「buffer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In this manufacturing method, when nitride treatment is performed to a tunnel insulating film 61 of a nonvolatile storage element Qm, in a semiconductor device in which the nonvolatile storage element Qm and a P-channel MISFET Qp are mounted on the same substrate, a forming region of a gate insulating film 63 of the P-channel MISFET Qp is covered in advance with a thick buffer silicon oxide film.例文帳に追加

不揮発性記憶素子Ｑｍ及びpチャネルMISFETＱｐを同一基板上に搭載した半導体装置の製造方法において、不揮発性記憶素子Ｑｍのトンネル絶縁膜６１に窒化処理を施す際に、pチャネルMISFETＱｐのゲート絶縁膜６３の形成領域を厚い膜厚のバッファシリコン酸化膜で被覆しておく。 - 特許庁

Also, the device comprises a control buffer 18 adjusting gain of the first and the second gain variable amplifiers based on a differential signal from an comparison-computing element 16 outputting a differential signal of output of the first and the second rectifiers, and offset of the differential signal is adjusted based on a detected result of the differential signal from the comparison-computing element 16.例文帳に追加

また、第１、第２の整流器の出力の差動信号を出力する比較演算器１６からの差動信号に基づき第１、第２のゲイン可変アンプのゲインを調整する制御バッファ１８を有し、比較演算器１６からの差動信号の検出結果に基づき当該差動信号のオフセットを調整する。 - 特許庁

This buffer circuit connects a current limitation element 8 between the source of an N channel MOS transistor 7 of an initial stage inverter 1 and the line of ground potential GND, and connects a current limitation element 9 between the source of a P channel MOS transistor 10 of an initial stage inverter 2 and the line of power supply potential VCC.例文帳に追加

バッファ回路において、初段インバータ１のＮチャネルＭＯＳトランジスタ７のソースと接地電位ＧＮＤのラインとの間に電流制限素子８を接続し、初段インバータ２のＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０のソースと電源電位ＶＣＣのラインとの間に電流制限素子９を接続する。 - 特許庁

To provide a surface mounting mold package semiconductor device making one die pad and miniaturized to reduce a die pad area and the number of outside terminals by forming an oscillation transistor element and a buffer amplication transistor element on a semiconductor substrate to make one chip and an oscillator provided with the semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板に発振用トランジスタ素子とバッファアンプ用トランジスタ素子とを形成して１チップ化することによりダイパッドを１つとし、ダイパッド面積と外部端子数が削減されて小型化された表面実装型モールドパッケージ半導体装置及びその半導体装置を備える発振器を提供すること。 - 特許庁

To lower power consumption without increasing the number of terminals and the number of power supply voltages in the buffer circuit of a CCD solid-state image pickup element in which a final stage is constituted of a push-pull circuit and a stage before that is constituted of a source-follower circuit.例文帳に追加

最終段がプッシュプル回路で構成され、それより前段がソースフォロア回路により構成されたＣＣＤ固体撮像素子のバッファ回路において、端子数や電源電圧の数を増やすことなく、低消費電力化を図る。 - 特許庁

In this manufacturing method for an electron source, a potential is applied on the line wiring of a surface conductive emission element base 101 by a buffer amplifier 107, and a potential is applied on one row wiring selected by a line selecting circuit 102.例文帳に追加

バッファアンプ１０７によって電位が印加されて表面伝導型放出素子基板１０１の列配線に電位が印加され、ライン選択回路１０２により選択されたの１行の行配線に電位が印加される。 - 特許庁

The organic EL element 100 sequentially includes a hole implantation electrode 2, a hole implantation layer 3, a hole transporting layer 4, a buffer layer BF, an orange light emitting layer 5, a blue light emitting layer 6, an electron transporting layer 7, and an electron implantation electrode 8.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、バッファ層ＢＦ、橙色発光層５、青色発光層６、電子輸送層７および電子注入電極８を順に含む。 - 特許庁

After reading out the Doppler waveform data stored in a line buffer 30, a reference section determining part 40 refers to the value of each element data at every sample time in the frequency direction, to determine reference sections based on the fluctuation in each value.例文帳に追加

参照部位判定部４０は、ラインバッファ３０に記憶されたドプラ波形データを読み出し、各サンプル時刻ごとに周波数方向に沿って各要素データの値を参照し、その値の変化に基づいて参照部位を判定する。 - 特許庁

According to the content of the recording data being recorded on a recording sheet by means of a recording head 102, an MPU 171 assigns the plurality of recording buffer areas, respectively, to a plurality of element groups dividing the nozzles of a recording head.例文帳に追加

次に、記録ヘッド１０２によって記録用紙に記録される記録データの内容に従って、ＭＰＵ１７１は、複数の記録バッファ領域各々を、記録ヘッドのノズルを分割した複数の要素グループ各々に割り当てる。 - 特許庁

In the step of the vapor-depositing operation with the use of the vapor-deposition mask 8, the buffer layer 7 contacts with the substrate to be vapor-deposited, to prevent a damaging of an element such as an organic semiconductor film provided on the substrate to be vapor-deposited.例文帳に追加

蒸着マスク８を用いて蒸着作業を行うときには、緩衝層７が被蒸着基板に接触することにより、被蒸着基板上に設けられている有機半導体膜などの素子の破損が防止される。 - 特許庁

Firstly, at least a first epitaxial layer being a p^+ collector layer 1, a second epitaxial layer being a n^+ buffer layer 2, and a third epitaxial layer being an n^- drift layer 3 are laminated as a reverse-side element structure on a surface of a silicon substrate 30.例文帳に追加

まず、シリコン基板３０の表面に、裏面素子構造として、少なくともｐ^+コレクタ層１となる第１エピタキシャル層、ｎ^+バッファ層２となる第２エピタキシャル層、およびｎ^-ドリフト層３となる第３エピタキシャル層を積層する。 - 特許庁

To achieve a buffer amplifier circuit that detects a signal via a capacitance element having a small capacity and has a high input impedance and a small amount of distortion without using resistors having an extremely high resistance value and capacitors having a high capacitance value.例文帳に追加

小容量のキャパシタンス素子を介して信号検出可能な高入力インピーダンスでかつひずみの少ない緩衝増幅回路を、極端に高抵抗値、高容量値の抵抗器やコンデンサーを用いずに実現する。 - 特許庁

In a buffer circuit 40A of a write-scan circuit 40, a capacity element C is connected between an output node Nin of a front stage circuit 41 and a gate electrode of a PMOS transistor 421 configuring the final output stage 42.例文帳に追加

書込み走査回路４０のバッファ回路４０Ａにおいて、前段回路４１の出力ノードＮinと、最終出力段４２を構成するＰＭＯＳトランジスタ４２１のゲート電極との間に容量素子Ｃを接続する。 - 特許庁

The apparatus 10 conducts a change of an order of respective element data in the multimedia and selecting by using the information 171 and network information 172 of information of the band width, and temporarily stores its result in a second buffer 164.例文帳に追加

このマルチメディア属性情報１７１及び帯域幅の情報であるネットワーク情報１７２を用いて、マルチメディアデータ内の各要素データの順序変えや選別を行い、その結果を一時的に第２のバッファ１６４に格納する。 - 特許庁

Disclosed is the semiconductor element which has a group III nitride-based compound semiconductor layer formed on a substrate layer made of a metal nitride layer without interposing a low-temperature grown buffer layer, and the metal nitride layer is made of rufous titanium nitride.例文帳に追加

金属窒化層からなる下地層の上に低温成長バッファ層を介在させることなくIII族窒化物系化合物半導体層が形成されている半導体素子であって、前記金属窒化物層が赤茶色の窒化チタンからなる。 - 特許庁

A digital television receiver integrates a data basic buffer 58 to limit occurrence of under flow and overflow in order to control a data flow relating to an auxiliary data service to be presented synchronously with a video or audio program element.例文帳に追加

ビデオまたはオーディオプログラム要素と同期して提供すべき補助データサービスに関連したデータのフローを制御するよう、デジタルテレビ受信機にアンダーフローおよびオーバーフローの作動が制限されたデータ基本バッファ５８が組み込まれている。 - 特許庁

An output buffer circuit 4 in the output circuit of the semiconductor device includes a P channel MOS transistor 27.1 and a resistive element 29.1 connected in series between a line of a power supply level VDD and an output node N12.例文帳に追加

この半導体装置の出力回路において、出力バッファ回路４は、電源電位ＶＤＤのラインと出力ノードＮ１２との間に直列接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタ２７．１および抵抗素子２９．１を含む。 - 特許庁

As a drive current supplied to a light emitting element 604 in a light emitting period flows in the output buffer 300, voltage drop is produced by electric resistances of the p-type transistor 303 and the potential compensation circuit 320.例文帳に追加

この出力バッファ３００には、発光期間において発光素子６０４に供給される駆動電流が流れるため、ｐ型トランジスタ３０３および電位補償回路３２０の電気抵抗によって電圧降下が起こる。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xB_yGa_1-x-yN first layers 12A and a plurality of Al_aB_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＢ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＢ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a composite laminated buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xIn_yGa_1-x-yN first layers 12a and a plurality of Al_aIn_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another, is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＩｎ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＩｎ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

This acceleration detecting unit has a fixing member 5 that is not displaced by acceleration application, a bi-tuning fork type piezoelectric vibrating element 10 having two fixed ends connected to a stress sensitive section so as to grip the stress sensitive section, a weight member 15, and a buffer member 22.例文帳に追加

加速度印加によって変位しない固定部材５、応力感応部を挟むよう応力感応部と連結された２つの固定端部とを有する双音叉型圧電振動素子１０、重り部材１５、緩衝部材２２を備える。 - 特許庁

A write signal generator 208 receiving the exposure data 210 generates a write signal ϕI having an on time adjusted in accordance with the data 210, and supplies the signal via a buffer 32 to a light emitting element L to correct the emission quantity of light.例文帳に追加

露光量データ２１０を受けた書込み信号生成器２８は、データ２１０に従って、オン時間を調整した書込み信号φ_I を生成し、バッファ３２を介して、発光素子Ｌに供給し、発光光量を補正する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 is constituted by successively laminating an n-buffer layer 2, n-clad layer 3, active layer 4, p-clad layer 5, and p-contact layer 6 on one surface of an n-GaN substrate 1 having a thickness of 120-200 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、厚さ１２０〜２００μｍのｎ−ＧａＮ基板１の一方の面上に、ｎ−バッファ層２、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５およびｐ−コンタクト層６が順に積層されてなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a large remanent polarization indispensable to nonvolatile memory operation by forming a specific buffer dielectric layer between an electrode constituting the capacitor element of a semiconductor device and a capacitor insulation film.例文帳に追加

半導体装置の容量素子を構成する電極と容量絶縁膜の間に、特定のバッファー誘電体層を形成することにより、不揮発メモリ動作に不可欠な大きな残留分極を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image recording apparatus for correcting a gradient for image data corresponding to a gradient of a recording element row, and recording the same image data efficiently and repeatedly without requiring a large storage capacity in a buffer for storing the image data.例文帳に追加

画像データを格納するバッファに大きな記憶容量を必要とせず、画像データについて記録素子列の傾きに該当する傾きを補正し、同一画像データを効率よく繰返し記録する画像記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film semiconductor element which can easily turn a semiconductor thin film into a p-type one even if the semiconductor thin film consisting of a zinc oxide or a zinc sulfide formed by epitaxial growth is used as a buffer layer.例文帳に追加

バッファ層としてエピタキシャル成長により形成される酸化亜鉛または硫化亜鉛の半導体薄膜を用いる場合にも前記半導体薄膜のｐ型化を容易にする薄膜半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a laminate having a transparent conductive film layer formed of an oxide thin film including an anatase phase with more excellent crystallinity by forming an optimum buffer layer on a substrate and including an adding element such as niobium with a titanium oxide as a principal component having a high refractive index and a low specific resistance, and to provide a functional element such as a semiconductor light emitting element having the laminate or a solar cell.例文帳に追加

基体上に最適なバッファー層を形成することで、より結晶性に優れたアナターゼ相を含み、高い屈折率と低い比抵抗を有する、酸化チタンを主成分としてニオブなどの添加元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層を有する積層体を提供し、この積層体を具備した半導体発光素子、あるいは太陽電池などの機能素子を提供する。 - 特許庁

To provide a hetero epitaxial wafer structured so that an element layer constituted of a compound semiconductor is hetero-epitaxially grown through a buffer layer on the main surface of a substrate capable of reducing a residual stress even when a linear expansion coefficient difference between the substrate and the element layer is large, and effectively suppressing the bending of the wafer or crystal defect generation to the element layer or the like.例文帳に追加

基板の主表面上に、バッファ層を介して化合物半導体よりなる素子層をヘテロエピタキシャル成長させた構造とされるヘテロエピタキシャルウエーハにおいて、基板と素子層との間の線膨張係数差が大きい場合にも、残留する応力を低減することができ、ひいては、ウエーハの反りや素子層への結晶欠陥発生などを効果的に抑制できるヘテロエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

The optical semiconductor device is equipped with a lead frame 4, an optical semiconductor element 3 mounted on the lead frame 4, an auxiliary frame 8 which is arranged along the lead frame 4 separating from the optical semiconductor element 3 by a prescribed clearance, a buffer resin 7 formed of translucent resin and provided for covering the outer surface of the optical semiconductor element 3, and a molding resin 11 formed of translucent resin.例文帳に追加

この発明の光半導体装置は、リードフレーム４と、このリードフレーム４に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム４に沿って、光半導体素子３に対して所定の隙間を有して配置された補助フレーム８と、光半導体素子３の外面を覆うよう設けられた透光性樹脂からなる緩衝樹脂部７と、透光性樹脂からなるモールド樹脂部１１とを備える。 - 特許庁

An optical wave guide element is installed with a conductive or a semi-conductive lower electrode 2, an epitaxial or a single-oriented buffer layer 4 set on the lower electrode 2, an epitaxial or a single oriented optical wave guide 1 provided on the buffer layer 4, and a conductive thin film or a semi-conductive thin film upper electrode 7 set on the optical wave guide 1.例文帳に追加

導電性または半導電性の下部電極２と、下部電極２上に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性のバッファ層４と、バッファ層４上に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性の光導波路１と、光導波路１上に設けられた導電性薄膜または半導電性薄膜の上部電極７とを具備する光導波路素子による。 - 特許庁

To provide an organic EL element including an organic light emitting medium layer with uniform buffer layer having no thickness variation, and to improve reliability by using a buffer layer having superior durability and high stability.例文帳に追加

透明電極１０２と対向電極１０４の間に少なくともバッファ層１０３ａと高分子化合物よりなる有機発光層１０３ｂを含む有機発光媒体層を備えた有機ＥＬ素子において、膜厚ムラのない均一なバッファ層１０３ａを得、さらには、耐性の良い安定性の高いバッファ層１０３ａを用いることで信頼性の高い高分子有機ＥＬ素子を得る。 - 特許庁

To ensure protection against debris for at least one optical element which directs the radiation to a radiation outlet opening in a vacuum chamber, the vacuum chamber which encloses a radiation-emitting plasma and is outfitted with at least one feed line and one outlet line for the buffer gas has chamber areas with particles deceleration of varying magnitude by means of the buffer gas.例文帳に追加

放射線を真空室の放射線出口開口に指向させる少なくとも１つの光学要素をデブリから保護することを保証するために、放射線放出プラズマを包囲し、バッファガスのための少なくとも１つの供給ライン及び１つの排出ラインを備えた真空室が、バッファガスによる様々な大きさの粒子減速を有するチャンバ領域を有する。 - 特許庁

By forming an InP metamorphic buffer layer 2 having a thickness of 4 μm or above and a surface defect density of 10^8/cm^2 or less on the GaAs substrate 1, the InP-based semiconductor element 11 having a superior property and a high reliability can be formed on the GaAs substrate.例文帳に追加

GaAs基板１上にInPメタモルフィックバッファ層２を、厚さ４μｍ以上として、その表面の欠陥密度を１０^８／ｃｍ^２以下にすることによって、GaAs基板上に、すぐれた特性と信頼性を有する、InP系半導体素子１１を構成する - 特許庁

On the manufacture of the donor film for the flat display element, an adhesive force of the transfer layer 75 to a donor base plate 70 can be improved by introducing the buffer film 65 between the light-heat conversion layer 55 and the transfer layer 75.例文帳に追加

平板表示素子用ドナーフィルムを製造することにおいて光−熱変換層５５と転写層７５間に緩衝膜６５を導入することによって、転写層７５のドナー基板７０に対する接着力を改善させることができる。 - 特許庁

In this electric double layer capacitor, a capacitor element 13 and electrolytic solution (not shown in figure) which are sealed in a case 12 sealed with a sealing member 11 are disposed, and further a solid buffer 16 for restraining fluctuation of pH of the electrolytic solution is disposed in the case 12.例文帳に追加

封口体１１により封口されたケース１２内に封入されたコンデンサ素子１３および電解液（図示せず）を備え、ケース１２内に、電解液のｐＨの変動を抑制する固体バッファ１６をさらに備えた電気二重層キャパシタとする。 - 特許庁

The gallium nitride light emitting element comprises an n-type GaN buffer layer 12, an n-type GaN layer 14, an InGaN light emitting layer 16, a p-type GaN layer 18, an n-type electrode 20, and a p-type electrode 22 sequentially formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

窒化ガリウム系発光素子は、サファイア基板１０上にｎ型ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮ層１４、ＩｎＧａＮ発光層１６、ｐ型ＧａＮ層１８、ｎ型電極２０、ｐ型電極２２を順次形成することで構成される。 - 特許庁

The memory device includes a first memory including a nonvolatile memory element and a second memory (data buffer) for temporarily storing data in verifying operation in which whether or not the data are correctly written into the first memory is verified.例文帳に追加

不揮発性の記憶素子を有する第１の記憶部と、上記第１の記憶部へのデータの書き込みが正確に行われたかどうかを検証するベリファイ動作において、上記データを一時的に保存するための第２の記憶部（データバッファ）とを有する。 - 特許庁

Each time an image signal is read out from the imaging element 2, the motion detection unit 4 compares the read-out image signal with each image signal of the overlapping lines of the image signal stored in the line buffer to detect a motion of a subject.例文帳に追加

動き検出部４は、画像信号が撮像素子２から読み出される都度、読み出された画像信号及びラインバッファに記憶してある画像信号の重複するラインの画像信号夫々を比較して被写体の動きを検出する。 - 特許庁

The reference voltage setting circuit supplies the current of the reference diode to the reference current reading circuit, and the output of the reference current reading circuit is connected to the other end of the resistive element in the voltage setting circuit through a buffer circuit.例文帳に追加

参照用電圧設定回路は、参照ダイオードの電流を参照用電流読み取り回路に供給し、参照用電流読み取り回路の出力はバッファ回路を介して電圧設定回路内の抵抗素子の他端に接続される。 - 特許庁

The low-pressure gas discharge lamp has a gas discharge vessel including a filler gas having a chalcogenide with a main group element of the group IV of the periodic table and buffer gas, internal or external electrodes, and a means for generating and sustaining low-pressure gas discharge.例文帳に追加

元素周期表のＩＶ族の主族元素とのカルコゲニドとバッファガスとを有する充填ガスを含むガス放電容器と、内部又は外部電極と、低圧ガス放電を発生しかつ維持する手段とを有する低圧ガス放電ランプ。 - 特許庁

In the buffer circuit which is formed of cascode-connected transistors Q1 to Q4 and inductors L1, L2, variable capacity diodes D1, D2 constituting a time constant circuit element are connected to a source terminal side of transistors Q3, Q4.例文帳に追加

カスコード接続されたトランジスタＱ１〜Ｑ４とＬ１、Ｌ２ インダクタＬ１、Ｌ２により形成されているバッファ回路において、時定数回路素子を構成する可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２をトランジスタＱ３、Ｑ４のソース端子側に接続したもの。 - 特許庁

Further, the wiring board 9 is positioned by a recessed part 4 and the hemispherical lens 8 is positioned by the buffer member 7 so that the optical axis OA of the hemispherical lens 8 passes through the photoconductive antenna part of the photoconductive antenna element 17.例文帳に追加

更に、半球状レンズ８の光軸ＯＡが光導電アンテナ素子１７の光導電アンテナ部を通るように、凹部４によって配線基板９が位置決めされ、緩衝部材７によって半球状レンズ８が位置決めされている。 - 特許庁

The photocatalyst element 19 comprises a photocatalyst carrier 7 comprising a hard material such as a porous ceramic, a protection frame 17 to hold the periphery 32 of the carrier 7, and a buffer material 18 interposed between the frame 17 and the carrier 7.例文帳に追加

本光触媒エレメント１９では、多孔質のセラミック等の硬質材からなる光触媒担持体７と、これの周縁部３２を保持する保護枠１７と、保護枠１７と光触媒担持体７との間に介在する緩衝材１８とを有する。 - 特許庁

There is provided a mobile phone having: a vibration source having a piezoelectric bimorph element; a mobile phone body; a shock resistance buffer part located between the mobile phone body and the vibration source; and an elastic conductor leading vibration of the vibration source to an ear cartilage.例文帳に追加

圧電バイモルフ素子を有する振動源と、携帯電話本体と、携帯電話本体と振動源の間に設けられた対衝撃緩衝部と、振動源の振動を耳軟骨に導く弾性のある伝導体とを有する携帯電話を提供する。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having a light-emitting layer between a first electrode and a second electrode, a buffer layer with 0.1 nm to 100 nm thickness containing carbon based compound is provided between the light emitting layer and the first electrode.例文帳に追加

第１電極と第２電極との間に発光層が備えられる有機電界発光素子において、発光層と第１電極との間に、炭素系化合物を含む厚さ０．１ｎｍから１００ｎｍのバッファ層を備える有機電界発光素子である。 - 特許庁