「dielectric process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of removing the sidewall polymer fence of a dielectric layer is a wet strip process using acid SC1 and CR solutions and the SC1 solution is used before the CR solution.例文帳に追加

誘電層の側壁ポリマフェンスを除去する方法は、酸性ＳＣ１，ＣＲ溶液を用いたウェット剥離プロセスであり、ＳＣ１溶液は、ＣＲ溶液の前に用いられる。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor apparatus comprises a process for forming an insulating film having a relative dielectric constant of 3 or smaller on a substrate, a process for forming wiring made of Cu in the insulating film, a process for supplying reducing gas on the wiring surface, and a process for forming the barrier film on the wiring after supplying the reducing gas.例文帳に追加

基板上に３以下の比誘電率を有する絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内にＣｕからなる配線を形成する工程と、配線表面上に還元性ガスを供給する工程と、還元性ガスを供給した後、前記配線上にバリア膜を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing electronic parts for a high frequency a process for performing pattern formation of a plated resist 2 on the surface of a ceramic element assemble or a ceramic element assembly 1 for a dielectric resonator, a process for forming an electroless plating film 5, a process for forming an electroplating film 6 and a process for peeling the plated resist 2.例文帳に追加

本発明に係る高周波用電子部品の製造方法は、セラミック素体または誘電体共振器用セラミック素体１の表面上にめっきレジスト２をパターン形成する工程と、無電解めっき膜５を形成する工程と、電解めっき膜６を形成する工程と、めっきレジスト２を剥離する工程とを有していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for peeling a photoresist by which a photoresist film and an etching residue after etching can be effectively removed without using O_2 plasma ashing even in a process of forming a fine pattern on a substrate having at least copper wiring and a low dielectric material layer, no adverse effect is given to the dielectric constant of the low dielectric material layer, and excellent corrosion resistance is obtained.例文帳に追加

少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上の微細パターン形成において、Ｏ_２プラズマアッシング処理を行わないプロセスにおいても、エッチング後のホトレジスト膜、エッチング残渣物を効果的に剥離することができ、しかも低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁

Because the oxidation preventing film 5 is formed between the lower-layer electrode 3a and the upper layer electrode 6a together with the interlayer dielectric film 4, the interlayer dielectric film 4 is prevented from oxidizing in an overlapped portion between the upper electrode 6a and the lower-layer electrode 3a, in the process which oxidizes the upper-layer electrode 6a to form the interlayer dielectric film 7.例文帳に追加

下層電極３ａと上層電極６ａとの間に層間絶縁膜４と共に酸化防止膜５が形成されるため、上層電極６ａを酸化して層間絶縁膜７を形成する工程において、上層電極６ａと下層電極３ａとの間のオーバーラップ部で層間絶縁膜４が酸化されることを防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix, more specifically, a method of manufacturing the dielectric ceramic thick film using the polymer matrix, by which a dielectric thick film in which ferroelectric ceramic fine particles are uniformly dispersed in a matrix made from a polymer material can be manufactured without using a sintering process.例文帳に追加

高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法、より詳しくは微粒状態の強誘電体セラミックス粉末を高分子物質で成されたマトリックスに均一に分散させ誘電体厚膜を焼結過程無しに製造することが出来る高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the plasma display panel in which a dielectric layer 9 is formed to cover scanning electrodes 5 and sustain electrodes 6 both formed on a front-face substrate 4, and a protective layer 10 is formed on the dielectric layer 9, a process for forming the protective layer 10 is a film-forming process using magnesium oxide containing silicon carbide.例文帳に追加

前面基板４上に形成した走査電極５および維持電極６を覆うように誘電体層９を形成し、その誘電体層９上に保護層１０を形成したプラズマディスプレイパネルの製造方法において、保護層１０を形成する工程が炭化珪素を含む酸化マグネシウムを用いた成膜工程である。 - 特許庁

Further, a method of manufacturing a BEOL interconnection structure includes (i) a method of forming a high-density TDL in an opening of the ULK dielectric bored by etching, and (ii) a method of arranging the ULK dielectric in a process chamber on a cold chuck, putting a seal agent into the process chamber and further performing an activating step.例文帳に追加

また、後工程相互接続構造の作製方法が開示され、この方法は、（ｉ）超低Ｋ誘電体のエッチングされた開口に高密度薄膜誘電体層を生成する方法、および（ｉｉ）超低Ｋ誘電体を低温チャック上でプロセス・チャンバ中に配置し、封止剤をプロセス・チャンバに加え、さらに活性化ステップを行なう方法を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin film element consists of a process forming a dielectric material film 13 by a sol gel method on a first thin film electrode 12, and furthermore, a process forming a second thin film electrode 14 on the dielectric material film 13 by calcinating the metal fine particles with a heat treatment after the paste is coated and formed into a given thickness.例文帳に追加

薄膜素子の製造方法は、その第１薄膜電極１２上にゾルゲル法により誘電体材料膜１３を形成する工程と、更にそのペーストを塗布して所定の厚さに成膜した後に熱処理して金属微粒子を焼成することにより誘電体材料膜１３上に第２薄膜電極１４を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a coating liquid for forming a thin dielectric film of a perovskite structure which is capable of manufacturing a thin and dense oxide film of a large film thickness by one time of deposition and firing operation by a solution coating applying and firing process and a method of forming the dielectric film of the perovskite structure.例文帳に追加

溶液塗布焼成法により一度の成膜、焼成操作で緻密で膜厚の厚い酸化物薄膜の製造を可能とするペロブスカイト構造誘電体薄膜形成用塗布液及びペロブスカイト構造誘電体膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The charge trapping characteristic of the high-k dielectric can be further improved by exposing the high-k dielectric layer (22) to a treatment process such as plasma exposure using excited state oxygen (e.g. oxygen plasma) atmosphere.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ誘電体の電荷トラッピング特性は、ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層（２２）を、励起状態の酸素（たとえば、酸素プラズマ）環境を用いて、プラズマ照射のような処置プロセスにｈｉｇｈ−ｋ誘電体層（２２）を曝すことによりさらに向上し得る。 - 特許庁

To provide with a simple process a semiconductor manufacturing apparatus for forming a low specific dielectric const. polymer composite film for an layer insulation film, having stable physical properties, and a method of easily forming the low specific dielectric const. polyimide film in a semiconductor element through evaporation-polymerization.例文帳に追加

簡易な工程で安定した物性を有する層間絶縁膜用の低比誘電率高分子複合膜を形成するための半導体製造装置および半導体素子内の低比誘電率ポリイミド膜を蒸着重合により容易に形成する方法の開発。 - 特許庁

To provide a method for metallizing the surface of a dielectric substrate without using a catalyst, which achieves no pollution and high efficiency without needing external metal species at all, by a merger between an atmospheric pressure plasma process and a self-organization of a nanometric level of metal, and to provide the dielectric substrate provided with a metal film.例文帳に追加

大気圧プラズマプロセスとナノレベルの自己組織化との融合により、外部金属種を全く必要としない無公害高効率を実現する誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法及び金属膜付き誘電体基材を提供する。 - 特許庁

To provide a novel polyorganosiloxane compound excellent in heat resistance, transparency, low-dielectric property and solvent resistance and suitable for interlayer dielectric films on TFT substrates, a photosensitive resin composition and a heat curable resin composition comprising the same, and a patterning process.例文帳に追加

耐熱性、透明性、低誘電率特性、耐溶剤性に優れ、ＴＦＴ基板用層間絶縁膜として好適である新規なポリオルガノシロキサン化合物、これを含む感光性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitive element excellent in ferroelectric characteristics by preventing plug oxidation in, and by preventing iridium diffusion into, a capacitor dielectric film in the process of capacitor dielectric film crystallization for a stacked type capacitive element.例文帳に追加

スタック型容量素子においてキャパシタ誘電体膜の結晶化過程におけるプラグの酸化を防止するとともに、キャパシタ誘電体膜へのイリジウムの拡散を防止し、優れた強誘電体特性を有する容量素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a high dielectric thin film, an ultrathin gate insulation layer which is indispensable to high integration and acceleration of MOSFET in particular, and a high dielectric thin film etching agent composition used in the manufacturing process of a semiconductor device with a gate electrode.例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory cell wherein an increase in thickness of an oxide film in a dielectric film can be restrained in a heat treatment process for compensating etching damage after an etching process for forming a stack gate is performed.例文帳に追加

スタックゲートを形成するためのエッチング工程を行った後、エッチング損傷を補償するための熱処理工程で誘電体膜内の酸化膜の厚さ増加を抑制することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus, a process gas G is introduced into the interior of a discharge tube 6 of dielectric, a microwave M guided via a microwave waveguide 10 is irradiated on the process gas G within the discharge tube 6 to generate a plasma.例文帳に追加

誘電体で形成された放電管６の内部にプロセスガスＧを導入し、放電管６の内部のプロセスガスＧにマイクロ波導波管１０を介して導いたマイクロ波Ｍを照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置である。 - 特許庁

To obtain a solid electrolytic capacitor employing niobium or a niobium alloy in an anode wherein an increase in leakage current can be suppressed sufficiently by preventing a dielectric layer from cracking when a heat treatment process such as a reflow process is carried out.例文帳に追加

陽極にニオブ又はニオブ合金を用いた固体電解コンデンサにおいて、リフロー工程等の熱処理工程を行った場合に、誘電体層中に亀裂が生じたりするのを抑制し、漏れ電流が増加するのを十分に抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film having a low dielectric constant of the porous silica thin film, capable of fully withstanding mechanical strength enduring a CMP process in the copper wiring process of a semiconductor element and a small amount of contaminated gas generation at the formation of via holes.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつ、ビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board, which can be made lightweight and small in dielectric constant and has not only superior heat resistance and electric insulation by moisture absorption, but also superior process passableness end resin impregnability of a resin impregnating process.例文帳に追加

プリント配線板の軽量化、低誘電率化が可能となり、吸湿化での耐熱性や電気絶縁性に優れているのみならず、樹脂含浸工程の工程通過性と樹脂含浸性に優れたプリント配線板およびその製法を提供する。 - 特許庁

The method for sputtering includes a first process (S02) to form a film having high resistivity by sputtering on a shield member disposed near the target, a second process (S03) to dispose a substrate to face the target and a third process (S04) to form, using the target, a dielectric film on the substrate by sputtering.例文帳に追加

このスパッタリング方法は、スパッタリングでターゲットの近傍に配置されたシールド部材に高比抵抗膜を形成する第１の工程（Ｓ０２）と、基体をターゲットに対向させて配置する第２の工程（Ｓ０３）と、スパッタリングでターゲットにより基体上に誘電体膜を形成する第３の工程（Ｓ０４）とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A process for forming the film for infrared detection preferably includes a process for producing a solution by dissolving the vinylidene fluoride-based polymer into an organic solvent, and applying and depositing it on a substrate; and a post treatment process for vaporizing the organic solvent by heating the substrate onto which the solution is applied, and annealing a dielectric body film.例文帳に追加

前記赤外線検出用膜を形成する工程は、ビニリデンフルオライド系ポリマーを有機溶剤を用いて溶液を作成し、基板上に塗布して堆積する工程と、溶液を塗布した基板を加熱処理することによって有機溶媒を蒸発させ、誘電体膜をアニールする後処理工程とを含むことが好ましい。 - 特許庁

A process for eliminating an oxide film formed on the surface of a silicon substrate 101, a process for forming a silicon nitride layer 102 on the surface of the silicon substrate 101 in the state that plasma is generated in atmosphere containing nitrogen, and a process for forming the high dielectric film 103 on the silicon nitride layer 102, are installed.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１０１の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、窒素を含む雰囲気中でプラズマを発生させた状態でシリコン基板１０１の表面にシリコン窒化層１０２を形成する工程と、シリコン窒化層１０２の上に高誘電体膜１０３を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A process for eliminating the oxide film formed on the surface of the silicon substrate 101, a process for forming the silicon nitride layer 102 on the surface of the silicon substrate 101 in temperature of 200-400°C by using an electronic layer vapor deposition method, and a process for forming the high dielectric film 103 on the silicon nitride layer 102, are also installed.例文帳に追加

また、シリコン基板１０１の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、電子層蒸着法を用い２００℃〜４００℃の温度においてシリコン基板１０１の表面にシリコン窒化層１０２を形成する工程と、シリコン窒化層１０２の上に高誘電体膜１０３を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

This insert-type barrier layer can prevent oxidation of a capacitor dielectric layer when the capacitor dielectric layer is deposited or in a high temperature process thereafter, resulting in preventing leakage and reliability problems which could be generated when the barrier layer and a memory electrode are brought into direct contact with each other.例文帳に追加

この嵌入式のバリア層は、コンデンサ誘電層を堆積する時、或いはその後の高温過程で、該コンデンサ誘電層が酸化するのを防ぐことができ、これにより、バリア層と記憶電極が直接接触する時に生じうる漏電や信頼度の問題を解決することができる。 - 特許庁

The other process for treating the substrate comprises depositing a dielectric layer on the substrate, etching the dielectric layer to form a feature, depositing an electroconductive barrier layer in the feature, depositing a phosphorous doped seed layer on the electroconductive barrier layer, and depositing an electroconductive metal layer on the phosphorous doped seed layer.例文帳に追加

別の面における基体を処理する方法は、基体上に誘電体層を堆積させ、誘電体層内にフィーチャをエッチングし、フィーチャ内に導電性バリヤー層を堆積させ、導電性バリヤー層上に燐ドープシード層を堆積させ、燐ドープシード層上に導電性金属層を堆積させる。 - 特許庁

The process for forming a dielectric thin film comprises a step for arranging crystal particles 13 formed of ferroelectrics or dielectrics on a substrate 11, and a step for forming a ferroelectric thin film or a high dielectric thin film 15 to cover the crystal particles 13 thus arranged.例文帳に追加

誘電体薄膜の製造方法は、基板１１上に、強誘電体又は高誘電体よりなる結晶粒子１３を配置する工程と、配置された結晶粒子１３を覆うように、強誘電体膜又は高誘電体膜１５を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a simple and low-cost inspecting method of a poor medium in which the thickness of a recording layer separated from a predetermined extent in the manufacturing process of the optical recording medium having at least first dielectric layer, the recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer at this order or inverse order.例文帳に追加

少なくとも第一誘電体層、記録層、第二誘電体層、反射層をこの順又は逆順に有する光記録媒体の製造過程において、記録層の膜厚が所定の範囲から外れた不良媒体の、シンプルかつ低コストな検査方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a electrode structure under a conductive plug, which does not generate increase in contact resistance due to oxidation of a conductive plug and contact failure even under an oxide dielectric film formation process, and does not deteriorate the ferroelectric properties of the oxide dielectric.例文帳に追加

酸化物誘電体膜形成プロセスを経ても導電性プラグの酸化によるコンタクト抵抗の増加及びコンタクト不良が生じることがなく、酸化物誘電体の強誘電性を劣化させない導電性プラグ−下部電極構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The dielectric composition for the dielectric film of the plasma display panel which improves the contrast characteristics of the plasma display panel using the simple manufacturing process and the manufacturing method therefor, comprises P_2O_5-B_2O_3-ZnO group glass and Nd_2O_3 filler.例文帳に追加

本発明は、簡単な製造工程によりプラズマディスプレイパネルのコントラストを向上できるプラズマディスプレイパネルの誘電膜の誘電体組成物及びその製造方法であって、プラズマディスプレイパネルの誘電膜の誘電体の組成物は、Ｐ_２Ｏ_５−Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯグループのガラスと、Ｎｄ_２Ｏ_３のフィラーとからなる。 - 特許庁

Interdigital structures 11 and 12 are formed by alternately arranging the conductive layer and the dielectric layer of a nano scale controlled in a deposition process, and are obtained by a cross section substantially vertical to a deposition layer by alternately depositing the conductive layer and the dielectric layer in the thickness of the nano scale by a deposition method such as CVD.例文帳に追加

ＣＶＤなどの堆積法により導電層と誘電体層を交互にナノスケールの厚さに堆積し、堆積層に略垂直な断面により、これら堆積過程で制御されたナノスケールの導電層と誘電体層が交互に配置されたすだれ状の構造１１，１２を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a capacitor for forming a high dielectric metal oxide film on a silicon layer, and for preventing nitrogen from being transmitted through the high dielectric metal oxide film to the interface of a silicion layer, or for preventing a silicon nitride(SiN) layer from being formed at doping of nitrogen.例文帳に追加

キャパシタの製造プロセスにおいて、高誘電体金属酸化膜をシリコン層上に成膜した後、窒素を添加する際に、窒素が高誘電体金属酸化膜を通り抜け、シリコン層の界面に到達してシリコンナイトライド（ＳｉＮ）層が形成されることがないようにする。 - 特許庁

In the process for forming a dielectric thin film, material liquid for forming a dielectric thin film containing lower alcohol and exhibiting surface tension of 20-50 mN/m at 25°C is applied to an application object.例文帳に追加

誘電体薄膜を形成する誘電体薄膜の形成方法であって、低級アルコールを含有し、２５℃における表面張力が２０〜５０ｍＮ／ｍである誘電体薄膜形成用材料液を、塗布対象物に塗布することを特徴とする誘電体薄膜の形成方法により解決する。 - 特許庁

To provide manufacturing method of a gas discharge type display apparatus being able to restrain generation of air bubble in a dielectric layer formed in simple process without much energy required when burning, in forming the dielectric layer, barrier rib underlying layer or a barrier rib.例文帳に追加

グリーンシートを用いて誘電体層や隔壁下地層或は隔壁を形成する上で、工程が簡素で、焼成時に多くのエネルギを要することなく、形成される誘電体層などに気泡が生じるのを抑制することのできるガス放電型表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the amorphous metal oxide of BiZnNb applied as a dielectric film exhibits a high dielectric constant even without proceeding a high-temperature heat treatment process for crystallization, it can be usefully used as a thin film capacitor of a laminated layers structure of a polymer base, such as a printed circuit substrate.例文帳に追加

誘電体膜として採用されるＢｉＺｎＮｂ系非晶質金属酸化物は結晶化のための高温の熱処理工程がなくても、高い誘電率を示すため、印刷回路基板のようなポリマー基盤の積層構造物の薄膜キャパシターに有益に使用できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a multilayer ceramic capacitor which does not cause short-circuit defects, resulting from abnormal growth of grains at sintering, even if a dielectric layer is made thin.例文帳に追加

誘電体層を薄膜化しても焼成時に異常粒成長によるショート不良を引き起こさない積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a connector substrate which is applicable in manufacturing an interposer equipped with a passive device formed of high dielectric material, such as BST or the like that requires a high-temperature process.例文帳に追加

ＢＳＴ等の高温プロセスが必要な高誘電体材料を用いた受動素子を備えたインタポーザの製造に適用できるコネクタ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a baking process, the dielectric green sheet 2a is sintered under the conditions where the magnetic green sheet 3a has an effect of repressing shrinkage on it, so that warpages, etc., are prevented.例文帳に追加

焼成工程において、誘電体グリーンシート２ａは、磁性体グリーンシート３ａによる収縮抑制効果が及ぼされた状態で焼結し、反り等の発生が防止される。 - 特許庁

The insulating resin composition can allow the printed circuit board produced even in an existing board production process to exhibit stabilized drive performance and a low dielectric constant and become excellent in adhesion strength, chemical resistance and bending properties.例文帳に追加

また、既存の基板工程でも安定化された駆動特性を示し、低い誘電率を示すとともに、接着強度、耐薬品性及び曲げ特性に優れるようになることができる。 - 特許庁

On the first insulating film with its surface treated with the process liquid, a second insulating film is formed of an organic insulating material whose relative dielectric constant is lower than that of a silicon oxide.例文帳に追加

処理液で表面処理された第１の絶縁膜の上に、比誘電率が酸化シリコンの比誘電率よりも低い有機絶縁材料からなる第２の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To simplify a manufacturing process of a capacitor, improve reliability, and increase withstand voltage of the capacitor by forming an anode having a coating layer serving as a good dielectric layer, and improving the anode of a solid electrolytic capacitor and its formation method.例文帳に追加

固体電解コンデンサの陽極体、およびその形成方法を改良することで、コンデンサの製造工程の簡略化、信頼性の向上を図り、コンデンサ耐電圧をあげる。 - 特許庁

To provide a thin film capacitor capable of ensuring good performance by employing a piezoelectric thin film as a dielectric thin film, and to provide a piezoelectric filter, its manufacturing process, a demultiplexer and a communication device.例文帳に追加

良好な性能を得ることができる、圧電薄膜を誘電体薄膜として用いた薄膜キャパシタ、圧電フィルタおよびその製造方法、ならびに分波器、通信機を提供する。 - 特許庁

Therefore, there is no risk of nests produced as spots without film formation due to the edge curls 30, and, the film will not be easily peeled off, even if a dielectric layer is formed in a thin-film process.例文帳に追加

そのため、エッジカール３０に起因する成膜されない箇所である巣を生じることもなく、薄膜プロセスで誘電体層を形成しても容易に剥がれることはなくなる。 - 特許庁