「dielectric process」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for embedding a thick-film capacitor includes a process for etching a foil electrode at the outside of the boundary of a capacitor dielectric layer in order to prevent the etching liquid from coming into contact with the capacitor dielectric layer and prevent the capacitor dielectric layer from being damaged.例文帳に追加

厚膜コンデンサを埋め込む方法は、エッチング液がコンデンサ誘電体層に接触しないように、かつコンデンサ誘電体層に損傷を与えないように、箔電極をコンデンサ誘電体の境界の外部でエッチングする工程を含む。 - 特許庁

The CVD process for forming the dielectric film starts, after a vapor-phase molecular compound of a metal element that constitutes the dielectric film, is made to adsorb uniformly on the molecular layer of the insulator and is oxidized to form a dielectric molecular layer.例文帳に追加

前記絶縁物の分子層に、前記誘電体膜を構成する金属元素の気相分子化合物を一様に吸着させ、これを酸化させて誘電体分子層を形成した後、前記誘電体膜のＣＶＤプロセスを開始する。 - 特許庁

To provide a method for forming a dielectric film in which productivity can be improved largely by lowering a process temperature and treating a wide area in a short time in the formation of the dielectric film, and to provide the dielectric film.例文帳に追加

誘電体膜の形成において、プロセス温度の低温化を実現し、かつより短時間で広面積の処理を可能にすることにより、生産性を大幅に向上することができる誘電体膜の形成方法および誘電体膜を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes replacement gate process, in which a part of a substrate is exposed by removing material in a gate region, gate dielectric is formed on an exposed portion of the substrate, and an internal spacer layer which covers the gate dielectric and dielectric material is formed.例文帳に追加

ゲート領域中の材料を除去して基板の一部分を露出させ、基板の露出部分の上にゲート誘電体を形成し、ゲート誘電体および誘電体材料を覆う内部スペーサ層を形成する置換ゲート・プロセスを用いる。 - 特許庁

This manufacturing method of optical recording medium comprises a process in which a first dielectric layer, a light absorption layer and a second dielectric layer are laminated successively on a supporting substrate, a process in which a laser beam is emitted and information is recorded, and a process in which an unrecorded part of the second dielectric layer is eliminated by solution etching and it is processed in a convex type.例文帳に追加

光記録媒体の製造方法において、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザー光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method of the light emitting element in which the composite dielectric layer composed of the perovskite compound and the spinel compound and the luminescent layer are laminated and provided has a first process to form the precursor of the composite dielectric layer, and a second process to form the composite dielectric layer by cooling the precursor under an oxygen partial pressure equal to or higher than that in the first process.例文帳に追加

ペロブスカイト化合物とスピネル化合物からなる複合誘電体層と発光層が積層して設けられている発光素子の製造方法において、該複合誘電体層の前駆体を形成する第１の工程と、該前駆体を第１の工程と同等以上の酸素分圧の下で冷却して、該複合誘電体層を形成する第２の工程とを有する発光素子の製造方法。 - 特許庁

This method for measuring absorptance of the lens 20 coated with the multilayer of the dielectric material comprises process for guiding a beam of polarized light to the dielectric material 22, 24, a process for polarizing a diffused beam of reflected light, and a process for measuring energy showing reflection and absorption characteristics of the multilayer of the dielectric material in the polarized and diffused beam of reflected light.例文帳に追加

誘電材料の多重層で被覆したレンズ（２０）の吸収率を測定する方法（１０）は偏光光のビームを誘電材料（２２、２４）に対して導く工程と、反射光の拡散ビームを偏光する工程と、反射光の偏光された拡散ビーム内の、誘電材料の多重層の反射及び吸収特性を表すエネルギを測定する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process for a (Li, Na, K)(Nb, Ta)O_3 type piezoelectric material capable of improving a relative dielectric constant and an electric-field-induced strain.例文帳に追加

比誘電率や電界誘起歪を向上させることが可能な（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ_３系圧電材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-k gate dielectric which maintains a constant threshold voltage even after a high temperature process in a CMOS integration step.例文帳に追加

ＣＭＯＳ集積過程での高温処理の後であっても一定の閾値電圧を維持する高ｋゲート誘電体の提供。 - 特許庁

A removal process is done to remove the dielectric layer 20 which is formed on a part of the first conductive film 18.例文帳に追加

第１の導電膜１８の一部分の上に形成されている誘電体層２０を除去する除去工程を行う。 - 特許庁

In the wet strip process, the sidewall polymer fence is completely removed and the oxide loss of the dielectric layer is reduced.例文帳に追加

本発明のウェット剥離プロセスは、完全に側壁ポリマフェンスを除去し、誘電層の酸化物損失を低減することができる。 - 特許庁

MULTI-STEP DEP-ETCH-DEP (DEPOSITION-ETCHING-DEPOSITION) HIGH-DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR FILLING DIELECTRIC GAP例文帳に追加

誘電ギャップ充填用のマルチステップ堆積・エッチング・堆積（ＤＥＰ−ＥＴＣＨ−ＤＥＰ）高密度プラズマ化学気相堆積プロセス - 特許庁

The second supply means 46 supplies a second process gas for plasma processing into the cavity 40a of the dielectric member 40.例文帳に追加

第２の供給手段４６は、誘電体部材４０の空洞４０ａ内にプラズマ処理用の第２のプロセスガスを供給する。 - 特許庁

To surely conduct a dielectric breakdown in the case of the writing of an insulating film in an anti-fuse even when a process is fined.例文帳に追加

プロセスが微細化された場合にもアンチヒューズにおける絶縁膜の書き込み時の絶縁破壊を確実にできるようにすること。 - 特許庁

In this predictive method, in a process 11, plural insulating film samples having a fixed thickness and a fixed area are prepared, and dielectric breakdown voltages thereof are measured.例文帳に追加

過程１１は、一定膜厚、一定面積の絶縁膜試料を複数用意し、それらの絶縁破壊電圧を測定する。 - 特許庁

To prevent decrease in the conductivity of a transparent electrode due to the high temperature process of forming a dielectric layer which covers the electrode.例文帳に追加

透明電極の導電性が、それを被覆する誘電体層形成時の高温プロセスにより低下することを防止する。 - 特許庁

In the method for forming the shallow trench separating structure 84, those voids are formed in a wet cleaning process after forming the dielectric material 56 in the trench.例文帳に追加

これらのボイドは、誘電体材料をトレンチ内に形成した後、ウエット洗浄プロセス中に形成されることがある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for enhancing the characteristics and processability of a capacitor employing a dielectric film, and to provide its manufacturing process.例文帳に追加

誘電体膜を用いたキャパシタの特性と加工性を高める半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

PROCESS FOR MANUFACTURING TWO KINDS OF DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESSES USING POLYSILICON MASK AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING(CMP) PLANARIZATION例文帳に追加

ポリシリコン・マスクと化学機械研摩（ＣＭＰ）平坦化を使用して２通りの異なるゲート誘電体厚を製作するためのプロセス - 特許庁

To provide a high-voltage transistor device with an interlayer dielectric (ILD) etch stop layer for use in a subsequent contact hole process.例文帳に追加

後続するコンタクト・ホール工程で使用される層間絶縁（ILD）エッチング停止層を有する高電圧用トランジスタ・デバイスを提供する。 - 特許庁

To suppress the vibration of a downstream side of an endless dielectric belt, and to perform the stable delivery of a sheet to the next process.例文帳に追加

無端誘電体ベルトの下流側の振動を抑え、次工程へのシートの受け渡しが安定的に行えるようにする。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a process chamber having a substrate holder supporting a procesing substrate, a dielectric tube installed at the upper part of the process chamber so as to be communicated with the interior of the process chamber, a helical coil wound around the dielectric tube, and an RF power source for feeding RF power to the helical coil.例文帳に追加

処理基板を支持する基板ホルダーを有する工程チャンバーと、工程チャンバーの内部と連通されるように工程チャンバーの上部に設置される誘電体管と、誘電体管の周りに巻かれた螺旋コイルと、螺旋コイルにＲＦ電力を供給するためのＲＦ電源と、を備えるプラズマ処理装置である。 - 特許庁

Without a separately added photolithographic process to form a floating gate and control gate for a one-time programmable memory element, a one-time programmable memory element can be embodied, using a capacitor manufacturing process with a polysilicon-dielectric film-polysilicon structure or metal-dielectric film-metal structure, as it is, which is used in the existing process.例文帳に追加

ワンタイムプログラムメモリ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとを形成するための別途のフォトリソグラフィ工程の追加なしに、既工程で使われているポリシリコン−誘電膜−ポリシリコン構造または金属−誘電膜−金属構造のキャパシタ製造工程をそのまま利用してワンタイムプログラムメモリ素子を具現する。 - 特許庁

Besides, for similar purposes, the high frequency circuit having the dielectric resonator is produced by a process for forming the high frequency transmission line on the substrate, a process for forming the hole or the hollow portion partially on the substrate and a process for embedding the dielectric resonator in the hole formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

また、同様の目的で、基板に高周波伝送線路を形成する工程と、基板に部分的に穴部または中空部を形成する工程と、基板表面に形成された穴部に誘電体共振器を埋設する工程とにより誘電体共振器を有する高周波回路を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor laser element 1 is provided with a photonic crystal structure process for forming a photonic crystal structure 8 having an epitaxial layer 15 and a dielectric film 16 and a process for forming a GaN layer 9 on the dielectric film 16 and the epitaxial layer 15 after the photonic crystal structure process.例文帳に追加

半導体レーザ素子１の製造方法は、エピタキシャル層１５と誘電体膜１６とを有するフォトニック結晶構造８を形成するフォトニック結晶構造工程と、フォトニック結晶構造工程後に、誘電体膜１６上およびエピタキシャル層１５上にＧａＮ層９を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The capacitor is manufactured by a method wherein the deposit of a dielectric material is effected with a speed less than 0.1 nm/s, and the substrate 4 is heated at a temperature lower than 500°C in a dielectric film forming process.例文帳に追加

誘電体膜形成工程において、誘電体材料の蒸着を０．１ｎｍ／ｓ以下の速度で行い、基板４を５００℃以下の温度で加熱するコンデンサの製造方法である。 - 特許庁

Afterwards, the vias are filled with low dielectric constant materials 60 serving as sacrificial layers in a spin-coating process followed by using a chemical mechanical polishing or etching back to remove the excess low dielectric constant material.例文帳に追加

その後、ビアはスピン塗布工程で犠牲膜として働く低誘電率材料６０で充填され、さらに化学機械的研磨またはエッチバックを用いて低誘電率材料の余分な部分が除去される。 - 特許庁

To provide a capacitor structure wherein high electric field stress can be reduced in a capacitor structure that is provided with a dielectric film made of high dielectric and a ferroelectric material, in a plasma process including contact etching.例文帳に追加

コンタクトエッチングをはじめとするプラズマプロセスにおいて、高誘電体および強誘電体材料を誘電体膜とするキャパシタ構造の高電界ストレスを低減可能なキャパシタ構造を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, there is provided a process to form the dielectric layer 10 between electrode films by baking the laminated electrode layers 12a and 14a, and diffusing the dielectric composite between the electrode films.例文帳に追加

積層された電極膜１２ａ，１４ａを焼成し、電極膜に含まれる誘電体組成物を、電極膜間に拡散させ、電極膜間に誘電体層１０を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

Consequently, the washing component (HF+NH_4F) is brought into contact with the substrate in a relative dielectric-constant environment corresponding to the relative dielectric constant of methanol, and an etching removal is conducted in the treatment chamber (a first washing process).例文帳に追加

このため、処理チャンバーでは、メタノールの比誘電率に対応する比誘電率環境で洗浄成分（ＨＦ＋ＮＨ_４Ｆ）が基板に接触してエッチング除去が行われる（第１洗浄工程）。 - 特許庁

To provide a dielectric filter, a duplexer filter and their manufacturing means capable of preventing a short-circuit failure between the patterns to be generated in a tuning process to the open surface of a dielectric material.例文帳に追加

本発明は、誘電体の開放面に対するチューニング工程において発生するパターン同士のショート不良を防止できる誘電体フィルター、デュプレクサフィルター及びその製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a capacitor for a semiconductor component using a TiO_2 dielectric film that has a high dielectric constant with a material having a simple structure, and also to provide a method of fabricating the capacitor that allows a low temperature process.例文帳に追加

簡単な構造を持つ物質でありつつ高い誘電率を持つＴｉＯ_２誘電膜を利用する半導体素子のキャパシタ及び低温工程が可能なその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor and a process for producing the capacitor in which the size of a device can be reduced by employing a dielectric film having a high dielectric constant, and to provide a semiconductor device comprising the capacitor.例文帳に追加

高誘電率の誘電体膜を有することでこれを備える装置の小型化を可能にしたキャパシタ及びその製造方法と、このようなキャパシタを備えた半導体装置とを提供する。 - 特許庁

In the process of subjecting a honeycomb structure to drying by dielectric heating by moving the same in a dielectric heating system through which steam flows, a honeycomb structure 1 is subjected to drying by dielectric heating as it is covered with a sheet 5 separated from the periphery thereof by a predetermined space.例文帳に追加

蒸気を誘電乾燥装置に流した状態で、誘電乾燥装置中でハニカム構造体を移動させて誘電乾燥する乾燥方法において、ハニカム構造体１の周囲を、一定の間隔をあけてシート５により覆い、その状態で誘電乾燥する。 - 特許庁

To provide an organic thin film for a dielectric bolometer manufacturable in a low-temperature process, for showing TCD having a sufficient size for putting the dielectric bolometer to practical use; an infrared detection device using it; and a manufacturing method of the organic thin film for the dielectric bolometer.例文帳に追加

低温プロセスで製造可能であり、誘電ボロメータを実用化するのに充分な大きさのＴＣＤを示す誘電ボロメータ用有機薄膜とこれを用いた赤外線検出装置、および該誘電ボロメータ用有機薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of forming a via using the dual damascene process can include removing an object material layer from a recess portion in a low dielectric constant material layer using an ashing process while maintaining a protective spacer on an entire side wall of the recess portion to cover the low dielectric constant material layer in the recess portion.例文帳に追加

デュアルダマシン工程を利用したビア形成方法は、リセス部内に低誘電率物質層を覆うようにリセス部の全体側壁上に保護スペーサを保持しつつ、アッシング工程を利用し、低誘電率物質層内のリセス部から対象物質層を除去する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film which has a low specific dielectric constant and mechanical strength enough for a CMP process in a copper wiring process for a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a processing device capable of efficiently carrying out a process for securing a conductivity by making to occur dielectric breakdown in a conductive resin and a process for measuring a capacitance of a piezoelectric body.例文帳に追加

導電性樹脂に絶縁破壊を生じさせて導通性を確保する工程と、圧電体のキャパシタンスを測定する工程とを能率良く行なうことができる処理装置を提供する。 - 特許庁

Only upon the formation of the dielectric multilayer film 43A, a masking process of applying a shielding material onto the incident light passage region 51 and a process of removing the shielding material are performed.例文帳に追加

誘電体多層膜４３Ａの成膜時にのみ、入射光通過領域５１に遮蔽材料を塗布するマスキング工程とその遮蔽材料を除去する工程を行えばよい。 - 特許庁

The manufacturing method of a plasma display panel having a glass substrate 2 and a dielectric layer formed on the glass substrate 2 comprises a process for forming the dielectric precursor layer 1 containing glass frit and an organic resin binder on the glass substrate 2 (i); and a process for applying 300 MHz-300 GHz microwaves to the dielectric precursor layer formed on the glass substrate (ii) for generating a dielectric layer from the dielectric precursor layer.例文帳に追加

ガラス基板２と、該ガラス基板２上に配設された誘電体層とを備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、（ｉ）前記ガラス基板２上にガラスフリット及び有機樹脂バインダーを含む誘電体前駆層１を形成する工程と、（ｉｉ）前記ガラス基板上に形成された前記誘電体前駆層に300MHz〜300GHzのマイクロ波を照射して、該誘電体前駆層から誘電体層を生成させる工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。 - 特許庁

The used air filter element is regenerated through a process (a) for washing the used air filter element, a process (b) for dehydrating the washed air filter element, and a process (c) for drying the dehydrated air filter element by dielectric heating.例文帳に追加

（ａ）使用済みのエアフィルタエレメントを洗浄する工程、（ｂ）洗浄したエアフィルタエレメントを脱水する工程、（ｃ）脱水したエアフィルタエレメントを誘電加熱により乾燥する工程、を経ることにより使用済みのエアフィルタエレメントを再生する。 - 特許庁

This method of manufacturing an electrolytic capacitor has a process of preparing a blank provided with a valve metal base and a dielectric layer formed on the surface of the valve metal base; and a process of immersing a region of the blank where at least the dielectric layer is formed into a polymerization liquid, and then, picking up it to form a solid electrolytic layer on the dielectric layer.例文帳に追加

本発明の電解コンデンサの製造方法は、弁金属基体、及び、この弁金属基体の表面上に形成された誘電体層を備える素体を準備する工程と、素体の少なくとも誘電体層が形成された領域を重合液に浸漬した後、引き上げて、誘電体層上に固体電解質層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

In the process (2), the dielectric thin film formed on the substrate is heated at a temperature of 550 to 800°C in an oxygen atmosphere, and baked temporarily.例文帳に追加

工程（２）：基板上に形成された誘電体薄膜を、酸素雰囲気中、５５０〜８００℃の温度で加熱し、仮焼成する。 - 特許庁

To provide a TFT (thin film transistor) array substrate in which the generation of a dielectric breakdown due to static electricity is suppressed in the manufacturing process of a TFT array.例文帳に追加

ＴＦＴアレイの作製工程において、静電気による絶縁破壊の発生を抑制したＴＦＴアレイ基板を提供する。 - 特許庁

An electrode 3 is formed on the antenna base body 2, by a screen printing process using a conductive paste 4, thereby obtaining the dielectric antenna 1.例文帳に追加

このアンテナ基板２に、導電性ペースト４を用いてスクリーン印刷により電極３を形成して、誘電体アンテナ１とする。 - 特許庁