庁

When the result indicates that the redundancy is not deteriorated, the data element stored in the selected storage region is moved to a region for a buffer of the selected physical storage region whose load is low, and the logical address space of the logical volume corresponding to the selected storage region is associated with the region for a buffer.例文帳に追加

その判断結果が、冗長性が低下しないとの判断結果であるならば、上記選択された記憶領域に記憶されているデータ要素を、上記選択された負荷の低い物理記憶装置が有するバッファ用領域に移動し、選択された記憶領域に対応する、論理ボリュームの論理アドレス空間を、そのバッファ用領域に対応付ける。 - 特許庁

This TMR element includes laminate configurations consisting of at least a pin layer 2, a metallic oxide buffer layer 3, a barrier layer 4, and a free layer 5, and the metallic oxide buffer layer 3 whose film formation has been carried out in reducing atmosphere is basically configured of materials which are easy to oxidize as compared with materials constituting the pin layer 2 as base materials.例文帳に追加

少なくともピン層２／金属酸化物バッファ層３／バリア層４／フリー層５からなる積層構成を含むＴＭＲ素子であって、還元雰囲気中で成膜された前記金属酸化物バッファ層３は、ピン層２を構成する材料に比較して酸化されやすい材料を基材としたものであることが基本になっている。 - 特許庁

A mask oxidation film 318a is formed at a point at which the opening and the active region 302 intersect and at the same time, a buffer oxidation film 318b is formed on the element separation film 304 adjacent to the mask oxide film 318a by selectively oxidizing the buffer film exposed from the opening and the upper region of the conductive film pattern 310.例文帳に追加

開口部により露出されている緩衝膜および導電膜パターン３１０の上部領域を選択的に酸化させて開口部および活性領域３０２の交わる地点にマスク酸化膜３１８ａを形成すると共に、マスク酸化膜３１８ａに隣接した素子分離膜３０４上に緩衝酸化膜３１８ｂを形成する。 - 特許庁

The wavelength conversion element 1 comprises a support substrate, a ferroelectric layer 7 made of a ferroelectric material in which a wavelength conversion section is formed, a buffer layer 6 formed in the backside 7d of the ferroelectric layer 7, a spacer layer 5 layered on the buffer layer 6, and a resin adhesive layer 3 adhering the spacer layer 5 and the support substrate 2.例文帳に追加

波長変換素子１は、支持基体、強誘電性材料からなり、波長変換部が形成されている強誘電体層７、強誘電体層７の背面７ｄ側に形成されているバッファ層６、ハッファ層６と積層されているスペーサ層５、スペーサ層５と支持基体２とを接着する樹脂接着剤層３を備えている。 - 特許庁