「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a silicone oxide film 10 is formed on the bit line diffusion layer 9 and a rounding oxidation processing is executed to the boundary of the STI region of the peripheral circuit part and the logic circuit part and the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

次に、ビット線拡散層９上にシリコン酸化膜１０を形成するとともに周辺回路部および論理回路部のＳＴＩ領域と半導体基板表面との界面に丸め酸化処理を施す。 - 特許庁

A semiconductor switch is provided with resistors 31 and 32 respectively connected to a source 21 and a drain 22 in an n-type MOSFET 1a having the source and the drain, which is an n-type diffusion layer formed in a P well.例文帳に追加

半導体スイッチは、Ｐウェルに形成されるｎ型拡散層であるソース及びドレインを有するｎ型ＭＯＳＦＥＴ１ａにおいて、ソース２１及びドレイン２２のそれぞれに接続された抵抗３１、３２を有する。 - 特許庁

The A/F sensor 30 includes a solid electrolyte 31, a diffusion resistance layer 32, electrodes 33, 34 set inside and outside (at the atmosphere side and the exhaust side) of the solid electrolyte 31 and a heater 35 for heating a sensor element.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサ３０は、固体電解質３１及び拡散抵抗層３２と、固体電解質３１の内外（大気側及び排気側）に設けられた電極３３，３４と、センサ素子を加熱するためのヒータ３５とを備える。 - 特許庁

The layer 20 has a comparatively low compositional ratio of a silicon thin film and a nitrogen thin film if existing, and provides a low specific resistance combined with a high diffusion barrier property which is brought by the amorphous form of the thin films.例文帳に追加

バリア層は、比較的低い組成比のシリコン、及び、もし存在すれば窒素を有し、薄膜の非晶質形態によってもたらされる高い拡散バリア性と組み合わさった、低い比抵抗を提供する。 - 特許庁

The shortest distance Lnch from a pn junction interface between the n^- region 1 and the p^+ region 2 to the joint between the wiring layer 11 and the n^- region 1 is shorter than the diffusion length Lp of a hole in the n^- region 1.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とのｐｎ接合界面と配線層１１およびｎ^-領域１の接合部との最短距離Ｌｎｃｈが、ｎ^-領域１における正孔の拡散長Ｌｐよりも短い。 - 特許庁

The hollow body internally comprises a diffusion/scatter layer 15, light emitted from the light source is diffused in all directions within the hollow body, and a part of the diffused light passes through the light exit opening and leaves the hollow body.例文帳に追加

中空体は、その内部に拡散散乱層１５があり、光源から発せられる光は、中空体の内部で全方向に拡散され、この拡散光の一部は、光出口開口部を通して中空体を出る。 - 特許庁

Before forming the contact hole, a metal film 24 to be formed from Ti/TiN is formed by removing a gate oxide film 19 on a diffusion layer 22 in advance, and afterwards a contact hole 26 is formed above a metal film 24.例文帳に追加

コンタクトホールを形成する前に、Ｔｉ／ＴｉＮで形成される金属膜24をあらかじめゲート酸化膜19を拡散層22上で除去させて形成しておき、その後、前記金属膜24上方にコンタクトホール26を形成する。 - 特許庁

A pn junction is formed by forming an n-type diffusion layer 3 on the light receiving surface side of a p-type polysilicon substrate 2, and an antireflection film 4 and a light receiving surface silver electrode 10 are formed, respectively, on the light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型多結晶シリコン基板２の受光面側にｎ型拡散層３を形成することによりｐｎ接合を形成し、受光面には反射防止膜４および受光面銀電極１０をそれぞれ形成する。 - 特許庁

The diffusion prevention layer 9 consists of the discharge plasma sintered material of the mixed powder which consists of the Ti powder and/or the Ti alloy powder and the Al powder, and in which the content of the Al powder is 10-20 wt.%.例文帳に追加

拡散防止層９は、Ｔｉ粉末および／またはＴｉ合金粉末とＡｌ粉末とからなり、かつＡｌ粉末の含有量が１０〜２０wt％である混合粉末の放電プラズマ焼結体からなる。 - 特許庁

Second diffusion preventive layers 123, 224 are formed on at least one copper-containing wiring layers 134, 238 other than the lowermost copper-containing wiring layer 132 while avoiding the upper side of the photoelectric converting section 103.例文帳に追加

第２の拡散防止層１２３、２２４が、最下層の銅含有配線層１３２以外の少なくとも１つの銅含有配線層１３４、２３８上に、光電変換部１０３上方を避けて形成される。 - 特許庁

The plurality of channel patterns 101 is extended over two edges of a diffusion layer 211 formed on a semiconductor substrate and is arranged in parallel in order to form a plurality of channel parts arranged in parallel with each other.例文帳に追加

複数のチャネルパターン１０１は、半導体基板上に形成された拡散層２１１の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された複数のチャネル部を形成するために、並列に配されている。 - 特許庁

To provide a piezoelectric film type actuator having less deterioration in an amount of displacement due to a diffusion prevention layer as compared with the conventional ones, and a liquid droplet injection device using the piezoelectric film type actuator and capable of securing a sufficient discharge quantity.例文帳に追加

従来よりも拡散防止層による変位量の低下が小さい圧電膜型アクチュエータ、及びその圧電膜型アクチュエータを使った十分な吐出量の確保が可能な液滴噴射装置を提供すること。 - 特許庁

To provide the forming method of conductive film pattern, the manufacturing method of a device, an electro-optical device and an electronic instrument, in which the diffusion of a metal element is prevented by covering the film pattern by a more precise barrier metal layer.例文帳に追加

膜パターン上をより緻密なバリアメタル層で覆うことにより、金属元素が拡散することを防止した、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The diffusion of heat to the outside of the case 8 by the electric heater 13 is suppressed by heat insulation action of the heat insulation air layer 8c to heat and vaporize the pressure medium (a) efficiently and improve the response property for vehicle height adjustment.例文帳に追加

電気ヒータ１３による熱のケース８外への放散を断熱空気層８ｃによる断熱作用で抑制して、圧力媒体ａを効率よく加熱気化させ、車高調整の応答性を向上できる。 - 特許庁

(2) The shape of the inner end of the electrolyte membrane holder 41 is made so that the distance C between the end in plane direction 43 of the diffusion layer and the electrolyte membrane holder 41 at the straight part and the corner may be approximately same.例文帳に追加

（２）電解質膜保持部４１の内側端部形状を、拡散層の面方向端部４３と電解質膜保持部４１との間の距離Ｃを、拡散層の直線部とコーナ部とで、ほぼ等しくする形状とした。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer capable of insuring proper drainage and moisture retention and stabilizing the drainage and moisture retention; and to provide a fuel cell and a method of manufacturing the fuel cell.例文帳に追加

本発明は、適切な排水性と保湿性とを確保することができ、かつ、排水性と保湿性とを安定させることができるガス拡散層、燃料電池、および燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the P-conductive type columns PC1-PC4 and the N-conductive type columns NC1-NC4 are formed of single crystal silicon and are isolated electrically from diffusion layers having conductivity except the column layer 10.例文帳に追加

そして、Ｐ導電型コラムＰＣ１〜ＰＣ４及びＮ導電型コラムＮＣ１〜ＮＣ４は、単結晶シリコンにて形成されており、コラム層１０以外の導電性を有する拡散層と電気的に絶縁されている。 - 特許庁

This rolling bearing comprises an inner ring, an outer ring and rolling elements, at least any one of which consists of a secondary hardened steel and includes eutectic carbide and a surficial nitrogen diffusion layer.例文帳に追加

内輪、外輪および転動体を備えた転がり軸受であって、内輪、外輪および転動体の少なくとも１つが二次硬化鋼で構成されかつ共晶炭化物を有し、かつ表層に窒素の拡散層が分布している。 - 特許庁

To provide a low-cost fuel cell separator, having satisfactory corrosion resistance, mechanical strength or the like, and at the same time, reducing contact resistance between a gas diffusion layer and the separator, and being made thinner.例文帳に追加

耐食性と機械的強度などを充分に有すると同時にガス拡散層とセパレータとの間の接触抵抗を低減するとともに薄型化を可能にした、安価な燃料電池用セパレータを提供すること。 - 特許庁

The mechanical stress is exerted on the surface of an alloy 1 containing Al to generate lattice defects, to increase the diffusion coefficient of oxygen to Al in a surface layer, and to promote generation of an Al_2O_3 film 4.例文帳に追加

Ａｌを含有する合金１表面に、機械的応力を付与し、格子欠陥を発生させ、表面層でのＡｌに対する酸素の拡散係数を増大させ、Ａｌ2 Ｏ3 皮膜４の生成を促進させる。 - 特許庁

To provide a lens sheet constituted by laminating at least a lens layer and a diffusion plate, capable of maintaining the stable adhesion state with a plurality of sheet members, and to provide a transmission type screen.例文帳に追加

本発明は、複数のシート部材と安定した密着状態を維持することができる少なくともレンズ層と拡散板が積層されてなるレンズシートおよび透過型スクリーンを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer capable of inexpensively and easily forming fine pores with excellent gas permeability, without any impurities left inside even in case of film-shape molding.例文帳に追加

フィルム状の成形した場合であっても、内部に不純物などが残留することなく、ガス透過性に優れた微細孔を安価かつ容易に形成することができるガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, for example, at the time of heat treatment in a manufacturing step of the photocathodes 1A, 1B, diffusion of alkali metal contained in the photoelectron emitting layer 300 to the support substrates 100A, 100B side is suppressed.例文帳に追加

これにより、例えば光電陰極１Ａ，１Ｂの製造工程における熱処理時に、光電子放出層３００に含まれるアルカリ金属の支持基板１００Ａ，１００Ｂ側への拡散が抑制される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency, by preventing impurities from being accumulated in an active layer, when a window structure is formed by impurity diffusion near an end surface of a laser resonator.例文帳に追加

レーザ共振器端面近傍に不純物拡散により窓構造を形成する際に、活性層に不純物が蓄積されることを抑制し、ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁

An alkali diffusion preventive film (film thickness 100 nm), an antireaction film 12 (film thickness 100 nm) and the dielectric layer 13 (film thickness 40 μm) are formed on the glass substrate 10 for PDP, successively from the substrate 10 side.例文帳に追加

ＰＤＰ用ガラス基板１０の上に、基板１０側から順に、アルカリ拡散防止膜１１（膜厚１００ｎｍ）、反応防止膜１２（膜厚１００ｎｍ）、誘電体層１３（膜厚４０μｍ）が形成されている。 - 特許庁

With the structure, the resistor 1 is protected by the breakdown of the pn junction regions 22, 23 when negative ESD surge is impressed on a pad for an electrode to apply the voltage to a p-type diffusion layer 9.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の拡散層９に電圧を印加する電極用のパッドに負のＥＳＤサージが印加された際、ＰＮ接合領域２２、２３がブレークダウンし、抵抗１を保護することができる。 - 特許庁

A cut-out part 32 is provided to be positioned between an oxidant gas inlet communication hole 20a and a fuel gas inlet communication hole 22a, in an upper side of a gas diffusion layer 30a constituting the anode side electrode 30.例文帳に追加

アノード側電極３０を構成するガス拡散層３０ａの上辺に、酸化剤ガス入口連通孔２０ａ及び燃料ガス入口連通孔２２ａの間に位置して切り欠き部３２が設けられる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a method of manufacturing the same, wherein diffusion of an impurity of high concentration included in a silicon substrate into an epitaxial layer is suppressed in a heat treatment process for forming a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス形成時の熱処理プロセスにおいて、シリコン基板に含まれる高濃度の不純物がエピタキシャル層に拡散するのを抑制することができるエピタキシャルウェーハ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

An air diffusion pipe 27 having an exhaustion control valve (float valve 33C) is provided on the aerator body 24 moored on the bottom 1 of a dam lake or the like and circulating bottom layer water near the bottom 1 by aeration.例文帳に追加

ダム湖等の湖底１に係留されて、湖底１付近の深層の水をエアレーションにより循環させる曝気本体２４の上部に、排気調整弁（フロート弁３３Ｃ）を有する散気管２７を設けている。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17b having a relatively deep junction while both the sides are held by p-type source/drain regions 16b is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15b.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ｂ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ｂに挟まれ、相対的に接合深さの深いＮ型しきい値制御拡散層１７ｂが形成されている。 - 特許庁

The separator in which a fuel gas or an oxidant gas is supplied to an electrolyte membrane and an electrode catalyst assembly 1 of a fuel cell is provided with a porous body composed of a plurality of layers on a face contacting a gas diffusion layer 2.例文帳に追加

燃料電池の電解質膜・電極触媒複合体へ燃料ガス又は酸化剤ガスを供給するためのセパレータにおいて、ガス拡散層と接する面において、複数の層からなる多孔質体をえる。 - 特許庁

The body to be recorded for the thermal transfer recording transfers a thermal transfer layer of a thermal transfer recording medium and forms an image, and has a feature that its thermal diffusion factor is 0.03 cm2/sec or less.例文帳に追加

熱転写記録媒体の熱転写層を転写し、画像を形成させる被記録体であって、その熱拡散率が０．０３ｃｍ^2／ｓｅｃ以下であることを特徴とする熱転写記録用被記録体。 - 特許庁

Thus, when the transfer transistor TXL is driven by the intermediate voltage VM, signal charges to be leaked from the photoelectric conversion element PD to the floating diffusion layer FD are increased, to thereby reduce the sensitivity of the logarithm characteristic part.例文帳に追加

よって、転送トランジスタＴＸＬを中間電圧ＶＭで駆動させた場合、光電変換素子ＰＤから浮遊拡散層ＦＤに漏れ出る信号電荷は多くなるため、対数特性部の感度が下がる。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。 - 特許庁

(7) The separator is made of metal formed by superposing a corrugated plate 18a and a flat plate 18b one on the other, of which, the corrugated plate 18a is in contact with the gas diffusion layer, smoothly bent without forming corners.例文帳に追加

（７）セパレータはメタルセパレータであり、波板１８ａと平板１８ｂとを重ねて形成されており、波板がガス拡散層に接触しており、波板１８ａは角を形成せずに滑らかに湾曲している。 - 特許庁

To improve conduction of a bipolar pole plate, especially, at its surface region and, thereby, minimize the contact resistance between the bipolar pole plate and a gas diffusion layer in the fuel cell assembly.例文帳に追加

双極極板の導電性を特にその表面領域で向上させそしてそれによって燃料電池組立物中の双極極板とガス拡散層との間の接触抵抗を最小化するこである。 - 特許庁

To provide a thin film laminate and an interface detection method capable of detecting accurately interface information, even when a physical irregularity and an intermediate layer due to diffusion of a constitutive element exist in the interface.例文帳に追加

界面に物理的な凹凸や構成元素の拡散による中間層が存在する場合であっても、界面情報を正確に検出することが可能な薄膜積層体及び界面検出方法を提供すること。 - 特許庁

A drain groove 4 opened on the separator 3 side and extending in parallel at fixed intervals and a drain groove 5 crossing at right angles to the drain groove 4 and extending in parallel at fixed intervals are installed in the diffusion layer 2.例文帳に追加

拡散層２には、セパレータ３側に開口し、一定の間隔で互いに平行で延在する排水溝４と、排水溝４と直交し、一定の間隔で互いに平行で延在する排水溝５とが設けられている。 - 特許庁

To previously form a ball cell substrate, to remove the diffusion layer of second conductivity tape silicon along a spherical outline without local heating, to expose first conductivity type silicon and to form a ball diode substrate.例文帳に追加

予め、ボール・セル基板を形成し、局所的な加熱を伴わずに球状輪郭に沿って第２導電型シリコンの拡散層を取り除き第１導電型シリコンを露出させて、ボール・ダイオード基板を形成することにある。 - 特許庁

In the control, during forcible regeneration of PM accumulated on the DPF 225, PM layer restore treatment for mainly shifting a combustion form to diffusion combustion is executed in order to enlarge a particle diameter of the PM.例文帳に追加

当該制御においては、ＤＰＦ２２５に堆積したＰＭの強制再生時に、ＰＭを大粒径化するための、主として燃焼形態を拡散燃焼に移行させるＰＭ層修復処理が実行される。 - 特許庁

With this constitution, a negative current can be made to flow in the respective cells and the detection of an enriched gas becomes possible, and the gas concentration in the porous diffusion layer 101 can be kept constant with respect to the enriched gas.例文帳に追加

これにより、各セルにおいて負電流を流すことが可能となり、リッチガスの検出が可能になると共に、リッチガスに対して多孔質拡散層１０１内のガス濃度を一定に保つことができる。 - 特許庁

To provide the oxidation of a Cu surface, the diffusion of Cu to an adjoining oxide film, or the alteration of the Cu surface when forming a passivation portion of a semiconductor device using Cu wiring as multiple layer wiring.例文帳に追加

多層配線としてＣｕ配線を用いる半導体装置のパッシベーション部の形成時に、Ｃｕ表面の酸化や、隣接する酸化膜に対するＣｕの拡散あるいはＣｕ表面の変質を防止すること。 - 特許庁

To provide an MOS transistor capable of enhancing electrostatic resistance by utilizing an existing diffusion layer even when there is restriction in space; and to provide a semiconductor integrated circuit device using the same.例文帳に追加

本発明は、スペース上の制約がある場合であっても、既存の拡散層を利用し、静電耐性を高めることができるＭＯＳトランジスタ及びこれを用いた半導体集積回路装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Diffusion of zinc is prevented by the tin plating layer 15 while taking advantages of low price and low melting point of tin-zinc based solder alloy containing not lead harmful to the environment but zinc harmless to the environment and exhibiting excellent cost performance.例文帳に追加

環境に有害な鉛でなく環境に無害でコストパフォーマンスに優れた亜鉛を含んだ錫−亜鉛系はんだ合金の低価格、低融点を活かしつつ、錫メッキ層15により亜鉛の拡散を防止する。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a solid electrolyte secondary cell formed on a semiconductor substrate (a), and the semiconductor substrate (a) located beneath the solid electrolyte secondary cell is equipped with a diffusion layer (g) doped with N-type impurities.例文帳に追加

半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、固体電解質二次電池直下の半導体基板ａがＮ型の不純物をドープした拡散層ｇを有する。 - 特許庁