「dielectric process」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing an organic porous film having ≤2.2 relative dielectric constant, with which processes of etching processing, cleaning liquid treatment, etc., are facilitated in an insulating film processing process of semiconductor device of advanced micronization and to obtain a composition for forming the organic porous film.例文帳に追加

より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in such performances as sensitivity, transmittance, insulation, chemical resistance, flatness and coating property, having improved adhesiveness particularly to an inorganic material, and suitable for forming an interlayer dielectric in an LCD manufacturing process.例文帳に追加

感度、透過率、絶縁性、耐化学性、平坦性、コーティング性などの性能に優れているだけでなく、特に無機質材料との接着性が顕著に向上して、ＬＣＤ製造工程の層間絶縁膜を形成するのに適合する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A method includes a step of laminating a thin layer which includes silicon and carbon and may include oxygen and/or nitrogen by request on a film to process a patterned low dielectric constant film obtained after removing a photoresist from the film.例文帳に追加

一態様において、方法は、シリコンと、炭素とを含み、所望により酸素及び/又は窒素を含んでもよい薄層を膜上に堆積させることによりフォトレジストが膜から除去された後のパターン形成された低誘電率膜を処理するステップを含む。 - 特許庁

To provide a formation method of a display panel member capable of reducing mixing between a dielectric formation material layer and a barrier rib formation material layer, and simplifying a process, and a transfer film capable of forming a member excelling in an aspect ratio and a pattern shape.例文帳に追加

誘電体形成材料層と隔壁形成材料層との間のミキシングを低減させ、かつ、工程を簡略化することができるディスプレイパネル部材の形成方法、並びにアスペクト比及びパターン形状に優れた部材を形成可能な転写フィルムの提供。 - 特許庁

In the process for manufacturing a multilayer ceramic capacitor comprising: a first external electrode; a dielectric; an internal electrode; and a second external electrode, the first external electrode, the internal electrode being formed in a portion of the dielectric bonded to the first external electrode and recessed to open one surface partially, and the second external electrode being formed integrally with the internal electrode, are printed simultaneously by ink jet system.例文帳に追加

本発明によれば、第１外部電極、誘電体、内部電極及び、第２外部電極を含む積層セラミックコンデンサ製造方法は、第１外部電極と、第１外部電極に結合し一部分で一面が開放されるように陥入された誘電体のその陥入された部分に形成される内部電極と、内部電極と一体に形成される第２外部電極とをインクジェット方式によって同時に印刷する。 - 特許庁

When a laminated film formed on a semiconductor substrate is etched in the manufacture of a semiconductor device, a process for etching and removing the underlying dielectric film located on the bottom of the via is carried out by depositing carbon fluoride hydride, cyclized olefin fluoride hydride or a polymer of hydrocarbon, using carbon fluoride hydride, cyclized olefin fluoride hydride or hydrocarbon gas plasma, and also by etching and removing the underlying dielectric film.例文帳に追加

半導体装置の製造において、半導体基板上に形成した積層膜をエッチングする際に、ビアの底部にある下地誘電体膜をエッチング除去するプロセスを、水素化フッ化炭素、水素化フッ化環化オレフィン又は炭化水素ガスプラズマを用いて、水素化フッ化炭素、水素化フッ化環化オレフィン又は炭化水素のポリマを堆積すると共に、下地誘電体膜をエッチング除去することにより行う。 - 特許庁

The process of forming the top electrode comprises processes of forming an interlayer insulation film on the base film 8 and on the dielectric film 12, forming an opening existing above the dielectric film in the interlayer insulation film, depositing a conductor inside the opening and on the interlayer insulation film, and forming the top electrode by removing the conductor from above the interlayer insulation film.例文帳に追加

上部電極を形成する工程は、下地膜８上及び誘電体膜１２上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に、誘電体膜上に位置する開口部を形成する工程と、開口部の中及び層間絶縁膜上に導電体を堆積する工程と、層間絶縁膜上から導電体を除去することにより上部電極を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

This semiconductor capacitor 1 with reduced variance in electrical properties and high weatherability is obtained by the following process: an internal electrode layer 4 is made by using an electrode paste predominant in nickel and incorporated with a glass compound based on boric anhydride, lithium oxide and sodium oxide, and printed and laminated on a dielectric ceramic layer 2 followed by pressure contact bonding under heating to promote the uniform sintering of the dielectric ceramic layer 2.例文帳に追加

ニッケルを主成分とし無水硼酸、酸化リチュウム、酸化ナトリウム系のガラス化合物を添加した電極ペーストを用いて内部電極層４を形成し、誘電体セラミック層２に印刷し、積層し加熱しながら加圧、圧着することで前記誘電体セラミック層２の均質な焼結を促進し、電気的特性のバラツキが少なく耐候性の優れた粒界絶縁型積層半導体コンデンサ１が得られる。 - 特許庁

The method for separating a semiconductor substrate, with a low-dielectric material deposited thereon, into individual chips comprises a first process wherein a blade using resin as its main binder cuts into the surface covered by a dielectric material at least to a level where the semiconductor material is exposed, and a second process wherein the blade cuts off the exposed semiconductor material.例文帳に追加

低誘電体絶縁材料が半導体物質上に積層された基板を個々のチップに分割する，低誘電体絶縁材料を積層した基板のダイシング方法において；レジンを主結合剤として使用したブレードによって，基板の低誘電体絶縁材料層が積層された面側から，少なくとも半導体物質が露出する深さまで，基板を切削する，第１の工程と；露出した半導体物質を切断する，第２の工程と；を含むことを特徴とする，低誘電体絶縁材料を積層した基板のダイシング方法が提供される。 - 特許庁

In a manufacturing method, a process for inspecting leakage current is installed after a process for sealing a capacitor element by an armor material, at the manufacturing of the solid electrolytic capacitor holding chemical polymerized conductive polymer between the electrode foils of the anode and the cathode of the capacitor element, where the anode foil and the cathode foil, in which dielectric oxidation films are formed, are wound through a separator.例文帳に追加

誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子の陽極と陰極の電極箔間に化学重合性導電性高分子を保持する固体電解コンデンサを製造する際に、コンデンサ素子を外装材で封止する工程の後に、漏れ電流の検査を行う工程を設けた製造方法としたものである。 - 特許庁

To provide an improved process gas distribution method and a device for surely and uniformly distributing dopant seeds through the surface of a substrate, so as to deposit a dielectric layer loaded with impurities of high stability on the substrate, by a method where dopant seeds are injected at a position nearer to the surface of the substrate than usual.例文帳に追加

これまでよりも基板表面に近い位置でドーパント種を注入することにより、確実に基板表面にわたってドーパント種をほぼ均一に分配し、安定性のある不純物が添加された誘電体層を堆積させる改良形プロセスガス分配方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition suitable for the formation of an interlayer insulating film having high heat resistance, high solvent resistance, high transmittance and a low dielectric constant, and having a large development margin that allows formation of a favorable pattern even when a developing time exceeds the optimal developing time in a developing process.例文帳に追加

高耐熱性、高耐溶剤性、高透過率及び低誘電率の層間絶縁膜の形成に好適であり、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できる大きな現像マージンを有するポジ型感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

In a method of forming the positive electrode body, and the dielectric coating layer by immersing the positive electrode body in a chemical conversion solution to carry a current to the positive electrode body and a metal member in the chemical conversion solution, the chemical conversion solution is previously subjected to an ion-exchange process by using an ion-exchange resin.例文帳に追加

陽極体と、該陽極体を化成液に浸漬して、該陽極体と化成液中の金属部材とを通電させることにより誘電体皮膜層を形成する方法において、該化成液は予め酸水溶液をイオン交換樹脂を用いてイオン交換処理されている。 - 特許庁

This medium is a magneto-optical recording medium 10 in which at least a dielectric layer 2 and a magnetic layer 11 consisting of a perpendicular magnetic recording film are formed on a light transmittable substrate 1, the magnetic layer 11 is formed by sputtering using Kr gas as process gas.例文帳に追加

光透過性の基板１上に、少なくとも誘電体層２、垂直磁気記録膜よりなる磁性層１１が形成されてなる光磁気記録媒体１０であって、その磁性層１１を、プロセスガスとしてＫｒガスを用いてスパッタリングにより形成される構成とする。 - 特許庁

Specimen sludge in a detection part is heated, the physical changes associated with the heating of at least one of weight, conductivity, dielectric constant, thermal conductivity, acoustic velocity, heat capacity, heat absorption, and electrolytic current, the properties of sludge is grasped from a change pattern, and devices in a sludge generation process are controlled.例文帳に追加

検出部内の試料汚泥を加熱し、加熱に伴う重量、導電率、誘電率、吸光度、熱伝導度、音速度、熱容量、吸熱量、電解電流の１種以上の物理量変化を測定し、変化パターンから汚泥の性状を把握し、汚泥を発生するプロセスの機器制御を行う。 - 特許庁

The method of constituting the metal material includes a step of preparing the substrate including a region formed from a first semiconductor material, and a second material containing germanium separated by a pattern formed from a dielectric material, a step of performing deposition (F2) of a metal layer, and a step of performing a first thermal process (F3).例文帳に追加

第１半導体材料から作られた領域と、誘電体材料から作られたパターンによって分離されたゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域と、を含む基板を準備し、金属層を堆積し（Ｆ２）、第１熱処理（Ｆ３）を行うことを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which dispenses with a patterning process of a lanthanum oxide film, relating to the semiconductor device in which a high-K gate insulating film is constituted by laminating a high-K dielectric film and a lanthanum oxide film, in an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいてｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜をｈｉｇｈ−Ｋ誘電体膜と酸化ランタン膜の積層により構成した半導体装置において、酸化ランタン膜のパターニングプロセスを不要とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide dry etching gas selectively etching a resist and underlying silicon while avoiding a reduction of an etching speed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon-containing film such as a silicon-containing low dielectric constant film in a manufacturing process of a semiconductor device; and to provide an etching method using the same.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having no development residue, while keeping a high residual film ratio, capable of forming a pattern film having excellent low dielectric characteristics without spoiling film properties such as a light transmittance or solvent resistance even after high-temperature baking, in a developing process for forming the pattern film.例文帳に追加

パターン膜を形成する現像工程において、高い残膜率を維持したまま、現像残渣がなく、高温ベーキング後においても光透過率、耐溶剤性等の塗膜物性を損なうことなく、低誘電特性に優れたパターン膜を形成することができる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multilayer ceramic capacitor, which prevents the oxidation of an electrode layer at baking by applying a Cu external electrode on the multilayer ceramic capacitor where the internal electrode is Ni and the dielectric ceramic is barium titanate, and which does not cause nonconformity in a plating process.例文帳に追加

内部電極がＮｉで誘電体セラミックがチタン酸バリウムである積層セラミックコンデンサにＣｕ外部電極を塗布し、焼き付ける際の電極層の酸化を防止するとともに、めっき工程においても不具合を生じない積層セラミックコンデンサの製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can attain improvement of a capacitance equivalent thickness and a leakage current characteristic through the formation of an amorphous high-dielectric insulating film with a high density using a precursor which can be vapor-deposited by means of an atomic layer vapor-deposition process at a temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

400℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a photosensitive resin film with which a silica-based coating film usable as an interlayer dielectric is relatively easily formed and which is excellent in process margin and makes a formed silica-based film excellent in resolution and heat resistance, and to provide a method of forming a silica-based coating film using the same.例文帳に追加

層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、プロセスマージンに優れ、形成されるシリカ系被膜が解像性及び耐熱性に優れる感光性樹脂膜の形成方法及びそれを用いたシリカ系被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

Therefore, even if the capacitor 108 is charged up in a manufacturing process, electric charge is discharged from the capacitor 108 through the wiring 14 at once, so that a defective capacitor which occurs due to an electric discharge that takes place through a dielectric film included in the capacitor 108 can be avoided, and a manufacturing yield can be restrained from decreasing.例文帳に追加

したがって、製造途中で、容量１０８に電荷が蓄積しても、その電荷は上記配線１４を通じて直ちに放電され、容量１０８を構成する誘電膜を通じた放電による不良容量の発生を回避でき、製造歩留りの低下を防止できる。 - 特許庁

To provide an insulator film having a low dielectric constant, suitably removing a film on the insulating film by CMP method during production process of a semiconductor device, having no cap layer, and suitably utilized for production of a semiconductor device having excellent reliability.例文帳に追加

誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。 - 特許庁

By forming an oxygen lacking part in a dielectric protection layer of the plasma display panel, the quantity of electrons capable of being caught in the protection layer can be increased, the aging process for stabilizing the discharge characteristic of the plasma display panel can be eliminated or remarkably shortened.例文帳に追加

本発明では、プラズマディスプレイパネルの誘電体保護層に酸素欠損部を形成することによって、保護層に捕獲できる電子の量を増大することができ、プラズマディスプレイパネルの放電特性を安定させるためのエージング処理を省く、あるいは大幅に短縮することを可能としている。 - 特許庁

When a metal interconnection is formed by using a damascine method in a layer insulating film comprising a low dielectric film, determination of a semiconductor substrate is carried out based on waiting time among processes and humidity of storage environment, and fraction defective is managed by promoting only a semiconductor substrate determined as non-defective to a next process.例文帳に追加

低誘電率膜を含む層間絶縁膜にダマシン法を用いてメタル配線を形成する際、工程間の待ち時間および保管環境の湿度に基づいて半導体基板の判定を行い、良と判定された半導体基板のみを次工程に進めることで不良率を管理する。 - 特許庁

To prevent generation of breaks even when a dielectric layer is formed thin in a PDP, and furthermore prevent the generation of the crack or the like on the glass substrate in a manufacturing process of the PDP even though the glass substrate is made thinner than before.例文帳に追加

ＰＤＰにおいて、誘電体層を薄く形成しても絶縁破壊が発生しにくいようにするこを第１の目的とし、ガラス基板の厚さを従来より薄くしても、ＰＤＰ製造時にガラス基板に割れなどが生じるのを防止することを第２の目的とする。 - 特許庁

The process of a second embodiment comprises a step that the silicon substrate having the mesa encircled in the trench is formed, a step that a dielectric layer is formed in the trench abutted on the mesa, and a step that the silicon germanium layer is grown on the upper surface of the mesa by a selectively epitaxial growth method to form a silicon germanium base.例文帳に追加

第２実施例のプロセスは、トレンチに囲まれたメサを有するシリコン基板を形成するステップ、メサに隣接したトレンチに誘電層を形成するステップ、及び選択的エピタキシャル成長によりメサ上面にシリコン・ゲルマニウム層を成長させてシリコン・ゲルマニウム・ベースを形成するステップを含む。 - 特許庁

To prevent the opening of an inner-conductor formed hole having an approximately rectangular or approximately elongated circular sectional shape from unnecessarily expanding, reduce the time taken for the cutting process and prolong the service life of cutting tools in manufacturing a dielectric resonator device, having the inner-conductor formed hole.例文帳に追加

断面形状が略長方形または略長円形の内導体形成孔を備えた誘電体共振器装置の製造時に、内導体形成孔の開口部の不要な広がりを防止し、且つ切削加工に要する時間を短縮化するとともに、切削工具の長寿命化を図る。 - 特許庁

Then, a dielectric multi-layer film 2a accumulated on the mask pattern 11a is reduced as small as possible, and resist lift-off agent etc., can permeate through almost the whole surface of the mask pattern 11a at the lift-off process, then, the mask pattern can be easily and rapidly removed.例文帳に追加

それによって、マスクパターン１１ａ上に堆積する誘電体多層膜２ａは最小限に留まり、リフトオフ工程の際にレジスト剥離液等がマスクパターン１１ａのほぼ全面から浸透できることによって、マスクパターンの除去を容易かつ速やかに実施することが可能となる。 - 特許庁

To provide a composition for a semiconductor interlayer insulating film, which contains an organopolysilsesquioxane compound, is excellent in storage stability and gives an insulating film with a low dielectric constant when applied on a semiconductor, and a process for producing the organopolysilsesquioxane compound.例文帳に追加

保存時の安定性に優れ、半導体上に塗布・成膜して得られる絶縁膜の誘電率が極めて低いオルガノポリシルセスキオキサン化合物を含む半導体層間絶縁膜用組成物および該オルガノポリシルセスキオキサン化合物の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the integrated optical element having the three or more optical element portions integrated in a manner of connecting them one after another by using the butt joint technique twice or more, a dielectric mask pattern used for the second butt joint process is shaped such that a tip portion is made thinner.例文帳に追加

２回以上のバットジョイント技術を用いて３つ以上の光素子部を次々と継ぎ足していく要領で集積する集積光デバイスの製造方法において、第二のバットジョイントプロセスに用いる誘電体マスクパターンの形状を、先端部が細くなった形状とする。 - 特許庁

A work piece 15 is placed on a lower electrode 3 with a dielectric body 42 in between down with the surface on which a circuit pattern is formed, and plasma is generated in a vacuum chamber 1 to which the lower electrode 3 is provided, so that a stress layer on the surface on which a mechanical grinding process is performed is etched to remove.例文帳に追加

回路パターンの形成面を下面にして誘電体４２を介在させてワーク１５を下部電極部３上に載置し、下部電極部３が設けられた真空チャンバ１内にプラズマを発生させることにより、機械研削処理が施された表面のストレス層をエッチングして除去する。 - 特許庁

The cleaning agent contains a polycarboxylic acid and a diethylenetriamine penta acetic acid and is used after a chemical mechanical polishing process of a semiconductor device, having a barrier film for copper diffusion prevention and copper wirings on an insulating film containing an SiOC as a component with a dielectric constant of 3.0 or below.例文帳に追加

ポリカルボン酸およびジエチレントリアミン五酢酸を含有し、ＳｉＯＣを構成成分として含有する誘電率が３．０以下の絶縁膜上に銅拡散防止用バリア膜及び銅配線を備える半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤。 - 特許庁

A blood coagulation system analysis method is provided for acquiring information on blood coagulation property on the basis of a change incurred in a complex dielectric constant spectrum measured in a blood coagulation process by adding to blood a material that activates or inactivates platelets.例文帳に追加

血小板を活性化あるいは不活化する物質を血液に添加することにより該血液の凝固過程で測定される複素誘電率スペクトルに生じる変化に基づいて、前記血液の凝固能に関する情報を取得する血液凝固系解析方法を提供する。 - 特許庁

To allow an electrode short circuit to occur by cutting the surface of an HSG silicon layer together with a natural oxidation film and producing HSG grain peeling due to lack of mechanical strength of a lower electrode when a wet etching process is performed before formation of a dielectric film in a manufacturing method of a capacitor utilizing HSG formation.例文帳に追加

ＨＳＧ形成を利用したキャパシタの製造方法で、誘電体薄膜の形成前にウェットエッチング工程を行うと自然酸化膜と一緒にＨＳＧシリコン層の表面も削られて、下部電極の機械的強度不足によりＨＳＧ粒剥がれが発生して電極短絡が起こる。 - 特許庁

The third insulating film (150) is formed to be used as a top oxide film of a dielectric film between the floating gate and the control gate of a NAND flash device, and in a production process of a capacitor, as an interlayer insulating film between the lower electrode of the capacitor and the upper electrode of the capacitor, preferably formed of an HTO oxide layer.例文帳に追加

第3の絶縁膜(150)は、NANDフラッシュ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電体膜の上部酸化膜、キャパシタ製造工程ではキャパシタの下部電極とキャパシタの上部電極との間の層間絶縁膜として用いるために形成され、望ましくはHTO酸化膜で形成する。 - 特許庁

In a process for manufacturing a solid electrolytic capacitor 1, when a carbon layer 4 is formed after forming a dielectric layer 2 and a solid electrolyte layer 3 on an anode body 10, an electroconductive coating material containing the carbon powder, an organic binder and a solvent is applied, and then a heat treatment is carried out.例文帳に追加

固体電解コンデンサ１の製造工程において、陽極体１０に誘電体層２および固体電解質層３を形成した後、カーボン層４を形成するにあたって、カーボン粉体、有機バインダ、および溶媒を含む導電塗料を塗布後、加熱処理を行なう。 - 特許庁

To make it possible to secure sufficient strength of a zeolite thin film, to reduce its dielectric constant, to enhance its flatness of the surface, also to realize the enhancement of its hydrophobicity, and further to reduce the cost by simplifying the production process, too, even in the case of using a zeolite crystal of other than an MFI type as a main component.例文帳に追加

ＭＦＩ型以外のゼオライト結晶を主成分とする場合であっても、ゼオライト薄膜の十分な強度を確保でき、誘電率低減、表面の平坦性向上、また疎水性向上をも実現し、さらに作成工程の簡略化による低コスト化も可能となるようにする。 - 特許庁

To solve such a problem that when bit line pre-charge voltage VBP is lowered to improve a retention property of "1" data, since a tunnel leak current of a high dielectric constant insulation film is increased remarkably in a miniaturization mix DRAM process, inversely, a retention property of "0" data is deteriorated, and a retention time is rate-limited.例文帳に追加

“１”データのリテンション特性を改善するために、ビット線プリチャージ電圧ＶＢＰを下げたとき、微細化混載ＤＲＡＭプロセスでは高誘電率絶縁膜のトンネルリーク電流の増大が顕著であるため、逆に“０”データのリテンション特性が悪化し、リテンション時間を律速する。 - 特許庁

A method of forming a high dielectric film by means of semiconductor process equipment comprises the steps of positioning a semiconductor substrate in a chamber in the process equipment, forming a tantalum component containing film on the substrate, and converting the tantalum component containing film into a tantalum nitride oxide film by processing it in the reaction gas.例文帳に追加

本発明の高誘電体膜形成方法は、半導体工程装備で高誘電体膜を形成する方法において、前記工程装備の反応器内に半導体基板を位置させる段階と、前記半導体基板の上部にタンタル成分含有膜を形成する段階と、前記タンタル成分含有膜を反応気体内で処理してタンタル窒化酸化膜に変換させる段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The processing method for introducing a raw process gas inbetween a pair of electrodes, of which the opposing surface of at least one electrode is coated with a solid dielectric, and processing a substrate to be treated with the plasma provided by means of applying an electric field inbetween the electrodes, is characterized by introducing the raw process gas between the electrodes, through at least two flow-rate control units arranged in parallel.例文帳に追加

少なくとも一方の電極対向面を固体誘電体で被覆した一対の電極間に原料処理ガスを導入し、電極間に電界を印加することにより得られるプラズマで被処理基材を処理する方法であって、原料処理ガスの電極間への導入を並列にした少なくとも２つの流量制御装置を介して行うことを特徴とする放電プラズマ処理方法及びその装置。 - 特許庁

The method includes a recess forming process in which one main face 1a of a substrate 1 composed of a dielectric single crystal is etched to form recesses 4 in the substrate 1 and a through hole forming process in which the other face 1b of the substrate 1 is mechanically processed to form a slab 10, so that the recesses 4 pass through the substrate 1 to form through holes 11.例文帳に追加

誘電体単結晶からなる誘電体単結晶基板１の一方の主面１ａをエッチングすることによって、誘電体単結晶基板１に凹部４を形成する凹部形成工程、および 誘電体単結晶基板１の他方の主面１ｂを機械加工することによって、スラブ１０を形成し、かつ凹部４を貫通させて貫通孔１１を形成する貫通孔形成工程を有する。 - 特許庁

The measuring method of the electromagnetic characteristics using a measuring system, equipped with the electromagnetic characteristics measuring tool, includes at least a process for imparting a signal having a fixed magnitude to the electromagnetic characteristics measurement tool, and measuring the magnitude of the output signal with respect to frequency; and a process for determining the resonance frequency and the Q-value, and determining the dielectric characteristic and magnetic permeability characteristics.例文帳に追加

前記電磁気特性測定治具を備えた測定システムを用いた電磁気特性の測定方法であって、前記電磁気特性測定治具に、一定の大きさの信号を与え、周波数に対する出力信号の大きさを測定する工程と、共振周波数とＱ値とを求め、誘電特性及び透磁特性を求める工程を少なくとも含むことを特徴とする電磁気特性の測定方法。 - 特許庁

To provide a soluble, low dielectric and asymmetric polyimide, wherein a process to synthesize a dianhydride can be omitted, and additionally, performance capabilities of a polymer can be improved, and the drastic decrease of production cost is achieved, because an asymmetric polyimide is directly synthesized by a coupling reaction, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

カップリング反応によって、直接、非対称ポリイミドを合成するので、酸二無水物の合成工程を省略することができるばかりでなく、重合物の性能が改善され、生産コストを大幅に減少させることができる可溶性・低誘電率・非対称ポリイミド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁