「dielectric process」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The glass paste composition for forming the dielectric glass layer is prepared through a 1st kneading process for mixing a prescribed quantity of glass powder with a prescribed quantity of a resin a part of which is dissolved in a solvent and kneading the mixture and a 2nd kneading process for diluting the kneaded material in the 1st kneading process with a plasticizer and the residual solvent and kneading again.例文帳に追加

所要量のガラス粉末と、所要量のうちの一部の量の溶剤に溶けた樹脂とを混合して、この混合物を混練する第１の混練工程と、第１の混練工程による混練物を、可塑剤および残量の溶剤により希釈した状態で再び混練する第２の混練工程とを経て誘電体ガラス層形成用ガラスペースト組成物を作製する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ceramic structure that has characteristics and a sufficiently high relative density close to those of a ceramic structure manufactured by passing through a sintering process, without passing through a sintering process, in a ceramic structure that is used for dielectric layers of capacitors, micro lenses, micro gears or the like.例文帳に追加

コンデンサの誘電体層、微小レンズまたは微小歯車等に用いられるセラミックス構造体において、焼結工程を経ることなく、しかも、焼結工程を経た場合と同程度の特性および十分に高い相対密度を有するセラミックス構造体を製造するための方法を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the electronic parts has a process for forming a Ni-B film 2 on a ceramic base or a ceramic base 1 for a dielectric resonator by electroless plating and a process for forming a Cu film 3 or a Ag film 4 on the surface of the Ni-B film 2.例文帳に追加

本発明に係る高周波用電子部品の製造方法は、セラミック素体または誘電体共振器用セラミック素体１の表面上にＮｉ−Ｂ膜２を無電解めっきによって形成する工程と、Ｎｉ−Ｂ膜２の表面上にＣｕ膜３またはＡｇ膜４を形成する工程とを有している。 - 特許庁

Concerning the method for producing the ceramic electronic component having electrode layers 6 and 8 containing base metals and a dielectric layer 4, this producing method for ceramic electronic component has a process for debinding a green chip to become the ceramic electronic component under atmospheric gas containing H2O, and a process for burning the debound green chip.例文帳に追加

卑金属を含む電極層６，８と誘電体層４とを有するセラミック電子部品を製造する方法であって、セラミック電子部品となるグリーンチップを、Ｈ_２ Ｏを含む雰囲気ガス下で脱バインダ処理する工程と、脱バインダ処理されたグリーンチップを焼成処理する工程とを有するセラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁

Thus, the insulation film forming apparatus 1 can form the nitrided hafnium silicate film 76 that can function as a high dielectric constant gate insulation film easily in a short time by performing a process of depositing the hafnium fine particles 73 on the substrate 70 and a process of emitting the active particles 74 consisting of a nitrogen plasma thereto.例文帳に追加

この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing optical element is provided with: a metal layer-forming process of forming a metal layer 2 on a substrate 11A made of a dielectric; and a groove pattern forming process of forming a linear groove pattern 13 with a prescribed array by electric discharge machining for the metal layer 2.例文帳に追加

本発明の光学素子の製造方法は、誘電体からなる基板１１Ａ上に金属層２を形成する金属層形成工程と、前記金属層２に対して、放電加工により線状の溝パターン１３を所定配列で形成する溝パターン形成工程と、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

In this manufacturing process of a semiconductor light-emitting element made of a III nitride semiconductor, a manufacturing process is adopted which makes null the number of times of covering a contact layer surface with dielectric films in a step of forming a p-type electrode, and thereby the electrical characteristics of the p-type electrode can be made to have a lower resistance.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体発光素子の製造プロセスにおいて、ｐ型電極を形成する工程におけるコンタクト層表面への誘電体膜の被覆回数を０回とする製造プロセスを採用することにより、ｐ型電極の電気特性を低抵抗化することができる。 - 特許庁

The dielectric film forming method is provided with a process for improving the surface of a SiO_2 film 2 by irradiating the SiO_2 film 2 with plasma 3 and a process for forming an SBT raw-material film 5 by depositing mist of SBT raw-material 4 on the improved surface of the SiO_2 film 2.例文帳に追加

この誘電体膜の形成方法は、被成膜面としてのＳｉＯ_2膜２にプラズマ３を照射することによって、ＳｉＯ_2膜の表面を改質する工程と、その改質されたＳｉＯ_2膜の表面上に、霧状のＳＢＴ原料４を堆積することによって、ＳＢＴ原料膜５を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid for cleaning a substrate in a production process of a semiconductor device and affording sufficient cleaning effects even when a low dielectric constant film containing carbon is used as an interlayer dielectric and to provide a method for producing the semiconductor device including a step of cleaning the substrate using the cleaning liquid.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において基板を洗浄する洗浄液であって、層間絶縁膜として炭素を含む低誘電率膜を使用した場合であっても十分な洗浄効果を得ることができる洗浄液、及びこの洗浄液を使用した基板洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor which is equipped with a dielectric film having a hafnium oxide and an aluminum oxide, can obtain a characteristic of a high dielectric breakdown voltage in a high voltage applied area, and can prevent a leakage current from increasing caused by the following heat treatment process after forming an upper electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化ハフニウム及び酸化アルミニウムを有する誘電膜を備えたキャパシタにおいて、高電圧印加領域で高い絶縁破壊電圧特性を得ることができ、上部電極の形成後に行われる後続する熱処理工程によりリーク電流が増加するのを防ぐことができるキャパシタ、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a plurality of conductive members (54) separated by gaps (60), forming a first dielectric layer (58) in an upper part of the plurality of conductive members thus separated by a spin-on process, thereby forming at least one air region (60) by bridging at least one gap by the first dielectric layer.例文帳に追加

この方法は、間隙（６０）によって分離された複数の導電部材（５４）を形成する工程と、分離された複数の導電部材の上方に第１誘電層（５８）をスピンオンプロセスにより形成し、同第１誘電層によって少なくとも１つの間隙を架橋して少なくとも１つのエア領域（６０）を形成する工程とを備える。 - 特許庁

Herein are described methods of making dielectric films containing silicon, such as, but not limited to, silicon oxide, silicon oxycarbide, silicon carbide, and combinations thereof, that exhibit at least one of the following characteristics: low wet etch resistance, a dielectric constant of 6.0 or below, and/or resistance against a high-temperature rapid thermal anneal process.例文帳に追加

ここに記載されるのは、低いウェットエッチ耐性、６．０以下の誘電率、及び／又は高温急速熱アニールプロセス耐性、といった特性のうちの少なくとも１つを示す、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、炭化ケイ素及びこれらの組み合わせなどの、とは言えこれらに限定はされない、ケイ素を含む誘電体膜を形成する方法である。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic capacitor employing a dielectric porcelain composed of BT crystal grains and BCT crystal grains as a dielectric layer in which deterioration incident to time variation in high temperature load test can be suppressed, and a high insulation multilayer ceramic capacitor can be obtained without providing a step for reoxidation processing in the fabrication process.例文帳に追加

ＢＴ結晶粒子とＢＣＴ結晶粒子とから構成される誘電体磁器を誘電体層とする積層セラミックコンデンサについて、高温負荷試験における時間変化に伴う低下を抑制できる積層セラミックコンデンサ、ならびに、製造工程において再酸化処理の工程を設けなくても高絶縁性の積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 (BZT) as a high frequency dielectric material which can be easily manufactured in an easy process compared with BZT manufactured by a conventional method, which has high quality coefficient (Q value) and dielectric constant and 0 temperature coefficient and therefore, which can be used as a filter for a mobile communication base station.例文帳に追加

既存の方法により製造されたＢＺＴと比べて工程が簡単で製造が容易であり、又高い品質係数(Ｑ値)と誘電率及び０の温度係数を有するために移動通信基地局用フィルタとして用いることができる、高周波誘電体であるＢａ(Ｚｎ__１／３Ｔａ_２／３)Ｏ_３(ＢＺＴ)の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the multilayered electrode includes alternately layering a conductor layer and a dielectric layer on the ceramic workpiece, wherein the above conductor layer is formed in a wet process, and the above dielectric layer is formed by at least one method selected among a coating-sintering method, an electrolytic reduction method, an electrolytic oxidation method, a liquid-phase precipitation method, or an electrodeposition coating method.例文帳に追加

セラミックス素体上に、導体層と誘電体層とを交互に積層して形成する多層電極の製造方法であって、前記導体層を湿式プロセスにより形成し、前記誘電体層を塗布−焼成法、電解還元法、電解酸化法、液相析出法、電着塗装法から選ばれる少なくとも一つ以上の方法によって形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor surface treatment agent along with a manufacturing method of a semiconductor device using the same, capable of selectively and efficiently etching the insulating material of high dielectric ratio which is used in a transistor formation process in manufacturing a semiconductor device, and also capable of easily etching, in a short time, such insulating material of high dielectric ratio as is difficult to be etched.例文帳に追加

半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられる高誘電率絶縁材料を選択的に、かつ効率よくエッチングし、さらにエッチングが困難である高誘電率絶縁材料に対しても短時間で容易にエッチングできる半導体表面処理剤及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step of forming a low dielectric constant film on a substrate to be processed, and a step of forming the adhesion reinforcing layer by using the material for forming the adhesion reinforcing layer at least before or after the step for forming a low dielectric constant film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工基材上に低誘電率膜を形成する低誘電率膜形成工程と、該低誘電率膜形成工程の前及び後の少なくともいずれかに、前記密着強化層形成用材料を用いて密着強化層を形成する密着強化層形成工程とを含む。 - 特許庁

To provide a room temp. glass coating insulating paper easy to process and having high electric characteristics including dielectric breakdown strength and surface resistivity by impregnating a paper material with a glass coating agent or applying the latter to the former at a room temp.例文帳に追加

本発明は、紙材に、常温においてガラスコーティング剤を含浸あるいは塗布することにより、加工が容易で、絶縁破壊強度や表面抵抗率といった電気特性の高い常温ガラスコーティング絶縁紙を提供する。 - 特許庁

To provide a porous insulating film in which the etching damage can be improved while maintaining the low dielectric constant and the mechanical strength of the insulating film, as it is, without requiring any complicated control, or the like, in the process, and to provide a method of producing the same.例文帳に追加

工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a resist for sufficiently suppressing damage of an insulating film consisting of a low dielectric constant material when removing a residual resist from a base substance to be treated after patterning in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程においてパターニング後の被処理基体から残留レジストを除去するに際し、低誘電率材料からなる絶縁膜のダメージを十分に抑制することが可能なレジストの除去方法を提供すること。 - 特許庁

In the process, a silicon oxide film having an organic group coupled with a silicon atom is preferably used as the low dielectric constant interlayer insulating film, and an organic matter having a thermal cracking temperature lower than that of the organic group is preferably used as the source of the hole.例文帳に追加

ここで、低誘電率層間絶縁膜として、シリコン原子と結合した有機基を有するシリコン酸化膜を用い、空孔源として、この有機基よりも熱分解温度が低い有機物を用いるのが好ましい。 - 特許庁

As the result, the silicon wafer 20 can be prevented from warping more after a device process is carried out, and a transfer trouble or the like occurring in the laminated dielectric isolation wafer due to a warpage increase in the silicon wafer 20 can be reduced in frequency of occurrence.例文帳に追加

その結果、デバイス工程後のシリコンウェーハ２０の反りの増大を防止でき、よってシリコンウェーハ２０の反りの増大を原因とした貼り合わせ誘電体分離ウェーハの搬送トラブルなどの発生頻度を低減できる。 - 特許庁

For example, in a PCI process for performing the post vulcanization of the tire 7 while applying pressure to the inside space 9 of the tire 7 after pre-vulcanized to hold the shape of the tire 7, the metal member in the tire 7 is subjected to electromagnetic dielectric heating.例文帳に追加

例えば、前加硫後のタイヤ７の内側空間９に圧力を加えてタイヤ７の形状を保持しながらタイヤ７を後加硫するＰＣＩの工程においてタイヤ７の内部の金属部材を電磁誘電加熱した。 - 特許庁

To provide novel process and equipment for fabricating a semiconductor device without using plasma as a means for removing a high resistance layer on the bottom of a via before a barrier metal is deposited on a low dielectric constant insulating film having a void.例文帳に追加

空孔を有する低誘電率絶縁膜上にバリアメタルを成膜する前におけるビア底の高抵抗層の除去手段として、プラズマを用いない新規な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a porcelain of dielectrics and its production process capable of enhancing specific dielectric constant, and to provide a laminated ceramic condenser capable of enhancing capacitance without thinning layer of dielectrics to achieve high fidelity.例文帳に追加

比誘電率を大きくすることができる誘電体磁器及びその製法を提供し、誘電体層を薄層化することなく静電容量を大きくすることができ、信頼性を向上できる積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a harmful gas treating reactor capable of enhancing a harmful gas removing ratio and the selectivity of a reaction process by using the dielectric heat due to low temperature plasma and a catalyst at the same time, and a treatment method for harmful gas.例文帳に追加

本発明は、低温プラズマによる誘電熱及び触媒を同時に使用し、有害ガス除去率及び反応工程の選択性を向上させることができる有害ガス処理用反応器、及びその処理方法を提供する。 - 特許庁

The sacrifice layer and the conductor layer 7, the first and second dielectric films 17 and 18, and the second and third conductors 24 and 25 are concurrently made from the same material and by the same process, respectively.例文帳に追加

犠牲層と導電体層７、第１の誘電体膜１７と第２の誘電体膜１８、第２の導電体２４と第３の導電体２５とは、それぞれ同じ材料および同じ工程により併行して設けられている。 - 特許庁

To provide a capacitor capable of increasing capacitance density, simplifying a manufacturing process, improving high frequency characteristics, and improving the versatility of a dielectric material without requiring pattern formation on a nano scale, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ナノスケールのパターン形成を必要とせずに、容量密度の向上，製造プロセスの簡略化，高周波特性の向上，誘電体材料の汎用性の向上を図ることができるコンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a preparatory process, an aggregate 34 is formed containing an adelphus 44 that is a combination of an objective substance 40 with dielectric particles 49 for agglomeration with a connector 48 specifically combined with an objective substance 40.例文帳に追加

準備工程は、検出対象の目的物質４０を、目的物質４０と特異的に結合する結合子４８を有する凝集用誘電体粒子４９と結合させた結合体４４を含む凝集体３４を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that can manufacture a dielectric layer in which a sufficient degassing effect can be obtained while eliminating the process of such as decreasing the throughput and a high transmittance and light-emitting luminance can be obtained when adopted for a PDP.例文帳に追加

スループットが低下するような工程を不要にしながらも充分な脱泡効果を得ることができ、ＰＤＰに採用した際に、高い透過率や発光輝度が得られる誘電体層を製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a compound oxide thin film, which can efficiently manufacture a compound oxide thin film with high reliability besides high dielectric constant, using a cheap material without requiring a complicated process.例文帳に追加

複雑な工程を必要とせず、安価な原料を用いて、誘電率が高く、しかも信頼性の高い複合酸化物薄膜を効率よく製造することが可能な複合酸化物薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of machining a high precision gate electrode, in which cutting of a high dielectric gate insulating film and digging of a semiconductor substrate are prevented and dimensional conversion differences are reduced, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜削れ及び半導体基板掘れを防止し、かつ、寸法変換差が少ない高精度なゲート電極の加工を実現することができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a coating liquid for forming a porous film which can easily form a thin film having an arbitrarily controlled thickness by a method used in a usual semiconductor process and gives a porous film exhibiting excellent dielectric characteristics and mechanical characteristics.例文帳に追加

通常の半導体プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、優れた誘電特性及び機械的特性有する多孔質膜形成用塗布液を提供する。 - 特許庁

Even if the electrostatic chuck device is subjected to etching process, etc., corrosion from its side surface can be suppressed, thus preventing formation of a corrosion-eroded part, for superior plasma-resistance and etching- resistance, while dielectric breakdown is prevented and high durability is imparted.例文帳に追加

静電チャック装置をエッチング処理等に供しても、その側面からの侵食を抑制でき、侵食欠損部の形成を防ぐことのできる耐プラズマ性、耐エッチング性に優れ、絶縁破壊を防止し、耐久性能が高い。 - 特許庁

To restrain thickening and gelling in the process in which glass dielectrics powder having specific surface area over 1.5m^2/g and basicity over PH8.5 is dispersed with binder resin, in manufacture of a dielectric paste for a plasma display.例文帳に追加

プラズマディスプレイ用誘電体ペーストを製造する際に、比表面積が１．５ｍ^2／ｇよりも大きく、ｐＨが８．５よりも高い塩基性を示すガラス誘電体粉をバインダ樹脂を用いて分散させる工程での増粘やゲル化を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a capacitor in which excellent leak current characteristics can be attained by restricting the passage to diffuse oxygen component of a high dielectric or ferroelectric thin film in a high temperature process.例文帳に追加

キャパシタの製造方法における、高温工程の時、高誘電体または強誘電体の薄膜の酸素成分が拡散される経路を抑制して、優れた漏れ電流特性を得ることのできるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a single CVD system, a heater is turned on, 1, 3, 5, 7-tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) is introduced, and a baking process is conducted without applying high-frequency voltage to reform a porous film having a low dielectric constant such as a porous silica film.例文帳に追加

１台のＣＶＤ装置で、ヒータをオンし、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）を導入し、高周波電圧を印加せずに、焼成処理を行い、多孔質シリカなどの多孔質低誘電率膜の改質処理を行う。 - 特許庁

To obtains porcelain which is used as an insulating layer of a wiring board for high-frequency and capable of being fired at 800-1,000°C and showing reduced dielectric loss in a high-frequency region, also to provide a production process of the porcelain and further to provide a porcelain composition for producing the porcelain.例文帳に追加

８００〜１０００℃にて焼成可能で、高周波領域において誘電損失を低減できる高周波用配線基板の絶縁層用の磁器とその製造方法およびその組成物を提供する。 - 特許庁

Therefore, since air bubbles remaining in a sheet-like molded product extremely decreases, if it is transferred to a glass substrate by using a laminator and a baking process is applied to it, a transparent dielectric having a small number of pin holes can be obtained.例文帳に追加

そのため、このスラリーから作製したシート状成形体内に残留する気泡が極めて少なくなるので、ラミネータを用いてこれをガラス基板に転写して焼成処理を施せば、ピンホールの少ない透明誘電体が得られる。 - 特許庁

To provide a method for producing a magnesium oxide vapor-deposition material advantageously usable for forming a magnesium oxide film useful as a protective for the dielectric layer of an alternating current plasma display panel by an electron beam vapor-deposition process.例文帳に追加

交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として有用な酸化マグネシウム膜を、電子ビーム蒸着法により形成するのに有利に用いることのできる酸化マグネシウム蒸着材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an inexpensive polyarylene sulfide oxide paper capable of solving problems of conventional technology, significantly improving process complications and dielectric breakdown strength and withstanding use under a high voltage, and to provide a polyarylene sulfide oxide paper.例文帳に追加

従来技術の問題点を解消し、工程の煩雑さ、絶縁破壊強さが大幅に改善され高電圧下での使用に耐える安価なポリアリーレンスルフィド酸化物紙の製造方法およびポリアリーレンスルフィド酸化物紙を提供する。 - 特許庁

The logic circuit including an embedded DRAM achieves process integration by simultaneously forming a strap connecting a memory cell capacitor with a pass transistor, and a buried dielectric layer isolating logic transistor sources and drains from a substrate.例文帳に追加

埋込みＤＲＡＭを有する論理回路は、メモリセル・キャパシタをパス・トランジスタで接続するストラップと、論理トランジスタのソースおよびドレインを、基板から分離する埋込み誘電体層とを、同時に形成することによって、プロセスの一体化を実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a micro condenser microphone, which can achieve an electret process of a dielectric film of a MEMS microphone chip by using inexpensive manufacturing facilities of simple structure and can improve productivity.例文帳に追加

安価で構造も簡単な製造設備を用いてＭＥＭＳマイクチップの誘電体膜のエレクトレット化工程を実現することができ、生産性を向上させることができる微小コンデンサマイクロホンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent loss in an SAC nitride film formed on an upper portion of a gate and improve the hump characteristics of a transistor in a planarizing process of an interlayer dielectric for subsequent formation of a contact plug, even if a surface roughness exists on a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層に表面粗さが存在しても、後続のコンタクトプラグの形成のための層間絶縁膜の平坦化工程の際、ゲートの上部に形成されたSAC窒化膜の損失を防止し、トランジスタのハンプ特性を改善すること。 - 特許庁

To provide a new poly(p-xylylene)-based polymer useful as a low loss insulating material having a low dielectric constant, low loss characteristics, and excellent process characteristics, and to provide an insulating material, a printed circuit board, and a functional element using the poly(p-xylylene)-based polymer.例文帳に追加

低誘電率、低損失特性、及び優れた工程性を有する低損失絶縁材として有用である新規なポリｐ−キシリレン系重合体、及びこれを用いた絶縁材、印刷回路基板、機能性素子を提供する。 - 特許庁