「dielectric process」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The forming method of the dielectric DBR mirror of the surface emitting laser comprises a process for constituting a resonator comprising an active layer with semiconductor growth, a process for depositing dielectric DBR comprising Si on an end face of the resonator at a first temperature of 150°C to 300°C, and a process for performing heat treatment at a second temperature different from the first temperature.例文帳に追加

本発明の面発光レーザの誘電体ＤＢＲミラーの形成方法は、半導体成長により活性層を含む共振器を構成する工程と、同共振器端面にＳｉを含む誘電体ＤＢＲを温度１５０℃以上３００℃以下の第一温度で成膜する工程と、そのあとに第一温度と異なる第二温度で熱処理を施す工程を有する。 - 特許庁

After the process of forming a dielectric layer 4 on the surface of a capacitor element 2 to which an anode lead wire 3 is jointed, by performing a process of generating a fine chip 41 at the dielectric layer 4 by supplying ultrasonic vibrations, it is made possible to apply a voltage to the anode lead wire 3 and perform the electrolytic polymerization, in a process of forming the conductive high polymer film 5.例文帳に追加

陽極リード線3を接合したコンデンサ素子2の表面に誘電体層4を形成する工程の後に、超音波振動を与えることにより誘電体層4に微小な欠損41を生じさせる工程を行うことによって、導電性高分子膜5を形成する工程において、陽極リード線3に電圧を印加して電解重合を行うことを可能とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the dielectric material comprises a first process for heating amorphous fine-particle powder in air at the temperature of ≥230°C and <530°C to obtain an intermediate product; and a second process of heating the intermediate product obtained in the first process under reduced pressure at 700-1,000°C.例文帳に追加

下記の無定形微粒子粉末を空気中２３０℃以上５３０℃未満で加熱して中間生成物を得る第１の工程と、第１の工程で得られた中間生成物を、減圧下７００℃以上１０００℃以下で加熱する第２の工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

If there is a heating process using gases such as nitrogen in the middle of formation of the multilayer dielectric film SI (for example, a thermal nitriding process for suppressing an incubation time) in the manufacture of the non-volatile semiconductor memory device, the heating process is performed after a nitrogen stop film (41: not shown in the figure) for protecting the peripheral transistor is formed.例文帳に追加

この製造において、積層誘電体膜ＳＩの形成途中に窒素を含むガスを用いた加熱工程（例えばインキュベーション時間抑制のための熱窒化処理）がある場合に、周辺トランジスタを保護する窒素阻止膜（４１：不図示）を形成し、当該加熱工程を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of improving the surface roughness of an upper section in a floating gate electrode by performing nitriding process after forming a floating gate and capable of simplifying the nitriding process and a dielectric film formation process in situ.例文帳に追加

フローティングゲートを形成した後、窒化工程を行ってフローティングゲート電極上部の表面荒さを改善することができ、窒化工程と誘電体膜形成工程をインサイチュで行って工程を単純化することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the organic materials are removed before the forming process of the base dielectric of the rear panel, generation of bubbles in the base dielectric can be prevented, and a failure such as a breakdown voltage defect and a partition wall forming defect can be prevented.例文帳に追加

背面板の下地誘電体形成工程前に有機物を除去することで、下地誘電体中への気泡の発生を防止することができ、絶縁耐圧不良や隔壁形成不良等の欠陥を防止することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a dielectric resonator which prevents a baked layer from breaking on the junction surface of the resonator with a stabilized quality and characteristics in the process of baking a green dielectric resonator mounted on a baking base board.例文帳に追加

未焼成の誘電体共振器を焼成台板上に載置して焼成する際に誘電体共振器の接合面における焼成キレの発生を防止して安定した品質及び特性をもつ誘電体共振器の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide metal foil with a resin layer containing a dielectric filler which is excellent in the film thickness uniformity of a dielectric layer and can obtain good adhesion to an inner layer circuit surface with a lower part electrode formed by using a usual printed circuit board manufacturing process.例文帳に追加

通常のプリント配線板製造プロセスを使用して、誘電層の膜厚均一性に優れ、下部電極を形成した内層回路面との良好な密着性を得ることの出来る誘電体フィラー含有樹脂層付金属箔を提供する。 - 特許庁

In a formation process of the crystalline MgO protective layer 34, printing paste containing a single crystal MgO 34A is applied to a dielectric layer 33 by using a screen printing method and baked at a temperature above a strain point of the dielectric layer 33.例文帳に追加

結晶ＭｇＯ保護層３４の形成工程において、スクリーン印刷法を用いて単結晶ＭｇＯ３４Ａを含有する印刷用ペーストを誘電体層３３上に塗工して、誘電体層３３の歪み点以上の温度で焼成する。 - 特許庁

To provide a low-temperature fired porcelain composition that is fired at a temperature of 900°C or lower and that has a low dielectric constant and a low dielectric loss at a high frequency area of 16 GHz or more, and to provide a manufacturing process of a low-temperature fired porcelain.例文帳に追加

９００℃以下で焼成可能であり、１６ＧＨｚ以上の高周波領域において低い比誘電率と、低い誘電損失を有する低温焼成磁器組成物及び低温焼成磁器の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method of an electronic component, a laminate 10 is formed in a formation process, where the laminate has a dielectric layer 13, and a first electrode layer 15 and a second one 17 that oppose each other, while the dielectric layer 13 is sandwiched by them.例文帳に追加

本発明に係る電子部品の製造方法では、形成工程において、誘電体層１３と誘電体層１３を挟んで対向する第１の電極層１５と第２の電極層１７とを有する積層体１０を形成する。 - 特許庁

To realize a structure of a liquid crystal display device capable of preventing dielectric breakdown of an alignment layer during a manufacturing process without worsening a utilization efficiency of a substrate, moreover, without making the manufacturing process complex.例文帳に追加

製造工程中の配向膜の静電破壊を防止することができるとともに、基板の利用効率を悪化させることがなく、しかも製造工程を複雑化させることもない液晶表示装置の構造を実現する。 - 特許庁

By this process, the occurrence of defects, such as the peeling of films, cracks, etc., can be prevented in a multilayered wiring forming process and the electronic device, such as the semiconductor device provided with an organic thin film having a low dielectric constant can be provided.例文帳に追加

この工程により多層配線形成工程中における膜の剥離やクラック等の不良を防ぐことが可能となり、低誘電率である有機物薄膜を具備する半導体装置のような電子装置を提供できる。 - 特許庁

In this plasma treatment device, a process gas is introduced into a discharge tube 6 formed of a dielectric body, and a microwave is applied to the process gas within the discharge tube 6 through a microwave waveguide 8 to generate plasma.例文帳に追加

誘電体で形成された放電管６の内部にプロセスガスを導入し、放電管６の内部のプロセスガスにマイクロ波導波管８を介してマイクロ波を照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置である。 - 特許庁

When the sheet body 1 formed by the first process is wound around the core material 9 in the second process, the sheet body 1 becomes a state where it is formed by the plurality of dielectric elastomer layers 5 and the plurality of conductive rubber layers 6.例文帳に追加

第２工程において、第１工程により形成されたシート体１を芯材９の周りに巻き付ける際、そのシート体１が複数の誘電エラストマー層５と複数の導電ゴム層６とによって形成された状態となる。 - 特許庁

To remove fermi level pinning by suppressing the occurrence of dimer at the interface of high dielectric constant gate insulting film/polycrystal silicon using a process which easily fits in an existing manufacturing process, relating to a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率ゲート絶縁膜／多結晶シリコン界面におけるダイマーの発生を既存の製造工程になじみやすい工程により抑制して、フェルミレベルピンニングを除去する。 - 特許庁

Furthermore, in contact with the dielectric 4a, the gas supplying part 10b to supply a second process gas between the electrodes is installed at the upstream side of the conveyance passage 9 and the gas exhaust part 11b to exhaust a second process gas 12b is installed at the downstream side.例文帳に追加

さらに、誘電体４ａと接して、搬送路９の上流側には電極間に第２プロセスガスを供給するガス供給部１０ｂ、下流側には第２プロセスガス１２ｂを排気するガス排気部１１ｂが設置される。 - 特許庁

To provide a photosensitive ceramic composition which can form via holes with a high aspect ratio and high definition by using a photolithographic process and which has a low dielectric constant after firing.例文帳に追加

フォトリソグラフィー法を用いた高アスペクト比かつ高精細のビアホール形成が可能でかつ焼成後の誘電率が低い感光性セラミックス組成物に供する。 - 特許庁

Therefore, a time-consuming aligning process necessary to adjust the reflection direction of a dielectric multilayered film filter for a conventional optical multiplexer/demultiplexer is not necessary.例文帳に追加

そのため、従来の光合分波器では誘電体多層膜フィルタの反射方向を調節するのに必要であった時間を要するアライメントを行う必要が無くなる。 - 特許庁

To provide a process for forming an interconnect line by damascene method in which the interconnect line has mechanical strength suitable for damascene method and a fabricated integrated circuit exhibits excellent dielectric characteristics.例文帳に追加

ダマシン法に適合した機械的強度を有し、かつ製造された集積回路として誘電特性にも優れたダマシン法による配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To reduce stress to be applied to wiring layers and inter-layer insulating films in a manufacturing process of a semiconductor device using low dielectric insulating films as the inter-layer insulating films.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置の製造工程において、配線層および層間絶縁膜に作用する応力を低減する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device, which suppress film characteristics of a low-dielectric-constant film from deteriorating when resist removal is carried out in an ashing process.例文帳に追加

アッシング処理によりレジスト除去を行う場合に、低誘電率膜の膜特性が劣化することを抑制する半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a self-aligned via in a dielectric polymer thin film which establishes electrical connection between a top conductor and a bottom conductor by a low-cost and efficient process.例文帳に追加

低コストで効率的なプロセスで、トップ導体とボトム導体との間に電気的接続をもたらす誘電ポリマー薄膜における自己整合ビアを形成する方法の提供。 - 特許庁

To obtain a thin film magnetic head capable of preventing insulation deterioration and dielectric breakdown and measuring insulation characteristics in its process and its treating method.例文帳に追加

工程中において、絶縁劣化、絶縁破壊を防止できると共に、絶縁特性測定の可能な薄膜磁気ヘッド集合体、及び、その処理方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the destruction of an insulation layer, even if an insulation layer is made of porous substance which has low dielectric anstayt and small mechanical strength in a damascene process.例文帳に追加

ダマシン・プロセスにおいて、機械的強度の小さい多孔質の低誘電率材料を用いて絶縁層１１を構成した場合にも、絶縁層１１の破壊を防止する。 - 特許庁

To obtain a multilayer composite device having multilayer structure of magnetic ceramic layers and dielectric ceramic layers in which a problem of cracking or stripping occurring in the firing process is solved.例文帳に追加

磁性体セラミック層と誘電体セラミック層２の積層構造を有する積層型複合デバイスにおいて、焼成工程で生じる割れや剥離の問題を解決する。 - 特許庁

Thus, it is possible to prevent the film peeling in the dicing process even at the time of using a low dielectric constant insulating film whose mechanical strength, and adhesion strength is deteriorated due to the existence of the area.例文帳に追加

この領域の存在により機械的強度、密着強度の劣る低誘電率絶縁膜を用いてもダイシング工程での膜剥がれが防止される。 - 特許庁

In this process, the calcinated layer 30 including a non-sintered dielectric ceramic layer 22 is arranged so as to be sandwiched between a first constrain layer 12 and a second constrain layer 42.例文帳に追加

この工程では、未焼結誘電体セラミック層２２を含む被焼成層３０を、第１拘束層１２と第２拘束層４２との間に挟み込むようにして配置する。 - 特許庁

To provide a reflection enhanced mirror which is free from corrosion of Ag by an oxidation process necessary to deposit a dielectric film layer and which causes no decrease in the reflectance, and to provide a backlight device for a liquid crystal display equipped with a light guide plate having the above reflection enhanced mirror.例文帳に追加

誘電体膜を積層するのに必要な酸化プロセスによりＡｇが腐食せず反射率が低下することのない増反射ミラーを提供する。 - 特許庁

A second conductive film 19 is formed on a part of the first conductive film 18 from which the dielectric layer 20 positioned on the upside is removed in the removal process.例文帳に追加

第１の導電膜１８のうちの、除去工程において上部に位置していた誘電体層２０が除去された部分の上に、第２の導電膜１９を形成する。 - 特許庁

When a low dielectric film 31 is formed at the top of a substrate 1, an edge part 1A of the substrate 1 is washed away in an edge cutting process to form a stepped part 31A.例文帳に追加

基板１の上方に低誘電体膜３１を形成する際に、基板１のエッジ部分１Ａをエッジカット工程にて洗い流すことで段差部３１Ａが形成される。 - 特許庁

To provide a capacitor layer forming material which is not deteriorated in dielectric layer in a working process at the formation of a capacitor circuit using the capacitor layer forming material, a manufacturing method or the like.例文帳に追加

キャパシタ層形成材を用いてキャパシタ回路を形成する際に、加工プロセスで誘電層の劣化の無いキャパシタ層形成材及び製造方法等を提供する。 - 特許庁

In the manufacture process of the semiconductor device provided with a capacitor, an insulating film to become the dielectric film of the capacitor and a channeling preventing film on a gate electrode are simultaneously formed.例文帳に追加

キャパシタを有する半導体装置の製造工程において、キャパシタの誘電膜となる絶縁膜とゲート電極上のチャネリング防止膜を同時に形成する。 - 特許庁

To provide a wafer for CMP peeling analysis which can evaluate quantitatively peeling of a low dielectric constant film in a CMP (chemical mechanical polishing) process, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学機械研磨法）工程における低誘電率膜の剥離を定量的に評価できるＣＭＰ剥離解析用ウェハ及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To obtain a MOS-type semiconductor device and its manufacture, in which a BPSG film is applied to an interlayer dielectric, and a faulty transmission of a lamp-annealing process chamber is restricted.例文帳に追加

層間絶縁膜にＢＰＳＧ膜を適用してもランプアニール処理チャンバーの失透が抑制されるＭＯＳ型半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

According to this constitution, it is possible to restrain generation of warp caused by difference of thermal expansion coefficient and generation of cracks in the dielectric layer 4 caused by generation of thermal expansion in the manufacturing process.例文帳に追加

これにより、製造工程において、熱膨張係数の差に起因する反りの発生や熱膨張に起因する誘電体層４のクラックの発生が抑制される。 - 特許庁

To provide a contact electrification type image forming member which hardly causes dielectric breakdown by a leak current even in the electrophotographic process of a contact positively chargeable system.例文帳に追加

正帯電の接触帯電方式の電子写真プロセスにおいても、リーク電流による絶縁破壊が発生し難い接触帯電式画像形成部材を提供する。 - 特許庁

To provide a motor drive capable of eliminating the use of an expensive and complicated dielectric process one-chip IC in drive control of blast motor in various types of household electrical appliances.例文帳に追加

各種家電機器に使用される送風モータの駆動制御において、高価で複雑な誘電体プロセスの１チップＩＣを使用せずに、モータの駆動装置を提供する。 - 特許庁

The method for oxide dielectric layer formation by a sol-gel process is characterized by comprising the following steps (a) to (c).例文帳に追加

ゾル−ゲル法による酸化物誘電層の形成方法において、以下の（ａ）〜（ｃ）の工程を備えることを特徴とする酸化物誘電層の形成方法等を採用する。 - 特許庁

This method includes a process of introducing a reactive gas into a deposition reactor (1) and depositing a dielectric material layer.例文帳に追加

その方法は反応ガスの流れによって送り込まれる蒸着反応器（１）内部で実施される少なくとも誘電体物質の層を蒸着する工程を有する。 - 特許庁

To provide a process for producing a high performance electrolytic capacitor in which operation characteristics are ensured by forming a high quality dielectric layer.例文帳に追加

誘電体層を高品質に形成することにより、作動特性が確保された高性能な電解コンデンサを製造することが可能な電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

A silane passivation process, carried out in-situ together with the formation of a subsequent dielectric film, converts the exposed Cu surfaces of the Cu interconnect structure, to copper silicide.例文帳に追加

その後の誘電体フィルムの形成とともに原位置に実行されるシラン・パッシベーション・プロセスは、Ｃｕ相互接続構造の露出したＣｕ表面をケイ化銅に転化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of avoiding deterioration in interface characteristics while sustaining the dielectric constant of a gate insulating film, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜の誘電率を維持しつつ、界面特性の劣化を回避することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

FORMATION OF HIGH QUALITY DIELECTRIC FILM OF SILICON DIOXIDE FOR STI AND USE OF PRECURSOR OF DIFFERENT SILOXANE BASE FOR HARPII (REMOTE PLASMA ENHANCEMENT TYPE DEPOSITION PROCESS)例文帳に追加

ＳＴＩ用の二酸化シリコンの高品質誘電体膜の形成：ＨＡＲＰＩＩ−遠隔プラズマ増強型堆積プロセス−のための異なるシロキサンベースの前駆物質の使用 - 特許庁

To improve the surface nature of the electroless nickel/gold plate in the process for manufacturing the printed circuit boards without adverse effect on the excellent dielectric and mechanical properties of PPE resin.例文帳に追加

ＰＰＥ樹脂の優れた誘電特性と機械特性を損なうこと無く、プリント配線板の製造工程における無電解ニッケル／金メッキの表面性を向上させる。 - 特許庁