「diffusion wall」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Compressed air is sent into the lower part of the polluted area 2 surrounded by the cut-off wall 3 and the air mixed with the organochlorine compound contained in the soil of the polluted area 2 is expelled to ground surface to be collected by the air diffusion preventing sheet 10.例文帳に追加

エアーパイプ８を介して止水壁３で囲われた汚染エリア２の内部下方に対して圧縮空気を送り込み、汚染エリア２の土中に含まれている有機塩素系化合物が混合した空気を地表に追い出し、空気拡散防止シート１０に収集する。 - 特許庁

A positive bevel structure where the cross section shape of the trench is formed to a downward sectorial trapezoid, and an angle θwhich the down groove wall direction of the trance makes against the boundary line of the p-base diffusion layer and the n-Si layer becomes under 90 degrees, is provided.例文帳に追加

トレンチの断面形状は、下方に向けて末広がりの台形に形成され、トレンチの下向き溝壁方向がｐ−ベース拡散層とｎ−Ｓｉ層との境界線に対して成す角度θは、９０°未満になっている正ベベル構造となっている。 - 特許庁

Since the distance of the gas component dissolved in liquid in the gas permeable tube reaching the inner wall of the gas permeable tube can be shortened compared to the conventional case, chances of adsorbing the gas component in the inner wall of the gas permeable tube are increased to enable efficient degassing even when diffusion of the gas component hardly occurs due to the low flow rate or low flow speed.例文帳に追加

このため、気体透過性チューブ内部の液体に溶存する気体成分が気体透過性チューブの内壁に到達する距離を従来よりも小さくすることができるので、気体成分が気体透過性チューブの内壁に吸着する機会が増え、低流量あるいは低流速で気体成分の拡散が起き難い場合においても効率良い脱気が可能となる。 - 特許庁

The fuel cell 1 is equipped with a separator 22B having an oxidation gas flow passage 42 demarcated by a concave gas flow passage wall face 61, an electrode 32B having the diffusion layer 36 neighboring the separator 22B, and a water draining part 68 having a cavity to allow flow of the oxidation gas.例文帳に追加

本発明の燃料電池１は、凹状のガス流路壁面６１により画定された酸化ガス流路４２を有するセパレータ２２Ｂと、セパレータ２２Ｂに隣接する拡散層３６を有する電極３２Ｂと、酸化ガスの流動を許容する空隙を有する排水部６８と、を備える。 - 特許庁

The main exiting direction of light from a surface mount-type LED4 is controlled to be almost parallel to the display plane so that the most of the exiting light from LED4 is scattered and reflected on the reflection face of the inner wall 12-1 of an LED holder 12 and guided to a diffusion plate 3.例文帳に追加

表面実装型のＬＥＤ４の主たる出射方向を、表示面にほぼ平行な方向とし、ＬＥＤ４からの主たる出射光を、ＬＥＤホルダ１２の内壁１２−１の反射面で散乱反射させて拡散板３に導くように構成している。 - 特許庁

A gaseous starting material being a gaseous mixture of hydrogen with oxygen is fed to the upper part 1st chamber 14 from a gaseous starting material feed port 4 formed on the top wall 12 of the reaction furnace main body 1 and introduced into the lower part 2nd chamber 15 while being diffused by a 1st reflection plate 3 and the diffusion filter 2.例文帳に追加

水素と酸素との混合ガスである原料ガスは、反応炉本体１の頂壁１２に形成した原料ガス供給口４３から上位の第１室１４に供給され、第１反射板３及び拡散フィルタ２により拡散されつつ、下位の第２室１５へと導入される。 - 特許庁

When sewage to be treated having a high BOD value is treated, the position of the partition wall 17 is set so as to increase the volume of a biological treatment region to increase the stagnation time of sewage to be treated in an air diffusion region and the sewage to be treated having a high BOD value is suitably treated.例文帳に追加

ＢＯＤ値の高い被処理汚水を処理する場合は、生物処理領域の容積を増加させるように隔壁１７の位置を設定することで被処理汚水がエアーによる散気領域を滞留する時間が増加し、ＢＯＤ値の高い被処理汚水が好適に処理されることとなる。 - 特許庁

On the other hand, in a second area B in the diffusion sheet 83, the direction of light is turned to a direction of a display panel 82 by the reflection prism 83c formed in an inner wall face 83b in the back thereof and the light is radiated (arrow line 201) toward a second area B of the display panel 82.例文帳に追加

一方、拡散シート８３のうち第２の領域Ｂでは、その後方内壁面８３ｂに形成された反射プリズム８３ｃによって光の方向が表示パネル８２の方向に変更され、この光が表示パネル８２の第２の領域Ｂに向けて照射（矢線２０１）される。 - 特許庁

In this processing, the PH3 gas jetted out of a gas diffusion hole 12a of the nozzle 12 is allowed to reflect at the inner wall of the reaction furnace 1, and the gas stream is directed at an angle of 45° to 90°, preferably at an angle vertical or approximately vertical to the surface of the substrate 11.例文帳に追加

このとき、石英ガスノズル１２のガス拡散穴１２ａから吹き出されるＰＨ_3 ガスを反応炉１の内壁で反射させ、そのガス流の方向を半導体基板１１の表面に対して、４５°〜９０°の角度、好適には、垂直か垂直に近い角度になるようにする。 - 特許庁

To minimize diffusion of heat and fluid by arrangement of respective equipment according to its operation temperature range and function, inhibit thermal effect from reaching the equipment as little as possible that is used at comparatively low temperature, and make improvement in wall face installation property, installation stability and maintenance property.例文帳に追加

各機器を作動温度域毎及び機能毎に配置して熱や流体の拡散を最小化し、比較的低温で使用される機器に熱影響が及ぶことを可及的に阻止するとともに、壁面設置性、設置安定性及びメンテナンス性を向上させることを可能にする。 - 特許庁

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁

A contact hole 103 and a recessed groove 104 for wiring are formed on an interlayer insulation film 102 being deposited on a semiconductor substrate 101, and a TiN/Ti film 105 being used as a diffusion prevention film is formed on the wall surfaces of the contact hole 103 and the recessed groove 104.例文帳に追加

半導体基板１０１の上に堆積された層間絶縁膜１０２にコンタクトホール１０３及び配線用凹状溝１０４を形成した後、コンタクトホール１０３及び配線用凹状溝１０４の壁面に拡散防止膜となるＴｉＮ／Ｔｉ膜１０５を形成する。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

An integrated circuit includes a semiconductor substrate, a low dielectric layer on the semiconductor substrate, a first groove in the low dielectric layer, and a first diffusion barrier layer covering the low dielectric layer in the first groove, so that the first diffusion barrier layer has a bottom connected to a side wall which has an upper side surface close to the upper side surface of the low dielectric layer.例文帳に追加

集積回路であって、半導体基板と、前記半導体基板上の低誘電体層と、前記低誘電体層内の第１の溝と、前記第１の溝内で、前記第１の溝内の前記低誘電体層を覆う第１の拡散バリア層とを含み、前記第１の拡散バリア層は、底の部分が側壁部分に接続し、前記側壁部分が、前記低誘電体層の上側表面に近い上側表面を有することを特徴とする。 - 特許庁

(1) The fuel cell separator has grooves 40 and ribs 41, and the grooves constitute a gas passage and the ribs 41 comes in contact with a diffusion layer at the crestal plane, and in the fuel cell separator, the ribs 41 are made hollow and the hollow portion in the ribs is also made a gas passage, and the top wall 44 of the ribs is made a porous structure.例文帳に追加

（１）溝４０とリブ４１を有し、溝がガス流路を構成し、リブ４１がその頂面で拡散層に接触する燃料電池用セパレータであって、リブ４１を中空とし、リブ内の中空部分もガス流路４３とし、リブの頂壁４４を多孔構造とした燃料電池用セパレータ。 - 特許庁

In a backlight unit, a chassis 12 has protruding parts 18 formed to protrude into the apex parts 11b of a pair of side wall parts 11 respectively, a reflecting sheet 14 has the through hole 29 fitted and inserted into the protruding part 18, and a diffusion plate 15 is supported by the protruding part 18 protruded from the through hole 29.例文帳に追加

シャーシ１２が一対の側壁部１１の頂部１１ｂにそれぞれ突出して形成された突出部１８を有し、反射シート１４が突出部１８に嵌挿される貫通孔２９を有し、拡散板１５が貫通孔２９から突出した突出部１８によって支持されるようにした。 - 特許庁

The integrated circuit further has conductive wiring with which the first groove is filled, and the conductive wiring has a surface lower than the upper side surface of the side wall of the diffusion barrier layer, and a metal cap is substantially directly formed only on an area on the conductive wiring.例文帳に追加

前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 - 特許庁

This gas detector 1 is equipped with a gas container 3 for containing a detected gas, a light source 5 for emitting divergent light into the container 3, a light diffusion surface 11 formed on an inner wall surface of the container 3 to diffuse the divergent light, and a photoreceptor 9 for receiving light from the container 3 concurrent with the launch of the divergent light.例文帳に追加

ガス検出装置１は、被検出ガス収容用のガス容器３と、ガス容器３に発散光を入射する光源５と、発散光を拡散するようにガス容器３の内壁面に形成された光拡散面１１と、発散光の入射に伴うガス容器３からの光を受光する受光器９とを備えている。 - 特許庁

A diffusion sheet 40, a transmission type liquid crystal panel 30, and a prism sheet 20 are fitted in a window part C1 provided on an external wall part B, and a lamp 10 is so arranged that the illumination ratio found from the ratio of the minimum illumination to the maximum illumination on the back surface of the prism sheet 20 is 0.2 to 0.7.例文帳に追加

外壁部Ｂに設けられた窓部Ｃ１に拡散シート４０、透過型液晶パネル３０およびプリズムシート２０をはめ込み、このプリズムシート２０の背面上における最大照度に対する最小照度の割合により求まる照度比が０．２以上、かつ０．７以下になるようにランプ１０を配置する。 - 特許庁

To provide a construction method for enclosing a contaminated soil and/or ground water isolating from the surrounding by constructing an impervious wall at a low cost and efficiently even when an impermeable or aquiclude layer is under the considerable depth whereby preventing the diffusion of the contaminant from the contaminated zone to the neighboring non-contaminated zone.例文帳に追加

不透水性または難透水性の地層が相当な深さに存在する場合でも、低コストで効率よく遮水壁を構築して、汚染土壌および／または汚染地下水を周囲から隔離して封じ込めることができ、これにより汚染区域から周辺の非汚染区域へ汚染物質の拡散を防止する。 - 特許庁

The direction of light outgoing from an LED board 66 is turned to the direction of a game board 7 in a first area A in a diffusion sheet 83 by a reflection prism 83c formed in an inner wall face 83a in front thereof and the light is radiated (arrow line 200) toward a game area 31 of the game board 7.例文帳に追加

ＬＥＤ基板６６から出射された光は、拡散シート８３のうち第１の領域Ａでは、その前方内壁面８３ａに形成された反射プリズム８３ｃによって光の方向が遊技盤７の方向に変更され、この光が遊技盤７の遊技領域３１に向けて照射（矢線２００）される。 - 特許庁

Thereafter, impurity is diffused from the surface of the second polysilicon layer 110 into the second polysilicon layer 110 by one time of diffusion treatment and, at the same time, impurity diffused into the second polysilicon layer 110 is diffused further from the side wall of the first polysilicon layer 104a toward the inside of the first polysilicon layer 104a.例文帳に追加

その後、一回の拡散処理によって、第２ポリシリコン層１１０の表面から第２ポリシリコン層１１０内部に不純物を拡散させるとともに、第２ポリシリコン層１１０に拡散された不純物をさらに第１ポリシリコン層１０４ａの側壁から第１ポリシリコン層１０４ａの内部に向かって、拡散させる。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

The cold cathode fluorescent lamp having an inner diameter of 1.2 mm or less is lit with high frequency, and at least one of a lamp current density J [mAmrs/m2] or a lamp tube wall temperature Tw[°C] is adjusted to obtain a diffusion coefficient D of mercury vapor in the lamp axial direction of 10-6 [m2/s] or more.例文帳に追加

内直径が１．２ｍｍ以下の冷陰極蛍光ランプを高周波点灯させるとともに、ランプ軸方向への水銀蒸気の拡散係数Ｄが１０^−６［ｍ^２／ｓ］よりも大となるようにランプ電流密度Ｊ［ｍＡｒｍｓ／ｍ^２］又はランプ管壁温度Ｔ__ｗ［℃］の少なくとも一方を調整するようにする。 - 特許庁

A projection wall having a second side surface opposed to a first side surface is formed on a semiconductor substrate, a single side contact mask having an opening part selectively opening a part of the first side surface of the wall, is formed, then a first impurity layer and a second impurity layer covering the first impurity layer by diffusing impurities having different diffusion degrees into a first side surface exposed to the opening.例文帳に追加

半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a number of micro grooves 1 having an aspect ratio of one or more, forming and heat treating a polysilicon layer 31 doped in high concentration on an inside wall of the groove 1, forming a diffusion layer 32 to be becoming a drain region, forming trenches 101, 102 by removing silicon pillars 4, and filling the trenches 101, 102 by an insulating film 33.例文帳に追加

アスペクト比が１以上の微小な溝１を多数形成し、この溝１内壁に高濃度にドープされたポリシリコン層３１を形成して、熱処理し、ドレイン領域となる拡散層３２を形成し、シリコン柱４を除去することでトレンチ１０１、１０２を形成し、このトレンチ１０１、１０２内を絶縁膜３３で埋める。 - 特許庁

A semiconductor device 100 comprises a silicon substrate 10, a gate electrode 21 formed on the silicon substrate 10 through a gate insulating layer 16, first and second impurity diffusion layers 18 and 20 formed on the silicon substrate 10, and side wall insulating layers 15a and 15b formed on the side surface part of the gate electrode 21.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上にゲート絶縁層１６を介して形成されたゲート電極２１と、シリコン基板１０に形成された第１不純物拡散層１８および第２不純物拡散層２０と、ゲート電極２１の側面部に形成されたサイドウォール絶縁層１５ａ，１５ｂとを含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed.例文帳に追加

銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。 - 特許庁

Contacts 12 can be formed in the interlayer insulating film 10, to connect a diffusion layer 7 with bit lines 32 as intersecting voids 11 by forming a sidewall insulating film 14 on the inner wall of the contacts 12, a short circuit between bit lines 32 through contacts 12 can be eliminated, and parasitic capacitance between word lines can be reduced as well.例文帳に追加

コンタクト１２の内壁に側壁絶縁膜１４を形成することにより、ボイド１１と交差するようにして層間絶縁膜１０に拡散層７とビット線３２とを接続するためのコンタクト１２を形成することを可能とし、ビット線３２間のコンタクト１２を通じての短絡を無くすと共に、ワード線間の寄生容量を減じることができる。 - 特許庁

This steam turbine is provided with a steam turbine wheel chamber having a double structure low pressure wheel chamber to prevent diffusion of thermal energy of high temperature steam, and having the heat insulating plate welded on an outer wall surface of the low pressure inner wheel chamber via material coated by insulating material not to produce insulation destruction at a time of welding by a stud welding gun.例文帳に追加

高温蒸気の熱エネルギーが拡散するのを防止するため、低圧車室を二重構造にし、前記低圧内部車室の外壁面に遮熱板を、スタッド溶接ガンにより溶接する際に絶縁破壊を起さないように絶緑材をコーテングした材料を介して溶接した蒸気タービン車室を備えたた蒸気タービン。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁

The membrane separation apparatus is characterized in that hollow fiber membrane elements 10 plurally arranged are covered by a casing 20, and in that the upper part of a side wall 33 corresponding to a side face part in the arrangement direction of the hollow fiber membrane elements 10 of this casing 20 is provided with an opening part 35 for letting air generated from a diffusion generator 15 to the outside of the casing 20.例文帳に追加

複数配列された中空糸膜エレメント１０はケーシング２０に覆われ、このケーシング２０の中空糸膜エレメント１０の配列方向の側面部に対応する側壁３３の上部に、散気発生装置１５から発生するエアをケーシング２０外へ逃がすための開口部３５が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁