「dielectric process」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a low dielectric-loss resin composition which can be melted into a low-boiling point general-purpose solvent and is excellent in the process workability of a wiring substrate while maintaining excellent characteristics of polyphenylene ether.例文帳に追加

ポリフェニレンエーテルの優れた特性を維持しながら、低沸点の汎用溶剤に可溶で、配線基板のプロセス加工性に優れた低誘電損失樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The front glass substrate 3 having a silver electrode formed thereon is stored in an atmosphere in which the concentration of sulfur compounds is lower than in the air during the process up to formation of a dielectric layer 9.例文帳に追加

銀電極が形成された前面ガラス基板３を、誘電体層９が形成されるまでの工程の間、大気より硫黄化合物濃度が少ない雰囲気で保管する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, i.e. an MIS transistor having a gate insulating film composed of a material having a high dielectric constant, in which controllability of threshold is improved, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

高誘電率材料からなるゲート絶縁膜を有するＭＩＳトランジスタであって、閾値の制御性が良好である半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be highly integrated enough through a simple manufacturing process and functions as a high-dielectric-strength MOS transistor.例文帳に追加

簡便な製造工程で、高集積化を十分に図ることができる高耐圧ＭＯＳトランジスタとして機能し得る半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor for forming proper images by hardly possessing dielectric breakdown in an electrophotographic process in the electrophotographic photoreceptor surface-roughened by blasting.例文帳に追加

ブラストにより粗面化された電子写真感光体であって、電子写真プロセスにおいて絶縁破壊されることなく、適切な画像を形成させることができる電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

In a process of checking the laminated green sheet 1, a part of the laminated green sheet 1 is subjected to dry etching so as to expose the cross section of the dielectric layers 11 and the internal electrodes 12 in the direction of lamination.例文帳に追加

積層グリーンシート１を検査する工程では、積層グリーンシート１の一部をドライエッチングし、誘電体層１１及び内部電極１２の積層方向の断面を露出させる。 - 特許庁

To provide a production process for resin particles that bring about increase in dispersion and decrease in the viscosity of a resin composition, in addition, lower the dielectric constant and increases the shock resistance of a cured molded product.例文帳に追加

樹脂組成物の分散性の向上、低粘度化をもたらし、かつ、硬化成形物の誘電率低下や耐衝撃性の向上をもたらす樹脂粒子の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a cost efficient manufacturing process and a resulting non-volatile memory device with which the insulating properties of a dielectric between a charge storage layer and a control gate is improved.例文帳に追加

コスト効率の高い製造プロセスと、これにより得られた電荷蓄積層と制御ゲートとの間の誘電体の絶縁特性が改良された不揮発性デバイスとを提供する。 - 特許庁

A dielectric film 16a of the capacitor in the capacitor formation area and a high breakdown voltage gate insulation film 16 in an MISFET formation area are formed in the same process.例文帳に追加

また、キャパシタ形成領域におけるキャパシタの誘電体膜１６ａと、ＭＩＳＦＥＴ形成領域における高耐圧用ゲート絶縁膜１６とを同一の工程で形成する。 - 特許庁

To form a thin gate insulating film in terms of SiO_2 thickness of different film thickness in a simple process concerning a semiconductor device having a high dielectric constant film and its manufacturing method.例文帳に追加

高誘電率膜を有する半導体装置及びその製造方法に関し、異なった膜厚で且つＳｉＯ_２ 換算膜厚の薄いゲート絶縁膜を簡単な工程で形成する。 - 特許庁

To provide a film having a low dielectric constant in which the film can be hardened completely at a temperature of 350-500°C within a short heating time of 10 min or less and heat treatment process can be shortened.例文帳に追加

温度範囲が３５０〜５００℃、かつ加熱時間が１０分以内と短時間で完全硬化可能で熱処理工程の短縮可能な低比誘電率の被膜を提供する。 - 特許庁

To provide an input protective circuit with good dielectric breakdown strength without a modification in manufacturing process while an increase in area of the input protective circuit is reduced.例文帳に追加

入力保護回路の占める面積の増加を抑え、製造工程の変更等を伴わずに製造でき、静電気破壊耐性を十分に有した入力保護回路を提供することにある。 - 特許庁

Then, a first conductor layer 5 is formed on the surface of the ceramic element by a wet plating method and the dielectric layer 6 is formed on the surface of the first conductor layer 5 in a wet process (c).例文帳に追加

そして、セラミック素体の表面に湿式めっき法で第１の導体層５を形成し（ｂ）、次いで、第１の導体層５の表面に湿式法で誘電体層６を形成する（ｃ）。 - 特許庁

This manufacturing method for the laminated ceramic electronic component has a burning process for burning an element main body having dielectric layers and internal electrode layers containing base metal arrayed by turns; and the burning process has a temperature raising process for raising the temperature up to burning temperature and hydrogen is introduced from halfway in the temperature raising process.例文帳に追加

誘電体層と、卑金属を含む内部電極層とが交互に複数配置された焼成前素子本体を焼成する焼成工程を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記焼成工程が、焼成温度まで昇温させる昇温工程を有し、前記昇温工程の途中から水素を導入することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the optical recording medium sample comprises a substrate dissolving process in which a contact plane for the substrate of a dielectric layer is exposed by dissolving the substrate using liquid which can dissolve selectively the substrate without dissolving the dielectric layer of the optical recording medium having the substrate and the dielectric layer formed at one side of the substrate.例文帳に追加

上記課題を解決する光記録媒体試料の作製方法は、基板とその基板の一側に形成された誘電体層とを有する光記録媒体の上記誘電体層を溶解せずに上記基板を選択的に溶解可能な液体を用いて基板を溶解することにより、誘電体層の基板との接触面を露出させる基板溶解工程を含むものである。 - 特許庁

To solve the problem that shavings occurring in a field layer during CMP process of an embedded dielectric in an element separation process using an STI method cause the occurrence of the leak current and the thinner line of a gate electrode mask, and thereby cause a decrease in yield and reliability.例文帳に追加

ＳＴＩ方式を用いた素子分離工程において、埋め込み絶縁膜の平坦化研磨時にフィールド層で発生する削りこみが、リーク電流発生や、ゲート電極マスクの細線化の原因となり、歩留まり低下や信頼性低下を招いている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor dielectric layer which is performed in the deep trench of the semiconductor substrate, a washing process is first performed and thereafter a silicon nitride deposition process is performed to form an SiN layer on the side wall and the bottom of the deep trench.例文帳に追加

本発明は、半導体基板のディープトレンチで実施されるキャパシタ誘電層の製作方法に関わり、この製作方法では先ず、プレ洗浄工程が実施され、その後窒化シリコン堆積工程が実施されて、ディープトレンチの側壁と底部にＳｉＮ層が形成される。 - 特許庁

In a front plate forming process, a dielectric layer 4 is subjected to planarizing treatment and thereafter a protective membrane is formed, or in a rear plate forming process, a surface of a partition layer 6 (the layer before processing to the partition) is subjected to planarizing treatment and thereafter a partition is formed by processing.例文帳に追加

前面板の形成工程において、誘電体層４を平坦化処理し、その後保護膜を形成する、または、背面板の形成工程において、隔壁層６（隔壁に加工する前の層）の表面を平坦化処理し、その後隔壁を加工形成する。 - 特許庁

The apparatus transmits microwaves generated by an oscillator 11 into a process chamber 3 via a waveguide 2, and radiates the waves in the process chamber 3 through a microwave introducing window 3a formed with a dielectric member from a slotted antenna 2a to turn a discharge gas into a plasma state by discharging.例文帳に追加

発振器１１で発生したマイクロ波を導波管２でプロセス室３まで伝送し、スロットアンテナ２ａから誘電体部材で形成されたマイクロ波導入窓３ａを介してプロセス室３内へと放射し、放電により放電ガスをプラズマ化する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process in which the photosensitive resin film 2 is adhered to the top face of ribs 13 in a state to cover the dielectric layer 12 of the rear substrate 1, a process in which openings 21 for applying the phosphor paste 4 on the photosensitive resin film 2 are formed, and a process in which the phosphor paste 4 is applied from the openings 21.例文帳に追加

感光性樹脂フィルム２を、背面基板１の誘電体層１２を覆うように、リブ１３の上面と接着させる工程と、感光性樹脂フィルム２に蛍光体ペースト４を塗り込むための開口部２１を形成する工程と、この開口部２１から、蛍光体ペースト４を塗り込む工程と、を有する方法としてある。 - 特許庁

A resist film 7 is formed on a ceramic substrate 2, a conductor thin film 4 is formed on the film 7 of the substrate 2 by a vacuum deposition process, a dielectric thin film 5 made of Sm2O3 or the like material is formed on the film 4 by the vacuum deposition process, and then a conductor thin film is formed on the film 5 by the vacuum deposition process.例文帳に追加

セラミック基板２の上にレジスト膜７を形成した後、その上から基板２上に真空蒸着によって導体薄膜４を形成し、ついで真空蒸着によって導体薄膜４の上にＳｍ_2Ｏ_3等の誘電体薄膜５を形成し、ついで真空蒸着により誘電体薄膜５の上に導体薄膜６を形成する。 - 特許庁

To provide a transfer device constituted so that the polarization of the dielectric of a transfer belt may be appropriately suppressed and a normal transfer current may be maintained irrespective of a copying time, and a transfer process may be satisfactorily performed.例文帳に追加

転写ベルトの誘電体に生じる分極を適切に抑制し、複写時間に関わらず正常な転写電流を保ち、転写を良好に行うことのできる転写装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where a gate protect element for preventing the dielectric breakdown of a gate insulating film of MISFET (metal insulator semiconductor field-effect transistor) is located and can evaluate the characteristics of the MISFET in a wafer process.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜の絶縁破壊防止のためのゲート保護素子を設け、かつＭＩＳＦＥＴの特性をウエハプロセス中に評価することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming deposited films for forming patterns on a substrate without masking or a patterning process relating to general metallic films, dielectric films, and more particularly organic material films.例文帳に追加

一般的な金属膜、誘電体膜、そして特に有機物膜に関し、マスク成膜やパターニングプロセスなしに、基板上へのパターン形成を可能にする堆積膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

In manufacturing the ion generating element 21, a coating layer 6 for covering the surface of a discharge electrode 1, except for a surface that is in contact with a dielectric 4, is formed by performing a coating process more than one time.例文帳に追加

イオン発生素子２１を製造する際、放電電極１の誘電体４と接する表面以外の表面を被覆するコート層６を、複数回のコーティング処理によって形成する。 - 特許庁

A groove (85) is partially etched and the groove (85) is formed almost inside the secondary dielectric layer (40) after BARC (back side anti-reflection coating) is completely or partially removed from the via (62), which completes a groove etching process.例文帳に追加

溝（８５）を部分的にエッチングし、ＢＡＲＣをビア（６２）から完全にまたは部分的に除去して溝（８５）をほとんど第２の誘電層（４０）内に形成し、溝エッチング・プロセスを完了する。 - 特許庁

In the matching process, a high-frequency transmitting channel is utilized as the load for heating the focus ring, from a susceptor 12 to the cylindrical supporting member 16 of a grounding potential through the focus ring 36 and a dielectric body 44.例文帳に追加

ここで、サセプタ１２からフォーカスリング３６および誘電体４４を介して接地電位の筒状支持部材１６に至る高周波伝搬経路がフォーカスリング加熱用負荷として利用される。 - 特許庁

To impart a high dielectric constant and a high Q value, and desired temperature stability to multilayer ceramic electronic parts which can be sintered at a relatively low temperature by using a nonshrink process.例文帳に追加

いわゆる無収縮プロセスを用いて比較的低温で焼結可能な積層セラミック電子部品において、誘電率やＱ値が高く、所望の温度安定性を与えることができるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processor and a plasma processing method which are superior in efficient removal of charges on a plasma-processed substrate and in prevention of dielectric breakdown in liquid crystal panel manufacturing process.例文帳に追加

液晶パネル製造工程において、プラズマ処理された基板上に帯電した電荷を効率よく除去し、絶縁破壊を防止するのに優れたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a separator obviating the need of a binder removal process and excelling in a reforming property; and a solid electrolytic capacitor excelling in capacitance, ESR, and a dielectric dissipation factor, and small in percentage defective and small dispersion of capacitance.例文帳に追加

バインダー除去処理が不要で再化成性に優れるセパレータ、静電容量、ＥＳＲ、誘電正接に優れ、不良率が小さく、静電容量のばらつきが小さい固体電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a durable microwave induction device with small dielectric loss that is suitable for executing reliable and stable processes of high performance which induces microwaves of high electric density to a plasma process system.例文帳に追加

耐力性があり、誘電損失が少なく、プラズマプロセス装置に大電力密度のマイクロ波を導入して信頼性、安定性の高い高効率のプロセスを行うに適したマイクロ波導入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an insulation film of a semiconductor device which has a low dielectric constant and high heat resistance and has mechanical strength and adhesiveness high enough to be tolerable to a CMP process.例文帳に追加

低い誘電率と高い耐熱性を有し、なおかつＣＭＰ工程に充分に耐えることができる良好な機械強度と密着性能を有した半導体装置の絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a reliable packaging member whose dielectric layer cannot be cracked due to the thermal stress of a packaging process while a low- inductance capacitor is used as the internal layer.例文帳に追加

低インダクタンスのコンデンサを内層した実装部材であって、実装プロセスの熱応力により誘電体層に亀裂が入ることがなく、信頼性が高い実装部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single or multiple gate field plate which can realize a device with a field plate, without a dry or wet etching process not doing much damage to a dielectric material.例文帳に追加

誘電性材料に与えるダメージの少ない乾式または湿式エッチングプロセスを用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを実現できるシングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor for which an attempt can be made to improve its capacitance density despite its compactness, to improve selectivity of electrode metal and dielectric material, and to simplify its manufacturing process, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

小型でありながら、容量密度の向上，電極金属及び誘電体材料の選択性の向上，製造プロセスの簡略化を図ることができるコンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When manufacturing a PDP comprising a front substrate 3 having a dielectric layer 33, and a rear substrate 2 having a partition wall 2, heating at a sealing process allows the partition wall 23 to be softened.例文帳に追加

誘電体層３３を有する前面基板３と、隔壁２３を有する背面基板２とを備えるＰＤＰを製造する際に、封着工程において加熱して、隔壁２３を軟化させている。 - 特許庁

To allow a semiconductor device having a capacitive insulating film made of a ferroelectric material or a high dielectric-constant material to surely prevent the capacitive insulating film from being deteriorated due to hydrogen during a fabricating process.例文帳に追加

強誘電体又は高誘電体を用いた容量絶縁膜を有する半導体装置において、容量絶縁膜のプロセス中の水素による劣化を確実に防止できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method includes a modifying process of modifying the quality of a gate insulating film formed of a high-dielectric constant film of hafnium oxide, by subjecting the gate insulating film to a water vapor annealing treatment in a water vapor atmosphere.例文帳に追加

ハフニウム酸化物系の高誘電率膜からなるゲート絶縁膜を水蒸気の雰囲気にて水蒸気アニール処理することにより膜質を改質する改質処理工程を備える。 - 特許庁

To provide methods for depositing on a substrate in a process chamber an insulating thin film of nitrofluorinated silicate glass(NFG) which has lower dielectric constant and better adhesion properties than those of fluorosilicate glass.例文帳に追加

フルオロケイ酸塩ガラスより薄膜の誘電率が低くかつ接着特性が良好である、プロセスチャンバ内で基板上にニトロフッ化ケイ酸塩ガラスの絶縁薄膜を堆積する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel having a green sheet that has no surface separation generated at the stripping of the protection film after lamination, when the green sheet is used in the process of forming a dielectric body in the manufacture of the upper board of the PDP.例文帳に追加

ＰＤＰの上板製造における誘電体の形成工程にグリーンシートを用いるとき、ラミネート後の保護用膜のストリップ時に切れ目が生じないグリーンシートを含むＰＤＰを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel for simplifying a manufacturing process, and having a transparent dielectric having insulation resistance of a practically sufficient level, its manufacturing method, a manufacturing device, and novel paste used for manufacturing the plasma display panel.例文帳に追加

製造工程が簡略化できるとともに、実用上充分なレベルの絶縁耐性を有する透明誘電体を有するプラズマディスプレイパネルとその製造方法、ならびに製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has an SOD (Spin On Dielectric) single-layer film of good quality free of an influence of fixed charge etc., and having excellent electric characteristics and also has a device isolation region for a micro-LSI process.例文帳に追加

固定電荷等の影響がなく電気的特性の優れた良質なＳＯＤ単層膜を備えた、微細ＬＳＩプロセス用の素子分離領域を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

A spin-on low-k CMP protective layer 5 prevents a damage which may occur on the low-k dielectric 3 due to an uneven CMP process from the center to an edge or in an area varied in metal density.例文帳に追加

スピンオン低ｋＣＭＰ保護層５は、中央部からエッジへのまたは金属密度が変化する領域におけるＣＭＰプロセスの非均一性のために生じ得る低ｋ誘電体３へのダメージを阻止する。 - 特許庁

A dielectric oxide coat 12 is formed on the surface of an aluminum anode member 10 whose surface is extended, by a conversion process, and the aluminum anode member 10 is divided into two regions by an insulator 13.例文帳に追加

表面を拡面化したアルミ陽極体１０の表面に、化成処理によって誘電体酸化皮膜１２を形成し、絶縁体１３によってアルミ陽極体１０を二つの領域に区分する。 - 特許庁

After that, the dielectric oxide coat is re-formed on the cut surface of the aluminum base 14, the exposed aluminum base 14 of the anode lead part 17, and the surface of the aluminum wires 15 by the conversion process again.例文帳に追加

その後、再度化成処理によって、アルミ基体１４の切断面、陽極リード部１７の露出したアルミ基体１４、およびアルミ線１５の表面に誘電体酸化皮膜を再形成する。 - 特許庁