「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

When forming the MOS transistor in the LDD structure including gate sidewalls 14 at both ends of a gate electrode 12 and a salicide layer 16 on the source/drain region, thickness of the gate side walls when forming a deep diffusion layer 13b of the source/drain region is made different from thickness of the gate side walls, when forming the salicide layer 16 on the source/drain region.例文帳に追加

ゲート電極１２の両端のゲート側壁１４およびソース・ドレイン領域上のサリサイド層１６を有するＬＤＤ構造のＭＯＳトランジスタを形成する際、ソース・ドレイン領域の深い拡散層１３ｂを形成する際のゲート側壁の厚さと、ソース・ドレイン領域上にサリサイド層１６を形成する際のゲート側壁の厚さを異ならせる。 - 特許庁

The carbon-based composite material 2 is composed of a carbon-based base material 4, a first coating layer 8 which is formed in the base material 4 side and capable of suppressing diffusion of corrosion species, and a second coating layer 10 which is formed on the surface of the first coating layer 8 and includes crystal grains having anisotropy in thermal expansion and a glass phase being filled between the crystal grains.例文帳に追加

炭素系複合材料２を、炭素系基体４と、当該基体４側に形成され腐食種拡散抑制可能な第１の被覆層８と、この第１の被覆層８の表面に形成され、熱膨張の異方性を有する結晶粒子と当該粒子間を充填するガラス相とを有する第２の被覆層１０とする。 - 特許庁

The optical sheet 4, through which incident light is transmitted, in which the course of light is changed and from which the light is emitted to the changed course, is formed to have a base material layer 6 formed to have uniform thickness by using a transparent material and a main light diffusion layer 8 which includes a light diffusing material 7 and is layered/formed integrally on the surface 6a of the base material layer 6.例文帳に追加

入射した光が透過するとともにこの光の光線方向を変換して出射させる光学シート４を、透明材を用いて均一な厚さで形成された基材層６と、拡散材７を含んで基材層６の表面６ａに一体に積層形成された主光拡散層８とを備えて形成する。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１のＬＯＣＯＳ膜２によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層４と、（Ｃｅ，Ｚｒ）Ｏ_2 （又はＣｅＯ_2 ）からなるバッファ絶縁層４と、Ｂｉ_3 ＴｉＮｂＯ_9 からなる第２の強誘電体層５と、Ｂｉ_4 Ｔｉ_3 Ｏ__12からなる第１の強誘電体層６と、ポリシリコンからなるゲート電極７とが順に積層されている。 - 特許庁

An aperture 34a which is formed by removing a negative electrode 34 and releases the gas to a sealing atmosphere in a sealing can 50 is installed on the dark spot portion 33a, which is generated in an organic compound layer 33 by diffusion of the gas contained in the foundation layer 10 through a pinhole 21 of the gas barrier layer 20.例文帳に追加

下地層１０に含まれるガスがガスバリア層２０のピンホール２１を通して有機化合物層３３中に拡散することで有機化合物層３３に生じるダークスポット部３３ａの上に、陰極３４を除去することにより形成されたものであって上記ガスを封止缶５０内の封止雰囲気中に放出する開口部３４ａを、設けた。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed wiring board 108 includes a step of forming a wiring pattern 106 with a metal diffusion preventing layer 103 on the conductive frame 101 by electrolytic plating, a step of forming an insulating layer 107 on a wiring layer forming surface of the conductive frame 101, and a step of removing the conductive frame 101.例文帳に追加

導電性フレーム１０１上に、電解めっきにより、金属拡散防止層１０３が形成された配線パターン１０６を形成する工程と、前記導電性フレーム１０１の配線層形成面に絶縁層１０７を形成する工程と、前記導電性フレーム１０１を除去する工程とを含むプリント配線板１０８の製造方法。 - 特許庁

The planographic printing plate which is composed of the aluminum sheet as its support and utilizes a silver complex salt diffusion transfer process has a specific polymer, i.e., a polymer which has a fluorine-containing aliphatic group and is insoluble in water and soluble in an alkaline in a physical development nucleus layer or between the physical development nucleus layer and a silver halide emulsion layer.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、物理現像核層若しくは物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層との間に、特定の重合体、即ちフッ素脂肪族基を有し、水に不溶性で、アルカリ可溶性の重合体を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

In the treatment of the aluminum lithographic printing material having a physical developing nucleus layer between a silver halide emulsion layer and an aluminum support by using the silver salt diffusion transfer method to develop the printing material by a coating method, the printing material contains phosphate radicals in the silver halide emulsion layer side.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層とアルミニウム支持体の間に物理現像核層を有するアルミニウム平版印刷材料を塗布方式により現像処理する銀塩拡散転写方式を利用する平版印刷版の処理に於いて、ハロゲン化銀乳剤層側に燐酸根を含有することを特徴とするアルミニウム平版印刷材料の処理方法。 - 特許庁

To obtain a highly reliable DRAM hybrid semiconductor device in which a good metal silicide layer capable of suppressing junction leak and channel leak of a transistor is formed on a lightly doped diffusion layer of the source-drain region at a DRAM part, and wiring resistance and contact resistance are reduced by increasing the area of the metal silicide layer.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部において、接合リークおよびトランジスタのチャネルリークを抑制できる、良好な金属シリサイド層をソース・ドレイン領域の低濃度拡散層上に形成すると共に、この金属シリサイド層の面積を増大させて、配線抵抗の低減およびコンタクト抵抗の低減を図り、高速で信頼性の高いＤＲＡＭ混載半導体装置を得る。 - 特許庁

This electrode structure for fuel cell consists of a catalyst layer and a gas diffusion layer, and has a thin film 28 having a plurality of fine holes 27 with regularity formed in thickness direction and a catalyst substance, a proton conductive substance, and a conductive substance are carried at least inside the fine holes 27 formed in the thin film 28 to make the catalyst layer 21.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層とからなる燃料電池用の電極構造であって、規則性を持った複数の微細穴２７が膜厚方向に形成された薄膜２８を備え、その薄膜２８に形成された微細穴２７の少なくとも内部に、触媒物質と、プロトン伝導物質と、導電物質とを担持させて触媒層２１とした。 - 特許庁

The capacitor contact 152 consists of a first metal plug 150 connected electrically with the metal lower electrode 124, a first silicide layer 148 provided from the bottom of the contact, across the sidewall thereof in contact with the first metal plug 150, and a first silicon layer 146 provided at least on the bottom of the contact, while touching the first diffusion layer 108.例文帳に追加

容量コンタクト１５２は、メタル下部電極１２４と電気的に接続される第１メタルプラグ１５０と、コンタクト底部からコンタクト側壁部にわたって設けられ、第１メタルプラグ１５０と接している第１シリサイド層１４８と、少なくともコンタクト底部に設けられ、第１拡散層１０８と接している第１シリコン層１４６とからなる。 - 特許庁

The thermal energy of a thermal head in the printer is imparted to a coloring layer 6 during the slight diffusion state of the thermal energy in the multicolor thermosensitive medium 1 by an effect that the thermal energy of a thermal head in the printer is imparted from the side of an overcoat layer 9 located on the coloring layer 6 that the multicolor thermosensitive medium 1 has.例文帳に追加

印刷装置のサーマルヘッドの熱エネルギーが多色感熱媒体１が有するブラックの発色層６上にあるオーバーコート層９側から与えられることにより、多色感熱媒体１内における熱エネルギーの拡散状態が僅かなうちに、印刷装置のサーマルヘッドの熱エネルギーがブラックの発色層６に与えられる。 - 特許庁

The electrode for the fuel cell is equipped with a metallic catalyst, a carrier supporting the metallic catalyst, a cation conductor made of a metal phosphate, a catalyst layer containing a binder, and a gas diffusion layer made of a conductive substrate and laminated with the catalyst layer, and the manufacturing method of the electrode for the fuel cell and the fuel cell are also provided.例文帳に追加

本発明によれば，金属触媒と，上記金属触媒を支持する担体と，金属フォスフェイトからなる陽イオン伝導体と，バインダーとを含有する触媒層と，導電性の基材から形成され，上記触媒層が積層されるガス拡散層とを備える燃料電池用の電極とその製造方法，および燃料電池が提供される。 - 特許庁

The diffusively reflective member 100 includes a flexible base film 110, a light reflection layer 120 which is arranged on the surface of the base film and reflects the first light made incident from the outside and a light diffusion layer 130 which is arranged on the surface of the light reflection layer, changes the first light to the partially diffused second light and emits the light to the outside.例文帳に追加

拡散−反射部材１００は、フレキシブルなベースフィルム１１０、 ベースフィルムの表面に配置され、外部から入射した第１光を反射させるための光反射層１２０及び光反射層の表面に配置され、第１光を部分拡散された第２光に変更させて外部に出射するための光拡散層１３０を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a first conductive type semiconductor layer, a polysilicon resistor formed via an insulating film on the semiconductor layer, and a second conductive type impurity diffusion region formed on a position which is the principal surface of the semiconductor layer and which corresponds to a portion under the polysilicon resistor, and which amplifies an analog RGB signal.例文帳に追加

第１導電型の半導体層と、前記半導体層上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン抵抗と、前記半導体層の主表面であって前記ポリシリコン抵抗の下部に対応する位置に形成された第２導電型の不純物拡散領域とを有する、アナログのＲＧＢ信号を増幅する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A thick via 51 is formed on the upper face of an upper electrode 35 of a capacitor formed in a predetermined wiring layer, and a via 60a thinner than the thick via 51 and copper wiring 61a arranged in a wiring layer formed at the upper part of the predetermined wiring layer are successively formed through the diffusion stopper film of copper at the upper part of the via 51.例文帳に追加

所定の配線層中に形成されたキャパシタの上部電極３５上面に太いビア５１が形成され、このビア５１上方には銅の拡散ストッパ膜を介し、前記所定の配線層の上部に形成された配線層に配置され太いビア５１より細いビア６０ａおよび銅配線６１ａが順次形成される。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 (semiconductor device) comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 electrically; gate wiring 34 formed over the STI separation layer 32 and the diffusion region 43; and an insulation film 41 formed between the gate wiring 34 and the STI separation layer 32.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１を電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２及び拡散領域４３上に跨って形成されたゲート配線３４と、ゲート配線３４とＳＴＩ分離層３２との間に形成された絶縁膜４１とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of mitigating compression stress in a diffusion preventing film without neither changing the dielectric constant, etc., of an inter-layer insulation film with embedded wiring formed therein, nor giving damage to the inter-layer insulation film, and increasing hardness and elastic modulus in the inter-layer insulation film.例文帳に追加

本発明は、埋め込み配線が形成されている層間絶縁膜の誘電率等を変化させること無く、また当該層間絶縁膜にダメージを与えること無く、拡散防止膜の圧縮応力を緩和することができ、さらには、当該層間絶縁膜の硬度および弾性率を増加させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the target of an X-ray tube where a graphite base material and a Mo base material or a Mo alloy base material are jointed with each other via a connection layer, when a composition ratio of the connection layer by an EPMA is detected, the connection layer has a diffusion phase of MoTaTi, a TaTi alloy phase, a Ta-rich phase, and a ZrTa alloy phase.例文帳に追加

グラファイト基材と、Ｍｏ基材もしくはＭｏ合金基材とを接合層を介して接合したＸ線管用ターゲットにおいて、前記接合層についてＥＰＭＡにより組成比を検出したとき、前記接合層はＭｏＴａＴｉの拡散相、ＴａＴｉ合金相、Ｔａリッチ相、ＺｒＴａ合金相を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁

Therein, the antireflection film is constituted such that the value obtained by dividing a center line average roughness Ra2 on the antistatic layer surface after applying the antistatic layer with a center line average roughness Ra1 on the light diffusion layer surface before applying the antistatic layer falls into 0.5 to 1.0.例文帳に追加

透明支持体上に、少なくとも光拡散層、帯電防止層、透明支持体よりも屈折率が低い低屈折率層をこの順に塗設した反射防止フィルムにおいて、帯電防止層を塗設する前の光拡散層表面の中心線平均粗さＲａ１で帯電防止層塗設後の帯電防止層表面の中心線平均粗さＲａ２を除した値が、０．５〜１．０であることを特徴とする反射防止フィルム。 - 特許庁

This 1/4 wavelength plate is used for the backlight system having the polarization reflective plate, and is constituted of a 1/4 wavelength layer and a light diffusion layer where rugged parts are formed on a nearly whole surface of its one side surface layer, and which develops light diffusiveness since the light beam transmitting the surface layer is diffracted in many directions by refractive index differences of the rugged interface.例文帳に追加

偏光反射板を有するバックライトシステムに用いるための１／４波長板であって、該１／４波長板は、１／４波長層と、（１）その一方の表層のほぼ全面に凹凸が形成されてなり、かつ（２）該表層を透過する光が該凹凸界面の屈折率差により多方向に屈折されることにより光拡散性を発現する光拡散層とからなることを特徴とする１／４波長板。 - 特許庁

The reflection sheet 1 for the back light unit for reducing the diffusion of rays is provided with a substrate sheet layer 2 made of a white synthetic resin and a flawing preventive layer 3 laminated on the surface side of the layer 2 and is characterized in that the layer 3 has a binder 4 and beads 5 dispersed in the binder 4 and that silicone rubber is used as the material of the beads 5.例文帳に追加

光線の放散を低減するバックライトユニット用の反射シート１であって、白色合成樹脂製の基材シート層２とこの基材シート層２の表面側に積層される傷付き防止層３とを備え、この傷付き防止層３がバインダー４とこのバインダー４中に分散するビーズ５とを有しており、このビーズ５の材料としてシリコーンゴムが用いられていることを特徴とするものである。 - 特許庁

A first oxide layer 4 is provided on a substrate 1, a capacitor having a metal oxide containing capacitor material layer 32 separated on a downside electrode and upside electrodes 31, 33 is formed thereon, and the first oxide layer 4 is doped prior to forming the capacitor, and a barrier substance forming a hydrogen diffusion barrier 7A is doped in the first oxide layer under the use of a plasma doping method.例文帳に追加

サブストレート１の上に第一の酸化物層４を設け、その上に下側電極及び上側電極３１、３３及びこれらの間に析出した金属酸化物含有コンデンサー材料層３２を有するコンデンサーを形成させ、コンデンサーの形成の前に、第一の酸化物層４を、プラズマドープ法の使用下に、第一の酸化物層中で水素拡散バリア７Ａを形成するバリア物質をドープする。 - 特許庁

The catalyst combustor for the gas fuel having the planar combustion catalyst layer on the end face of a casing comprises a plurality of laminates each consisting of a plurality of porous ceramic paper sheets laminated, arranged on the front stage of the catalyst layer in spaced relation, and diffusion layers formed between the adjacent laminates and between the laminate near the catalyst layer and the catalyst layer.例文帳に追加

ケーシングの端部面に平面状燃焼触媒層を備えたガス燃料の触媒燃焼器であって、該触媒層の前段に、複数の多孔質セラミックペーパーを積層してなる積層体の複数個を間隔を置いて配置するとともに、相隣り合う積層体の間、及び、触媒層寄りの積層体と触媒層の間に拡散層を形成してなることを特徴とするガス燃料の触媒燃焼器。 - 特許庁

The bit line parasitic capacitance Ck1 is the parasitic capacitance formed between the bit line BL and low voltage power supply (ground potential), and consists of a capacitance between adjacent bit lines and a diffusion layer capacitance of memory cell transistors.例文帳に追加

ビット線寄生容量Ｃｋ１は、ビット線ＢＬと低電位側電源（接地電位）の間に形成される寄生容量であり、隣接ビット線間の容量やメモリセルトランジスタの拡散層容量などから構成される。 - 特許庁

To restrict a short-channel effect and increase a drain current at the operation of a transistor without increasing a leak current when polysilicon doped with P or As is used as a contact to a diffusion layer of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの拡散層へのコンタクトとしてP またはAsをドープした多結晶シリコンを用いる場合に、短チヤネル効果を抑制し、リーク電流を増加させることなく、トランジスタの動作時のドレイン電流を増加させる。 - 特許庁

The carbon element is bonded to Si to be positive fixed charge, and the positive charge increases carrier concentration of the n-type diffusion layer 7, thereby the cell current is increased without varying a threshold of a transistor.例文帳に追加

この炭素元素は、Ｓｉと結合して正の固定電荷となっており、この正電荷によりｎ型拡散層７のキャリア濃度を高め、トランジスタのしきい値を変動させること無く、セル電流を増大させる。 - 特許庁

The diffusion rate determining layer 6 is disposed in contact with the opposite surface 1B of the solid electrolyte substrate 1, and the ceramic board 7 is disposed so as to form a space 14 between the solid electrolyte substrate 1 and the atmospheric poles 2, 4.例文帳に追加

拡散律速層６は、固体電界質基板１の反対面１Ｂに接して配設され、セラミック板７は、固体電解質基板１および大気極２，４との間に空間１４を形成するように配設される。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer that has a high IG (Internet Gattering) ability and at the same time that suppresses a diffusion current flowing into the device area in an epitaxial silicon layer from a base silicon substrate where a high density deposit exists.例文帳に追加

高いＩＧ能力を有し、同時に、高密度析出物が存在する下地シリコン基板からエピタキシャルシリコン層内のデバイス領域に流れ込む拡散電流を低減したエピタキシャルシリコンウェハを提供する。 - 特許庁

Phosphor particles capable of absorbing the output light and emitting wavelength conversion light or a light diffusion agent for diffusing the output light is arranged on the light-emitting layer along the light guide direction.例文帳に追加

前記発光層では、前記出力光を吸収し波長変換光を放出可能な蛍光体粒子あるいは前記出力光を拡散させる光拡散剤が前記導光方向に沿って配置される。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a solid polymer fuel cell capable of suppressing reduction in a power generation property of a fuel cell by suppressing deposition of a ruthenium component from an anode diffusion layer even in a high voltage operation.例文帳に追加

高電位運転においても、Ｒｕ成分のアノード拡散層での析出を抑え、燃料電池の発電性能の低下を抑制することができる固体高分子型燃料電池用電極構造体を提供する。 - 特許庁

On a face opposed to a separator 6 in an air electrode gas diffusion layer 4, a recess part 40 is formed at a site opposed to an oxygen passage 60, and a protruding part 41 is formed at a site opposed to an air electrode rib 61.例文帳に追加

空気極ガス拡散層４におけるセパレータ６と対向する面には、酸素通路６０に対向する部位に凹部４０を形成し、空気極リブ６１に対向する部位に凸部４１を形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device, which is applicable to a hollow cylindrical semiconductor pillar, and provides a source drain diffusion layer having high position control in high concentration at low manufacturing costs, and also to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

中空円筒型の半導体ピラーに適用でき、高濃度で位置制御性の高いソースドレイン拡散層を低製造コストで実現する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Although an extremely thin layer is included in the laminated structure (32), a high barrier action is obtained by a diffusion of copper due to high electric conductivity necessary for electroless-depositing the copper by using an external current.例文帳に追加

積層構造（３２）の中に非常に薄い層があるにもかかわらず、外部電流を用いて銅を電解析出するために必要な導電率の高さに起因した銅の拡散に対する、高い障壁作用が得られる。 - 特許庁

The interval d between the LCD 1 and the front light guide 2 can be reduced to the level equivalent to the film thickness of the resin layer 5 and reflection and diffusion of light between the LCD 1 and the front light guide 2 can be suppressed.例文帳に追加

ＬＣＤ１とフロントライトガイド２の間隔ｄを樹脂層５の膜厚と同等まで小さくすることができ、ＬＣＤ１とフロントライトガイド２の間において光が反射、拡散することを抑止できる。 - 特許庁

To prevent short-circuiting between the wiring for etching and the p^+ impurity diffusion layer in electrochemical etching in an integrated pressure sensor having a diaphragm section formed by the electrochemical etching and an integrated circuit section in a silicon chip.例文帳に追加

シリコンチップに、電気化学エッチングにより形成されたダイアフラム部、集積回路部を有する集積化圧力センサにおいて、電気化学エッチング時におけるエッチング用配線とｐ^+不純物拡散層との短絡を防止する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device which does not have overlap regions between an impurity diffusion layer and a floating gate of a memory cell, properly improves the scalability of the gate length and has a large capacity and low bit cost.例文帳に追加

不純物拡散層とメモリセルの浮遊ゲートとの間のオーバーラップ領域がなく、ゲート長のスケーラビリティを大幅に改善し、大容量・低ビットコストの不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

By using the cover body 7 without forming the light-transmission layer 7d thereon as it is, the light from the light-emitting diode 6 is diffused by the rough surface 7c, and thereby the cover body can be shared with a diffusion type luminaire.例文帳に追加

光透過層７ｄを形成しないカバー体７をそのまま用いることによって、発光ダイオード６からの光が粗面７ｃによって拡散されるので、拡散タイプの照明器具に共用することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer capable of giving a further excellent conductivity, gas permeation performance, and water repellency to a conductive porous substrate for fuel cell, and a paste composition used for the same.例文帳に追加

燃料電池用導電性多孔質基材に、一段と優れた導電性、ガス透過性及び撥水性を付与できるガス拡散層の製造方法及びそれに用いるペースト組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

To suppress the occurrence of moire stripes in a direct viewing type liquid crystal display device provided with a light diffusion layer having a stripe structure extending in the vertical direction on a viewer side of a liquid crystal display panel without spoiling display quality.例文帳に追加

垂直方向に延びるストライプ構造を有する光拡散層を液晶表示パネルの観察者側に備えた直視型の液晶表示装置におけるモアレの発生を、表示品位を損なうことなく抑制する。 - 特許庁

To obtain a photovoltaic device having a diffusion layer structure similar to a selective emitter structure capable of reducing connection resistance of a light reception face side electrode while increasing resistance of a light reception face, and excellent in photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加

受光面を高抵抗化しつつ受光面側電極の接続抵抗を低減可能な選択エミッタ構造に類似の拡散層構造を有し、光電変換効率に優れた光起電力装置を得ること。 - 特許庁

A through-hole (a large-diameter through-hole 13a) having a hole area of not less than a given area has a function of maintaining water pressure between the electrolyte film 11 and the diffusion layer 13 under a given pressure allowing passage of moisture.例文帳に追加

所定面積以上の孔面積を有する貫通孔（大径貫通孔１３ａ）は、水分の通過を許容して電解質膜１１と拡散層１３との間の水圧を所定圧力以下に維持する機能を有する。 - 特許庁

A plurality of pixels are provided, each pixel including a photodetector unit 601 for converting an inputted optical signal into an electric charge and a suspended diffusion layer unit 603 for accumulating signals overflowing from the photodetector unit 601.例文帳に追加

入力してきた光信号を電荷に変換する受光素子部６０１と、受光素子部６０１から溢れ出た信号を蓄積する浮遊拡散層部６０３と、を含む複数の画素が設けられている。 - 特許庁