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chemical-etchingの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 482



例文

The wet etching rate of the silicon nitride film 504 by a fluorine-containing chemical liquid is smaller than that of the silicon dioxide film 503 by a fluorine-containing chemical liquid.例文帳に追加

シリコン窒化膜504のフッ酸含有薬液でのウェットエッチングレートは、シリコン酸化膜のフッ酸含有薬液でのウェットエッチングレートよりも小さい。 - 特許庁

To provide a method for forming a chemical conversion-treated film of a magnesium alloy by which a chemical conversion-treated film of a magnesium alloy having excellent corrosion resistance and coating film adhesion can be formed on the surface of a magnesium alloy without requiring etching treatment.例文帳に追加

エッチング処理を行う必要なしで、マグネシウム合金の表面に、耐食性、塗膜密着性に優れた化成処理被膜を形成し得る、マグネシウム合金の化成処理被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

A sacrifice layer 36 is exposed from a chemical injection port 31 to remove the sacrifice layer 36 and another sacrifice layer 35 through etching by etchant introduced from the chemical injection port 31.例文帳に追加

薬液投入口31から犠牲層36を露出させ、薬液投入口31から導入したエッチャントによって犠牲層36と犠牲層35をエッチング除去する。 - 特許庁

The flow of the liquid chemical supplied from the entrance curtain 31 crosses the flow of the liquid chemical which is supplied from the slit curtain 32 on the substrate W carried into the etching chamber 3.例文帳に追加

入口液カーテン31から供給される薬液の流れとスリットカーテン32から供給される薬液の流れとは、エッチング処理チャンバー3に搬入されてくる基板W上において交わる。 - 特許庁

例文

Alternatively, after forming the opening on the insulating film, chemical liquid treatment for removing the residue of etching is applied, and, thereafter, the heat treatment at 250-350°C is applied to restore the damage by the chemical liquid treatment.例文帳に追加

あるいは、絶縁膜に開口を形成後に、エッチング残渣を除去する薬液処理を行った後、250℃〜350℃の熱処理を行い、薬液処理よるダメージを回復する。 - 特許庁


例文

The method of manufacturing the circuit board using the laminate of the metal layer and the polyimide film has a process for cleaning and removing, after a treatment with a chemical etching agent, an altered layer generated by the chemical etching agent and performing treatment with an acid aqueous solution when the polyimide film is subjected to an etching processing.例文帳に追加

金属層とポリイミドフィルムとの積層体を使用しての回路基板の製造方法において、ポリイミドフィルムをエッチング加工する際に、化学エッチング剤での処理後に化学エッチング剤による変性層を洗浄除去し、さらに酸性水溶液で処理するプロセスを有する回路基板の製造方法とこの方法によって得られる回路基板。 - 特許庁

The dry etcher comprises an evacuatable chamber 5, a chemical species generating source 2 mounted in the chamber 5 for generating a chemical species 3 having etching actions, and a substrate holder 1 disposed in the chamber 5 for holding a plurality of substrates 4 under process to expose them to the chemical species 3, thereby etching the surface of each substrate.例文帳に追加

ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ5と、チャンバ5に搭載されエッチング作用を有する化学種3を発生する化学種発生源2と、チャンバ5内に配され処理対象となる基板4を複数個保持して化学種3に暴露するための基板保持部材1とを有し、各基板4表面のエッチング処理を行う。 - 特許庁

The recesses 7 are formed by a method of selectively removing the surface of the trench wiring 6 by chemical etching, using ammonia or chelating agent, a method of forming a damaged layer on the surface of the trench wiring 6 and selectively removing the damaged layer by chemical etching, utilizing the accelerated etching effect, or a method of forming an oxide layer on the surface of the trench wiring 6 and removing the oxide layer by chemical etching.例文帳に追加

リセス7は、アンモニアやキレート剤を用いた化学的エッチング法により溝配線6の表面を選択的に除去する方法、溝配線6の表面にダメージ層を形成し、このダメージ層を増速エッチ効果を利用して化学的エッチング法により選択的に除去する方法、または、溝配線6の表面に酸化層を形成し、この酸化層を化学的エッチング法によって除去する方法により形成する。 - 特許庁

The polarizing element 1 includes: a substrate 11A; a plurality of metal filaments 18A provided on the substrate 11A by patterning a metal film by means of etching; and a deposition film 118 formed in an upper end part of each metal filament 18A, by chemical reaction of an etching gas with an etching product when etching the metal film.例文帳に追加

基板11Aと、金属膜をエッチングによりパターニングし基板11A上に設けられた複数の金属細線18Aと、金属膜のエッチング時におけるエッチングガス及びエッチング生成物が化学反応することで各金属細線18Aの上端部に形成されてなる堆積膜118とを備えた偏光素子1である。 - 特許庁

例文

This manufacturing method of the surface rugged structure comprises a process for forming grooves by irradiating the surface of a silicon substrate with a laser beam, and a process for forming the ruggedness on the silicon substrate by selectively etching the grooves by chemical etching.例文帳に追加

シリコン基板の表面にレーザー光を照射することで溝を形成する工程と、化学エッチングにより溝を選択的にエッチングすることでシリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする表面凹凸構造の作製方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

例文

The carbide coating is then polished or textured by a suitable process, such as laser etching, chemical etching or the like, to provide a surface morphology which makes the coating more hydrophilic, and further reduces a contact resistance on its surface.例文帳に追加

次いで、被覆をより親水性にし、その表面上の接触抵抗をさらに低減させる表面形態を与えるために、カーバイド被覆50、52は、レーザーエッチングまたは化学的エッチングなどの適切な方法によって研磨されるかまたはテクスチャード加工される。 - 特許庁

In a process of etching the wiring of a printed board using an etchant prepared by mixing a plurality of constituents for formation, temperature control and stirring are performed for a supplemental chemical solution for supplementing the etchant consumed for the etching processing or at a standby time.例文帳に追加

複数の成分を混合したエッチング液を用いてプリント基板の配線をエッチング処理して形成する工程において、エッチング処理又は待機時に消費されたエッチング液を補充するための補充薬液に対して、温度調節および攪拌を行う。 - 特許庁

At the time of the soft etching of a smear removing process performed prior to a catalyst bestowal process for chemical copper plating, after the via hole 13 is formed in the insulating layer 12 of a multilayer substrate by laser irradiation, aqueous solution including sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the soft etching liquid.例文帳に追加

多層基板の絶縁層12にレーザー照射によりビアホール13を形成した後、化学銅メッキのための触媒付与工程に先だって行われるスミア除去工程のソフトエッチの際に、ソフトエッチ液として硫酸及び過酸化水素を含む水溶液が使用される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stacked semiconductor integrated device that attains grinding resistance in reverse-surface grinding of a semiconductor wafer, heat resistance in an anisotropic dry etching process etc., chemical resistance during plating and etching, final smooth peeling from a support substrate for processing, and low adherend contamination at the same time.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spin etching apparatus for a rectangular substrate, by which the throwing power of a liquid chemical for etching to the back surface of the rectangular substrate such as a rectangular thin glass substrate is eliminated to reduce the occurrence of defective and a required dimensional precision is attained.例文帳に追加

長方形薄板ガラス基板等の長方形基板の裏面へのエッチング用薬液の回り込みを解消して不良品発生率の低減を図り、かつ所要の寸法出し精度を実現できる長方形基板のスピンエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In the surface treatment, a thin film may be formed on the surface by a sputtering or chemical vapor deposition method(CVD method) or a fine roughness may be formed on the surface by a wet etching method or a wet etching method after the thin film is formed.例文帳に追加

この表面処理はスパッタリングまたは化学蒸着法(CVD法)によって表面に薄膜を形成しても良いし、表面に湿式エッチングまたは上記の薄膜形成後の湿式エッチングの方法で微細な粗さを形成しても良い。 - 特許庁

To provide a product as a double layer flexible copper-clad laminated sheet using a direct metallization method in which satisfactory peeling strength after heating and chemical resisting performance of a circuit to be formed can be maintained, and etching with a copper etching liquid can be facilitated.例文帳に追加

ダイレクトメタライゼーション法を用いた2層フレキシブル銅張積層板であって、形成する回路の良好な加熱後引き剥がし強さ及び耐薬品性能を維持でき、且つ、銅エッチング液でのエッチングが容易な製品を提供する。 - 特許庁

In a region where plasma treatment is performed by introducing gas containing fluorine as a constitutive element as the material gas of etching, the plasma of gas containing fluorine is caused to react on carbon 112 under a solid state to generate molecular chemical species of CF_4, CF_2, CF_3, C_2F_4, and the like, used for etching.例文帳に追加

エッチングの原料ガスとして、フッ素を構成元素とするガスを導入し、プラズマ処理するその領域で、固体の状態の炭素112にフッ素を含むガスのプラズマを反応させ、CF_4やCF_2、CF_3、C_2F_4などの分子状の化学種を生成し、この化学種でエッチングする。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type resist composition which exhibits sufficient transmissivity when an exposure light source for F_2 excimer laser light (157 nm) is used, has a fast etching speed, and improves roughness of a sample surface after dry etching, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

160nm以下、具体的にはF_2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源使用時に十分な透過性を示し、エッチング速度が速く、かつドライエッチングを実施した後のサンプル表面の荒れが改善された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing an aluminum foil for an electrode of an electrolytic capacitor includes steps of: soaking an aluminum slab; hot-rolling and cold-rolling to form an aluminum foil; then subjecting the aluminum foil to at least one AC electrolytic etching; further subjecting to at least to one chemical etching; and thereafter performing final annealing.例文帳に追加

アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間圧延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたのち、このアルミニウム箔に少なくとも1回の交流電解エッチングを施し、さらに少なくとも1回のケミカルエッチングを施し、その後に最終焼鈍する。 - 特許庁

This Si wafer 10 is set to a wet etching device, and etching chemical dropped onto the rear of the Si wafer 10 is turned to the surface side of the Si wafer 10, so as to etch off the polycrystalline silicon film 28 covering the edge region at the surface.例文帳に追加

このSiウェーハ10をウェットエッチング装置にセットし、Siウェーハ10裏面上に滴下したエッチング薬液をSiウェーハ10表面側に回り込ませて、表面のエッジ領域を被覆している多結晶シリコン膜28をエッチング除去する。 - 特許庁

To uniformly planrize a metal film without embedding flaws or fine grains on the surface of a ground metal and further, without etching non- uniformity by flattening and removing a metal film for wiring, while using an etching liquid mainly for chemical operation.例文帳に追加

化学的作用を主体とするエッチング液を用いて配線用金属膜の平坦化および除去を行なうことで、研磨後の金属表面に傷や微粒子などの埋没が生じることなく、さらに、エッチングむらを生じさせることなく、金属膜を均一に平坦化する。 - 特許庁

After a sheet 16 is stuck to the whole surface of a semiconductor Si wafer 11 on the pattern forming side, chemical etching is performed to the no-pattern forming side (rear surface side) of the Si wafer 11 to the bottom face of a step 15 formed by performing reactive ion etching.例文帳に追加

半導体Siウエハ11のパターン形成側全面に、シート16を貼り付けた後、半導体Siウエハ11の非パターン形成側(裏面側)に対して、リアクティブイオンエッチングを行って形成した段差15の底面までケミカルエッチングを行う。 - 特許庁

A substrate is removed in a selective etching agent for a material of the substrate by wet chemical etching, and a first metal contact layer 7 is applied to the back side 6 of multi-layers 2, 3, 4, 5 facing the front side of the removed substrate, and a second metal contact layer 10 is applied to the front side 8 of a hetero-substrate 9.例文帳に追加

基板を湿式化学エッチングにより基板の材料用の選択エッチング剤中で除去し、除去された基板の表側に面する多重層2、3、4、5の裏側6上に第1の金属接触層7を、またヘテロ基板9の表側8上に第2の金属接触層10を被着する。 - 特許庁

This is a method of regenerating a semiconductor wafer which comprises steps of removing a surface coating layer from the semiconductor wafer by chemical etching, removing a small amount of one surface of the semiconductor wafer by machining, removing an alteration layer generated during the machining by chemical etching and mirror-polishing the other surface of the wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ基板を再生する方法であって、前記半導体ウエハ基板の表面被膜層を化学エッチングにより除去する工程;前記ウエハ基板の一方の面を機械的加工により小量除去する工程;前記機械的加工によって生じた変質層を化学エッチングにより除去する工程;及びウエハ基板の他方の面を鏡面研磨する工程とを含むウエハ基板の再生方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk includes: an etching process for etching plate-like glass to adjust plate thickness; a scribing process for forming the plate-like glass into an annular glass substrate; and a chemical surface treatment process that is a post-process of the scribing process to perform chemical surface treatment of the glass surface before a polishing process of the glass substrate.例文帳に追加

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、板状ガラスをエッチングして板厚を調整するエッチング工程と、前記板状ガラスを円環状のガラス基板に形成するスクライブ工程と、前記スクライブ工程の後工程であって前記ガラス基板の研磨工程の前に前記ガラス表面の化学的表面処理を行う化学的表面処理工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A chemical etching solution 5 is brought into contact with an inorganic material thin film 1 deposited by fine crystal grains 2 composed of intergranular regions easy to be dissolved into the chemical etching solution 5 and intragranular regions 3 hard to be dissolved therewith to dissolve the intergranular regions 4, and fine ruggedness is formed on the surface of the inorganic material thin film 1, by which the above problem is solved.例文帳に追加

化学エッチング液5に溶解し易い粒界領域4と溶解し難い粒内領域3とからなる微結晶粒2によって形成された無機材料薄膜1に、化学エッチング液5を接触させて粒界領域4を溶解し、無機材料薄膜1の表面に微小な凹凸を形成することによって、上記課題を解決する。 - 特許庁

In an outer peripheral part of the semiconductor substrate 1, a first material film 2 and a second material film 3 having a metal diffusion preventing function, and a third material film 4 sufficiently slow in an etching rate to a first chemical relative to the first material film 2 and sufficiently slow in an etching rate to a second chemical relative to the second material film 3 are formed in that order.例文帳に追加

半導体基板1の外周部に、金属拡散の防止機能を有する第1材料膜2及び第2材料膜3、第1薬液に対するエッチングレートが第1材料膜2よりも十分遅く、且つ、第2薬液に対するエッチングレートが第2材料膜3よりも十分遅い第3材料膜4、をこの順に順次成膜する。 - 特許庁

Thereafter, the second material film 3 on a principal surface side is removed by wet etching by using the second chemical until the first material film 2 formed on the principal surface side is exposed, and the first material film 2 on the principal surface side is removed by using the first chemical by wet etching until a semiconductor substrate surface is exposed on the principal surface side.例文帳に追加

その後、第2薬液を用いて主面側に形成された第1材料膜2が露出するまで主面側の第2材料膜3をウェットエッチング除去し、さらに第1薬液を用いて主面側に半導体基板面が露出するまで主面側の第1材料膜2をウェットエッチング除去する。 - 特許庁

In this etching treating method for cleaning a cleaning member, the cleaning member set in a cleaning tank is subjected to wet etching treatment using a chemical solution, the chemical solution after the completion of the treatment is moved to an another tank through at least one piping, and the cleaning member is not moved and is subjected to water washing treatment in the same cleaning tank.例文帳に追加

洗浄部材を洗浄するエッチング処理方法において、洗浄槽内に設置した該洗浄部材を、化学溶液を用いてウエットエッチング処理を行い、処理終了後の該化学溶液を、少なくとも一つの配管を通して別槽へ移動し、該洗浄部材は移動せず、同一洗浄槽内で水洗処理を行うことを特徴とするエッチング処理方法。 - 特許庁

The method for forming a chemical conversion coating with low electric resistance on the surface of the magnesium alloy material containing little aluminum comprises sequentially performing two steps treatment consisting of etching treatment with the use of an organic acid and treatment with the use of a solution containing fluorides, and then performing chemical conversion treatment.例文帳に追加

アルミニウムの含有率の低いマグネシウム合金材表面に、有機酸によるエッチング処理と、フッ化物を含有する水溶液による処理との2段階処理を順に行い、その後皮膜化成処理を行うことを特徴とするマグネシウム合金材の低電気抵抗皮膜化成処理方法である。 - 特許庁

In the etching method and apparatus, which immerses a substrate into a chemical to dissolve unwanted thin film and ejecting a cleaning solution from a nozzle above a liquid surface of the chemical, when the substrate is moved up to clean the substrate, prior to dried and deposition of particles on the surface of the substrate, thus reducing particle deposition.例文帳に追加

不要薄膜を溶解する薬液に基板を浸漬させた後、基板を上昇させる時に薬液の液面上部のノズルから洗浄液を吐出することにより、パーティクルが基板表面に乾燥固着する前に洗浄することでパーティクル付着を低減するエッチング方法及びエッチング装置。 - 特許庁

To provide a substrate cleaning apparatus effective for reducing the amount of a cleaning liquid to be used and shortening a cleaning time by displacing a liquid chemical with the cleaning liquid efficiently at the step to peel off a resist or carry out etching treatment or the like by using the liquid chemical when a liquid crystal display or the like is manufactured.例文帳に追加

液晶ディスプレイ等の製造の、薬液を用いた処理、レジスト剥離またはエッチング処理等の工程において、薬液と洗浄液の置換を効率良く行うことで洗浄液の使用量を削減、また洗浄処理時間の短縮するのに有効な基板の洗浄装置の提供。 - 特許庁

The surfaces of super-abrasive grains 1 are covered with metal covering layers 11 consisting of copper, and a chemical agent such as Mech-Etch Bond (trade mark) is applied to the surface of each covering layer 11 followed by a chemical etching process so that a surface is formed where a number of micro-projections 11a remain.例文帳に追加

超砥粒1の表面を銅からなる金属被覆層11で被覆し、金属被覆層11の表面にメックエッチボンド(商標)等の薬剤を塗布して化学的にエッチング処理し、多数の微細な突起11a…の残存した表面を形成して金属被覆砥粒10を構成する。 - 特許庁

The shield film has resistance against surface-active processing liquid containing defatting liquid, acid chemical, alkaline chemical, solvent, alcohol, plating liquid and etching liquid, and may have, in some cases, moisture resistance, resistance to gas permeability, and corrosion resistance; for example, the shielding film has Cr, Ni, Ti, Cu, W, Ag or Al as the main components.例文帳に追加

シールド膜は、脱脂液を含む表面活性処理液、酸性薬液、アルカリ性薬液、溶剤、アルコール、めっき液及びエッチング液に対する耐性を有し、耐湿性、耐ガス透過性、耐腐食性を有する場合があり、例えばCr、Ni、Ti、Cu、W、Ag又はAlを主成分とする。 - 特許庁

The film deposition system comprises: a plasma chemical vapor growth means having a plasma linear source 7; an ion etching treatment means having an ion etching roller 5 arranged at prescribed intervals with the plasma linear source 7; and a film conveying means making a film 3 pass between the plasma linear source 7 and the ion etching roller 5.例文帳に追加

本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース7を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース7と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー5を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース7とイオンエッチングローラー5との間においてフィルム3を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。 - 特許庁

By this forming method, the fine hole can be formed in the printed board speedily at a low cost by etching other materials (e.g. glass fibers) of the printed board 10 which can not be removed with plasma by using a chemical solution after etching for the fine hole is carried out by mainly using plasma technology and plasma etching is performed.例文帳に追加

主にプラズマ技術を利用して微小穴のエッチングを行い、且つプラズマエッチングした後、化学溶液を利用してプラズマで除去できないプリントボード10のその他の材料(例えば、ガラス繊維)をエッチングさせ、迅速且つ低コストで行うことができるプリントボードの微小穴の形成方法である。 - 特許庁

In this measurement method for the etching accuracy, two sheets of metal foils of the same kind and thickness are superposed and stuck to a plate, chemical etchant is sprayed thereon, the plate is taken out before the whole of the upper metal foil is removed by etching, the two metal foils are cut to have the same area as they are still superposed, and the etching amount is examined by comparison of weight.例文帳に追加

同じ種類で同じ厚さの2枚の金属箔を重ねて板に貼り合わせ、化学エッチング液をスプレー噴霧し、上側の金属箔が全てエッチング除去されないうちにその板を取り出し、その2枚の金属箔を重ねたまま同じ面積になるように切断し、その重量を比較することによりエッチング量を調査するエッチング精度の測定方法。 - 特許庁

In a method for forming a positive oxide thin film pattern in which the top of a substrate is coated with a composition containing a metal alkoxide and a chelate stabilizer, the resulting coating film is irradiated with light, a chemical reaction of the unirradiated part in the coating film is allowed to proceed and the irradiated part is dissolved and removed by etching with an etching solution, an aqueous alkali solution is used as the etching solution.例文帳に追加

金属アルコキシド及びキレート安定化剤を含む組成物を基板上に塗布し、塗布膜に光照射すると共に、この塗布膜における非照射部の化学反応を進行させた後、エッチング溶液にてエッチングして照射部を溶解、除去するポジ型酸化物薄膜パターンの形成方法において、前記エッチング溶液としてアルカリ水溶液を用いることを特徴とするものである。 - 特許庁

In addition, the metal film forming method includes a process to form a photo resist pattern of a desired shape on the metal film divided into a plurality of areas and the resin film, and a process to form the metal film pattern of a desired shape by removing a part of the metal film divided into a plurality of areas by the chemical etching method, a plasma etching method or the ion beam etching method.例文帳に追加

さらに、上記複数の領域に分けて形成した金属膜および樹脂フィルム上に、所望形状のフォトレジストパターンを形成する工程と、化学エッチング法またはプラズマエッチング法もしくはイオンビームエッチング法により、上記複数の領域に分けて形成した金属膜の一部を除去し、所望形状の金属膜パターンを形成する工程とを含む金属膜の形成方法とする。 - 特許庁

A laser irradiation microworking method comprises the steps of placing a metal material in the chemical solution, forming a passivity film on this metal front surface in the chemical solution, removing the passivity film by means of a laser ablation by selectively irradiating a laser beam, and removing a material by performing an etching action by the chemical solution with respect to only a part where the passivity film is removed.例文帳に追加

本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。 - 特許庁

Wet etching for the polysilicon film is started with APM, containing a solution of aqueous ammonia and hydrogen peroxide at a prescribed mixture ratio, as chemical (step 100).例文帳に追加

アンモニア水と過酸化水素水と純水とを所定の混合比で含むAPMを薬液として、ポリシリコン膜のウェットエッチングを開始する(ステップ100)。 - 特許庁

The dynode 8 is made of a sheet of plate 8a having conductivity on the surface and comprises electron multiplying holes 14 that are formed by chemical etching or the like.例文帳に追加

ダイノード8は、表面が導電性を有する1枚のプレート8aからなり、ケミカルエッチング等により形成された電子増倍孔14を有する。 - 特許庁

The silicon substrate is subjected to a chemical etching treatment using an etchant containing an aqueous alkali solution and a surfactant to form the irregularities on the surface thereof.例文帳に追加

シリコン基板をアルカリ水溶液と界面活性剤とを含んだエッチング液を用いて化学エッチングをすることにより、表面に凹凸を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel (PDP) having an address electrode excellent in property of adhering to a protective layer against chemical etching, and to provide a conductor paste forming the electrode.例文帳に追加

化学エッチングに対する保護層との密着性に優れたアドレス電極を有するプラズマディスプレイパネル(PDP)および該電極を形成するための導体ペーストを提供する。 - 特許庁

Before performing this etching process, projecting portions of the electrodes 15' are removed or decreased in order to prevent sticking to the electrodes of air bubbles 27 contained in the chemical solution.例文帳に追加

このエッチング工程を行う前に、化学溶液に含まれている気泡27の電極への付着を防止するために電極15’の突出部分を除去するか減少させる。 - 特許庁

The etching surface is rinsed with a solution of ammonium hydroxide or ammonium fluoride, so as to accelerate formation of a desired bonding chemical species on the surface (4).例文帳に追加

エッチング面は、水酸化アンモニウム、フッ化アンモニウムのような溶液でリンスされ、前記面上の望ましい結合化学種の形成を助長する(4)。 - 特許庁

As pretreatment to the anode oxidation treatment, chemical polishing treatment or alkali etching treatment is performed thereto, thus, even if being a gray color tone, its gloss is also controlled.例文帳に追加

陽極酸化処理の前処理として、化学研磨処理又はアルカリエッチング処理が施されていることにより、グレー色の色調でありながら、その光沢についても調整される。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type resist composition excellent in adhesiveness to a substrate, dry etching resistance and developability as well as in transparency to ArF excimer laser light, resolution and sensitivity characteristics.例文帳に追加

ArFエキシマーレーザー光に対する透明度が優れ解像度及び感度特性が優れているだけでなく、基板に対する接着性、乾式エッチング耐性、及び現像性などが優れた化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

例文

The cleaning chemical solution exhibits an action enhancing the solubilization of the cerium oxide into the solution by the fluorine ion component in addition to an etching action by the acid component and a reduction and decomposition action of the cerium oxide by the reductant.例文帳に追加

当該洗浄薬液は、酸成分によるエッチング作用と還元剤による酸化セリウムの還元分解作用とに加え、フッ素イオン成分による洗浄薬液中への酸化セリウムの溶解促進作用を有している。 - 特許庁

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