「current effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a solid-state image pickup element where a silicon nitride film is not formed on the formation region of a light receiving part while suppressing the occurrence of dark current and white blemish by sufficient hydrogen annealing effect.例文帳に追加

十分な水素アニール効果を与えて暗電流や白キズの発生を抑制しながら、受光部の形成領域にシリコン窒化膜が形成されない固体撮像素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The modulation current, flowing between a source diffusion region 202 and a drain diffusion region 203 of the field effect transistor, is subjected to synchronous detection by the modulation frequency of the modulation means 104 in a detection circuit 205.例文帳に追加

電界効果型トランジスタのソース拡散領域２０２とドレイン拡散領域２０３間を流れる変調電流は、検出回路２０５にて、変調手段１０４の変調周波数にて同期検波される - 特許庁

To provide an eddy current probe for detecting a metal surface flaw capable of effectovely detecting the flaw and further detecting directivity of the flaw by reducing an influence of a lifting-off effect and a material discontinuous part.例文帳に追加

リフトオフ効果及び材質不連続部の影響を低減させて、確実に傷を検出するようにし、さらに傷の方向性を検出し得るようにした金属表面探傷用渦流プローブを提供する。 - 特許庁

To provide an illuminator which can have a small thermal resistance and a high heat radiating effect even when a heat sink or the like is not used, can use a light emitting element in a large current range and cope with an increased output.例文帳に追加

熱抵抗が小さくヒートシンクなどを使用しなくても放熱効果が高く、発光素子を大電流領域で使用可能で高出力化にも対応可能な照明を可能とする照明装置を提供する。 - 特許庁

Between a first terminal and a second terminal supplied with a power supply, a serial body in which a load (light source) comprising a current-driven light emitting element, a field effect transistor, and a first resistance are successively connected from the first terminal side is provided.例文帳に追加

電源が供給される第１端子と第２端子の間に、第１端子側から電流駆動発光素子からなる負荷（光源）、電界効果トランジスタ、第１抵抗が順次接続された直列体を備える。 - 特許庁

In the state where the upper enclosure 8 is folded, the ground conductor functions as small ground with respect to the antenna but since the effect of a grounding current is not canceled, performance of the antenna is reduced a little in comparison with great ground.例文帳に追加

上筐体８が折り畳まれた状態では、アンテナに対して小さなアースとして働くが、接地電流の効果が打ち消されることはないので、アンテナの性能は大きなアースと比較して少ししか低下しない。 - 特許庁

To provide a resistance change memory device which uses a spin transfer effect which reduces the transition probability into a quasi-stable state, and achieves the stable flux reversal over a wide range of an injection current to write in data.例文帳に追加

準安定状態への遷移確率を減らし、注入電流の広い範囲にわたって安定な磁化反転を実現する、スピントランスファ効果を利用してデータの書き込みを行う抵抗変化型メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based hetero field-effect transistor that has low resistance against electron transfer during ON-operation, and in which gate leakage current of a gate electrode and two-dimensional electron gas is hard to occur during OFF-operation.例文帳に追加

オン動作時には電子移動の抵抗が低く、かつオフ動作時にはゲート電極と２次元電子ガスとのゲートリーク電流が発生しにくいＩＩＩ族窒化物系へテロ電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a rectangular enameled wire and a method of manufacturing the same which can enlarge a surface area of the rectangular enameled wire obtained by rolling a round enameled wire, and can reduce difficulty in a current flow caused by a skin effect.例文帳に追加

丸形エナメル線を圧延して得られる平角エナメル線の表面積を大きくでき、表皮効果による電流の流れ難さを低減した低ロス高効率の平角エナメル線及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which prevents a phenomenon that a neighboring negative wordline effect is serious and prevents useless increase of current consumption, when a negative wordline system is applied and, to provide a driving method thereof.例文帳に追加

ネガティブワードライン方式の適用時において、隣接ゲート効果が深刻になる現象を防止し、かつ、無駄な電流消費の増加を防止することのできる半導体メモリ装置及びその駆動方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a heterojunction field effect transistor, in which the steep potential distribution by planar doping is sustained and deterioration in device characteristics, e.g. lowering of channel layer electron mobility or increase in gate leak current, is suppressed.例文帳に追加

プレーナドーピングによる急峻なポテンシャル分布を維持し、チャネル層電子移動度の低下や、ゲートリーク電流の増大等の、デバイス特性の劣化が抑制されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A power circuit 5 turns on a field effect transistor Q1, by performing output to a timer FET start circuit 7 to short-circuit the DC output terminals of a diode bridge 11, thereby supplying a current to between the AC input terminal.例文帳に追加

電源回路５でタイマＦＥＴ起動回路７に電界効果トランジスタQ1に出力してオンさせ、ダイオードブリッジ11の直流出力端子間を短絡して、交流入力端子間に電流を流させる。 - 特許庁

Moreover, in the TFT, a conductive film 8 for shield is arranged in order to interrupt the effect of an electric field to be generated from the drain to the OLED to stabilize the current to be supplied to the OLED.例文帳に追加

ＴＦＴは、ドレインＤからＯＬＥＤにかけて発生する電界の影響を遮断する為に、チャネルＣｈの上方にシールド用の導体膜８が配されており、ＯＬＥＤに供給される電流を安定化する。 - 特許庁

To control a composition or a defect of an oxide semiconductor and to obtain a sufficient on/off ratio while increasing the field effect mobility of a thin film transistor and suppressing off-state current.例文帳に追加

酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを他の目的の一とする。 - 特許庁

In another embodiment, a pixel circuit 400 includes a CMOS circuit for controlling the OLED, and a protection circuit for protecting the CMOS circuit from an over-voltage condition, and a current source having a field effect transistor (FET).例文帳に追加

別の実例では、画素回路４００はＯＬＥＤを制御するＣＭＯＳ回路と、このＣＭＯＳ回路過電圧状態から保護する保護回路と、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を有する電流源とを備えている。 - 特許庁

To provide a high luminance nitride-based semiconductor light-emitting diode adapted to optimize a current diffusion effect and minimize an electrostatic discharge impact to make it possible to stabilize from a high static electricity.例文帳に追加

電流拡散効果を最適化すると共に、静電気放電衝撃を最小化することにより、高い静電気から安定化させることができる高輝度の窒化物系半導体発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

To achieve normally ON type and normally OFF type nitride semiconductor heterostructure field effect transistors (HFET) of current collapse free and a high breakdown voltage, and to achieve the latter especially in the HFET.例文帳に追加

窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）において、電流コラプスフリーで、かつ高耐圧の、ノーマリーオン型およびノーマリーオフ型のＨＦＥＴを実現することであり、特に後者を実現すること。 - 特許庁

To accurately match the voltage of output signals with the voltage, which is a target value, of input signals by simply and effectively compensate for or avoid the adverse effect of an offset and to reduce current consumption.例文帳に追加

オフセットの影響を簡単かつ効率的に補償または回避して出力信号の電圧を目標値である入力信号の電圧に正確に一致させるとともに、消費電流を大幅に低減すること。 - 特許庁

To provide a multilayered filter which prevents a current rapidly starting flowing by a varistor effect from becoming noise and passing when noise of a high voltage exceeding a varistor voltage is applied to an input.例文帳に追加

バリスタ電圧を越える高い電圧のノイズが入力に印加された際に、バリスタ効果によって急激に流れた電流がノイズとなって通過するのを防止することができる積層型フィルタを提供する。 - 特許庁

In applying a sense current to the CPP magnetoresistance effect head in a direction of a first fixed layer from a free layer, a relative angle formed by magnetization of a second fixed layer and that of the free layer is 70° to 80°.例文帳に追加

垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドにセンス電流を自由層から第一の固定層の方向に流す場合、第二の固定層と自由層の磁化の相対角度が、70〜80度の角度である構成を用いる。 - 特許庁

If the electroluminescence elements 11A to 11E are deteriorated in their characteristics, they are excited with an alternating-current voltage for making up for the characteristic deterioration, and the effect of the characteristic deterioration is thereby suppressed and the luminous intensity is kept constant.例文帳に追加

また、エレクトロルミネッセンス素子１１Ａ〜１１Ｅが特性劣化しても、それらの特性劣化を補う交流電圧Ｖ_Dを励振することにより、特性劣化の影響を抑えて発光輝度を一定に保つ。 - 特許庁

The magnetic memory comprises a magnetoresistance effect element (10), and wiring structures (21 to 24) to which the writing current for making a writing magnetic field for writing data act on the element (10) is made to flow.例文帳に追加

本発明による磁性メモリは、磁気抵抗効果素子（１０）と、データを書き込むための書き込み磁場を磁気抵抗効果素子（１０）に作用させる書き込み電流が流される配線構造（２１〜２４）とを具備する。 - 特許庁

To provide a self-excitation type switching power supply circuit in which generating discharge current is reduced when an oscillation field effect transistor (3) is turned on, and as a result, energy loss in the case of switching is little, and noise is not generated.例文帳に追加

発振用電界効果トランジスタ（３）がターンオンする際に、発生する放電電流を減少させ、その結果、スイッチングの際のエネルギー損失が少なく、ノイズが発生しない自励式スイッチング電源回路を提供する。 - 特許庁

To prolong a life of an MR head by releasing the feedback control made for positioning a carriage and stopping the supply of a sense current to a magneto-resistance effect element of the MR head, when a magnetic disk device is in the standby state for operation.例文帳に追加

磁気ディスク装置が動作待機状態のときは、キャリッジの位置決めのためのフィードバック制御を解除し、ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子にセンス電流を流すのを止め、ＭＲヘッドの寿命を延ばす。 - 特許庁

To obtain a superconducting detector in which an external magnetic field used for restraining a Josephson current of a sensor superconducting tunnel junction(STJ) device is positioned accurately, so as not to have magnetically adverse effect to other STJ device integrated circuits such as a superconducting quantum interference device(SQUID) and the like.例文帳に追加

センサ用超伝導トンネル接合（STJ）素子のジョセフソン電流を抑制するための外部磁場を正確に位置付けし、超伝導量子干渉素子（SQUID）等他のSTJ素子集積回路に磁気的悪影響を与えない。 - 特許庁

A gate is connected to the terminal A, a drain is connected to the ground, one end of a constant current source is connected to a source and a p channel MOSFET 14 (metal oxide semiconductor film electric field-effect transistor) constituting a source follower is connected to the source.例文帳に追加

端子Ａには、ゲートに接続され、ドレインが接地され、ソースに定電流源の一端が接続されて、ソースフォロアを構成するｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１４（金属酸化膜電界効果トランジスタ）が接続される。 - 特許庁

When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加

オフ時にはｐ形有機半導体膜３_２ｐとｎ形有機半導体膜３_１ｎとのｐｎ接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistive effect storage element in which the coercive force is prevented from increasing due to uneven structure by eliminating unevenness in the structure of a ferromagnetic material layer and the writing current to the storage element is reduced.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子において、強磁性体層の構造不均一性を解消することで、構造の不均一に起因する保持力の増大を防ぎ、その記憶素子への書き込み電流を減少させる。 - 特許庁

This alleviates the concentration of the electric filed to the top end (angular portion) of the fin-shape active region, thus making it possible to maintain the current drive capability of the fin effect field transistor and simultaneously inhibit the decrease in threshold voltage.例文帳に追加

これにより、フィン状の活性領域の上端部（角部）における電界集中が緩和されることから、フィントランジスタの電流駆動能力を維持しつつ、閾値電圧の低下を抑制することが可能となる。 - 特許庁

A current mirror circuit 1, a feedback circuit 5, a resistor 11, a P-channel MOS field-effect transistor 9, a sampling control circuit 10, a control terminal 4, a load terminal 8 and a sensing terminal 12 are provided.例文帳に追加

カレントミラー回路１と、フィードバック回路５と、抵抗１１と、ＰチャネルＭＯＳ電界効果型トランジスタ９と、サンプリング制御回路１０と、制御端子４と、負荷端子８と、検出端子１２とを備えている。 - 特許庁

To provide a waveguide type optical modulator capable of applying a uniform and sufficient electric field to an optical waveguide, even if deviations in current distribution due to skin effect is generated within an electrode, through which modulation signal flows.例文帳に追加

変調信号が流れる電極内で表皮効果による電流分布の偏りが発生しても、光導波路に均一かつ十分な電界を印加できるようした導波路型光変調器を提供する。 - 特許庁

To provide an alternating current impedance measuring system capable of performing highly accurate and fast impedance calculation by removing the effect of a gradient component contained in voltage from measuring data of less than one cycle.例文帳に追加

一周期未満の測定データから、電圧に含まれる勾配分によるインピーダンス演算への影響を除去し、高精度かつ高速なインピーダンス演算が行える交流インピーダンス測定システムを提供すること。 - 特許庁

Light piping is lengthened by shading of memory array 33 and several characteristics of the image sensor, holding time of memory cell being lengthened under the effect of sub threshold current that increases according to light and photocharge in the substrate.例文帳に追加

メモリアレイ３３の遮光と画像センサの幾つかの特徴とにより、光パイピング、光により増加するサブスレショルド電流、及び基体における光電荷の影響をさせることにより、メモリセルの保持時間が長くなる。 - 特許庁

To provide a negative feedback amplifier driving a loudspeaker unit in order to drive by a constant phase, constant voltage, and a constant current whose effect of the phase and an inverse electromotive force is small.例文帳に追加

スピーカー・ユニットの駆動力は、そのユニットを流れる電流と位相に比例するので、位相と逆起電力の影響の少ない定位相、定電圧、定電流駆動するためのスピーカー・ユニット駆動負帰還増幅器である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and an electro-optical device capable of each obtaining a stable output even if source-drain current fluctuates in the saturated operating region of a thin film transistor caused by kink effect.例文帳に追加

キンク効果に起因して薄膜トランジスタの飽和動作領域にソース・ドレイン電流の変動がある場合でも、安定した出力を得ることができる半導体装置および電気光学装置を提供することにある。 - 特許庁

A pulse width/phase estimating section B performs statistic processing by Fourier coefficients for estimating the phase of d axis from the measurements of a current difference vector dependent on the pulse voltage thus reducing the effect of noise.例文帳に追加

パルス制御・位相推定部Ｂは、パルス電圧により変化する電流差ベクトルの計測結果からｄ軸の位相を推定するのに、フーリエ係数による統計処理を行ってノイズの影響を低減させる。 - 特許庁

In other words, the Japanese consumption function is similar in structure to the Keynesian consumption function, where the current disposable income determines the level of consumption and the effect of decrease in the compensation of employees plays a significant role in the decrease in consumption.例文帳に追加

すなわち、我が国の消費関数は、今期の可処分所得が消費水準を決定する「ケインズ型消費関数」に近い構造となっており、雇用者報酬の減少が消費を減退させる効果が大きい。 - 経済産業省

To the current path provided after the internal signal of the bias control part varies, a field-effect transistor whose gate and drain are connected to each other or a bipolar transistor whose base and collector are connected to each other is connected.例文帳に追加

バイアス制御部の内部信号の変化後に設けられる電流パスには、ゲート及びドレインが相互に接続された電界効果トランジスタ又はベース及びコレクタが相互に接続されたバイポーラトランジスタが接続される。 - 特許庁

When the element characteristics of an element to be selected (selection element DUTx) are measured, an off-leak current flowing through an element not to be selected (non-selection element DUTy) is reduced utilizing the substrate bias effect.例文帳に追加

選択対象の素子（選択素子ＤＵＴｘ）の素子特性を測定する際には、基板バイアス効果を利用して、非選択対象の素子（非選択素子ＤＵＴｙ）に流れるオフリーク電流を小さくする。 - 特許庁

By disposing an LED circuit 32B having the second largest load capacity so that the current path becomes the second shortest path after the first LED circuit 32A, the effect of high-frequency noise, etc. can be further reduced.例文帳に追加

また、負荷容量が次に大きいＬＥＤ回路３２Ｂを第１のＬＥＤ回路３２Ａの次に電流経路が短くなるように配置することにより、さらに高周波ノイズ等の影響を低減できる。 - 特許庁

To provide a current sensor insusceptible to the effect of interference due to a magnetic field of adjacent bus bar or an external magnetic field even when not using a ring magnetic core, having satisfactory linearity of output characteristics, and allowing reduction in size.例文帳に追加

リング状磁気コアを用いない場合でも隣接するバスバー又は外部からの磁界による干渉の影響を受けにくく、かつ、出力特性のリニアリティが良好で小型化の可能な電流センサを提供する。 - 特許庁

Furthermore, since comb shaped parts 16A and 20A of the surface electrode are alternately arranged, a current direction is inversely provided at a place directly close to the same face, a large magnetic field offset effect is provided and the ESL is significantly reduced.例文帳に追加

更に、前記表面電極の櫛歯状部１６Ａ，２０Ａを交互に配置しているため、同一面の直近で電流方向が逆向きになり、磁界相殺の効果が大きく、ＥＳＬが大幅に低減される。 - 特許庁

To provide a receiver for mobile radio equipment having an effect such that it is constituted so that receiving sensitivity and current are satisfactory when an interfering wave is small and it is made strong against the interfering wave when the interfering wave is large.例文帳に追加

妨害波が小さい時は受信感度や電流の良好な構成とし、妨害波が大きいときは、妨害波に強い構成とするという効果を有する移動体無線機用受信機を提供することにある。 - 特許庁

To provide a transimpedance amplifier for carrying out current-voltage conversion without the need for using a resistor for a load to suppress the effect of a parasitic capacitance and to decrease distortion in an output signal.例文帳に追加

負荷に抵抗を使用することなく電流−電圧変換を行うようにし、これにより寄生容量の影響を抑え、かつ、出力信号の歪みを低減できるようにしたトランスインピーダンス増幅器の提供。 - 特許庁

To provide a magnetic memory where wiring can easily be arranged so that wiring for writing current passes the face of a magnetoresistance effect element for a multiple number of times and enlargement of a storage region due to wiring can be suppressed.例文帳に追加

書き込み電流を流す配線が磁気抵抗効果素子の面上を多数回通過するように該配線を容易に配設でき、且つ、該配線による記憶領域の拡大を抑えることができる磁気メモリを提供する。 - 特許庁