「dielectric process」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a dielectric film whose principal component is PZT stabilizing a polarization property by adding rare earth ion or alkaline earth element to an upper part of wiring layers or between wiring layers made by applying a wiring layer forming process of a semiconductor device in a capacitor and a method of manufacturing the capacitor.例文帳に追加

キャパシタ及びその製造方法に関し、半導体装置の配線層形成工程を適用して作製した配線層の上方或いは配線層間に希土類イオン、或いは、アルカリ土類元素を添加して分極特性を安定化したＰＺＴを主成分とする誘電体膜の形成を可能にしようとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the deterioration of electric property between a storage electrode and a lower electrode connected to the electrode or the like in the process of annealing for crystallization and oxidation treatment of a capacitor dielectric film and its manufacturing method, in a semiconductor device having a DRAM storage element and its manufacturing method.例文帳に追加

ＤＲＡＭ型の記憶素子を有する半導体装置及びその製造方法に関し、キャパシタ誘電体膜の結晶化アニールや酸化処理の工程における蓄積電極とこれに接続される下部電極等との間の電気特性の劣化を防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sheet embedding an electrode in which degradation of short rate and fall of breakdown strength can be suppressed even if a dielectric layer is made thin, and to provide a process for manufacturing a highly reliable high capacity multilayer ceramic capacitor by using a thin sheet.例文帳に追加

本発明は、薄いシートを用いて高容量・高信頼性の積層セラミックコンデンサを製造する方法に関するものであり、誘電体層を薄層化してもショート率の悪化・絶縁耐圧の低下を抑制できる、電極埋め込みシート及びそれを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a process, advantageous in production efficiency, for producing a vinyl compound containing a small amount of ionic impurities and hydrolysable halogen, curable with heat and/or light, providing a cured product with excellent dielectric characteristics and heat resistance and efficiently removing produced salt.例文帳に追加

熱および／または光で硬化でき、硬化物が優れた誘電特性ならびに耐熱性を有するビニル化合物の製造方法に関して、生成した塩を効率よく除去可能で且つ、イオン性不純物、および加水分解性ハロゲンの含有量が少ない、製造効率的に有利な製造方法を提供する。 - 特許庁

In this plasma treatment device, a microwave guided by a microwave waveguide 15 is introduced into a vacuum chamber 11 through a microwave transmitting window member 14 formed of a dielectric body, the microwave is applied to a process gas in the vacuum chamber 11 to generate plasma, and a matter to be treated is treated by use of this plasma.例文帳に追加

マイクロ波導波管１５によって導かれたマイクロ波を、誘電体で形成されたマイクロ波透過窓部材１４を介して真空容器１１内に導入し、真空容器１１内のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物を処理するプラズマ処理装置である。 - 特許庁

To provide a substrate for a liquid crystal display device which is free of a dielectric breakdown of a wire, etc., even when a guard ring is electrostatically charged to a high potential and its manufacturing method as to a substrate for a liquid crystal display device after countermeasures against static electricity are taken in the manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、製造工程での静電気対策が施された液晶表示装置用基板及びその製造方法に関し、ガードリングに高電位の静電気が帯電しても、配線等が静電破壊されない液晶表示装置用基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a sol material preservable at room temperature, capable of prolonging the shelf life and rapidly making a formed dielectric film rapidly gel by adding an additive capable of controlling the particle diameter and simultaneously modifying the surface to a starting raw material in a synthetic process for the sol material.例文帳に追加

室温で長期間安定して保存でき、かつ極めて短時間のゲル化および老化を経るだけでただちに各種間隙率の微孔性ゲルに転換することができ、しかも乾燥後も収縮やクラッキングを生じないような、微孔性誘電体膜を形成するためのゾル材料を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a capacitor-built-in multilayer wiring substrate capable of changing the position, size, etc., of the capacitor flexibly in accordance with the change of the specifications and widening the selectable range of the materials for the dielectric layer of the capacitor, and improving the manufacturing yield of by shortening the manufacturing process of a capacitor-built-in circuit substrate; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

キャパシタの位置、大きさ等を仕様変更に応じて柔軟に変更し、キャパシタの誘電体層の材料選択の幅を広げることができ、キャパシタを内蔵した回路基板の製造工程を短くし、製造歩留りを向上させたキャパシタ内蔵多層配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor with which a uniform intermediate layer of a thick film can be formed, the generation of image defects, such as dielectric breakdown and black spots, is prevented, and satisfactory electrophotographic images can be stably obtained for a long period, a method for manufacturing the organic photoreceptor, an image forming apparatus, and a process cartridge.例文帳に追加

本発明の目的は、均一で、厚膜の中間層を形成でき、絶縁破壊や黒ポチ等の画像欠陥の発生を防止し、良好な電子写真画像を長期的に安定して得ることができる有機感光体、有機感光体の製造方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供すること。 - 特許庁

To provide a coating liquid for forming a new porous film for easily forming a thin film having film thickness that is freely controlled with a method used for the ordinary semiconductor manufacturing process and for ensuring excellent mechanical strength and dielectric characteristic and also provide a high performance and high reliability semiconductor device including the same porous film.例文帳に追加

通常の半導体製造プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、機械強度及び誘電特性に優れた新たな多孔質膜形成用塗布液、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process which produces a flat, distortion-free, zero-shrink, low-temperature co-fired ceramic (LTCC) body, composite, module or package from precursor green (unfired) laminates of three or more different dielectric tape chemistries that are configured in a uniquely or pseudo-symmetrical arrangement in the z-axis of the laminate.例文帳に追加

ラミネートのｚ軸において、独特に、または擬似対称配置で構成された３つ以上の異なる誘電性テープケミストリーの前駆体グリーン（焼成されていない）ラミネートから、平坦でゆがみのない、ゼロ収縮の低温共焼成セラミック（ＬＴＣＣ）のボディ、コンポジット、モジュールまたはパッケージを作製する方法を提供すること。 - 特許庁

On the other hand, a second film forming process for forming a second thin film 18 on the first thin film 17 is carried out under a second spatter gas atmosphere, high in the contents of the oxidizing gas, whereby oxygen atom is supplemented and oxygen missing will not be caused in the dielectric material constituting the second thin film 18, thereby causing no collapse of crystallinity thereof.例文帳に追加

また、第一の薄膜１７上に第二の薄膜１８を成膜する第二の成膜工程は、酸化ガスの含有率が高い第二のスパッタガス雰囲気で行われるので、酸素原子が補完され、第二の薄膜１８を構成する誘電体材料に酸素欠損が起こらず、その結晶性が崩れない。 - 特許庁

To realize a nitride semiconductor element, wherein an alumina film having proper dielectric characteristics, similar to that of conventional silicon oxide films or silicon nitride films, and a characteristic that a lateral selective growth rate of a nitride semiconductor layer grown on the alumina film is high is used; the production process of the device is easy; and the performance of the device is high.例文帳に追加

従来の酸化シリコン膜、窒化シリコン膜と同等の優れた絶縁性を持ち、その上に成長される窒化物半導体層の横方向の選択成長速度が速いという特性を持つアルミナ膜を用い、素子の作製工程が容易で、かつ高性能の窒化物半導体素子を実現する。 - 特許庁

The method for stabilizing a Si-O containing ceramic coating derived from a hydrogen silsesquioxane resin contains a process for exposing the Si-O containing ceramic coating derived from the hydrogen silsesquioxane resin to an atmosphere containing hydrogen gas for a time and at a temperature sufficient for stabilizing the dielectric constant of the coating.例文帳に追加

ハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂から誘導されたＳｉ−Ｏ含有セラミック皮膜を、この皮膜の誘電率を安定化するのに充分な時間及び温度で、水素ガス含有雰囲気に曝すことを含む、ハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂から誘導されたＳｉ−Ｏ含有セラミック皮膜の誘電率を安定化させる方法。 - 特許庁

A metal foil of the core material is heated by an E type magnetic core which applies magnetic flux of dielectric heating to the metal foil in parallel so as to process the primary laminate, and respective layers of the core material are uniformly pressed with Lorentz force generated simultaneously, thereby manufacturing the primary laminate.例文帳に追加

本発明は、一次積層体に加工するために、コア材の金属箔に誘導加熱の磁束を金属箔に平行に印加するE型磁気コアで、金属箔部を発熱させるとともに、同時に発生するローレンツ力によりコア材の各層を均一に加圧して一次積層体を製造することにより上述の課題を解決した。 - 特許庁

To provide a novel dielectric constant-variable composite structure excellent in thermal, physical and chemical impact resistances and capable of directly forming conductor lines, and the like, by an evaporation method, or the like, without being restricted by the shape of a phase-shifting vessel, a structure, an assembling process, and the like, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

熱的、物理的、化学的な衝撃に対する耐性に優れ、蒸着法などによって直接に、導体線路などを形成することが可能で、移相器の形状、構造や組み立てる際の手順などが制限されない新規な誘電率可変複合構造体と、その製造方法とを提供する。 - 特許庁

This apparatus for producing cylinder has a process for producing a long resin roll product LR by reacting and curing the flowable resin raw material M at least according to a dielectric heat generating theory in a process for transferring long sheets 92 and 94 accompanying the flowable resin raw material M through the molding pipe 20 of which the inner diameter is almost equal to the outer diameter of the resin roll to be obtained.例文帳に追加

得るべき樹脂ロールの外径に略等しい内径を有する成形パイプ２０内に、流動性樹脂原料Ｍを伴った長尺のシート９２，９４の移送過程において少なくとも誘電発熱原理により該原料Ｍを反応・硬化させて樹脂ロール長尺物ＬＲを製造する工程で、該長尺のシート９２，９４を徐々に筒状に成形して前記成形パイプ２０の内部通過を許容するよう構成する。 - 特許庁

The discharge plasma processing method and the apparatus thereof are characterized, by setting a solid dielectric on at least one opposite surface of a pair of opposed electrodes under a pressure near the atmospheric pressure, introducing a process gas between the opposed electrodes, applying a pulse-like electric field to obtain a plasma, and exposing a circuit board to the plasma.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを回路基板に接触させることを特徴とする回路基板の放電プラズマ処理方法及び装置。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing multilayer circuit board that can surely eliminate smears in a desmear process without decreasing the productivity of the multilayer circuit board, prevent a reduction in adhesive strength between an interlayer dielectric and a wiring, and manufacture a highly reliable multilayer circuit board, and to provide a multilayer circuit board manufactured by the method, a board with semiconductor chips mounted thereon, and a semiconductor package using the board.例文帳に追加

多層回路基板の生産性を低下させることなく、デスミア工程でスミアを確実に除去可能で、層間絶縁層と配線の接着強度の低下を防ぎ、、信頼性の高い多層回路基板の製造方法及びこれから得られる多層回路基板、半導体チップ搭載基板並びにこの基板を用いた半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

Gas containing a phenyl group and silicon and not containing nitrogen is used to form a low dielectric film, energy is applied to an interlayer insulating film by heat treatment, UV irradiation treatment or SPA plasma treatment as a post-processing process to thereby make moisture leave the interlayer insulating film, forming a Si-O-Si skeleton structure.例文帳に追加

フェニル基とシリコンとを含み、窒素を含まないガスを用いて低誘電率膜を形成した後、後処理工程として、この層間絶縁膜に対して熱処理、ＵＶ照射処理あるいはＳＰＡプラズマ処理などによりエネルギーを加えることによって、層間絶縁膜から水分を脱離させて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ骨格構造を形成する。 - 特許庁

This method for producing the dielectric ceramic composition comprising barium titanate, a glass component and an additive component is characterized by using a barium titanate raw material in which the existing amount of SiO_2 as an impurity is controlled to be 60 ppm or less measured by an ICP process.例文帳に追加

チタン酸バリウムと、ガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ＩＣＰ法により測定した不純物としてのＳｉＯ_２ の存在量が６０ｐｐｍ以下に制御されたチタン酸バリウム原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric planarization process in manufacturing a semiconductor device having no factor of specific variations in rotational polishing such as CMP method and using no planarization film such as an inorganic SOG film risking a shrink or an impurity gas generation with an etch back method or the like.例文帳に追加

半導体装置の製造における層間絶縁膜の平坦化プロセスとして、ＣＭＰ法のように回転研磨固有のばらつき要因を有したりせず、かつ、エッチバック法のように収縮や不純物ガスを発生させたりするおそれのある無機ＳＯＧ膜のような平坦化膜を使用することのない、新しい層間絶縁膜平坦化プロセスを提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersant for chemical mechanical polishing which can efficiently remove a cap layer by polishing, and at the same time, with which a chemical mechanical polishing process that is reduced in damages given to the material of an underlying insulating layer having a low dielectric constant can be performed, and to provide a method for chemical mechanical polishing which uses the aqueous dispersant.例文帳に追加

キャップ層を効率よく研磨除去することができるとともに、下層に存在する誘電率の低い絶縁膜材料に対するダメージが低減された化学機械研磨工程を行うことができる化学機械研磨用水系分散体及び当該化学機械研磨用水系分散体を使用した化学機械研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is equipped with a focus ring optimized for the purpose of the process and configured with a dielectric body, a conductor or a semiconductor to which a high frequency is applied by clarifying physical conditions that a sheath-plasma boundary 74 on a wafer 72 and a sheath-plasma boundary on the focus ring 80 are flat so as to establish the design method of its concrete structure.例文帳に追加

ウエハ７２上のシース・プラズマ界面７４とフォーカスリング８０上のシース・プラズマ界面が平坦であるための物理的条件を明らかにし、その具体的構造の設計手法を確立することによって、プロセスの目的に最適化された、高周波を印加した誘電体あるいは導体や半導体で構成されたフォーカスリングを装備する。 - 特許庁

Dielectric characteristics in the ferroelectric layer positioned between the upper electrode and the lower electrode can be greatly improved by applying metal oxide such as strontium ruthenium oxide onto the upper electrode and/or the lower electrode, thereby enabling the system to solve the particle problem in a process generating during the formation of the upper/lower electrodes.例文帳に追加

ストロンチウムルテニウム酸化物などの金属酸化物を上部電極及び／又は下部電極に適用することで、上部と下部電極との間に位置する強誘電体層の誘電特性を大きく改善することができ、上部電極及び下部電極を形成する間に発生する工程上のパーティクル問題を解決することができる。 - 特許庁

A drying method of a precast block characterized by a process, carrying out microwave dielectric heating by mounting the precast block in a metal enclosure and making the inside space of the enclosure as a cavity resonator after making a precast block by casting a monolithic refractory with 3.5 to 8 mass% execution water content in a specific shape, maturing then removing form.例文帳に追加

施工水分量３．５〜８質量％の不定形耐火物を、予め所定形状に流し込み施工し、養生、脱枠しプレキャストブロックとした後、該プレキャストブロックを金属製の囲い内部に載置し、該囲い内部の空間を空洞共振器としてマイクロ波による誘電体加熱を行うことを特徴とするプレキャストブロックの乾燥方法。 - 特許庁

To reduce the occurrence of inferior goods, after making it formulation with little impedance property by thermal load, in a manufacturing method of a capacitor element which is provided with a process wherein a dielectric film 3, a solid electrolyte layer 4 of manganese dioxide , a graphite layer 5 and a metal layer 6 are formed in this order on an anode chip body 1 by valve-acting metal.例文帳に追加

弁作用金属による陽極チップ体１に、誘電体膜３、二酸化マンガンの固体電解質層４、グラファイト層５及び金属層６を、その順番で形成する工程を備えて成るコンデンサ素子の製造方法において、熱負荷によるインピーダンス特性が少ない形態にした上で、不良品の発生を低減できるようにする。 - 特許庁

To enable to thin an insulation film (a film thickness converted to an oxide film) between a floating gate and a control gate with charge holding characteristics and dielectric strength maintained, and to prevent reduction in capacitance due to a bird's beak entering the floating gate and the control gate in a required oxidation process after the control gate is processed.例文帳に追加

電荷保持特性及び絶縁耐圧を維持したまま浮遊ゲートと制御ゲート間の絶縁膜（酸化膜換算膜厚）を薄膜化でき、制御ゲート加工後に必要な酸化工程において、浮遊ゲート及び制御ゲートにバーズビークが侵入して容量が低下するのを防止できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, in a carbon nanotube forming process, a strong electric field is generated between the negative electrode 402 and the positive electrode 403 by an electric source 409 to cause a dielectric breakdown to bring about a plasma discharge, and thus, carbon nanotubes oriented along the direction of the electric field are produced on the substrate 404 arranged on the negative electrode 402.例文帳に追加

その後、カーボンナノチューブ形成工程で、電源４０９によって、陰極４０２と陽極４０３との間に強い電場を発生させて、絶縁破壊を生じさせることでプラズマを発生させるプラズマ放電を行って、陰極４０２の上に配置された基板４０４上に、電場の向きに沿った指向性のカーボンナノチューブを作製する。 - 特許庁

A catalyst deactivating agent to be added is solubilized in advance in an organic solvent having a dielectric constant of 2.5 to 5 at 20°C in a process of producing an oxymethylene polymer or a copolymer thereof by polymerizing trioxane or a mixture of trioxane and a cyclic ether and/or a cyclic acetal using a cationic active catalyst.例文帳に追加

トリオキサンあるいはトリオキサンと環状エーテルおよび／または環状アセタールとの混合物を、カチオン活性触媒を用いて重合して、オキシメチレン重合体または共重合体を製造するにあたり、触媒の失活剤を、２０℃における誘電率が２．５〜５である有機溶媒に溶解して添加することを特徴とする重合反応の停止方法。 - 特許庁

A resistor 21 able to be trimmed as a termination resistor connected to one terminal of a coupler coupling line is placed on the uppermost dielectric layer 11 and variably adjusting the resistance of the resistor 21 can match the impedance at the switch side even on the occurrence of the deviated lamination of a module substrate while detecting a monitor level in an inspection process after the manufacturing.例文帳に追加

最上層の誘電体層１１に、カプラの結合線路の一端に接続される終端抵抗としてのトリマブル抵抗器２１を配置し、製造後の検査行程においてモニタレベルを検知しながら、その抵抗値を可変調整することでモジュール基板の積層ずれに対しても、スイッチ側におけるインピーダンスのマッチングが図かれる。 - 特許庁

To provide a stacked electronic component in which the thicknesses of internal electrode layers can be reduced and, at the same time, the occurrence of delamination, cracking, discontinuity of internal electrodes, or the like, caused by the difference in contraction between dielectric layers and the internal electrode layers can be prevented without adding any new facility nor process, and to provide a method of manufacturing a stacked electronic component.例文帳に追加

内部電極層の薄膜化を達成するとともに、誘電体層と内部電極層との収縮差に起因するデラミネーション、クラック、内部電極の途切れなどの発生を、新たな設備や工程を追加することなく達成することのできる積層型電子部品および積層型電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a square-shaped wire and an apparatus therefor in which there is no loss in a manufacturing process completely, a long wire/super fine wire can be manufactured, the cost is reduced, the equipment is simple without failure, there is no noise, various sizes are allowed and dielectric breakdown does not occur in using for a covered wire of an enamel wire, etc.例文帳に追加

製造過程におけるロスが全くなく、長尺線、超極細線の製造を可能として、コストも低廉なもので済み、設備が簡易で故障等もなく、加えて騒音もなく、多様なサイズに対応でき、エナメル線等の被覆線に実施しても絶縁破壊をすることもない角型線の製造方法及びその装置とする。 - 特許庁

To provide a conductive paste containing conductive metal powder without being easily oxidized in a process of binder removal or baking, and having high dry density after printing, in a conductive paste for an internal electrode used for an electronic part such as a laminated capacitor, and to provide an electronic part having an excellent dielectric characteristic and high reliability.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサなどの電子部品に用いられる内部電極用の導電性ペーストにおいて、脱バインダや焼成の過程における導電性金属粉末の酸化が少なく、且つ、印刷後の乾燥密度が高い導電性ペーストを提供するとともに誘電的特性と信頼性に優れる電子部品を提供すること。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 120 including a piezoelectric material layer 121, interdigital electrodes 122 and 123 and reflectors 124 and 125 is formed on the surface of a dielectric board 110, and an inductor L, a variable capacitor Cv and a capacitor CL formed by a micromachine process are arranged at positions away from the effective propagation area A of the surface acoustic wave element 120.例文帳に追加

誘電体基板１１０の表面上に圧電体層１２１、すだれ状電極１２２，１２３、反射器１２４，１２５を含む弾性表面波素子１２０が形成され、この弾性表面波素子１２０の有効伝播領域Ａから外れた位置に、マイクロマシンプロセスによって形成されたインダクタＬ、可変コンデンサＣｖ、コンデンサＣＬが配置されている。 - 特許庁

To provide a fluorescent X-ray analyzer which analyzes hafnium and tantalum on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated circuit manufacturing process for forming hafnium oxide film being a high dielectric gate insulating film and tantalum nitride film being a barrier metal film with high sensitivity and high precision, with one iridium X-ray tube, and also to provide an fluorescent X-ray analyzing method.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜である酸化ハフニウム膜、バリアメタル膜としてタンタル窒化膜を製膜する半導体集積回路製造プロセスにおける半導体基板上のハフニウム、タンタルを１本のイリジウムＸ線管で高感度、高精度に分析することができる蛍光Ｘ線分析装置およびその方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This invention relates to the method of manufacturing the vertical CMOS sensor, where the quality and reliability of the vertical CMOS image sensor are ensured by selectively applying a high-temperature double-annealing process and other additional passivation nitride films so that circular defects causing cracks in dielectric substance are reduced and dark leakage characteristics are improved.例文帳に追加

暗漏れ特性（ｄａｒｋ ｌｅａｋａｇｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）の他、誘電物質にひびが入るサーキュラ欠陥（ｃｉｒｃｕｌａｒ ｄｅｆｅｃｔ）も改善するために、高温ダブルアニール（ｄｏｕｂｌｅ−ａｎｎｅａｌ）工程と追加的な他の保護窒化膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）を選択的に適用し、垂直型ＣＭＯＳイメージセンサーの品質と信頼性を保障する。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light-emitting element includes a first process for forming a dielectric film on a SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor in a pattern shape and a second process for causing the group III nitride semiconductor layer to selectively grow on the SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor by an organic metal chemical vapor growth method, after a reactor is substituted for hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本発明のＩＩＩ族窒化物系半化合物半導体発光素子の製造方法は、ＳｉＣ基板上またはＩＩＩ族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する第１工程と、リアクターを水素雰囲気に置換した後、有機金属化学的気相成長法により上記ＳｉＣ基板または上記ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の上にＩＩＩ族窒化物系半導体層を選択成長する第２工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polytetrafluoroethylene powder which can be used for producing a molded product with improved surface roughness Ra, tensile strength and/or tensile elongation, as compared with a conventional powder and with favorable dielectric breakdown strength, and optionally further with excellent apparent density and/or powder fluidity, and a process for production of a powder of polytetrafluoroethylene for use in molding.例文帳に追加

本発明は、成形体において、表面粗度Ｒａ、引張強度及び／又は引張伸びを従来よりも向上させることができ、また、絶縁破壊強度を良好にすることができ、更に、所望により見掛け密度及び／又は粉末流動性にも優れるポリテトラフルオロエチレン粉末、並びに、ポリテトラフルオロエチレン成形用粉末の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a capacitance element made of high dielectric oxide having a perovskite structure, a capacitance element made of nitride and a resistance element made of high-resistive metallic material are integrated on the same compound semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the same, wherein characteristics of the elements are not deteriorated and a process cost can be reduced.例文帳に追加

特に、ペロブスカイト構造の高誘電体酸化物による容量素子と窒化物による容量素子と高抵抗金属材料による抵抗素子とを同一化合物半導体基板上に集積化した半導体装置およびその製造方法に関し、素子の特性を損ねることなく、プロセスコストの低減を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By using internal electrode paste containing barium titanate powder with c/a ratio expressing tetragonal characteristics of 1 or larger, and mol ratio of barium to titanium (Ba/Ti) of 1 or larger, growth of crystal particles in the dielectric layer and ceramic particles existing in the internal electrode layer is restrained after baking in the mass-production process using the tunnel-shape continuous furnace.例文帳に追加

正方晶性ｃ／ａ比が１より大きく、かつバリウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）が１より大きいチタン酸バリウム粉末を含有する内部電極ペーストを用いることにより、トンネル型の連続炉を用いた量産工程において、焼成後に、前記誘電体層中の結晶粒子および内部電極層内に存在するセラミック粒子の粒成長を抑制する。 - 特許庁

In the intermediate transfer body to which a toner image obtained by developing a latent image formed on an image carrier with toner is transferred, the time constant τ of a dielectric relaxation process obtained from decay characteristics of the surface electric potential determined by the absolute value of the surface electric potential and the decay time in the absolute value, using expression (1), is <1.5 seconds.例文帳に追加

像担持体上に形成された潜像をトナーにより現像して得られたトナー像が転写される中間転写体であって、表面電位の絶対値及び該絶対値の減衰時間により決定される表面電位の減衰特性から下記式（１）を用いて得られる誘電緩和過程の時定数τが、１．５秒未満であることを特徴とする中間転写体。 - 特許庁

A process for making a film, comprising: providing a birefringent dielectric multilayer film that reflects at least 50% of light in a band at least 100 nm wide in a wavelength region of interest; and heat setting the film to render the film capable of shrinking to conform without substantial wrinkling to a substrate 32 having a compound curvature.例文帳に追加

室温対象となる波長領域で少なくとも幅１００ｎｍの帯域の光を少なくとも５０％反射する複屈折性誘電性多層フィルムを提供する工程と、複合的な湾曲を有する基材３２に対して、実質的にしわが形成されずに適合するように前記フィルムが収縮できるように前記フィルムのヒートセットが行われる工程と、を含むフィルムの製造方法。 - 特許庁

In a process for manufacturing the capacitor, the dielectric layer 23 and a first solid electrolyte layer 24 made of a chemical polymer film are formed at the side of the first electrode 21, a second solid electrolyte layer 32 made of an electrolytic polymer film is formed at the side of the second electrode 31, and then the solid electrolyte layers are joined each other via a conductive adhesive material 60.例文帳に追加

その製造工程では、第１の電極２１側において誘電体層２３、および化学重合膜からなる第１の固体電解質層２４を形成する一方、第２の電極３１側において電解重合膜からなる第２の固体電解質層３２を形成した後、固体電解質層同士を導電性接着材６０を介して接合する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive resin composition which permits alkaline development generally used in a photoresist process, has a high adhesion during development and excellent development characteristics, such as high sensitivity, has photosensitive characteristics, such as excellent resolution, and excels in various characteristics as an insulating film, such as heat resistance, transparency, low dielectric constant, low water absorption, and high level difference planarization.例文帳に追加

フォトレジスト工程で一般的に用いられるアルカリ現像が可能であり、現像時の密着性が高く、高感度などの現像特性に優れ、かつ解像度に優れた感光特性を有し、しかも耐熱性、透明性、低誘電率、低吸水率、高段差平坦化性などの絶縁膜としての諸特性に優れるポジ型感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁