「chemical-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An aluminum electrolytic capacitor is provided, where anode foil, and cathode foil in which pits are provided by electrochemical or chemical etching after intermittently opening a hole of approximately 0.3 mm to 3 mm are wound or laminated via the separator.例文帳に追加

陽極箔と、０．３ｍｍから３ｍｍ程度の穴を間欠的に開けた後に、電気化学的または化学的にエッチングを行ってピットを設けた陰極箔とを、セパレータを介して巻回または積層したアルミニウム電解コンデンサを提供することである。 - 特許庁

Layers 602, 606, 610 of SiON as a Fresnel lens material are deposited by a known method and the chemical composition for depositing material is selectively altered to form middle etching stopping layers 604, 608 at appropriate positions.例文帳に追加

本発明の一態様による製作方法では、公知の方法でフレネルレンズ材であるＳｉＯＮ層６０２，６０６，６１０をそれぞれ堆積した後、堆積された材料の化学組成を選択的に変化させることにより、中間エッチング停止層６０４，６０８が適当な位置に形成される。 - 特許庁

To provide a microminiature structure that is formed on a semiconductor substrate on which fine working to be concrete by KOH circumstantially by wet chemical etching, is performed, by a CMOS technique in a field of microminiature structures.例文帳に追加

本発明は超小型構造の分野に関し、詳細には湿式化学エッチングによる微細加工、具体的にはＫＯＨによる微細加工を受ける予定の半導体基板上にＣＭＯＳ技術を介して形成された超小型構造に関する。 - 特許庁

To provide a production method of an electrode foil for an electrolytic capacitor, which removes and replaces chlorine ion adhering to the foil while minimizing dissolution of a foil surface layer after etching, and can produce a high powered foil by improving chemical conversion property.例文帳に追加

エッチング工程後、箔表層の溶解を最小限にしつつ、箔に付着している塩素イオンを除去・置換し、化成性向上による高倍率箔を製造することのできる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive and practical electromagnetic shielding member using aluminum which substantially eliminates contrast unevenness of a display screen by eliminating poor precision of an aluminum pattern formed by chemical etching when the material of a metal pattern is changed from copper to inexpensive aluminum.例文帳に追加

金属パターンの材質を銅から安価なアルミニウムに代えると生じる、ケミカルエッチングで形成したアルミニウムパターンのパターン精度不良を解消して、アルミニウムを用いた安価で、しかも表示画面の濃淡ムラがほとんどない、実用可能な電磁波シールド部材を提供する。 - 特許庁

The conductor paste is favorably applied to form the address electrode of PDP manufactured in such a manner that a partition of a predetermined pattern is formed by chemical etching performed with the address electrode covered with the protective layer (for example, a resist layer formed by dry film resist).例文帳に追加

かかる導体ペーストは、アドレス電極を保護層（例えばドライフィルムレジストにより形成されたレジスト層）で覆った状態で行われる化学エッチングによって所定パターンの隔壁を形成する態様で製造されるＰＤＰのアドレス電極を形成する用途に好適である。 - 特許庁

This oxide layer and other foreign substances are removed by chemical polishing with immersion in an etching solution or electrolytic polishing, for instance, and then a transparent protective layer 12 is formed on the surface 10a by application and drying of a glass coating solution, for instance.例文帳に追加

この酸化物層やその他の異物を、例えばエッチング処理液への浸漬による化学研磨や電解研磨により除去し、その後、表面１０ａ上に、例えばガラスコーティング液の塗布、乾燥により透明保護層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a device and a method for protecting the internal component of a semiconductor treatment device such as a plasma reactor or a reactive species generator from physical damage and/or chemical damage in an etching process and/or a cleaning process.例文帳に追加

エッチングプロセス及び／又はクリーニングプロセス中の物理的損傷及び／又は化学的損傷から、プラズマ反応器又は反応性種発生器等の半導体処理装置の内部コンポーネントを保護する装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

In reapplying anodic oxidation to an electrode foil obtained by applying anodic oxidation and drying to an aluminum etching foil, the electrode foil is immersed in an acid solution as depolarization processing ST1, and then, anodic oxidation is reapplied using in-solution power feed as restoring chemical treatment ST2.例文帳に追加

アルミニウムエッチング箔に陽極酸化および乾燥を施した電極箔に再度の陽極酸化を行う際、減極処理ＳＴ１として、電極箔を酸性溶液に浸漬した後、修復化成処理ＳＴ２として、液中給電により再度の陽極酸化を行う。 - 特許庁

Chemical plating on the surface of the cycloolefinic resin molded article is performed after etching the surface of the article with an organic solvent having a solubility parameter of from 12.0 J^1/2/cm^3/2 to 20.1 J^1/2/cm^3/2.例文帳に追加

環状オレフィン系樹脂成形品の表面に対して、溶解度パラメーターが１２．０Ｊ^ｌ／２／ｃｍ^３／２から２０．１Ｊ^ｌ／２／ｃｍ^３／２である有機溶媒によって、表面をエッチングするエッチング工程後に化学メッキ処理する。 - 特許庁

To provide an antenna that uses aluminum and is inexpensive and practical by eliminating a pattern precision defect of an aluminum pattern layer, formed by chemical etching, which is caused when the material of a metal pattern layer is changed from copper to inexpensive aluminum.例文帳に追加

金属パターン層の材質を銅から安価なアルミニウムに代えると生じる、ケミカルエッチングで形成したアルミニウムパターン層のパターン精度不良を解消して、アルミニウムを用いた安価でしかも実用可能なアンテナを提供する。 - 特許庁

The device manufacturing method includes a step of disposing a mask closely onto the base material 2 having a modified part 2a subjected to modification beforehand and position-selectively forming a film 6 in a gas phase so as to cover the modified part 2a and then a step of performing chemical etching of only the modified part 2a.例文帳に追加

予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。 - 特許庁

To overcome poor pattern accuracy of chemical etching and adhesive defect when adhering an aluminum layer onto a transparent base material, which are the problems generated when the material of a metal pattern is replaced with cheap aluminum from copper, and to provide a low-cost and practicable transparent conductive member with the use of aluminum.例文帳に追加

金属パターンの材質を銅から安価なアルミニウムに代えると生じる課題である、ケミカルエッチングのパターン精度不良及びアルミニウム層を透明基材上に接着する際の接着不良を解消して、アルミニウムを用いた安価で而かも実用可能な透明導電部材を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive material excellent in image distinction, which material eliminates a failure in pattern accuracy of an aluminum pattern layer formed by chemical etching, induced by substituting low-cost aluminum for copper as the material of a metal pattern layer, and suppresses a fog and a distortion of an image.例文帳に追加

金属パターン層の材質を銅から安価なアルミニウムに代えると生じる、ケミカルエッチングで形成したアルミニウムパターン層のパターン精度不良を解消するとともに、画像の曇り及び歪みを抑制し画像鮮明性に優れた透明導電材を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film, either an LaAlO_x film or PrAlO_x film, on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 9-10 in pH.例文帳に追加

シリコン基板の上に、ＬａＡｌＯ_ｘ膜およびＰｒＡｌＯ_ｘ膜のいずれか一方の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ９〜１０の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

In the surface processing treatment of the GaN-based semiconductor substrate, mechanical polishing for the surface of the GaN-based semiconductor substrate is performed (cutting step, wrapping step), and then chemical gas phase etching for the surface of the GaN-based semiconductor substrate is performed (CVE step).例文帳に追加

ＧａＮ系半導体基板の表面加工処理において、ＧａＮ系半導体基板の表面に対して機械的研磨を行い（研削工程、ラッピング工程）、その後、ＧａＮ系半導体基板表面に対して化学的気相エッチングを行う（ＣＶＥ工程）。 - 特許庁

A working method for enhancing both of the fatigue strength and the magnetic characteristics in the end part to be worked of the electromagnetic steel sheet includes subjecting the end part to be worked of the electromagnetic steel sheet to the ultrasonic impact treatment, and etching the end part by 1 to 20 μm with the electrolytic grinding method or the chemical polishing method.例文帳に追加

電磁鋼板の加工端部に超音波衝撃処理の後、電解研磨もしくは化学研磨方法で１μｍ以上20μｍ以下エッチングし、電磁鋼板の加工端部の疲労強度および磁気特性の両方を向上させる加工方法。 - 特許庁

A surface of an aluminum plate 1 of the lithographic printing plate support is roughed and etched by mechanical roughing, chemical etching or electrochemical roughing, and protrusion ends of the surface of the plate 1 are cut by string-like fibers each having a diameter of 5 to 60 μm.例文帳に追加

本発明によれば、平版印刷版支持体であるアルミニウム板１の表面を機械的粗面化または化学的エッチングまたは電気化学的粗面化で粗面化、エッチングを行った後、直径５〜６００μｍの糸状の繊維で、アルミニウム板１表面の凸部先端を削る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing plastic plated goods which does not require chemical etching, does not always require the addition of a large amount of inorganic fillers for forming a physically roughened surface effective for the adhesion property of plating and is capable of assuring high plating quality.例文帳に追加

化学エッチングが不要で、また、メッキ密着性に有効な物理的粗化表面を形成するための多量な無機充填材添加を必ずしも必須とせず、高いメッキ品質が確保できるプラスチックメッキ品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The supporting body 30 is made of some metal-like materials that can be processed to have so precise thickness and shape as those needed for the formation of a minute capillary gap 18 by means of chemical etching, mechanical punching, blanking (die cutting) or similar processing methods.例文帳に追加

支持体３０は、化学的エッチング、レーザ切断、機械的押し抜き、打ち抜き（ダイ・カット）又は同様な加工方法により、精密毛細管ギャップ１８を形成するために必要な精密な厚さ及び形状にしうる、金属のような材料でできている。 - 特許庁

To obtain a light-emitting element in which an Ag, based metal layer can be protected effectively against corrosion, when a substrate for growth or a machining damage layer is removed by chemical etching, and high manufacture yield is attained, while enhancing light extraction efficiency by reflection.例文帳に追加

成長用基板や加工ダメージ層を化学エッチングにより除去する際に、Ａｇ系金属層に腐食が生ずることを効果的に防止でき、ひいては製造歩留まりが良好で、反射による光取出し効率も高めることができる発光素子。 - 特許庁

The chemical polymerization reaction can be promoted by stages by executing at least twice or more of heat treatment for a fixed time, the solid-state electrolytic layer is formed into the etching pit 8 of the anode electrode foil 1, and the residue of the solvent can also be removed effectively.例文帳に追加

少なくとも２回以上の熱処理を一定時間ほど超すことで、化学重合反応を段階的に促進させることができ、陽極電極箔１のエッチングピット８内部に固体電解質層が生成され、溶媒の残留物を効果的に除去することもできる。 - 特許庁

To provide a composition for forming an insulating film that is capable of forming an insulating film low in moisture absorption and a relative dielectric constant, excellent in etching resistance and chemical resistance and also excellent in mechanical strength, to provide a polymer and a process for producing the polymer, to provide a process for producing an insulating film and to provide a silica-based insulating film.例文帳に追加

吸湿性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a glass substrate for a flat panel display (FPD) in which a coating layer having high chemical resistance or adhesiveness is formed on the surface of a glass substrate before wet etching, and by which the glass substrate having a high accuracy pattern can be manufactured.例文帳に追加

ウェットエッチングを行う前に、耐薬品性や密着性の大きい被覆層をガラス基板表面に形成することにより高精度なパターニングが施されたフラットパネル（ＦＰＤ）用ガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the compound semiconductor layer 50 is epitaxially formed on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 50 through a temporary supporting binding layer 111; and in addition, the substrate for growth is removed by chemical etching or the like.例文帳に追加

成長用基板の第一主表面上に化合物半導体層５０をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層５０の第一主表面に仮支持基板１１０を、仮支持結合層１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板を化学エッチング等により除去する。 - 特許庁

Thereby, the cleaning chemical solution shows drastically high cleaning power against cerium oxide by the synergistic effect of the actions of the three components, and foreign matters present on the surface of the glass base material can be removed with a slight etching amount such that a latent flaw is not caused.例文帳に追加

このため、３成分の作用の相乗効果により、該洗浄薬液は酸化セリウムに対して極めて高い洗浄力を有し、潜傷を発生させない程度の極僅かなエッチング量でガラス素材の表面の異物が除去される。 - 特許庁

A battery can 1 is formed into a rectangular shape using a metal plate, such as aluminum copper, iron, stainless steel or brass, and by way of plastic working such as deep drawing; and then on the outer surface, a convex-concave portion 1a is formed by chemical etching using photo-resist.例文帳に追加

アルミニウム、銅、鉄、ステンレス鋼、黄銅等からなる金属製電池缶１を、深絞り加工等の塑性加工により矩形形状に加工した後、その外側面に凹凸部１ａをフォトレジストを用いた化学エッチングにより形成した。 - 特許庁

The method for manufacturing the low reflective glass substrate comprises a process for colliding a grinding stone with the surface of glass substrate to form the compressive stress part and a process of chemical etching for the formation of concave and convex shapes on the surface of the glass substrate, and the low reflective glass substrate obtained by the method is provided.例文帳に追加

ガラス基材表面に砥粒を衝突させて圧縮応力部を形成し、次いで化学的エッチング処理により、前記ガラス基材表面に凹凸形状を形成させる低反射ガラス基材の製造方法、及びこの方法で得られた低反射ガラス基材である。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition having a chemical structure transparent to ArF excimer laser beams having a wavelength of 193 nm and high in resistance to dry etching, and a method for forming a negative pattern free from swelling and high in resolution and superior in developability by using an aqueous developing solution of widely used tetramethylammonium hydroxide.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３nmに透明かつドライエッチング耐性が高い化学構造を持ち、汎用のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液による現像で膨潤のない、解像性に優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for chemical and mechanical planarization capable of surely eliminating a residue of a silicon dioxide, without requiring reverse mask etching work or re-removing work, improving the grinding control capability, reducing the cost and improving the yield.例文帳に追加

確実に二酸化珪素の残留の課題を解消できると共に、反マスクエッチング作業や再除去作業を要しないようにすることができ、研磨制御能力を向上でき、コストを低減させることができとともに、歩留まりをも向上できる化学機械平坦化方法を提供する。 - 特許庁

A silicon nitride film 7 which has a selection ratio of an interlayer insulating film 6 higher than that of a resist film and which is more hardly polished in a chemical/mechanical polishing method than the interlayer insulating film 6 is formed on the interlayer insulating film 6 under predetermined etching conditions.例文帳に追加

所定のエッチング条件においてレジスト膜よりも層間絶縁膜６に対する選択比が高くかつ層間絶縁膜６よりも化学機械研磨法において研磨され難いシリコン窒化膜７を層間絶縁膜６の上に形成する。 - 特許庁

Furthermore, a physical means can be used besides a chemical means used for etching the metal film or the reactant provided with the same, and the releasing layer is more easily removed in a short period of time.例文帳に追加

金属膜、又は金属を有する反応物はエッチング速度が高く好ましく、さらに、金属膜、又は金属を有する反応物をエッチングする化学的手段に加え、物理的手段を用いることができ、より簡便に、短時間で剥離層を除去することができる。 - 特許庁

After forming an electrolyte layer 5 and an electrode layer 6 on a desired area of a metal base 2, the area 4 on which the layers are formed is subjected to chemical etching to be made porous (porous part 4a) and gas-permeable, thereby forming the cell element.例文帳に追加

金属支持体２の所望部位に電解質層５および電極層６を成膜したのち、当該金属支持体２の成膜位置４を化学的エッチング処理して多孔質化（多孔質部４ａ）し、ガス透過性を付与して電池要素を構成する。 - 特許庁

To obtain a resin for a resist which is highly transparent to far ultraviolet rays having wavelengths of about 220 nm or lower and high etching resistance and is excellent in adhesion to a substrate; and a chemical amplification-type resist and to provide a pattern formation method using the resist.例文帳に追加

略２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外線に対する光透明性が高く、エッチング耐性が高く、且つ基板密着性の優れたレジスト用樹脂、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

At the time of removing a part of the silicon film 8 contacted with one of both side surface of the gate electrode 3, the parts of the film 8 other than the part to be removed are covered with a resist mask 11 and then subjected to a chemical dry etching process.例文帳に追加

多結晶シリコン膜８のうち、ゲート電極３の両側面のうちの一方の側面に接触する部分を除去する際、多結晶シリコン膜８の除去すべき部分以外の部分をレジストマスク１１で覆い、ケミカルドライエッチングによるエッチングを行う。 - 特許庁

In addition, since the ridge structure is self-assembled and self-aligned, a lesser number of processing steps are required to create the optical device in comparison to the known approach that uses wet chemical etching techniques to form the ridge structure.例文帳に追加

更に、このリッジ構造は自己集合・自己整合型であるので、リッジ構造を形成するために湿式化学エッチング技法を使用する公知のアプローチと比較して光デバイスを作り出すために必要とされる処理ステップの数は少ない。 - 特許庁

Chemical etching is performed, using a positive film which is provided with photosensitive grooves, 1, 1, etc., being equipped with main grooves 10 roughly square in plan view and equipped with pushed-out grooves 13a-13d where each corner 11a-11d of the main groove 10 is pushed out outward more than each size 12a-12d of the main groove 10.例文帳に追加

平面略方形を呈する主要溝１０を備え、その主要溝１０の各角部１１ａ〜１１ｄが主要溝１０の各辺１２ａ〜１２ｄよりも外方にせり出すせり出し溝１３ａ〜１３ｄを備える感光溝１，１…を設けたポジフィルムを用いて化学エッチングする。 - 特許庁

To provide a composition for forming an electrical insulation film capable of forming electrical insulation film with low hygroscopicity and dielectric constant, high etching resistance and chemical liquid resistance and high mechanical strength; to provide a polymer related thereto and a method for producing the polymer; to provide a method for producing such electrical insulation film; and to provide silica-based electrical insulation film.例文帳に追加

吸湿性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。 - 特許庁

Before a metallic film is deposited on the surface of silicon used for forming the silicide film in a supersonic semiconductor device using cobalt silicide or nickel silicide, a chemical oxide film is formed on the surface of the silicon after a natural oxide film is removed from the surface of the silicon by performing a wet etching process.例文帳に追加

コバルトシリサイドあるいはニッケルシリサイドを使う超高速半導体装置において、シリサイド膜形成のためシリコン表面に金属膜を堆積する前に、シリコン表面から自然酸化膜をウェットエッチングプロセスで除去した後、化学酸化膜を形成する。 - 特許庁

In the dry etching method, gallium-nitride compound layers 22-24, sapphire substrates 21 or alumina substrates are etched by plasma 26 generated from a reaction gas containing chlorine gas and gas of a compound (such as chloroform, dichloromethane, etc.), represented by a chemical formula C_xH_yCl_z, in which each of x, y, and z is a positive integer.例文帳に追加

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物（クロロホルム、ジクロルメタン等）のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ２６により、窒化ガリウム系化合物層２２〜２４、サファイア基板２１もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁

Upper nozzles and lower nozzles for discharging the cleaning liquid and a side nozzle for discharging the cleaning liquid vertically with respect to the advancing direction of a substrate for the liquid crystal display are arranged in a cleaning part of a sheet-fed treating unit for peeling off the resist or carrying out etching treatment or the like by using the liquid chemical at the step to manufacture the substrate.例文帳に追加

液晶ディスプレイ基板の製造工程の、薬液を用いたレジスト剥離処理またはエッチング処理等を行う枚葉処理装置の洗浄処理部において、洗浄液を吐出する上部ノズル、下部ノズル及び基板の進行方向に対して垂直に吐出する側面ノズルを設ける。 - 特許庁

A gas (HCl etching gas) 18 for decomposing and removing the deposits 11 is supplied to the reaction chamber 2, and the heated deposits 11 are decomposed and removed from the internal wall surface 2a of the chamber 2 through the chemical reaction, (Si(s)+2HCl(g)SiCl2(g)+H2(g)).例文帳に追加

そして分解除去用のガス１８（エッチングガス：ＨＣｌ）が反応室２に供給され、加熱された堆積物１１が化学反応（Ｓi(s)＋２ＨＣｌ(g)→ＳiＣｌ2(g)＋Ｈ2(g)）により分解され反応室２の内壁２ａから取り除かれる。 - 特許庁

Consequently, a short-circuit between the gate electrode portion 10 and the capacity contact plug 25 can be prevented when a contact plug 22 is formed by a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process and then a capacity contact hole 24 is opened by etching to form the capacity contact plug 25.例文帳に追加

これにより、ＣＭＰ処理を経てコンタクトプラグ２２を形成し、さらに、エッチングにより容量コンタクトホール２４を開口して容量コンタクトプラグ２５を形成した場合に、ゲート電極部１０と容量コンタクトプラグ２５とのショートを防止することができる。 - 特許庁

The anisotropic diffusion medium comprises: a transparent film having a number of rod-like perforations penetrating in a fixed direction from one surface to the other produced by irradiation with charged particles and chemical etching; and a light transmitting material filling the perforations and having a refractive index different from that of the film.例文帳に追加

荷電粒子照射及び化学的エッチングにより一方の面から他方の面に一定方向で貫通する多数の棒状穿孔を設けた透明性フィルムと、上記穿孔内に充填された、上記フィルムとは屈折率が異なる透光性材料とから異方性拡散媒体を構成する。 - 特許庁

In order to increase the moment of inertia, the thickness of the center portion of the crown portion 2 is reduced by chemical etching, and a mass, including the portion of mass reduction, is positioned in the sole portion 3 on the side of the toe portion 5; moreover, the separation distance from the center of gravity 8 to the mass 3a is increased.例文帳に追加

慣性モーメントを大きくするために、クラウン部２の中央部分を化学エッチングで削ぎ落とし、ソール部３のトウ部５側に削ぎ落とし分を加味した質量体３ａを配置し、さらに重心８から質量体３ａまでの離間距離を大きくした。 - 特許庁