「dielectric process」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The method comprises a process for preparing a helical antenna with a resonant frequency higher than desired, which has a column-shaped member 11 with a dielectric constant higher than the air and the one end 11a of the member can be exposed by digging and, and a process for digging the central part of the one end 11a of the member 11.例文帳に追加

柱状部材１１が空気よりも高い誘電率を有すると共に、その一端１１ａが掘削可能に露出している、所望の共振周波数よりも高いヘリカルアンテナを用意する工程と、所望の共振周波数になるように、柱状部材１１の一端１１ａの中央部分を掘削する工程とを有している。 - 特許庁

To provide abrasives and a polishing method in which in a CMP technology of flattening an interlayer dielectric, a BPSG film, and a shallow trench isolating insulating film, a selection ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film and a flatness are enhanced, whereby a CMP process can be efficiently and fast performed, and a process management can be easily performed.例文帳に追加

本発明は、層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜と窒化珪素膜の選択比、平坦性を向上させることにより、ＣＭＰプロセスを効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device which can improve charge retention characteristics of the flash memory device, and can prevent a smiling phenomenon of a tunnel oxide film and a dielectric film which are generated after a thermal treatment process of a source/drain region.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の電荷保持特性を向上させるとともに、ソース／ドレイン領域の熱処理工程後に発生するトンネル酸化膜および誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which achieves a stable transfer efficiency independent of a dielectric relaxation time of a transfer roller by controlling the amount of charge induced on a surface of the transfer roller before entry to a transfer nip in a transfer process.例文帳に追加

転写プロセスにおいて、転写ニップに突入する前に転写ローラ表面に誘起する電荷量を制御することで、転写ローラの誘電緩和時間に依存しない、安定した転写効率を実現する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In this method, a removing process is added to remove a silver compound such as silver sulfide (Ag_2S) and silver sulfite (Ag_2SO_3) or the like containing sulfur generated on an electrode surface by the reaction with a sulfur compound in the atmosphere before a dielectric film 9 is formed.例文帳に追加

誘電体膜９が形成される前に、大気中の硫黄化合物と反応して電極表面に生成した硫黄を含有する硫化銀（Ａｇ_2Ｓ）や亜硫酸銀（Ａｇ_2ＳＯ_3）などの銀化合物を除去する除去工程を加える。 - 特許庁

To provide a polishing solution capable of polishing a wiring metal, a barrier metal, and an insulating film material with a low dielectric constant at a proper polishing selection ratio in a polishing process when embedded wiring is formed, and to provide a semiconductor device manufacturing method using the solution.例文帳に追加

埋め込み配線形成時の研磨工程において、配線金属、バリアメタルおよび該低誘電率の絶縁膜材料を適切な研磨選択比で研磨することの出来る研磨液及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case when at least one rare earth element and the Cu-based oxide are added to BaTiO3 and the process for sintering the resulting mixture is controlled under an oxygen atmosphere, the high density, superfine particulate BaTiO3 dielectric ceramic can be obtained at a low temperature.例文帳に追加

本発明によると、ＢａＴｉＯ_３に稀土類元素及びＣｕ系酸化物を添加し焼結工程を酸素雰囲気で制御することにより低温にて高密度で超微粒のＢａＴｉＯ_３系誘電体セラミックスを得ることが出来る。 - 特許庁

To provide a damage recovery method of an insulating film, which is superior in mass productivity, capable of preventing restorative from remaining on wiring materials such as a copper wiring layer, and capable of carrying out treatment based on a dry process, when carrying out the damage recovery treatment of an interlayer dielectric.例文帳に追加

層間絶縁膜のダメージ回復処理の際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによる処理が可能な、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。 - 特許庁

To provide a diyne-containing (co)polymer which is soluble in an organic solvent and is excellent in the workability and also of which a coated and cured film has an excellent heat, resistance, solvent resistance, low dielectric and mechanical strength, and to provide a preparing process thereof and a cured film thereof.例文帳に追加

有機溶剤に可溶で加工性に優れるとともに、硬化させて塗膜としたときの耐熱性、耐溶剤性、低誘電性及び機械的強度に優れたジイン含有（共）重合体、その製造方法及び硬化膜を提供する。 - 特許庁

The ashing device introduces gas into a dielectric plasma generating chamber 14 and excites the gas to produce plasma and effect plasma process of an object to be processed S by the gas plasma employing the Low-K film.例文帳に追加

本発明のアッシング装置は、誘電体プラズマ発生室１４にガスを導入し、当該ガスを励起させてプラズマを生起し、前記ガスプラズマによってＬｏｗ−Ｋ膜を用いた被処理対象物Ｓのプラズマ処理を行うアッシング装置である。 - 特許庁

To provide a polishing method, which can polish the material to be polished with a high throughput, such as glass, semiconductors, dielectric substance/metal composite substances and integrated circuits, while supplying slurry on a polishing pad, and can increase the number of process wafers in the polishing pad.例文帳に追加

ガラス、半導体、誘電／金属複合体及び集積回路等の被研磨材を研磨パッド上にスラリーを供給しながら研磨をおこなう際に、スループットが高く、研磨パッドの処理ウェハー枚数を多く出来る研磨方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a coating composition for producing an electrical insulating thin film, capable of producing such a porous silica thin film that is low in relative dielectric constant, has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) operation in a copper wiring process for a semiconductor device, and scarcely generates gas when viae are formed.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時のガス発生の少ない多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To obtain a coating composition for producing an electrical insulating thin film, capable of producing such a porous silica thin film that is low in relative dielectric constant, has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) operation in a copper wiring process for a semiconductor device, and scarcely generates contaminant gas when viae are formed.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for surely connecting a plug and wiring in a process for forming a connecting hole reaching an interlayer dielectric film formed on the upper layer of the wiring having Al as a principal component, and forming a plug in the connecting hole.例文帳に追加

Ａｌを主成分とする配線の上層に形成された層間絶縁膜に、その配線に達する接続孔を形成し、その接続孔内にプラグを形成する工程において、プラグと配線とを確実に接続できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing agent and a polishing method allowing efficient and uniform polishing at high speed without scratch and also allowing easy process management in the CMP technology of smoothening an interlayer dielectric film, BPSG film, and insulation film for shallow trench isolation.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を研磨傷なく、効率的、高速、均一にかつ研磨プロセス管理も容易に、行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor optical device for reducing a harmful influence caused by heat treatment even if there is a process for performing heat treatment after forming a dielectric film on a surface of a semiconductor layer, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

半導体層の表面上に誘電体膜を形成した後に熱処理を行う工程を有する場合であっても、熱処理による悪影響を低減できる半導体光デバイスの製造方法および半導体光デバイスを提供すること。 - 特許庁

A method comprises a process for applying high frequency voltage into a vacuum chamber 5 through a dielectric plate 4 to generate a plasma, and plasma-processing the interlayer insulating film formed in the semiconductor substrate 8 disposed in the vacuum chamber 5 by using the plasma.例文帳に追加

真空室内５に誘電体板４を介して高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、真空室５内に設置された半導体基板８に形成された層間絶縁膜をプラズマ処理する工程を含む。 - 特許庁

To provide a benzoxazole precursor which gives a varnish having good storage stability, and gives a resin film having a low dielectric constant and having various process suitabilities in combination as a resin film for a semiconductor device, and a resin composition containing the precursor.例文帳に追加

ワニスとした場合に保存性が良く、樹脂膜とした場合に誘電率が低減され、半導体装置の樹脂膜として適用する際の種々のプロセス適合性を両立するベンゾキサゾール前駆体及びそれを含む樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a broadband balanced lamination strip line filter capable of reducing variations in an attenuation pole in a filter characteristic due to deviation in the lamination caused in a process of laminating a plurality of dielectric layers.例文帳に追加

平衡型積層ストリップラインフィルタにおいて、複数の誘電体層を積層する工程において発生する積層ずれによるフィルタ特性の減衰極の変動を低減することができる広帯域な平衡型積層ストリップラインフィルタを提供する。 - 特許庁

Also, the single chip electronic component of composite functions is manufactured by a simple process, interdiffusion between different kinds of substances constituting the magnetic body and the dielectric is prevented, and the durability and electrical characteristics of a product are secured.例文帳に追加

また、複合機能の単一チップ電子部品を簡単な工程で製造することができ、磁性体及び誘電体を構成する異種物質間での相互拡散を防止して、製品の耐久性及び電気的特性を確保することができる。 - 特許庁

To provide polymer thin films which can meet simultaneously all the necessary properties of high insulating properties, high heat resistance, a low dielectric constant, high adhesion, a simple production process, uniform film properties, and stability that are imposed on insulating films.例文帳に追加

高絶縁性、高耐熱性、低誘電率、高密着性、簡便な製造プロセス、均一な膜質、そして安定性という絶縁膜に課されている要求特性のすべてを同時に満足させることのできるポリマー薄膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a lower dielectric constant resin varnish composition for a laminated substrate in which a resin material to be used is lightweight, thin, small-sized, subjected to elaboration and used for preventing the loss and interference of data in a transmission process has excellent electrical properties.例文帳に追加

軽く、薄く、小型で、精密化及び高周波化され、伝送過程においては資料の損失や妨害がないよう使用する樹脂材料は優れた電気特性を持つ積層基板用低誘導電率樹脂ワニス組成物を提供すること。 - 特許庁

When the adhesive property is improved, the occurrence of defects, such as the peeling of films, cracks, etc., can be prevented in a multilayered wiring forming process and the electronic device, such as the semiconductor device provided with an organic thin film having a low dielectric constant can be provided.例文帳に追加

密着性の向上により多層配線形成工程中における膜の剥離やクラックなどの不良を防ぐことが可能となり、低誘電率である有機物薄膜を具備する半導体装置のような電子装置を提供できる。 - 特許庁

In order to eliminate a penciling process of cable insulations, the ends of the cable insulations are stripped off sharply to expose ends of both conductors, and the ends of the conductors are connected to each other with a splicing sleeve on which a high dielectric tube having a semiconductor sheet electrode is put.例文帳に追加

ケーブル絶縁体のペンシリング処理を省略するために、ケーブルの絶縁体端部を段剥ぎして露出した導体を接続した導体接続管上に、半導電シート電極を有する高誘電体チューブを装着したものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a dielectric separation wafer, in which the peripheral section of a negative resistor film applied to the backside of the wafer is hardly eroded by a developing solution at the developing of the front-surface negative resist with the developing solution, after the backside negative resist is applied in a photolithograph process.例文帳に追加

フォトリソグラフ工程において、裏面ネガレジスト塗布後の表面ネガレジスト現像処理時に、ウェーハ裏面に塗布されたネガレジスト膜の周辺部が、この現像液で溶損しにくい誘電体分離ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a PDP capable of simplifying a manufacturing process and reducing manufacturing unit cost, a PDP capable of lowering discharge voltage and improving efficiency, and a green sheet with a dielectric layer and a conductive layer formed.例文帳に追加

製造工程を単純にし、製造単価を低くすることができるＰＤＰの製造方法、放電電圧を低くし、効率を向上させることができるＰＤＰ、及び誘電体層と導電層が形成されたグリーンシートを提供する。 - 特許庁

To prevent the sticking of a conductive film for absorbing laser beams and to improve a COD level and surge breakdown voltage at the time of plasma-cleaning an end face as the preprocessing of a process of coating the resonator end face of a semiconductor laser with a dielectric film.例文帳に追加

半導体レーザの共振器端面を誘電体膜でコーティングする工程の前処理として前記端面をプラズマクリーニングする際に、レーザ光を吸収する導電性膜の付着を防止し、ＣＯＤレベルやサージ耐圧の向上を図る。 - 特許庁

This forming method is characterized by inclusion of a process in which chemical mechanical polishing is performed on a polycrystalline silicon layer and an interlayer dielectric layer until a hard mask nitride film is exposed by means of a chemical mechanical polishing slurry for oxide films with a pH of 2 to 7 including an oxidizer.例文帳に追加

酸化剤を含むｐＨ２〜７の酸性の酸化膜用ＣＭＰスラリーを利用し、ハードマスク窒化膜が露出するまで多結晶シリコン層及び層間絶縁膜層に対するＣＭＰ工程を行う段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To prevent interfacial delamination between an etching stopper layer and an SiOF film which are used when a wiring trench for buried wiring is formed, in a semiconductor integrated circuit device where the buried wiring is formed in an interlayer dielectric containing the SiOF film by a damascene process.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device having the gate insulation film comprises a base film forming process of forming the base film 1004 on a semiconductor substrate 1001, a heating process of controlling pressure and heating the semiconductor substrate on which the base film 1004 is formed in a non-oxidizing gas atmosphere, and a gate insulation film forming process of forming the high dielectric constant insulation film 1005 on the heated base film 1004.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板１００１上に下地膜１００４を形成する下地膜形成工程と、下地膜１００４を形成した半導体基板を非酸化性のガス雰囲気中で、圧力を制御して加熱する加熱工程と、上記加熱した下地膜１００４の上に高誘電率ゲート絶縁膜１００５を形成するゲート絶縁膜形成工程とを備える。 - 特許庁

To provide an organic thin film transistor which can operate with low voltage and which is easy to commercialize by forming a gate dielectric layer on a plastic or glass substrate, in a low-temperature process with a thickness of several nanometers, and to provide a fabrication method thereof.例文帳に追加

プラスチック基板やガラス基板などに低温工程で形成するものの、数ｎｍの厚みでゲート絶縁膜を形成することによって、低電圧で動作が可能であり、且つ商用化が容易な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To avoid high manufacturing cost due to a complicated manufacturing/ assembling process requiring precise processing for uniformizing the thickness of a side wall of a dielectric cylinder that is used to cover the reflecting face of a secondary reflecting mirror in the structure for supporting the conventional secondary reflecting mirror of this kind.例文帳に追加

従来のこの種の副反射鏡支持構造は、副反射鏡の反斜面を覆う誘電体円筒を用いているが、この誘電体円筒の側壁の厚さの均一化に精密加工を要する等、製造／組立工程が複雑で製造コストが高くなる。 - 特許庁

To make glass substrates which are dealable with mass production process step and have a low dielectric constant and small dialectic loss applicable as substrates for high-frequency circuits and more particularly high-frequency circuit for microwaves and millimetric wave bands in a method for working the glass substrates by using lasers.例文帳に追加

レーザーを用いたガラス基板の加工方法において、量産工程に対応可能であり、誘電率が低く、誘電損失も小さいガラス基板を高周波回路、特にマイクロ波やミリ波帯用の高周波回路の基板として適用させ得るようにすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell which does not improperly affect a transistor characteristic and contact opening and is equipped with a structure capable of keeping excellently a dielectric breakdown strength of a diffusion-layer making electrode and gate electrode even with a process variance.例文帳に追加

トランジスタ特性やコンタクト開口性に不都合な影響がなく、かつプロセスばらつきが生じても、拡散層取り出し電極とゲート電極の絶縁耐圧を良好に確保できる構成を備えたＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing agent capable of efficient and high-speed polishing with reduced influence of pattern density dependency and easy polishing process management without polishing scratches, with respect to CMP technology for smoothening an interlayer dielectric film, a BPSG film, and a shallow-trench-isolation insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、パターン密度依存の影響を少なく、効率的、高速に、研磨傷なく、かつ研磨プロセス管理も容易に、研磨できるＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁

By a structure where the first external electrode 24 and the second external electrode 32 are formed almost in parallel at the same main surface side of the dielectric layer 18 via an insulating layer 28, the capacitance density can be increased, the manufacturing process can be simplified, and ESL (equivalent series inductance) can be reduced.例文帳に追加

第１の外部電極２４と第２の外部電極３２が、誘電体層１８の同一主面側に絶縁層２８を介して略平行に形成される構成のため、容量密度の向上，製造プロセスの簡略化，ＥＳＬの低減が可能となる。 - 特許庁

A body (6) to be processed is set in a plasma chamber (33b), an induction coupling coil (4) is provided adjacently to the plasma chamber (33b) across a dielectric plate (34), and plasma is generated in the plasma chamber (33b) by applying high-frequency electric power to the induction coupling coil (4) to process the body (6) to be processed.例文帳に追加

処理物（６）をプラズマ室（３３ｂ）にセットし、誘導結合コイル（４）を誘電板（３４）を隔ててプラズマ室（３３ｂ）に隣接して設け、誘導結合コイル（４）に高周波電力を印加してプラズマ室（３３ｂ）にプラズマを発生させて処理物（６）を処理する。 - 特許庁

To simplify the manufacturing process of a semiconductor apparatus constituting a CMOS circuit by an n-channel MIS transistor and a p-channel MIS transistor forming a gate electrode composed of a metallic material on a gate insulating film composed of a high dielectric material.例文帳に追加

高誘電体材料からなるゲート絶縁膜上に金属材料からなるゲート電極を形成するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタによってＣＭＯＳ回路を構成する半導体装置の製造工程を簡略化する。 - 特許庁

The manufacturing method of the EL element includes a process to laminate a first electrode 12 of ITO thin film or the like, an insulating thin film 13 of aluminum oxide or the like, a high dielectric layer 14 and MG metal thin film on an arbitrary solid substrate successively.例文帳に追加

本発明のＥＬ素子の製造方法は，任意の固体基板上に，ＩＴＯ薄膜等の第一電極１２，酸化アルミニウム等の絶縁薄膜１３，高誘電体層１４，ＭＧ金属薄膜を順次積層する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a dielectric coolant of a fuel cell eliminating any performance loss caused by shunt currents on the header area of the stack, as well as hydrogen and oxygen evolution and plate dissolution without adding a corrosion inhibitor, and evaporative cooling process using the same.例文帳に追加

スタックのヘッダー領域の分流電流、水素、酸素の放散及びプレート分解により引き起こされる性能損失を無くし、腐食防止剤の追加が不要な、燃料電池の誘電性冷却剤と、該冷却剤を使用した蒸発冷却プロセスの提供。 - 特許庁

A capacitor film is not directly formed on a mounting board, but a process substrate 1 having excellent surface smoothness and heat resistance, such as an Si substrate or glass substrate, is prepared and a capacitor layer composed of thin films (metal film 3, dielectric film 4, metal film 5) is formed thereon.例文帳に追加

実装基板上に直接コンデンサー膜を形成するのではなく、Ｓｉ基板やガラス基板のような表面平滑性、耐熱性に優れたプロセス用基板１を準備し、その上に薄膜のコンデンサー層（金属膜３、誘電体膜４、金属膜５）を形成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device and its manufacturing method hardly obstructing high integration even if a dummy capacitor is provided in order to prevent a process of a memory capacitor of a memory cell from being deteriorated, and preventing a smoothing capacitor from undergoing temporal dielectric breakdown of a smoothing capacitor as much as possible.例文帳に追加

メモリセルのメモリキャパシタの工程劣化を防止すべくダミーキャパシタを設けるも、高集積化を何等妨げることなく、しかも平滑キャパシタの経時絶縁破壊を可及的に防止する、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface discharge type plasma display panel requiring no expensive vacuum processing device when forming a protective layer to cover a dielectric layer, having capability to substantially shortening an aging process after a panel is sealed, and having remarkably improved productivity and production costs.例文帳に追加

誘電体層を被覆する保護層の形成に際して高価な真空プロセス装置を必要とせず、パネル封着後のエージング工程を大幅に短縮することができ、生産性とコストが著しく改善された面放電型プラズマディスプレイパネルを提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that the reliability of a dielectric formed on the pore bottom more reduces as pores for capacitors, etc. are more fined and deepened on a semiconductor substrate in an ALD film forming process using a longitudinal batch processor advantageous in improving the throughput.例文帳に追加

スループット向上に有利な縦型バッチ処理装置を用いたＡＬＤ成膜では、半導体基板上に形成されているキャパシタ用などの孔が微細化され深くなるほど、孔底に形成される誘電体の信頼性が低下する問題を解決する。 - 特許庁

Thereby, any undercut is not produced on an interface between the inter-layer dielectric film pattern and the mask pattern by the protection film spacer in a cleaning process to be made before the conductive film for the pad is formed, any void is not formed in the conductive film when evaporating the conductive film for the pad.例文帳に追加

これにより、パッド用導電膜の形成前に行う洗浄工程で保護膜スペーサによって層間絶縁膜パターンとマスクパターンとの界面にアンダーカットが発生せず、パッド用導電膜の蒸着時に導電膜内にボイドが形成されない。 - 特許庁