「diffusion wall」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the transistor TrA, the surface of a high-concentration impurity diffusion layer 106 and the bottom of the side wall 105 are positioned to be overlapped with each other when viewed from the main surface direction of the substrate.例文帳に追加

トランジスタＴｒＡにおいて、高濃度不純物拡散層１０６の表面とサイドウォール１０５の底部とは、基板の主面方向から見たときに重なる位置にある。 - 特許庁

A nickel silicide layer 114 is formed on the gate electrode in a silicide formation region A and on the source drain diffusion layer, and the first side wall 108 has resistance to an etching material when the second side wall 109 is etched.例文帳に追加

シリサイド形成領域Ａにおけるゲート電極の上部及びソースドレイン拡散層の上部にはニッケルシリサイド層１１４が形成されており、第１のサイドウォール１０８は、第２のサイドウォール１０９をエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有している。 - 特許庁

To provide a multi-split anode wall plasma generating device capable of preventing the short circuit between a cathode and an anode by the peeling off of deposits adhering to and depositing on an inner wall of the anode by diffusion plasma, and to provide a plasma treating device using the same.例文帳に追加

拡散プラズマにより陽極内壁に付着、堆積した堆積物が剥落して陰極と陽極間を短絡することを防止することができる陽極壁多分割型プラズマ発生装置及びそれを用いたプラズマ処理装置を提供することである。 - 特許庁

The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.例文帳に追加

前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁

An annular stator plenum 104 communicated with the annular cavity 74 is bordered by a front end wall 96 having a conical diffusion hole capable of being made angled in an axial direction and a circumferential direction.例文帳に追加

環状キャビティ７４と連通した環状ステータプレナム１０４は、軸方向および円周方向に角度付け可能な円錐拡散孔を有する前方端壁９６によって境界付けられる。 - 特許庁

The core-tube wall protection tube 15 is only inserted into the core tube 11, so that it can be easily exchanged if it is broken and the productivity of the thermal diffusion furnace 10 is hard to be lowered.例文帳に追加

なお炉心管壁保護管１５は炉心管１１に嵌挿されているだけなので、破損した場合の交換も容易に行え、熱拡散炉１０における生産性を低下させることは無い。 - 特許庁

A flow channel forming material 5b at an air electrode side consists of an expanded metal 50 containing a plurality of meshes 51 communicating between a diffusion layer 23b and a separator 6b and wall parts 52 partitioning between adjacent meshes 51.例文帳に追加

空気極側の流路形成材５ｂは、拡散層２３ｂとセパレータ６ｂとの間を連通する複数のメッシュ５１と、隣り合うメッシュ５１の間を仕切る壁部５２とをもつエキスパンドメタル５０からなる。 - 特許庁

The other conductive type diffusion region is formed at a depth and a concentration aligned with those of the body, on the wall of the trench 3, and both areas are fully depleted under reverse-direction blocking.例文帳に追加

トレンチ３の壁に、もう一方の導電型の拡散領域が、ボディの深さおよび濃度に整合した深さおよび濃度で形成され、逆方向ブロッキング下で両方の領域が完全に空乏化する。 - 特許庁

To provide an inter-layer closing device, preferably closing an inter-layer gap without restrictively connecting a wall panel and a floor material to each other, and surely preventing diffusion of smoke from a lower story to an upper story.例文帳に追加

壁パネルと床材とを拘束的に結合することなく層間隙間を好適に塞ぎ、下層階から上層階への煙の拡散を確実に防止することができる層間塞ぎ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a direct injection internal combustion engine wherein fuel is injected in the latter-half of a compression stroke, and diffusion is stimulated in the root of fuel sprays without utilizing a collision with the wall surface.例文帳に追加

圧縮行程後半にて燃料が噴射される直接噴射式の内燃機関において、燃料噴霧の根元部に対して壁面への衝突を利用することなく拡散を促進すること。 - 特許庁

The stone masonry group called 'Ano-shu Guild,' which had engaged in the construction of Azuchi-jo Castle, later took part in constructing stone walls of castle throughout the country, which contributed to the diffusion of the castle adopting the stone wall nationwide. 例文帳に追加

そして普請を手がけたとの由緒を持つ石垣職人集団、いわゆる「穴太衆」はその後全国的に城の石垣普請に携わり、石垣を使った城は全国に広がっていった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A water level in the hollow part a of the diaphragm wall 1 is set to be higher than the level of ground water in the subject ground b, and emission and diffusion of the contaminating substance around are prevented by use of the differential water level.例文帳に追加

この地中連続壁１の中空部ａ内の水位を対象地盤ｂの地下水位以上となるようにし、水位差を利用して周辺への汚染物質の流出拡散を防止する。 - 特許庁

To provide a method for forming a tungsten bit line, which can suitably reduce a junction leakage current and be made stable in subsequent high- temperature steps, by decreasing a contact resistance and improving diffusion wall characteristics.例文帳に追加

コンタクト抵抗を低減し拡散隔壁特性を向上させて接合漏れ電流を減少させるに適した、高温の後続工程で安定的なタングステンビットラインの形成方法を提供する。 - 特許庁

Since a voice wave is delivered in a form of the beam, the voice can be delivered up to a remote place with sufficient strength without spreading and the articulation is not deteriorated because no echo is formed due to diffusion to a wall face or the like.例文帳に追加

音波がビーム状なので拡散せず遠方まで十分な強度で伝達するとともに、壁面などへ拡散して反響音が形成されることがないため明瞭度が低下することもない。 - 特許庁

With the side wall insulating film and etching stopper film as masks, a conductive impurity D2 is introduced by allowing it to transmit the etching stopper film on the upper layer of the substrate, to form a source/drain diffusion layer 12.例文帳に追加

次に、サイドウォール絶縁膜およびエッチングストッパ膜をマスクとして、基板の上層のエッチングストッパ膜を透過させて導電性不純物Ｄ２を導入し、ソース・ドレイン拡散層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of forming a side wall without producing a dent on the surface of a substrate at the side wall of a gate electrode so as to stabilize the formation positions of diffusion layer regions, such as a source region, a drain region, etc., and to obtain a semiconductor device uniform in element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極側壁の基板表面に掘れを発生させることなくサイドウォールを形成することが可能で、これによりソース／ドレインなどの拡散層領域の形成位置が安定化して素子特性が均一な半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The nitride film is formed from the side wall of the gate electrode on the upper part of the first oxide film to the rear side of the side contacting the side wall of the gate electrode of the first oxide film and all over a low concentration impurity diffusion region 35.例文帳に追加

上記窒化膜は、上記第１の酸化膜の上部における上記ゲート電極の側壁から、上記第１の酸化膜における上記ゲート電極の側壁に接する側面の裏面側、及び上記低濃度の不純物拡散領域３５上にわたって形成される。 - 特許庁

In such the thermal diffusion furnace 10, excessive impurities in a carrier gas are deposited on the inside surface of the core-tube wall protection tube 15 in the vicinity of the furnace port 112, and they are crystallized on the surface of the core-tube wall protection tube 15, so that almost no impurity adheres to the main body of the core tube 11.例文帳に追加

このような熱拡散炉１０では、キャリアガス中の過剰不純物は炉口１１２近傍において炉心管壁保護管１５の内側表面に堆積して炉心管壁保護管１５の表面で結晶化し、炉心管１１の本体にはほとんど不純物が付着しない。 - 特許庁

Before the formation of the gate electrode 7, impurities are added to at least a part of the source region 9 and the drain region 10 by using ion implantation from an inner wall of the trench portion 3, and thereafter heat treatment is performed for diffusion and activation to form a diffusion region from the surface of the trench portion 3 down to a bottom portion thereof.例文帳に追加

ソース領域９とドレイン領域１０の少なくとも一部では、ゲート電極７の形成前にトレンチ部３の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部３の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。 - 特許庁

In this way, collision diffusion of the fuel atomization 8 and diffusion prevention more than necessary can be simultaneously attained, so that combustion can be improved, also a wall surface sticking amount is suppressed, so that oil dilution can be suppressed, further vaporized fuel can be collected to the periphery of the spark plug 1, so that ignitability and combustion stability can be improved.例文帳に追加

これにより、燃料噴霧８の衝突拡散と必要以上の拡散防止とが同時に図れるので燃焼を改善できると共に壁面付着量が抑制されるのでオイル希釈を抑制でき、更に、気化燃料を点火プラグ１の周囲に集められるので、着火性，燃焼安定性を改善することができる。 - 特許庁

A diffusion member 26 which covers at least a gas generator 23 side of an outer periphery surface of the wire 11 and a seal member 30 which seals between the wire 11 and an inner wall surface of the housing 12 are provided in the housing 12.例文帳に追加

ハウジング１２内には、ワイヤ１１の外周面の少なくともガスジェネレータ２３側を覆う拡散部材２６と、ワイヤ１１とハウジング１２の内壁面との間をシールするシール部材３０とが設けられている。 - 特許庁

A diffusion preventive structure (10) of the contaminant in the soil includes the well (16) constructed in the polluted soil (12) and an underground wall (18) having water permeability constructed around the well so as to surround the well.例文帳に追加

土壌中の汚染物質の拡散防止構造（１０）は、汚染された土壌（１２）中に構築された井戸（１６）と、井戸の周囲にこれを取り囲むように構築された透水性を有する地中壁（１８）とを含む。 - 特許庁

To provide a sound insulating wall panel having the effect on noise prevention or noise diffusion, at the same time, having no possibility of causing small piece peeling trouble or the like and capable of being easily set even if a mounting place is high.例文帳に追加

騒音の防止ないしはその拡散に効果があると共に、小片の剥落事故等の生じるおそれがなく、しかも取付場所が高所であっても容易に設置できる防音壁用パネルを提供する。 - 特許庁

To provide a combustion control device that can reduce unburned HC caused by adhesion of fuel to the bore wall of a cylinder and unburned HC/CO caused by excessive diffusion of the fuel in premixed compression ignition combustion.例文帳に追加

予混合圧縮着火燃焼において、シリンダのボア壁への燃料の付着による未燃ＨＣと燃料の過拡散による未燃ＨＣ・ＣＯとを低減することができる燃焼制御装置を提供する。 - 特許庁

The respective weir like seals 9 are composed of elastic bodies adhered to a wall face and the bottom face of the level difference 5, have shapes that the gap flow passage 8 is closed and that they are partly overlapped with the gas diffusion layer 3, and have shapes that height dimensions gradually become lower as the seals go separated from the wall face of the level difference 5.例文帳に追加

各堰状シール９は段差５の壁面および底面に接着された弾性体よりなり、隙間流路８を閉塞するとともに一部をもってガス拡散層３と重ね合わされる形状を有し、かつ高さ寸法が段差５の壁面から離れるにしたがって徐々に低くなる形状を有する。 - 特許庁

A shielding plate, provided with through-holes corresponding to positions where a plurality of partition walls of a conductive partition wall plate exist through-holes and holes corresponding to positions where diffusion holes of the shielding plate through-holes exist, respectively, is arranged separably and contactably to the partition wall on the side of the film formation and treating space.例文帳に追加

導電性隔壁板の複数の隔壁板貫通孔が存在している位置に対応して遮蔽板貫通孔、拡散孔が存在している位置に対応して空孔をそれぞれ備えている遮蔽板を、隔壁板に対して離接可能に成膜処理空間側に配置し、遮蔽板を隔壁板に密着させる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an embedded conductive film 12A formed of a conductor including impurity embedded in a channel part formed to a semiconductor substrate 10, and a bit line 12 formed of a first diffusion layer 12B formed in the regions in both sides of the channel part and a second diffusion layer 12C formed at the side wall and the bottom surface of the channel part.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された溝部に埋め込まれた不純物を含む導電体からなる埋め込み導電膜１２Ａと、溝部の両側方の領域に形成された第１の拡散層１２Ｂと、溝部の側壁及び底面に形成された第２の拡散層１２Ｃとからなるビット線１２を備えている。 - 特許庁

The illuminating device is equipped with a light source, a housing to house the light source the inner wall of which is covered with a diffusion reflection layer, an optical collimator which collimates the light emitted from the light source and reflected on the diffusion reflection layer to produce a collimated light, and a directivity control member to control the directivity of the collimated light emitted from the optical collimator.例文帳に追加

光源と、光源を収容する、内壁面が拡散反射層で覆われたハウジングと、光源から射出された光および拡散反射層で反射された光をコリメート光にする光コリメータと、光コリメータから射出されたコリメート光の指向性を規制する指向性規制部材とを有するにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

An organic film that does not include oxygen is used for an interlayer insulating film 11 as a diffusion barrier, and a Cu wiring 12 is surrounded directly by this interlayer insulating film 11, and a barrier metal is not used at least on the side wall of the Cu wiring 12.例文帳に追加

酸素を有しない有機膜を、拡散バリアとして層間絶縁膜11に用い、この層間絶縁膜11でCu配線12を直接囲む構造とし、バリア金属は少なくともCu配線12の側壁に用いない構造とする。 - 特許庁

A frame 52 with a window frame shape building in a plurality of LEDs (light emitting diodes) 53 on an inner periphery is attached on a wall face W of the bathroom, and a diffuser sheet 56 for light diffusion is arranged on an inner bathroom side of the frame 52.例文帳に追加

内周に複数のＬＥＤ（発光ダイオード）５３を組み込んだ窓枠状の枠体５２を浴室の壁面Ｗに取り付けて、前記枠体５２の浴室内側に光拡散用の拡散板体５６を配設したことである。 - 特許庁

In the fuel cell, since a diffusion layer is equipped with an easily elastic site in which elastic deformation is easier than in other site in a corresponding site of a flow passage wall of a separator, the dimensional change in the laminating direction of the cell can be absorbed.例文帳に追加

燃料電池において、拡散層が、セパレータの流路壁の対応部位に他の部位よりも弾性変形が容易な易弾性部位を備えることにより、セルの積層方向の寸法変化を吸収することができる。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

After a source/drain diffusion layer 8, a first side wall oxide film 9 and a third polycrystalline silicon film 10 which becomes a contact pad are formed; a silicon oxide film is removed by dry etching by using photoresist where an opening is formed in a memory peripheral region alone.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層８、第１の側壁酸化膜９、コンタクトパッドとなる第３の多結晶シリコン膜１０を形成後、メモリ周辺領域のみを開口したフォトレジストをマスクにしてドライエッチによりシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

The wall part 38 for diffusion is provided in a rear end opening 42 of the waveguide 36 and extends so as to pass portions of the first and second light emitting elements 32A and 32B when viewing the waveguide 36 from a front end opening 44.例文帳に追加

拡散用壁部３８は、導光路３６の後端開口４２に設けられ導光路３６を前端開口４４から見て第１の発光素子３２Ａの部分と第２の発光素子３２Ｂの部分とを通るように延在している。 - 特許庁

To provide an ultrasonic inspection method which can select a few inspection refraction angles, made to correspond to a wall thickness of a material to be inspected, the degree of diffusion of an ultrasonic beam or the like, and by which a calibration work is easily carried out.例文帳に追加

被検査材の肉厚、超音波ビーム拡散の程度等に対応させて、少数の探傷屈折角度を選定することができる超音波探傷方法及び校正作業が容易である超音波探傷方法を提供する。 - 特許庁

The fuel gas discharged from the gas discharge hole 59 flows to a concave surface 104 formed on the diffusion guide 102 and is diffused radially along the concave surface, and part of the gas having passed through an opening 106 and the concave surface 104 flows to the wall surface of the upper frame 22R and is straightened, and further is diffused along the wall surface to be discharged to the outside air radially.例文帳に追加

ガス放出口５９から放出された燃料ガスは、拡散ガイド１０２の凹面部１０４に当たりこれに沿って放射状に拡散されるとともに、開口部１０６を通じ凹面部１０４を通り抜けた一部のガスがアッパフレーム２２Ｒの壁面に当たって整流され、さらに壁面に沿って拡散されて放射状に外気に放出される。 - 特許庁

To provide a vibrationproof support structure of a sound insulation wall which has a simple structure and prevents propagation of noise from a structure housing a noise and vibration source in it to the outside and which can be retrofitted and further, prevents the secondary noise radiation of the sound insulation wall itself to restrict diffusion of noise to the outside.例文帳に追加

内部に騒音及び振動の発生源を収容する構築物８において、その構築物８から外部への騒音を防止する防音壁１の防振支持構造を、簡単な構造で、後付工事をも可能とし、且つ、防音壁１自身の二次的な騒音放射を防止して、外部に対する騒音の放散を抑制できるようにする。 - 特許庁

Next, the diffusion layer base material 70 is put under a heating treatment (step S230) to be foamed, and is transformed into a metal porous body made of foamed metal, and at the same time, the metal porous body is jointed with the flow channel wall members 60.例文帳に追加

次に、拡散層基材７０に対して加熱処理を施し（ステップＳ２３０）、拡散層基材７０を発泡させて、発泡金属からなる金属多孔体に変成させるとともに、金属多孔体と流路壁部材６０とを接合する。 - 特許庁

A boundary wall 65 is formed at a boundary part between the isotropic layer 63 and the anisotropic layer 64 to prevent diffusion of a monomer or radical from the respective areas to the adjacent other areas during formation of the phase difference layer 61.例文帳に追加

そして、等方層６３と異方層６４との境界部分には、位相差層６１を形成する際、それぞれの領域から隣接する他の領域にモノマーやラジカルの拡散が進行することを防ぐ境界壁６５が形成されている。 - 特許庁

The P-type impurity regions 9 are diffused by a thermal treatment carried out in an after process, an element isolating P-type impurity region 9a obtained by diffusion is diffused up to a point just under the side wall oxide film 7 at most, so that a channel is hardly narrowed.例文帳に追加

このＰ型不純物領域９は、後工程の熱処理により拡散するが、得られた素子分離用Ｐ型不純物領域９ａは高々サイドウォール酸化膜７の直下まで拡散するにすぎず、チャネル幅が狭くなるようなことはない。 - 特許庁

To enhance photovoltaic conversion efficiency furthermore by decreasing the number of defects on the surfaces of an element (light receiving surface and back surface) while sustaining the carrier repelling effect of an energy barrier wall being formed by a diffusion layer thereby reducing surface recombination loss.例文帳に追加

拡散層により形成されるエネルギー障壁によるキャリア追い返し効果を維持しつつ、素子表面（受光面及び裏面）の欠陥数を減少させることで、表面再結合損失を低減して光電変換効率の更なる向上を図る。 - 特許庁

The gas diffusion layer has a gas flow way which uses an electrolyte film side as its bottom, and a property of a carbon fiber which constitutes the bottom of the above gas flow way differs from the property of the carbon fiber which constitutes the side wall and/or the ceiling face of the gas flow way.例文帳に追加

ガス拡散層は、電解質膜側を底面とするガス流路を有し、前記ガス流路の底面を構成するカーボン繊維の性状がガス流路の側壁および／またはガス流路の天面を構成するカーボン繊維のそれと異なっている。 - 特許庁

To prevent penetration of a coating solution into pores of a gas diffusion layer laminated on the surface of a membrane-electrode assembly when the coating solution is poured into a gas manifold included in a fuel cell stack for coating the inner wall of the gas manifold.例文帳に追加

燃料電池スタックが備えるガスマニホールドの内部にコーティング溶液を注入して、ガスマニホールドの内壁にコーティングを施す際に、膜電極接合体の表面に積層されたガス拡散層が有する細孔へのコーティング溶液の浸入を防止する。 - 特許庁

Water is accumulated in a lower part as accumulated water W, and hydrogen flows into a hydrogen exit-side space 23b through a hydrogen running space 27 under a partition wall 25 and flows out to an air passage part 19 communicating with the air exhaust passage 11 via a hydrogen diffusion hole 31.例文帳に追加

水は下部に滞留水Ｗとして溜まり、水素は、隔壁２５の下部の水素流通隙間２７を通って水素出口側空間２３ｂに流れ込み、水素拡散孔３１を経て、空気排出通路１１に連通する空気通路部１９に流出する。 - 特許庁