| 例文 |
dielectric processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 716件
To provide a high dielectric polymer useful for an electronic component such as a dielectric film of a capacitor, a film or the like and excellent in high dielectric properties, insulation properties and adhesion to a metal such as copper or the like, to provide a process for producing the high dielectric polymer and to provide a film comprising the high dielectric polymer.例文帳に追加
コンデンサの誘電体膜やフィルム等の電子部品に有用な、高誘電性、絶縁性、および銅等の金属への密着性に優れた高誘電性ポリマーおよびその製造方法、ならびに前記高誘電性ポリマーを含むフィルムを提供する。 - 特許庁
To provide a complex dielectric constant measuring apparatus that can accurately obtain the complex dielectric constant for the measured material as a whole, without having to process the measured material or measure the complex dielectric constant.例文帳に追加
測定材料を複素誘電率測定用に加工することなく、精度良く測定材料全体の複素誘電率を求めることが可能な複素誘電率測定装置を提供する。 - 特許庁
To provide a process for forming a dielectric thin film in which occurrence of striation can be reduced, and to provide a piezoelectric device employing a dielectric thin film formed by that process.例文帳に追加
ストライエーションの発生を低減することができる誘電体薄膜の形成方法及びそれを用いて製造された誘電体薄膜を備えた圧電体装置を提供する。 - 特許庁
To efficiently perform a process of reforming a film having a low dielectric constant and a process of forming another insulation film having a different film quality on the reformed film having a low dielectric constant.例文帳に追加
低誘電率膜の改質する処理と、改質後の低誘電率膜上に膜質の異なる他の絶縁膜を形成する処理とを、効率良く実行することを可能とする。 - 特許庁
This manufacturing method includes a process of forming a dielectric film 5 including any of titanium, strontium, and barium as a constituent element on a substrate 1, a process of exposing the dielectric film 5 to the plasma of gas for etching including coloring, and a process of processing the plasma-exposed surface of the dielectric film 5 with oxidizing gas.例文帳に追加
基板1上にチタン、ストロンチウム及びバリウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜5を形成する工程、この誘電体膜5を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝す工程、誘電体膜5のプラズマ暴露面を酸化性ガスで処理する工程、を備える。 - 特許庁
The dielectric layer 13 for dividing alignment and the dielectric layer 14 for controlling thickness of the liquid crystal layer 4 are simultaneously formed with an identical process.例文帳に追加
配向分割用の誘電層13と液晶層4の厚さを制御する誘電層14は、同一プロセスにより同時形成されている - 特許庁
To solve the problem that an intricate process is needed to form a guard ring for dielectric strength improvement.例文帳に追加
耐圧向上を目的としたガードリングを形成するためには、煩雑な工程を必要とする。 - 特許庁
MOCVD SEED LAYER PROCESS FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM ON HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE OXIDIZED FILM例文帳に追加
高誘電率ゲート酸化膜上に強誘電体薄膜を形成するMOCVDシード層プロセス - 特許庁
In the process (c), the dielectric layer is formed by performing heat treatment on the deposition layer 6.例文帳に追加
工程(c)では、成膜層6に対して熱処理を施すことにより、誘電体層を形成する。 - 特許庁
To provide a process for forming a dielectric thin film in which occurrence of striation is prevented effectively.例文帳に追加
ストライエーションの発生を有効に防止する誘電体薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
To perform framing for a flexible dielectric substrate (4) with small distortion during the following process of a flex circuit.例文帳に追加
後続のフレックス回路加工中に、歪みが小さい可撓性誘電体基板(4)をフレーミングする。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a semiconductor device in which damage on an interlayer dielectric is suppressed.例文帳に追加
層間絶縁膜に与えるダメージが抑制された、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To efficiently perform the optimization of process conditions such as a wiring process and a gate process in a short period of time by performing the dielectric constant evaluation of an interlayer film with high precision in the middle of a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加
半導体製造工程途中で高精度に層間膜の誘電率評価を行うことにより、配線工程やゲート工程などのプロセス条件の最適化を効率よく短期間で行う。 - 特許庁
The hermetic seal 40 is located between each dielectric tube and the process chamber, so as to allow a vacuum or low pressure in the process chamber.例文帳に追加
気密シール40が各誘電体チューブと処理室との間にあることによって、処理室の内部を真空圧または低圧にする。 - 特許庁
To provide a process for producing a ferroelectric thin film or a high dielectric thin film at an extremely low temperature suitable for fabrication process of micro LSI.例文帳に追加
微細LSIの製造プロセスに適する極めて低い温度で、強誘電体薄膜又は高誘電体薄膜を製造する。 - 特許庁
The method includes: a process for preparing a substrate at least having a drain region and a bottom electrode to be electrically coupled to the drain region, a process for forming a first barrier layer on the bottom electrode, a process for forming a dielectric layer having a high dielectric constant, a process for forming a second barrier layer on the dielectric layer, and a process for forming an uppermost electrode.例文帳に追加
少なくともドレイン領域と該ドレイン領域に電気的に結合される底部電極とを備える基板を準備する工程と、前記底部電極上に第1のバリア層を形成する工程と、高誘電率を有する誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に第2のバリア層を形成する工程と、最上部電極を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁
To provide a dielectric memory configured in such a way that utilization of an existing CMOS manufacturing process is facilitated and including a capacitor with excellent dielectric characteristics.例文帳に追加
既存のCMOSの製造プロセスの利用が容易となる構造を有し、強誘電体特性に優れたキャパシタを備えた誘電体メモリを提供する。 - 特許庁
In the process of manufacturing a photonic crystal, a fibrous substance having a low dielectric constant is arranged and the space in the substance is filled with a substance having a high dielectric constant.例文帳に追加
フォトニック結晶を製造するに際して、誘電率の低い繊維形状物質を配列し、その隙間を誘電率の高い物質で埋める。 - 特許庁
To provide a process of preparing a low-temperature sintered microwave dielectric ceramic composition: and a low-temperature sintered microwave dielectric ceramic obtained by the same.例文帳に追加
低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法及びそれから得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミックを提供する。 - 特許庁
The plug seals and encapsulates the dielectric layer underlying the each spacer, thus preventing the dielectric material from being undercut during the subsequent silicide precleaning process.例文帳に追加
プラグは、各前記スペーサの下の誘電体層を封入密閉して、後のシリサイド前洗浄プロセス中に誘電体材料がアンダーカットされないようにする。 - 特許庁
To provide an apparatus for manufacturing a dielectric film for a plasma display panel, capable of enhancing the uniformity of deposition of the dielectric film using a plasma CVD process.例文帳に追加
プラズマCVD法を利用した誘電体膜の成膜の均一性を高めることができるプラズマディスプレイパネル用誘電体膜製造装置を提供する。 - 特許庁
ELECTRONIC COMPONENT WITH DOPED METAL OXIDE DIELECTRIC MATERIAL, AND PROCESS FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT WITH DOPED METAL OXIDE DIELECTRIC MATERIAL例文帳に追加
ドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセス - 特許庁
To provide a method for producing a dielectric ceramic thick film having satisfactory dielectric properties without performing heat treatment at the time of forming a dielectric ceramic thick film on a substrate made of metal or the like by an aerosol gas deposition process.例文帳に追加
エアロゾルガスデポジション法により、金属などの基板上へ圧電セラミック厚膜を形成し、熱処理なしに良好な圧電特性を有する圧電セラミック厚膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a dielectric structure formed on a heat-resisting substrate for forming a dielectric on a non-heat resisting substrate, and a peeling transition process to the non-heat resisting substrate of a dielectric film.例文帳に追加
非耐熱性基板上に誘電体を形成するための、耐熱基板上に形成された誘電体構造と、その誘電体膜の非耐熱性基板上への剥離転移プロセスを提供する。 - 特許庁
This method comprises a process for building up a dummy displacement gate, a process for carrying out high temperature treatment to elements, a process for removing a dummy gate 28A, and a process for building-up dielectric materials to be turned into the gate dielectric layer 32 and final gate materials in the gate area.例文帳に追加
この方法では、ダミー置換ゲートを堆積する工程と、素子を高温処理にかける工程と、ダミーゲート28Aを除去する工程と、その後に、ゲート領域内に、ゲート誘電体層32となる誘電体材料および最終的なゲート材料を堆積する工程とを含む。 - 特許庁
To provide a process of obtaining a material having a high dielectric constant and a low dielectric loss tangent, in a process of forming a ceramic oxide material that can function as a dielectric material of electronic parts without using temperature degrading peripheral parts.例文帳に追加
電子部品の誘電材料として機能し得るセラミック酸化物材料を形成するプロセスにおいて、周囲の部品を劣化させるような温度を用いることなく、高い誘電率および低い誘電正接を有する材料を得ることができるプロセスを提供すること。 - 特許庁
PROCESS FOR FORMING CERAMIC OXIDE MATERIAL WITH PYROCHLORE STRUCTURE HAVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT AND IMPLEMENTATION OF THE PROCESS FOR APPLICATION IN MICROELECTRONICS例文帳に追加
高い誘電率を有するパイロクロール構造のセラミック酸化物材料を形成するプロセスおよびマイクロエレクトロニクス用途のためのこのプロセスの実施 - 特許庁
To process a substrate comprising a resist layer overlying a dielectric feature, in a substrate processing chamber comprising an antenna, and first and second process electrodes.例文帳に追加
誘電体フィーチャを覆うレジスト層を備える基板を、アンテナ、第1及び第2処理電極を備える基板処理チャンバ内で処理する。 - 特許庁
Each materialization value of the process variation and the dielectric breakdown time is generated by a Monte Carlo method.例文帳に追加
工程ばらつきおよび絶縁破壊時間のそれぞれの実現値はモンテカルロ法により生成される。 - 特許庁
To make feasible of forming an interlayer insulating film in low dielectric constant under the conventional resist process.例文帳に追加
通常のレジストプロセスを採用して、比誘電率が低い層間絶縁膜を形成できるようにする。 - 特許庁
A dielectric material used in a manufacturing process is removed, thus further reducing electrostatic capacity.例文帳に追加
製造プロセスで使用した誘電材料を除去して、静電容量をさらに低減させることができる。 - 特許庁
To provide a multiple color overlapping image forming device applying air dielectric breakdown charging and developing (ABCD) process.例文帳に追加
空気絶縁破壊帯電・現像(ABCD)プロセスを用いた多色重ね画像複製装置を提供する。 - 特許庁
The interlayer dielectric 22 is not removed in the following process but remains on a completed semiconductor device 2.例文帳に追加
この層間絶縁膜22は、その後の工程で除去されずに完成した半導体装置2に残存する。 - 特許庁
To provide a piezoelectric device which compensates the hysteresis of a dielectric crystal substrate and a process for producing the same.例文帳に追加
誘電体結晶基板のヒステリシスを補償した圧電装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
INSULATED ULTRAFINE POWDER, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME AND RESIN COMPOSITE MATERIAL WITH HIGH DIELECTRIC CONSTANT USING THE POWDER例文帳に追加
絶縁化超微粉末とその製造方法、およびそれを用いた高誘電率樹脂複合材料 - 特許庁
To evaluate the film quality of a low dielectric constant film for each process without contaminating a product wafer.例文帳に追加
製品ウェハを汚染することなく、且つ、個々のプロセスごとに低誘電率膜の膜質を評価する。 - 特許庁
The transfer source substrate 50 is removed from the ceramic dielectric layer 5 (a transfer source substrate removal process) (4).例文帳に追加
(4)転写元基板50をセラミック誘電体層5から除去する(転写元基板除去工程)。 - 特許庁
Consequently a cutting process can be eliminated and a dielectric multilayer film filter chip can be inexpensively formed.例文帳に追加
こうすれば切削工程をなくすることができ、安価に誘電体多層膜フィルタチップが形成できる。 - 特許庁
In the process, interconnection metal is prevented from diffusing into material of a surrounding dielectric layer.例文帳に追加
相互接続金属が周囲の誘電層材内に拡散されるのを防止するための過程が開示される。 - 特許庁
To provide a process which markedly reduces the reduction potential in a dielectric without oxidation of copper foil.例文帳に追加
銅箔の酸化なしに、誘電体における還元電位を著しく低減するプロセスを提供する。 - 特許庁
Finally, the dielectric film 130 is subjected to a polarizing process thereby forming an electret diaphragm.例文帳に追加
また、誘電体フィルム130に分極プロセスを施し、それによってエレクトレット振動板を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor element for power which has a small increase in dielectric strength against variance of a process.例文帳に追加
プロセス上のばらつきに対する耐圧の低下が小さい電力用半導体素子を提供する。 - 特許庁
In this case, the main ingredient of the bus electrodes 12 is included in the dielectric layer 14, so that the local disappearing of the transparent electrodes 11 never happens even after the dielectric layer 14 has undergone a high-temperature baking process by including the main ingredient of the bus electrodes 12 in the dielectric layer 14.例文帳に追加
誘電体層14内にバス電極の主成分が含まれることにより、誘電体層の高温焼成工程をへても透明電極の局所的な消失がされることがない。 - 特許庁
To provide a method for oxide dielectric layer formation by a sol-gel process where the oxide dielectric layer is less likely to undergo damage by an etching liquid and has excellent dielectric properties such as high electric capacity.例文帳に追加
ゾル−ゲル法を用いて誘電層を形成し、その誘電層がエッチング液による損傷を受けにくく、且つ、高い電気容量等の誘電特性に優れた酸化物誘電層の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a production process of an Mg solid solution dielectric thin film having a single phase perovskite structure and also to provide such a thin film material which is produced by the production process and has excellent characteristics.例文帳に追加
単相ぺロブスカイト構造のMg固溶誘電体薄膜を得るための手法と、この手法によって優れた特性を有する薄膜材料を得る。 - 特許庁
The organic dielectric material is used to obtain the advantage that lift-off is hardly caused in the subsequent manufacturing process even if the temperature is low in the manufacturing process.例文帳に追加
有機誘電材料を使用することによって製造工程で温度が低くてもその後の製造工程に於いて剥離しにくいという長所を具える。 - 特許庁
To provide a dielectric composition for a dielectric film of a plasma display panel, which improves contrast characteristics of the plasma display panel using a simple manufacturing process, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
単純な製造工程によりプラズマディスプレイパネルのコントラストを向上できるプラズマディスプレイパネルの誘電膜の誘電体組成物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can deposit a dielectric thin film on a substrate at a practical rate and comprises a process for forming the dielectric thin film having a shallow surface roughness.例文帳に追加
実用的な速度で堆積することができ、表面ラフネスが小さい誘電体薄膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
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