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diffusion layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5831件
Next, an SiO2 film is formed as an interlayer insulating film, and furthermore a contact hole for contacting a gate electrode, a diffusion layer and wiring with a tungusten plug is formed by photolithography and dry etching.例文帳に追加
次に、層間絶縁膜としてSiO2 膜を形成し、さらに、ゲート電極及び拡散層と配線とをタングステンプラグでコンタクトするためのコンタクトホールをフォトリソグラフィとドライエッチングによって形成する。 - 特許庁
An ion diffusion property on the surface of a negative active material is improved, and the deposition of lithium on the surface of the negative electrode can be suppressed even when the thickness of the negative active material layer is increased.例文帳に追加
これにより、負極活物質表面でのイオン拡散性を改善し、負極活物質層の厚みを厚くした場合であっても負極表面でのリチウムの析出を抑制することができる。 - 特許庁
The composition for forming a p-type diffusion layer is composed to contain boron nitride particles which contain a boron nitride and an oxide derived therefrom where the oxygen content is 15 mass% or lower, and a dispersion medium.例文帳に追加
p型拡散層形成組成物を、窒化ホウ素及び窒化ホウ素に由来する酸化物を含み、酸素含有率が15質量%以下である窒化ホウ素粒子と、分散媒とを含有して構成する。 - 特許庁
A connecting and conducting layer 31 bridges one of the source and drain diffusion layers 26 which are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 and sandwich a channel region below the second gate electrode 22, and the conducting film 13.例文帳に追加
接続導電層31は、半導体基板の表面に形成され且つ第2ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース/ドレイン拡散層26の一方と導電膜との上に亘る。 - 特許庁
A P-type impurity diffusion layer 103 is formed on the surface of a semiconductor substrate 100, and then a gate electrode 102 is formed on the semiconductor substrate 100 through the intermediary of a gate insulating film 101.例文帳に追加
半導体基板100の表面部にp型の不純物拡散層103を形成した後、半導体基板100上にゲート絶縁膜101を介してゲート電極102を形成する。 - 特許庁
In such a structure, hydrogen-containing fuel can be easily moved to a gas diffusion layer of the anode electrode, and water can be easily moved from the cathode electrode to the other face of the bipolar plate.例文帳に追加
かかる構成により、水素含有燃料をアノード電極の気体拡散層に容易に移動させることができ、水をカソード電極からバイポーラプレートの他面に容易に移動することができる。 - 特許庁
In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.例文帳に追加
また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記P型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁
The nickel alloy sputtering target for forming the barrier layer is a Ni-Sn alloy sputtering target capable of inhibiting the diffusion of Sn between the undercoat or the pad and the Sn-Pb solder bump.例文帳に追加
Ni−Sn合金スパッタリングターゲットであって、下地層又はパッドとSn−Pb系ハンダバンプとの間におけるSn拡散を抑制することを特徴とするバリヤー層形成用ニッケル合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁
To enable to avoid the variation of a threshold voltage and the increase of an on-state resistance by a hot carrier implantation to a gate electrode even if the width of a high resistor drain layer of both drain diffusion area ends is shortened.例文帳に追加
ドレイン拡散領域両端の高抵抗ドレイン層の幅が短くされていても、ゲート電極へのホットキャリア注入によるしきい値電圧の変動やオン抵抗の増大を回避できる。 - 特許庁
A flat surface 9 is formed by applying heat only to a part corresponding to a metal-like image figure 5 of a light diffusion shape 7 formed on the surface of a transparent resin layer 4 by means of a thermal head 8.例文帳に追加
透明樹脂層4の表面に形成された光拡散形状7の金属調描画図5に対応する部分だけに、サーマルヘッド8により熱を加えて平滑面9を形成する。 - 特許庁
At a logic part A2 and an I/O part A3, a high dielectric-constant film 7 on a diffusion area 12b of the MIS transistor is removed and a silicide layer 14 with low resistance is formed on its surface.例文帳に追加
論理部A2およびI/O部A3では、MISトランジスタの拡散領域12b上の高誘電率絶縁膜7を除去して、その表面に低抵抗のシリサイド層14を形成する。 - 特許庁
Further, since the porous films are made directly on the distribution board by a film-forming method, film thickness of the diffusion electrode layer can be freely controlled, fuel battery cells can be made thin, and therefore, a whole device can be made compact.例文帳に追加
また、成膜法により多孔質膜を直接配流板上に形成するため拡散電極層の膜厚を自在に制御でき、燃料電池セルを薄肉化でき、装置全体を小型化できる。 - 特許庁
A heavily doped diffusion layer 23 forming a movable plate 10 has a part where the distribution in the depth direction becomes uneven or discontinuous at least partially in the plane of a silicon substrate 20.例文帳に追加
可動板10を形成する高濃度不純物拡散層23は深さ方向分布がシリコン基板20面内において少なくとも一部で不均一又は不連続となる部分を形成した。 - 特許庁
To manufacture a liquid crystal display device having a quick operating speed and a superior display performance by enhancing mobility of a low temperature polysilicon TFT and further contriving to lower diffusion layer resistance in a source and drain part.例文帳に追加
低温ポリシリコンTFTの移動度を向上させ、しかもソースドレイン部の拡散層抵抗の低抵抗化を図り、動作スピードの早い表示能性の優れた液晶表示装置を作製可能にする。 - 特許庁
To provide a solid polymer electrolyte fuel cell capable of providing high power generation performance even in a high load operation by increasing the migration speed of a reaction substance in a diffusion layer, and hardly causing flooding.例文帳に追加
拡散層内における反応物質の移動速度を高め、高負荷運転時においても高い発電性能が得られ、しかも、フラッディングが生じにくい固体高分子型燃料電池を提供すること。 - 特許庁
The well 2 is connected to a power source terminal Vcc, at a position not shown in the Fig. by an n-type diffusion layer 7 formed on the surface, with a p-type well 3 which is shallower than the well 2 formed on the surface.例文帳に追加
ウエル2は表面に形成されたn型の拡散層7により、図示しない位置において電源端子Vccへ接続され、表面には、ウエル2よりも深さが浅いp型のウエル3が形成されている。 - 特許庁
To rapidly perform a reading operation by lowering the resistance of a bit line, and to attain a refinement concerning a nonvolatile semiconductor storage device where an impurity diffusion layer is made to be the bit line.例文帳に追加
不純物拡散層をビットラインとする不揮発性半導体記憶装置において、ビットラインの低抵抗化により読み出し動作の高速化を実現できると共に微細化をも実現できるようにする。 - 特許庁
Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive layer as the source 26 and the drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加
またソース26とドレイン28と同一の導電層で且つ低濃度である第1不純物拡散領域20をソース26とドレイン28にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。 - 特許庁
The ferrite sintered body 12 is preferably composed of a multilayer structure wherein a plurality of ferrites having respectively different frequency characteristics of magnetic loss are laminated and integrated in such a state that a diffusion layer is formed in a boundary.例文帳に追加
なおフェライト焼結体は、磁気損失の周波数特性が異なる複数のフェライトが積層され境界に拡散層が形成された状態で一体化されている複層構造が好ましい。 - 特許庁
To provide a light-receiving element having wavelength pass-band characteristics in which a high sensitivity rate is obtained, even in a thin filter layer, and the depth of impurity diffusion in a light-receiving part is equivalent to that of conventional pin photodiodes.例文帳に追加
薄いフィルタ層でも高い感度比が得られ、受光部における不純物拡散の深さは従来のpinフォトダイオードと同等である長波長パスバンド特性を有する受光素子を提供する。 - 特許庁
To provide a method for fabricating a solid state image sensor in which a diffusion layer can be formed at a light receiving part without requiring any additional fabrication step while preventing a semiconductor substrate from being cut through etching and poly-Si from being left.例文帳に追加
製造工程の追加なく、エッチングにより半導体基板が削られず、かつ多結晶Si残りを生じず、受光部に拡散層を形成できる固体撮像装置製造法を提供する。 - 特許庁
The first adhesion part 21 has an inner peripheral part 211 of which at least a part is bonded to the second adhesion part 22, and a part outside thereof is bonded to the diffusion resistance layer 17.例文帳に追加
第1接着部21は、その内周部211の少なくとも一部が第2接着部22に接合されていると共に、それよりも外側の部分が拡散抵抗層17に接合されている。 - 特許庁
The reflection region of the diffusion reflection electrode MT has a surface rugged shape profiling the surface rugged shape by the spherical particles PTC mixed into the organic insulating film PF of the lower layer.例文帳に追加
拡散反射電極MTの反射領域は下層の有機絶縁膜PFに混入された球形粒子PTCによる表面凹凸形状に倣った表面凹凸形状を有する。 - 特許庁
Furthermore, the SiO2 films are formed thick in this region, by which a capacitance of a floating diffusion layer, a capacity of an output electrode, and a parasitic capacitance of a reset electrode are lessened.例文帳に追加
さらにこの部分のSiO_2膜を厚くすることで、浮遊拡散層からなる容量と出力電極、または浮遊拡散層からなる容量とリセット電極の寄生容量を低減する。 - 特許庁
In a method of manufacturing the semiconductor device, a light-emitting element 12, which forms a p electrode 13 and a low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 on the upper surface and comprises a plurality of group III nitride semiconductors, is formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加
p電極13および低融点金属拡散防止層14が上面に形成された、複数のIII 族窒化物半導体からなる発光素子12を、サファイア基板10上に形成する。 - 特許庁
The raw material formed by forging are subjected to a high-concentration carburizing treatment of ≥1.1% in carbon potential in forming the hard carbide layer on the surface of the raw material, and is then subjected to a diffusion coating treatment.例文帳に追加
鍛造成形した素材の表面に硬質炭化物層を形成するにあたり、上記素材にカーボンポテンシャルが1.1%以上の高濃度浸炭処理を行い、次いで拡散浸透処理を行う。 - 特許庁
Next, a lower electrode is formed on an upper face of the anti-diffusion layer by a sputter method (S104), and the lower electrode is heated at 500°C for 30 minutes (S105), to relieve a residual stress of the lower electrode.例文帳に追加
次に、スパッタ法により拡散防止層の上面に下部電極を形成し(S104)、下部電極を500℃で30分間加熱して(S105)下部電極の残留応力を緩和させる。 - 特許庁
A second insulating film 7 whose thickness is 400 nm is formed on the substrate, and a contact hole 8 is formed through the second insulating film 7 and the first insulating film 6a, and reaches the impurity diffusion layer 5.例文帳に追加
基板上に、厚さ400nmの第2絶縁膜7を形成し、第2絶縁膜7及び第1絶縁膜6aを貫通して不純物拡散層5に到達するコンタクトホール8を形成する。 - 特許庁
To provide a ferromagnetic tunnel junction element wherein, excellent in heat-resistance and characteristics, the Mn diffusion from an antiferromagnetic layer comprising an Mn array is effectively suppressed even in a thermal process.例文帳に追加
熱処理を受けてもMn系合金を含む反強磁性層からのMn拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁
The third layer of material is disposed between the first and second layers and is a material which substantially prevents diffusion between the first and second layers of material.例文帳に追加
第3の材料層は、第1の材料層と第2の材料層との間に配置されかつ第1の材料層と第2の材料層の間で拡散するのを実質的に阻止する材料である。 - 特許庁
Analog signals inputted from input terminals IN1 to IN3 are supplied to diffusion layer regions 221, 223 and 225 via transistors 301 to 303, and then accumulated as electric charge.例文帳に追加
入力端子IN1乃至IN3から入力されたアナログ信号はトランジスタ301乃至303を介して拡散層領域221、223および225に供給され、電荷として蓄積される。 - 特許庁
To provide a backlight unit capable of effectively absorbing heat transmitted from a heat diffusion layer to a reflecting sheet to improve temperature difference on a panel surface, and of improving luminance; and to provide a display device equipped with it.例文帳に追加
熱拡散層から反射シートに伝えられた熱を效果的に吸収し、パネル面の温度差を改善し、輝度を向上させることができるバックライトユニット及びそれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁
The manufacturing method for the diffusion layer of fuel cell consists of two processes; the first is to impregnate the base material in the form of a woven cloth with a resin binder and the second to carbonize the base material impregnated with the binder.例文帳に追加
織布化した基材に樹脂のバインダを含浸させる第1の工程と、バインダを含浸させた基材を炭化処理する第2の工程と、からなる燃料電池の拡散層の製造方法。 - 特許庁
To prevent reduction in carrier (electron) mobility, due to diffusion of In atoms in an i-InGaAs channel layer into n-AlGaAs carrier source layers, in a field effect transistor.例文帳に追加
電界効果トランジスタにおけるi−InGaAsチャネル層中のIn原子がn−AlGaAsキャリア供給層側へ拡散することによるキャリア(電子)移動度低下の現象を防止する。 - 特許庁
To provide a membrane electrode assembly enhancing gas diffusion property and drainage property of an electrode catalyst layer and a method for manufacturing the same, and to provide a polymer electrolyte fuel cell including the membrane electrode assembly.例文帳に追加
電極触媒層のガス拡散性及び排水性の高い膜電極接合体とその製造方法、および、その膜電極接合体を備えた固体高分子形燃料電池を提供する。 - 特許庁
When a substrate 10 possibly reacts on the piezoelectric film 40, for example, a diffusion barrier layer 20 of an oxide film, a nitride film, etc., is formed on a surface of the substrate 10.例文帳に追加
基板10が圧電膜40と反応する可能性のあるものの場合には、例えば、基板10の表面を酸化物膜や窒化物膜などの拡散バリア層20を基板10上に形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor device in which a separating color insulating film separating an electrode wiring of a trench type capacitor and an impurity diffusion layer can be formed to a uniform film thickness.例文帳に追加
トレンチ型キャパシタの電極配線と不純物拡散層を電気的に分離する分離カラー絶縁膜の膜厚を均一に形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
According to the present invention, the concentration distribution of particles can be calculated in the concentration polarized layer from experimental data of filtration flux and a concentration gradient diffusion coefficient calculated by applying numerical analysis method thereto.例文帳に追加
本発明によると、濾過フラックスの実験データと、ここに数値解法を適用して計算した濃度勾配拡散係数から濃度分極層において、粒子の濃度分布を算出することが出来る。 - 特許庁
The majority carrier capturing region and the minority carrier capturing region are formed of the same diffusion layer as that in the source or drain region of the MOS transistor formed in the high power supply voltage circuit section.例文帳に追加
また、多数キャリア捕獲領域および少数キャリア捕獲領域は、高電源電圧回路部に形成されたMOS型トランジスタのソースあるいはドレイン領域と同一の拡散層にて形成した。 - 特許庁
In the semiconductor device, a silicon oxide film 42 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on a p-type diffusion layer 41 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加
本発明の半導体装置では、キャパシタ3の形成領域において、キャパシタの下部電極用のP型の拡散層41上には、キャパシタ3の誘電膜用のシリコン酸化膜42が形成されている。 - 特許庁
By doping impurity to the top area of the first single-crystal silicon film 107 and the whole area of the second single-crystal silicon film 108, an impurity diffusion layer 109 being a source or drain is formed.例文帳に追加
第1の単結晶シリコン膜107の上部領域及び第2の単結晶シリコン膜108の全領域に不純物をドープして、ソース又はドレインとなる不純物拡散層109を形成する。 - 特許庁
When pressing, it is desirable to control the pressure distribution by sandwiching a hard metal boil with a press jig having a continuous irregularity and the component material of the reaction layer of the gas diffusion electrode to be pressed.例文帳に追加
前記プレス時に、連続的な凹凸を有するプレスジグとプレスされるガス拡散電極の反応層構成材料の間に硬質金属箔を挟み圧力分布を制御することが好ましい。 - 特許庁
To provide a membrane electrode assembly enhancing gas diffusion property and drainage property of an electrode catalyst layer and a method for manufacturing the same, and to provide a polymer electrolyte fuel cell including the membrane electrode assembly.例文帳に追加
電極触媒層のガス拡散性・排水性が向上する膜電極接合体とその製造方法、および、その膜電極接合体を備えた固体高分子形燃料電池を提供する。 - 特許庁
A sidewall insulation film 41 of first insulation film 4 is formed on the side face of the gate electrode 3, and a diffusion layer 5 is formed in the substrate 1 within the logic circuit region 12 through ion implantation.例文帳に追加
ゲート電極3側面に第1の絶縁膜4からなる側壁絶縁膜41を形成し、ロジック回路領域12における基板1内に拡散層5をイオン注入により形成する。 - 特許庁
A gas diffusion layer of an electrode is composed of a porous body of metal, and at least a part of the surface of the porous body is covered with conductive resin composed by electrolytic polymerization on the surface of the porous body.例文帳に追加
電極のガス拡散層を金属の多孔体で構成し,多孔体の表面の少なくとも一部が多孔体表面で電解重合させて合成された導電性樹脂で覆われている。 - 特許庁
The material of a reaction layer is filled from the metallic porous body side and hot pressing is carried out under the optimum conditions for the material to manufacture the objective gas diffusion electrode.例文帳に追加
請求項1の接合体の金属多孔体側から反応層材料を充填し、反応層材料の最適条件でホットプレスすることによって作製したことを特徴とするガス拡散電極。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a porous carbon electrode base material which can efficiently distribute a reaction gas to a fuel cell electrode reaction section if the porous carbon electrode base material is used in a gas diffusion layer for a fuel cell.例文帳に追加
燃料電池用のガス拡散層に用いた場合、燃料電池電極反応部に反応ガスを効率よく分配することができる多孔質炭素電極基材の製造方法を提供する。 - 特許庁
Additionally, in a gate implantation, although not only the channel of the transistor, but also a region where the diffusion layer is formed in the periphery of the channel is ion-implanted, the effect of its ion implantation is not considered at all.例文帳に追加
また、ゲート注入では、トランジスタのチャネルだけでなく、その周囲の拡散層が形成される予定の領域にもイオンが注入されるが、そのイオン注入の影響が全く考慮されていない。 - 特許庁
To provide a device and method for forming the gas diffusion layer of a fuel cell, wherein the gas is supplied efficiently and successfully by reducing the pressure loss during gas supply.例文帳に追加
ガス供給時の圧力損失を低減して、ガスを効率よく良好に供給することができる燃料電池のガス拡散層を成形する成形装置および成形方法を提供すること。 - 特許庁
A mesh 32 of an expanded metal 30 is composed of a pentagonal mesh formed by combining a hexagonal pattern on the side coming in contact with the separator 18 and a rhombus on the side coming in contact with the gas diffusion layer 14.例文帳に追加
エキスパンドメタル30のメッシュ32が、セパレータ18に接する側は亀甲形を、ガス拡散層14に接する側は菱形を組み合わせた、五角形のメッシュにより構成されているものである。 - 特許庁
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