「dielectric process」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, the dielectric layer and the luminous layer or the like are formed on the setter, and this setter is removed in the manufacturing process of the EL element.例文帳に追加

また、誘電体層及び発光層等は、セッター上で形成され、このセッターはＥＬ発光素子の製造過程で取り除かれる。 - 特許庁

To provide an oxygen-free hydrogen plasma ashing process that is particularly useful for low-k dielectric materials, based on hydrogenated silicon oxycarbide materials.例文帳に追加

水素化シリコンオキシカーバイド材料に基づく低−ｋ誘電体材料に特に有用な酸素フリーの水素プラズマアッシングプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic composition which ensures improvement in characteristics of the maximum value of a dielectric constant, IR, the longevity of IR, breakdown voltage or the like even in the case impurity elements are contained in the raw material, in a production process of the dielectric ceramic composition.例文帳に追加

誘電体磁器組成物の製造工程において、原料中に不純物元素を含有している場合であっても、比誘電率の最大値、ＩＲ、ＩＲ寿命、破壊電圧等の特性を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供すること。 - 特許庁

Drawing is carried out in a temperature range in which the ratio of the value of the dielectric dissipation factor at the coating resin temperature in the optical fiber drawing process to the value of the dielectric dissipation factor at the dielectric dissipation factor peak temperature at a frequency of 1 Hz of the resin for the coating of the optical fiber becomes ≥0.8.例文帳に追加

光ファイバ被覆用樹脂の周波数１Ｈｚにおける誘電正接ピーク温度の誘電正接の値に対する、光ファイバ線引工程の被覆用樹脂温度における誘電正接の値の比が０．８以上に相当する温度範囲内で線引することを特徴とする。 - 特許庁

A manufacturing process consists of a step for applying a dielectric layer onto an essentially cylindrical shape, a step for hardening the dielectric layer, a step for applying metal layers 202 and 204 onto the dielectric layer, and a step for forming a conductor from a metal layer.例文帳に追加

本発明の製造プロセスは、誘電体層を、実質的に円筒形の形状の上に適用するステップと、誘電体層を硬化するステップと、金属層（２０２、２０４）を誘電体層の上に適用するステップと、金属層から導体を形成するステップと、からなることを特徴とする。 - 特許庁

When installing the dielectric body and barrier ribs on the glass board 12, the material of dielectric body is placed on the top layer of the electrode, and thereon the material for the barrier ribs is placed, and after formation of the barrier rib pattern, the material of dielectric body and the patterned material of the barrier ribs are subjected to a baking process simultaneously.例文帳に追加

他方の基板ガラス１２に、誘電体と隔壁と設けるに際し、電極の上層に誘電体材料を配置し、更に誘電体材料の上層に隔壁材料を配置し、隔壁パターン形成後、それら誘電体材料とパターン化した隔壁材料とを同時に焼成する。 - 特許庁

In a process in which dielectrics constituting the charge storage films CHS are formed on the bottom dielectric film BTM, the dielectric (the first film CHS1) brought into contact with a boundary with at least the bottom dielectric film BTM in the dielectrics is formed by using atomic-layer deposition(ALD).例文帳に追加

電荷蓄積膜ＣＨＳを構成する誘電体をボトム誘電体膜ＢＴＭ上に形成する工程において、その誘電体のうち、少なくとも、ボトム誘電体膜ＢＴＭとの境界に接する誘電体（第１の膜ＣＨＳ１）を原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて形成する。 - 特許庁

To provide a composition for a dielectric thin film capable of a low-temperature process and having high dielectric constant (high-k) characteristics, to provide a metal oxide dielectric thin film formed using the same and its manufacturing method, to provide a transistor element containing the dielectric thin film, and to provide an electronic element including the transistor element and having excellent electrical properties.例文帳に追加

低温工程が可能であるうえ、高誘電率(high-k)特性を持つ誘電薄膜組成物、前記組成物を用いて形成された金属酸化物誘電薄膜およびその製造方法、前記誘電薄膜を含むトランジスタ素子、並びに前記トランジスタ素子を含んでおり、優れた電気的特性を持つ電子素子を提供すること。 - 特許庁

The process for forming a dielectric thin film comprises a step for rotating an object being coated with material liquid for forming a dielectric thin film, and a step for forming a dielectric thin film by ejecting the material liquid for forming a dielectric thin film to the surface of a rotating object being coated.例文帳に追加

誘電体薄膜形成用液体材料を塗布するための塗布対象物を回転させる工程と、回転している該塗布対象物の表面に該誘電体薄膜形成用液体材料を吐出し、誘電体薄膜を形成する工程と、を備えていることを特徴とする誘電体薄膜の形成方法により解決する。 - 特許庁

Since a capacitance insulating film (520) is composed of the dielectric film (521) having a high dielectric constant, and a protective film (522) having an etching rate lower than that of the dielectric film (521), when the capacitance insulating film (520) is patterned by an etching process, the dielectric film (521) is never be excessively etched, and is patterned to a prescribed shape.例文帳に追加

容量絶縁膜（５２０）は、高誘電率を有する誘電体膜（５２１）と、当該誘電体膜（５２１）よりエッチングレートが低い保護膜（５２２）とから構成されているため、容量絶縁膜（５２０）がエッチング処理によってパターニングされた際に、誘電体膜５２１が過剰にエッチングされることがなく、所定の形状にパターニングされる。 - 特許庁

Then an electrode film 10 is plated on the surface of the dielectric block in an electrode film formation process, and in a facing process, a projected part other than the electrode pattern formation programming area is removed by removing the prescribed thickness from the surface of the dielectric block to pattern the electrode film 10.例文帳に追加

その後、電極膜形成工程で誘電体ブロック表面に電極膜１０をメッキし、面出し工程で誘電体ブロック表面の所定厚み分の除去によって電極パターン形成予定領域以外の突出部を除去して電極膜１０をパターンニングする。 - 特許庁

To provide a coating composition suitable for a material for forming dielectric layer of a PDP and an inter-layer insulation film of an SED made to have a relative dielectric constant of 5 or less by combination of a wet process and heating process of 600°C or less.例文帳に追加

ウェットプロセスと６００℃以下の熱処理の組み合わせによって、比誘電率が５以下である、ＰＤＰの誘電体層やＳＥＤの層間絶縁膜を形成する材料として好適なコーティング組成物、及びそれを用いた誘電体層や層間絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a laser processing process, the electrode pattern formation programming area of a dielectric block 1 is irradiated with a laser beam to remove prescribed thickness from the electrode pattern formation programming area, and in a succeeding surface correction process, a dielectric part deteriorated by laser beam irradiation is removed or repaired.例文帳に追加

レーザ加工工程で誘電体ブロック１の電極パターン形成予定領域にレーザビームを照射して電極パターン形成予定領域を所定厚み分除去し、続く表面修正工程で、レーザビームの照射によって変質した誘電体部分の除去または修復を行う。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device provided with a capacitor comprising a dielectric film, a process for forming the dielectric film comprises a process for forming a silicon oxide film by a chemical growth method using a mixture gas comprising alkoxysilane gas and at least nitrogen.例文帳に追加

誘電体膜を有するキャパシタを備えた半導体装置の製造方法において、前記誘電体膜を形成する工程は、アルコキシシランガスと少なくとも窒素を含むガスとを含む混合ガスを用いた化学成長法によりシリコン酸化膜を形成する工程を備える。 - 特許庁

The process for manufacturing a multilayer ceramic capacitor comprising a step for forming a dielectric film, and a step for forming a dielectric sheet on which an internal electrode and an inter-electrode dielectric formed coplanarly with the internal electrode are printed simultaneously on the dielectric film by ejecting ink for the internal electrode and ink for the dielectric through utilization of a plurality of ink jet printer heads.例文帳に追加

本発明によれば、積層セラミック電子部品製造方法は、誘電体フィルムを形成する段階、誘電体フィルム上に複数のインクジェットプリンターヘッドを利用して内部電極用インクと誘電体用インクを噴射することによって、内部電極及び内部電極と同一平面上に形成された電極間誘電体が、同時に印刷された誘電体シートを形成する段階を含む。 - 特許庁

When the methylpolysiloxane composed of hydrophobic groups of Si-CH_3 bonds is used as the interlayer dielectric, the surface of the interlayer dielectric is damaged in an etching process and the carbon concentration is decreased due to defect of methyl group.例文帳に追加

Ｓｉ−ＣＨ_3結合たる疎水基からなるメチルポリシロキサンを層間絶縁膜に用いた場合、エッチング工程等において前記層間絶縁膜表面がダメージを受け、メチル基の欠陥により炭素濃度が減少する。 - 特許庁

By raising temperature at the periphery of the dielectric wall during etching process, the reactive products are prevented from sticking even to the periphery of the dielectric wall 2, suppressing the occurrence of particles.例文帳に追加

そして、エッチング処理中に、誘電体壁の周縁部の温度を高めることにより、誘電体壁２の周縁部においても反応生成物が付着することが防止され、パーティクルの発生を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing a single gate or multiple gate field plate using consecutive steps of depositing/growing a dielectric material, etching the dielectric material, and evaporating a metal on a surface of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果型トランジスタの表面に、誘電性材料の堆積／成長させ、誘電性材料をエッチングし、および、メタルを蒸着させる、連続的なステップを用いる、シングルゲートまたはマルチゲートプレートの製造プロセスの提供。 - 特許庁

An antenna array 30 for a radio frequency plasma process chamber includes: an electrode array 34; a dielectric tube array 36 made of dielectric tubes concentrically disposed about each electrode tube; and a hermetic seal 40.例文帳に追加

高周波プラズマ処理室のアンテナアレイ３０は、電極アレイ３６と、各電極チューブと個別に同心円状に配置された誘電体チューブからなる誘電体チューブアレイ３６と、気密シール４０とを有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low dielectric constant insulating film having a high film strength capable of adapting to the existing semiconductor manufacturing process and capable of forming an insulating film having a lower dielectric constant.例文帳に追加

既存の半導体製造プロセスに適合する強い膜強度を有し、かつより低い比誘電率を有する絶縁膜を形成することができる低誘電率絶縁膜の形成方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a process for producing a capacitor inexpensively while reducing the size by employing a dielectric film having a high dielectric constant, and to provide a semiconductor comprising such a capacitor.例文帳に追加

高誘電率の誘電体膜を有することでこれを備える装置の小型化を可能にし、このキャパシタを低コストで製造することのできるキャパシタの製造方法と、このようなキャパシタを備えた半導体装置とを提供する。 - 特許庁

To suppress or prevent such a faulty external appearance as a faulty shape and a discoloring which are generated in the divided portion of a low-dielectric-constant film, in the stealth dicing process of a semiconductor device having the low-dielectric-constant film.例文帳に追加

低誘電率膜を有する半導体装置のステルスダイシング工程において、低誘電率膜の分割部分に形状不良や変色等のような外観不良が発生するのを抑制または防止する。 - 特許庁

The manufacture of this device comprises an electrode process for forming the discharge electrodes 6 on the transparent substrate 1, a coating process for coating the discharge electrodes 6 with a paste containing a transparent dielectric material layered thereon, and a baking process for forming the transparent dielectric layer 5 on the discharge electrodes 6 by baking the applied paste in a vacuum atmosphere.例文帳に追加

これを製造するため、透明な基板１の上に放電電極６を形成する電極工程と、放電電極６に重ねて透明な誘電体材料を含むペーストを塗工する塗工工程と、塗工されたペーストを真空雰囲気で焼成して放電電極６上に透明な誘電体層５を形成する焼成工程とを行なう。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has a process A for depositing a low dielectric constant insulating film 15 on an upper layer of a semiconductor substrate 11, a process B for laminating a silicon content insulating film 26 having rich silicon on at least the upper layer of the low dielectric constant insulating film 15, and a process C for plasma-processing a surface of the silicon content insulating film 26.例文帳に追加

半導体基板１１の上層に低誘電率絶縁膜１５を積層する工程Ａと、低誘電率絶縁膜１５の少なくとも上層にシリコンリッチなシリコン含有絶縁膜２６を積層する工程Ｂと、シリコン含有絶縁膜２６の表面をプラズマ処理する工程Ｃとを備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing a thin-film electronic component is provided with a process of providing a dielectric layer 16 on a base material 10; a process of providing a first conductive layer 31 covering at least one part of the dielectric layer and having a first opening 50; and a process of forming a first through hole 52 piercing the base material and communicating with the first opening.例文帳に追加

本発明に係る薄膜電子部品の製造方法は、基材１０上に誘電体層１６を設ける工程と、誘電体層の少なくとも一部を覆い、第１の開口５０を有する第１の導電層３１を設ける工程と、基材を貫通して第１の開口に連通する第１の貫通孔５２を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component in which a large number of thin dielectric films can be layered with high accuracy through a relatively small number of process steps.例文帳に追加

比較的僅かな工程で、高精度に誘電体の薄膜高積層化を可能とした積層セラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for increasing the thickness of an electrically conductive pattern on a dielectric substrate by an electrolytic process by which the thickness is uniformly increased.例文帳に追加

誘電体基材上の導電性パターンを電解法によって増厚させる方法において、厚みの増大が均一に起こるようにする。 - 特許庁

To provide a technique to improve reliability of Cu wiring in a damascene process which employs a low dielectric constant material for an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層に低誘電率材料を採用したダマシンプロセスにおけるＣｕ配線の信頼度を向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁

The method of forming an electrically conductive layer on a semiconductor substrate and further forming a via structure includes a process of forming a molding dielectric layer on the electrically conductive layer.例文帳に追加

半導体基板上に導電層を形成してビア構造を形成する方法はモールディング絶縁膜を導電層上に形成する。 - 特許庁

Continuously, in a treatment process, the dielectric layer (3) deposited in a noncrystalline state is crystallized at a temperature within the range from 590 to 620°C.例文帳に追加

非晶質な状態で堆積させた誘電体層（３）を、続いて処理工程において５９０℃〜６２０℃の範囲の温度で結晶させる。 - 特許庁

A high-k dielectric layer can be patterned to allow the formation of a non-memory transistor together with a process of forming the flash memory cell.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層は、フラッシュメモリセルを形成するプロセスとともに、非メモリトランジスタの形成を可能にするようにパターニングされ得る。 - 特許庁

To attain a flat antenna which is constituted of a single dielectric substrate, whose manufacturing process is easy, and whose operation frequency range is wide.例文帳に追加

単一の誘電体基板で構成された製造工程が容易な構造で、かつ、動作周波数範囲の広い平面アンテナを実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device comprising a film of low dielectric constant which shows good quality even if damaged during a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程中にダメージを受けても、良好な品質を示す低誘電率膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing micro cracks of an inter level dielectric caused from a stress applied to a bonding pad when bonding in a process of semiconductor.例文帳に追加

半導体プロセスでボンディングの際にボンド・パッドにかかる応力から生じるレベル間誘電体の微小割れを防ぐ方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the characteristic degradation of switching elements and the dielectric breakdown among wirings due to static electricity occurring during the manufacturing process of a display panel and after the completion of the display panel.例文帳に追加

表示パネルの製造工程中および完成後の静電気によるスイッチング素子の特性劣化や配線間の絶縁破壊を防ぐ。 - 特許庁

To solve problems of short circuit and faulty breakdown voltage in a laminated pattern of dielectric and conductor thin films formed by a deposition process.例文帳に追加

蒸着法によって形成される誘電体薄膜と導体薄膜の積層パターンにおける短絡や耐圧不良の問題を解消する。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic capacitor in which an internal electrode and a dielectric are printed simultaneously by ink jet system, and to provide its manufacturing process.例文帳に追加

内部電極と誘電体がインクジェット方式によって同時に印刷される積層セラミック電子部品及びその製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a laminated electronic component capable of exhibiting high insulation and enhanced reliability, even if a dielectric layer is made thin, and to provide its producing process.例文帳に追加

誘電体層を薄層化しても高い絶縁性を有し信頼性を向上できる積層型電子部品およびその製法を提供する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has a mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a production process of a capacitor, which includes ONO structure with superior film quality and of which dielectric film is formed thin without suffering an influence of a native oxide layer in a simple production process.例文帳に追加

簡単な製造工程で、自然酸化膜の影響を受けることなく、膜質のよいＯＮＯ構造で、その誘電体膜を薄く形成することができるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In manufacturing the oscillator of this structure, a coating process of coating the insulation thin film 9 onto the exposed face 18b of the inductor is employed after a process that the inductor 18 is printed on a green sheet of a dielectric material.例文帳に追加

この構造の発振器を製造する場合、誘電体のグリーンシート上にインダクタ１８を印刷した後にそのインダクタの露出面１８ｂに絶縁薄膜９を被覆する被覆工程を組み込む。 - 特許庁

To provide an insulating thin film being porous silica which has low specific dielectric constant and mechanical strength sufficiently resistant to a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor device.例文帳に追加

多孔性シリカである絶縁性薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する絶縁性薄膜を提供する。 - 特許庁

The low-ρ kraft paper is prepared by subjecting a kraft paper for electric insulation to a low-ρ generating process, and its dielectric resistance lies between 10-80% of that of the kraft paper before its being subjected to the low-ρ generating process.例文帳に追加

この低ρクラフト紙は絶縁用クラフト紙を低ρ化処理したもので、その絶縁抵抗は低ρ化処理を行う前のクラフト紙の絶縁抵抗の10％以上80％以下である。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

In the first step of the chamber cleaning process, the stacked dielectric layer is let to contain a small quantity of fluorine, and the layer is isotropically etched, thus this process has an additional benefit of reforming the ability of filling the gap of the layer.例文帳に追加

チャンバクリーニングプロセスの第１のステップでは、堆積されている誘電層に少量の弗素を含ませ、等方的に層をエッチングして、層のギャップ充填能を改良する付加的な利益を有する。 - 特許庁