「chemical-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

This diffraction grating formation method includes at least a process of forming stripe mask patterns 104 with a constant period and different coating widths on a substrate 100, and a process of transferring the mask patterns 104 onto the substrate 100 by an etching method having chemical anisotropic selectivity for a material constituting the substrate 100, in a method for forming diffraction gratings 106 (106a, 106b) with periodic irregularity.例文帳に追加

本発明に係る回折格子の形成方法は、周期的な凹凸を有する回折格子の形成方法において、基板上に周期が一定で被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンを形成する工程と、前記基板を構成する材料に対して化学的異方選択性を有するエッチング方法を用いて前記マスクパターンを該基板に転写する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Since etching removal is carried out while the periphery region of the surface is covered entirely with the rinsing liquid, adhesion of the chemical to a side of the non-treatment region NTR2 and rinse defects can be prevented and the interface of the treatment region TR and the non-treatment region NTR2 is favorably formed in the periphery region of the surface.例文帳に追加

このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域ＮＴＲ２側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とＴＲ非処理領域ＮＴＲ２の界面を良好に形成することができる。 - 特許庁

To improve throughput in a thin display panel manufacturing process while reducing manufacturing cost of a glass sheet, and to reduce heat shrinkage of the glass sheet in a p-Si TFT manufacturing process, by inventing an alkali-free glass which is excellent in productivity (in particular, devitrification resistance), ensures a fast etching rate for a hydrofluoric acid-based chemical solution, and has a high strain point.例文帳に追加

生産性（特に耐失透性）に優れると共に、フッ酸系薬液に対するエッチングレートが速く、しかも歪点が高い無アルカリガラスを創案することにより、ガラス板の製造コストを低廉化しつつ、薄型のディスプレイパネルの製造工程において、スループットを向上させ、更にｐ−Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程におけるガラス板の熱収縮を低減する。 - 特許庁

Etching treatment using an acid, alkali or fluoride is applied to aluminum metal fittings 2 and chemical forming treatment using alkali metal phosphate is further applied thereto and the vulcanizing adhesion regions of these treated metal fittings 2 thus obtained are coated with an adhesive and predetermined rubber 4 is bonded to the coated regions of the metal fittings under vulcanization to produce a metal fitting-rubber integrated composite product 6.例文帳に追加

アルミ金具２に対して、酸、アルカリ又はフッ化物を用いたエッチング処理を施した後、更にアルカリ金属リン酸塩を用いた化成処理を実施し、次いで、この得られた化成処理金具２を用いて、その加硫接着部位に接着剤を塗布せしめた後、所定のゴム４を加硫接着せしめることにより、金具−ゴム一体複合製品６を製造する。 - 特許庁

The method for dry-etching includes a step of introducing a treatment component including a halogen containing gas such as Cl_2, HBr, BCl_2 or the like, and a fluorocarbon gas having a chemical formula C_xH_yF_z, wherein x and z are 1 or more and y is 0 or more.例文帳に追加

そのエッチングの処理は、Ｃｌ_２、ＨＢｒ又はＢＣｌ_２等のハロゲン含有ガス、及び化学式Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚを有するフルオロカーボンガスであって、ｘ及びｚは１に等しいか又は１より大きく、ｙは０に等しいか又は０より大きい、フルオロカーボンガスを有する処理成分を導入する段階を有する。 - 特許庁

The present invention provides a manufacturing method comprising: a film formation process which forms vapor phase synthesized diamond film 2 on a main surface of a silicon substrate 1 by a vapor phase deposition method; a routing process which forms a pattern on the vapor phase synthesized diamond film 2 using a laser; and a protrusion process which forms a protrusion on the routed vapor phase synthesized diamond film 2 by a reactive chemical dry etching.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１主面部に気相合成法によって気相合成ダイヤモンド膜２を成膜する成膜工程と、該気相合成ダイヤモンド膜２をレーザーによって外形を切り出す外形工程と、切り出した気相合成ダイヤモンド膜２に反応性化学ドライエッチングによって突起を形成する突起工程を経ることを特徴とするダイヤモンドプローブの製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film selected from among a group composed of an YAlO_x film, GdAlO_x film and DyAlO_x film on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 8-9 in pH.例文帳に追加

シリコン基板の上に、ＹＡｌＯ_ｘ膜、ＧｄＡｌＯ_ｘ膜およびＤｙＡｌＯ_ｘ膜よりなる群から選ばれるいずれか１の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ８〜９の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor comprises the steps of forming (etching to cut-surface chemical conversion, carbonization process) a capacitor element having an anode body with an anode oxide film formed on its surface, impregnating an oxide reagent to the capacitor element by immerging the capacitor element in an oxide reagent solution, and then impregnating a monomer to the capacitor element by immerging the capacitor element in a monomer soluion.例文帳に追加

表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成し（エッチング〜切り口化成・炭化処理）、該コンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子に酸化剤を含浸させ（酸化剤含浸）、その後、該コンデンサ素子をモノマー溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子にモノマーを含浸させる（モノマー含浸）。 - 特許庁

Electrodes 2a-2f and 3a-3f and a wiring metal layer for connection with a photoelectric converting element are formed on both sides of the insulating substrate 1, and on the side face of a slit-like opening formed previously in the insulating substrate, and a dividing part 9 is formed by removing part of the metal layer formed on the side face of the opening selectively by machining or chemical etching.例文帳に追加

予めスリット状の開口部を形成して絶縁基板１の表裏両面及び前記開口部の側面に光電変換素子へ接続するための電極２ａ〜２ｆ、３ａ〜３ｆ及び配線用の金属層を形成するとともに、前記開口部側面に形成された金属層の一部を機械加工または化学エッチングにより選択的に除去して分断部９を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a color filter substrate for a reflection type liquid crystal display device which can maintain stable quality of a metal film as a reflection material through multiple imposition fabrication of single-wafer type by avoiding the exposure of the metal film to chemical liquid such as separation liquid in a process for separating an etching protective film, and provide a color filter substrate.例文帳に追加

反射材である金属膜のエッチング保護膜剥離工程における剥離液等の薬液による暴露を回避して、枚葉方式の多面付け生産での金属膜の安定した品質を維持できる反射型液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法とカラーフィルタ基板を提供する。 - 特許庁

The filter blade 6 is formed of one soft ND filter plate, and regarding the intermediate base plate 2 and the auxiliary base plate 3, chemical etching processing is applied on the surfaces facing the operating range of the effective area of the filter blade 6 covering the aperture 2a so as to form recessed parts 2c and 3b, then, the effective area is prevented from being scratched by the operation.例文帳に追加

フィルタ羽根６は、軟質の１枚のＮＤフィルタ板で製作されているが、中地板２と補助地板３には、開口部２ａを覆うフィルタ羽根６の有効領域の作動範囲と対向する面に、化学エッチング加工によって凹部２ｃ，３ｂが形成されているので、その作動によって有効領域には傷が付かないようになっている。 - 特許庁

In order to prevent dust occurrence from a peripheral end of the wafer, a semiconductor film 4 is formed in an integrated circuit pattern area on a front surface by removing at least the whole rear surface and the peripheral end of the formed semiconductor film 4 with a chemical to an insulating film 3 under the semiconductor film 4 by a high etching rate, in the semiconductor device 100.例文帳に追加

ウエハの周端部からの発塵を防止するために、成膜された半導体膜４における少なくとも裏面全面および周端部を薬液によりその下の絶縁膜３に対して高エッチングレートで除去して表面の集積回路パターン領域に半導体膜４を形成した半導体装置１００を実現する。 - 特許庁

On the printed board 4, the circuit patterns are formed in the expected pattern width by alternating a process of blowing an etchant from an etching nozzle (liquid chemical nozzle) 1 onto the printed board 4 which is being carried and a process of blowing air from an air nozzle 11 onto the printed board 4 so that the etchant is removed from on the printed board 4.例文帳に追加

搬送状態にあるプリント基板４上にエッチングノズル（薬液ノズル）１よりエッチング液を吹き付ける工程と、該エッチング液がプリント基板４上から除去されるべく、プリント基板４上にエアーノズル１１より気体を吹き付ける工程とが交互に繰返されるようにして、プリント基板４上に回路パターンが所期のパターン幅として形成されるようにしたものである。 - 特許庁

Since a plurality of the V grooves 13 are formed on the upper cap layer 9 of the current diffusion layer 7 and the current diffusion layer 7 is chemically etched with the groove base 15 of the V grooves 13 of the cap layer 9 as the starting point, the starting point of chemical etching of the current diffusion layer 7 can be made very long and slender.例文帳に追加

本発明によれば、まず電流拡散層７の上層であるキャップ層９にストライプ状の複数のＶ溝１３を形成し、キャップ層９のＶ溝１３の溝底１５を起点に電流拡散層７を化学的エッチングしているため、電流拡散層７の化学的エッチングの起点を非常に細長くすることができる。 - 特許庁

In a method of manufacturing the ring-shaped glass substrate for the magnetic recording medium, the ring-shaped glass substrate for the magnetic recording medium is obtained by selectively using a virtually flat portion other than a polished edge portion 2 out of a glass substrate 1 after the surface is mirror polished, and by form-processing the glass substrate 1 by chemical etching.例文帳に追加

円環状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、表面を鏡面研磨した後のガラス基材１のうち、研磨端部２以外の実質的に平坦な部分を選択的に用いて、ガラス基材１を化学エッチングにより形状加工して、円環状の磁気記録媒体用ガラス基板を得ることを特徴とする。 - 特許庁

An optical fiber is constituted by successively providing a first core layer 31 propagating light of a single mode, a first clad layer 32 propagating light of a multimode, a first support layer 34 for forming a slope, and a second support layer 35, and sharpened at its one end by chemical etching to be changed to a multistage inclined surface.例文帳に追加

単一モードの光を伝搬する第１のコア層３１、多モードの光を伝搬する第１のクラッド層３２、第２のクラッド層３３、上記傾斜面を形成するための第１のサポート層３４及び第２のサポート層３５が順次設けられてなり化学エッチングにより一端が先鋭化されて多段階の傾斜面に変化される。 - 特許庁

To provide a new method for efficiently producing monomer useful for introducing a construction unit having a specific butyrolactone ring into an acrylic resin so as to obtain a chemical amplification type photoresist composition having good transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, resist pattern forms, dry etching resistance and adhesiveness and having high affinity to alkalis.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーに対して良好な透明性を有し、優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示し、アルカリに対し高い親和性を有する化学増幅型ホトレジスト組成物を得るため、アクリル系樹脂に、特定のブチロラクトン環をもつ構成単位を導入するが、その導入のために有用な単量体を効率よく製造するための新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

In forming aluminum electrode foil for an electrolytic capacitor, a process which roughens the aluminum foil in an etching liquid containing at least a chlorine ion to make it etched foil, a chemical cleaning process which removes a deposit from the etched foil, and an anodic oxidation process for the etched foil are carried out.例文帳に追加

電解コンデンサ用アルミニウム電極箔を製造するにあたって、少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中でアルミニウム箔を粗面化してエッチド箔とするエッチング工程と、エッチド箔から付着物を除去するケミカル洗浄工程と、エッチド箔に対する陽極酸化工程とを行う。 - 特許庁

In one embodiment of this invention, what only one kind of double mode optical fiber is used and a cladding diameter is decreased through chemical etching and what tapering is applied by heating and diameters of both a core and a clad are decreased are used as both arms of the directional coupler and stretched after being molten and joined by heating.例文帳に追加

本発明の一実施の形態によると、一種類の二重モード光ファイバのみを使用し、化学的エッチングを通してクラッド（Ｃｌａｄｄｉｎｇ）直径を減らしたものと、熱を加えてテーパーさせ、コアとクラッド直径を共に減らしたものを方向性カプラの両腕として使用し、熱を加えて溶融接合後、引張することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises steps of forming a film 40 on a semiconductor substrate 10, forming a mask having a predetermined pattern on the film 40, etching the film 40 or the semiconductor substrate 10 using the mask, and conducting a treatment with a chemical containing at least one of primary to quarternary amines and fluorine.例文帳に追加

半導体基板１０上に膜４０を形成するステップと、膜４０上に、所定のパターンを有するマスクを形成するステップと、マスクを用いて、膜４０又は半導体基板１０にエッチングを行うステップと、第１級乃至第４級アミンのうちの少なくとも１つと、フッ素とを含む薬液によって処理を行うステップとを備える。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type resist, excellent in basic physical properties as a resist such as dry etching resistance, sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing a semiconductor device in a high yield.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかもドライエッチング耐性、感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるとともに、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The chemical amplification-type negative-working photoresist composition for low-temperature dry etching comprises (A) a photoacid generating agent, (B) at least one resin component selected from novolak resins, polyhydroxy styrene resins and acrylic resins, (C) at least one plasticizer selected from acrylic resins and polyvinyl resins, (D) a crosslinking agent and (E) an organic solvent.例文帳に追加

（Ａ）光酸発生剤、（Ｂ）ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、およびアクリル樹脂の中から選ばれる少なくとも一種の樹脂成分、（Ｃ）アクリル樹脂およびポリビニル樹脂の中から選ばれる少なくとも一種の可塑剤、（Ｄ）架橋剤、（Ｅ）有機溶剤を含むことを特徴とする低温ドライエッチング用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element that realizes a stable ramen mode vibration by processing an LQ2T-cut crystal substrate having a crystal azimuth, which have had difficulty of processing such as punching by a chemical etching method, to have a prescribed shape with high accuracy in a short time and to provide a manufacturing method for the piezoelectric element.例文帳に追加

化学的エッチング方法では打ち抜き等の加工が困難とされていた水晶の結晶方位を有するＬＱ２Ｔカット水晶基板に対して、短時間に精度よく所定形状に加工することにより、安定したラーメモード振動を実現する圧電素子及びこの圧電素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of: laminating a first adhesive tape 20 on a circuit surface 13 side of a semiconductor wafer with a circuit formed on the surface; grinding the backside of the semiconductor wafer; laminating a second adhesive tape 30 on the first adhesive tape 20; and subjecting the backside of the semiconductor wafer to chemical etching.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面１３側に、第１の粘着テープ２０を積層する工程と、該半導体ウエハの裏面を研削する工程と、第１の粘着テープ２０上に第２の粘着テープ３０を積層する工程と、該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と、を有する。 - 特許庁

This treatment method of silicon wafers includes a polishing process 12 for polishing the surface of a wafer where chemical etching treatment 11 is performed by polishing liquid containing a polishing particle, a first washing process 17 for washing the surface of the wafer by first washing liquid containing hydrogen peroxide and ammonium hydroxide, and a second washing process 18 for washing the surface of the wafer by second washing liquid containing the hydrogen peroxide and diluted hydrochloric water acid.例文帳に追加

研磨粒子を含む研磨液を用いて化学エッチング処理１１を施したウェーハの表面を研磨する研磨工程１２と、ウェーハの表面を過酸化水素と水酸化アンモニウムを含む第１洗浄液により洗浄する第１洗浄工程１７と、ウェーハの表面を過酸化水素と希塩酸を含む第２洗浄液により洗浄する第２洗浄工程１８とを含むシリコンウェーハの処理方法である。 - 特許庁

A method for inspecting a semiconductor wafer which has a film to form device structures, including device patterns and may have crystal defects, comprises a process of exposing the crystal surface of the semiconductor wafer, by removing the device structure film with a chemical solution, a process of making apparent any crystal defects by selectively removing the surface layer of the semiconductor wafer through selective etching, and a process of quantitatively evaluating the crystal defects.例文帳に追加

デバイスパターンを含むデバイス構造を構成する膜を備え、結晶欠陥を有することがある半導体ウェーハを検査する方法において、上記デバイス構造膜を薬液で除去して半導体ウェーハの結晶表面を露出させる工程と、選択エッチングにより半導体ウェーハの表面層を選択的に除去して上記結晶欠陥を顕在化する工程と、上記結晶欠陥を定量的に評価する工程と、を備える。 - 特許庁

The substrate for an electrophotographic photoreceptor is obtained by subjecting the photosensitive layer side surface of an aluminum or aluminum alloy substrate to etching with an acid and/or an alkali, a chemical conversion treatment with an acidic aqueous solution containing a metal salt of titanium or zirconium and an aftertreatment with a silicate solution, and the photosensitive layer side surface of the substrate comprises aluminum, oxygen and titanium, or aluminum, oxygen and zirconium.例文帳に追加

該基体がアルミニウムまたはアルミニウム合金でありかつ、該基体の感光層側の表面を酸またはアルカリあるいはアルカリと酸の両方を使用してエッチング処理を行った後にチタニウムまたはジルコニウムの金属化合物の金属塩を含有する酸性水溶液で化成処理した後に更にケイ酸塩の溶液にて後処理することを特徴とする電子写真感光体の製造方法、およびこの方法により製造された感光層側の表面にアルミニウム、酸素およびチタニウムまたはアルミニウム、酸素およびジルコニウムを含有する電子写真感光体用基体、並びに該感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置。 - 特許庁