「electron beam processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In this manufacturing method of a field emission electron gun provided with multiply divided emitter electrodes for emitting electron beams, by removing and processing a tip part 28 of the emitter electrode 21 by irradiating the tip part 28 with a focused ion beam I, a plurality of needle-like parts 30 independent of one another and extending in the emitting direction of the electron beams are formed at the tip part 28.例文帳に追加

電子ビームの出射のための複数分割エミッタ電極を備える電界放出型電子銃の製造方法であって、エミッタ電極（２１）の先端部２８に集束イオンビームＩを照射して先端部２８を除去加工することにより、先端部２８に互いに独立しかつ電子ビームの出射方向に伸長する複数の針状部３０を形成する。 - 特許庁

Thus, a contaminant generated by electron beam radiation to the substrate W is exhausted into an outer space of a processing space 41a together with the argon gas as exhaust gas to prevent the contaminant from being re-adhered to the substrate surface and from being dispersed into the whole of the processing space 41a.例文帳に追加

このため、基板Ｗへの電子ビーム照射によって発生する汚染物質がアルゴンガスと一緒に排気ガスとして処理空間４１ａの外側空間に排気され、基板表面への汚染物質の再付着や処理空間４１ａ全体への汚染物質の拡散が防止される。 - 特許庁

The method for manufacturing a polyimide wiring substrate is constituted by including a reforming step that forms a reformed layer on a polyimide resin, an adsorbing step that allows metal ions to be adsorbed in the reformed layer, and a reducing step that reduces the adsorbed metal ions with a plasma processing or an electron beam radiation processing.例文帳に追加

ポリイミドフィルムに改質層を形成する改質工程；改質層に金属イオンを吸着させる吸着工程；および吸着した金属イオンをプラズマ処理または電子ビーム照射処理により還元させる還元工程；を含んでなるポリイミド配線板の製造方法。 - 特許庁

The halo component in a corrected part of a white defect, re-deposition near a black defect or deposition near a white defect is removed by an electron beam processing device without damages in the corrected part of the white defect or black defect by a mask defect correcting device using ion beams or by a mask defect correcting device using electron beams.例文帳に追加

イオンビームを用いたマスク欠陥修正装置や電子ビームを用いたマスク欠陥修正装置による白欠陥もしくは黒欠陥の修正個所に対して、ダメージのない電子ビーム加工装置で白欠陥修正個所のハロー成分や黒欠陥周辺の再付着もしくは白欠陥周辺の付着を除去する。 - 特許庁

To provide a position compensation device which can follow and compensate a very high speed positional displacement like the vibration of machine or the like and detecting the displacement with very small detection error, and to provide an electron beam processing device using the same.例文帳に追加

機械振動などの高速位置変位に対しても追従して補正が可能であり、かつ、その変位の検出誤差が非常に小さい位置補正装置及びそのような位置補正を用いた電子ビーム加工装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a foamed laminated sheet that can suppress discoloration of a paper-base material by heating and foaming processing while adjusting melt tension by resin-crosslinking a resin layer containing a foaming agent with electron beam irradiation.例文帳に追加

電子線照射によって発泡剤含有樹脂層の樹脂架橋による溶融張力の調整を行いつつ、加熱発泡処理による紙質基材の変色を低減できる発泡積層シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device allowing observation by an electron microscope to be rapidly carried out by correctly detecting a foreign substance in a film without causing LMIS pollution; a sample processing method; and a semiconductor inspection device.例文帳に追加

ＬＭＩＳ汚染を発生させることなく、膜中の異物を正確に検出し電子顕微鏡による観察を迅速に行うことができる荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置を提供する。 - 特許庁

To achieve processing that is quick and reliable by introducing a simple procedure even if a pattern as an object of division is very complicated in form in a complementary dividing process of an electron beam projection exposure mask.例文帳に追加

電子線投影露光用マスクの相補分割処理において、その分割対象となるパターン形状が非常に複雑な場合であっても、簡潔な手順を導入することにより、迅速かつ信頼性の高い処理を実現する。 - 特許庁

The release-accelerating agent is included in the adhesive agent for fixing of a wafer during processing of the semiconductor wafer, and generates gas when receiving an electromagnetic wave or electron beam such as a visible ray, ultraviolet light or X ray to accelerate the release of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハーの加工時にウエハーを固定するための粘着剤に含有され、可視光線、紫外線、エックス線等の電磁波または電子線によってガスを発生し、半導体ウエハーの剥離を促す剥離促進剤。 - 特許庁

The mail processing apparatus is equipped with a feed line 19 for feeding the mail A continuously, a printing apparatus 18 for printing a predetermined code corresponding to the address data of the mail on the mail A and an electron beam irradiator 20 for irradiating the mail A fed along the feed line 19 with an electron beam not only to cure or dry printing ink but also to sterilize the surface of the mail A.例文帳に追加

郵便物Ａを連続して搬送する搬送ライン１９と、郵便物Ａにその宛名情報に対応した所定のコードを印字する印字装置１８と、印字装置１８により印字され、搬送ライン１９を搬送されている郵便物Ａに電子線を照射して印字インキを硬化または乾燥させるとともに郵便物表面の殺菌処理を行う電子線照射装置２０とを具備する。 - 特許庁

To provide a thin sample preparing method which prevents an FIB (focused ion beam) processing from forming any hole and allowing any redeposition to originate in holes when forming a protection film in preparing a thin sample, in order to obtain a good image by using an electron microscope.例文帳に追加

ＦＩＢ加工で薄片試料を作製する際に保護膜形成時に穴が形成されず穴からリデポすることを防ぎ、電子顕微鏡にて良好な像を取得することのできる薄片試料作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Pattern writing by the electron beam lithography system is controlled by single proximity effect control function and fogging effect control function coupled in one data processing step using the same algorithm as that being executed in a standard proximity correction unit.例文帳に追加

電子ビームリソグラフィーシステムによるパターン描画は、標準の近接補正装置で実行される同じアルゴリズムを用いて、１データ処理ステップで、結合した単一の近接効果制御関数及びかぶり効果制御関数によって制御される。 - 特許庁

To provide a technique capable of shortening a processing time when the lattice constant or lattice strain quantity of a crystal is measured and analyzed on the basis of a high-order Laue zone (HOLZ) line appearing in a converged electron beam diffraction (CBED) image.例文帳に追加

収束電子線回折（ＣＢＥＤ）像に現れる高次ラウエゾーン（ＨＯＬＺ）線に基づいて結晶の格子定数又は格子歪み量の測定・解析を行う場合において、処理時間を短縮することができる技術を提供する。 - 特許庁

This sampling apparatus used in preparing samples for transmission electron microscope observation by a focused ion beam processing apparatus includes a probe which can rotate which its shaft being as an axis of rotation and a rotating means for rotating the probe.例文帳に追加

また、集束イオンビーム加工装置による透過電子顕微鏡観察用試料作製に用いるサンプリング装置は、プローブの軸を回転軸とする回転が可能なプローブと、その回転を行うための回転手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by plasma.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁

A slice part, containing a desired observation place 2 due to the transmission electron microscope, is formed by processing the sample 1, and after a thin film is formed on the surface of the sample containing the slice part, the slice part is processed by a converged ion beam and the thin film of a part of the slice part is removed, to obtain the observation sample of the transmission electron microscope.例文帳に追加

試料１を加工することによって、透過型電子顕微鏡による所望の観察箇所２を含む薄片部を形成し、記薄片部を含む試料表面に薄膜を成膜した後に、薄片部に対し集束イオンビームにより加工を施して、薄片部の一部の薄膜を除去し、透過型電子顕微鏡の観察試料とする。 - 特許庁

After ozone gas has been initially charged into a processing space 41a by an ozone gas supply unit 48B while electron beam radiation is being stopped, a circulation fan 49a is operated and the ozone gas is circulated along a circulation route defined by communicating the both ends of a cleaning passage (an air supply and exhaust passage) with the processing space 41a.例文帳に追加

電子ビーム照射を停止している間、オゾンガス供給ユニット４８Ｂにより処理空間４１ａにオゾンガスが初期充填された後に循環ファン４９ａが作動してクリーニング用流路（給排気流路）の両端部を処理空間４１ａに連通してなる循環経路に沿ってオゾンガスが循環する。 - 特許庁

An irradiation axis of an FIB irradiation system 16 is made to almost perpendicularly cross with that of an electron beam irradiation system for STEM observation 5, the sample 7 is arranged on the crossing position, and an FIB cross section processing face is used for a thin film face for STEM observation.例文帳に追加

ＦＩＢ照射系１６の照射軸とＳＴＥＭ観察用電子ビーム照射系５の照射軸をほぼ直交させ、その交差位置に試料７を配置して、試料のＦＩＢ断面加工面をＳＴＥＭ観察用試料の薄膜面にとる。 - 特許庁

To provide: a method of processing a base material for a nano-imprint mold, which is used for accurately detecting the surface position of the base material when drawing a pattern on a resist by means of an electron beam; and a method of manufacturing a nano-imprint mold having a highly accurate irregular pattern.例文帳に追加

電子線でレジストにパターンを描画する際に、基材の表面位置の検出を精度良く行なうためのナノインプリントモールド用基材の処理方法と、高精度の凹凸パターンを備えたナノインプリントモールドを製造するための製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by an acid solution.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層を酸水溶液によって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁

An electron beam fluorescent tube 21 emits white light, and it accepts luminance signals for red, green and blue colors in a time series accompanied with video signals from an image processing circuit 23 in the period of one field of the video signal and emits the white light in each period to a liquid crystal color shutter 22.例文帳に追加

電子線蛍光管21は白色光を照射し、映像信号の１フィールド期間に、画像処理回路23から映像信号に伴なう赤色、緑色および青色用の輝度信号を、時系列に受け各々の期間に白色光を、液晶カラーシャッタ22へ放射する。 - 特許庁

An offset is applied to a focal position on a semiconductor device 28 by changing the diameter of an electron beam irradiated to the semiconductor device 28 by the operation of an objective lens 11 or regulating the height of alternatively the objective lens 11 or a test piece 14 in response to the unevenness generated in the case of processing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を加工する際に生じた凹凸に応じて、対物レンズ11の作用により半導体装置28へ照射する電子線の径を変える、あるいは対物レンズ11や試料台14の高さを調整することで半導体装置28上の焦点位置にオフセットをかける。 - 特許庁

To provide a proximity effect correction method capable of reducing processing time for correction of a proximity effect while maintaining high drawing precision of a drawing pattern in a proximity effect correction method in fine pattern drawing using an electron beam drawing device of high acceleration voltage.例文帳に追加

高加速電圧の電子線描画装置を用いた微細パターン描画における近接効果補正方法において、描画パターンの高い描画精度を維持しながら、近接効果補正のための処理時間を低減させることができる近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sample stage for a focused ion beam processing device, using an easy method for inexpensively making a plane-observed semiconductor thin sample, and to provide a method using the same for making the transmission type electron microscope plane-observed semiconductor thin sample.例文帳に追加

簡易な方法で安価に平面観察用半導体薄片試料を作製することを可能にする集束イオンビーム加工装置の試料ステージおよびこの試料ステージを用いた透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料の作製方法の提供。 - 特許庁

A processing method of a carbon nanostructure includes a step (CNT preparation step) of preparing a carbon nanostructure (for example, a carbon nanotube 1) and a step (irradiation step) of irradiating the carbon nanotube 1 with an energy ray (for example, an electron beam) under the state that vibration is applied to the carbon nanotube 1.例文帳に追加

本発明に従ったカーボンナノ構造体の加工方法は、カーボンナノ構造体（たとえばカーボンナノチューブ１）を準備する工程（ＣＮＴ準備工程）と、当該カーボンナノチューブ１に対して、振動を加えた状態で、エネルギー線（たとえば電子線）を照射する工程（照射工程）とを備える。 - 特許庁

To provide an irradiation device for performing a sterilizing processing by irradiating matters to be irradiated such as powdered, granular, chipped and leaf food (for example, sesame seeds, green powdered tea, cereals, brown seaweed, laver and the like), chemicals, cosmetics, sanitary goods and the like by electron beam.例文帳に追加

粉末状，粒状，チップ状及び葉状の食品（例えば胡椒，抹茶，穀物，茶葉，ワカメ，海苔 等）や薬品、化粧品及び衛生用品等の被照射物に電子線を照射して殺菌等の処理を施すための照射装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

After irradiating an electron ray toward a desired position on a material and forming a mask while passing on the material the gas containing elements used as the materials of the mask, micro-processing is performed to the material so that materials other than the portion covered with the mask may be removed by irradiating an energy beam.例文帳に追加

マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行う。 - 特許庁

An offset is applied to a focal position on a semiconductor device 28 by changing the diameter of an electron beam irradiated to the semiconductor device 28 by the operation of an objective lens 11, or regulating the height of the objective lens 11 or a test piece 14 in response to the unevenness generated in the case of processing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を加工する際に生じた凹凸に応じて、対物レンズ11の作用により半導体装置28へ照射する電子線の径を変える、あるいは対物レンズ11や試料台14の高さを調整することで半導体装置28上の焦点位置にオフセットをかける。 - 特許庁

A correction similar to the correction of irradiated region with respect to the pattern matching processing from the usual secondary ion image or secondary electron image of the ion beam defect correcting device is performed and a defect region 3b which is extracted by the AFM and is subjected to fine adjustment by the conformation of the pattern for alignment is corrected by ion beams 8.例文帳に追加

イオンビーム欠陥修正装置の通常の二次イオン像もしくは二次電子像からのパターンマッチング加工に対する照射領域の補正と同様な補正を行い、AFMで抽出し、位置合わせ用のパターンの合わせ込みで微調整された欠陥領域3bをイオンビーム8で修正する。 - 特許庁

This adhesive sheet for processing semiconductor has antistatic effects and ≤1 s of half-life of a voltage when electrified in the adhesive sheet for processing semiconductor obtained by applying an adhesive layer composed of a base polymer, a radiation polymerizable compound and a radiation polymerizable polymerization initiator on a base material having transparency to ultraviolet ray and/or an electron beam.例文帳に追加

紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有する基材面上にベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤からなる粘着剤層を塗布してなる半導体加工用粘着シートにおいて、帯電防止効果を有し、帯電時の電圧の半減期が１秒以下である半導体加工用粘着シートである。 - 特許庁

A plurality of domains having patterns similar in shapes (similar domains) are extracted from SEM images of low resolutions which are picked up while suppressing the irradiation energy of an electron beam, and an image of one pattern of a high resolution is formed from a plurality of image data on the domains by image restoration processing.例文帳に追加

電子線の照射エネルギーを抑えて撮像した低分解能なＳＥＭ画像から形状が類似するパターンを持つ領域（類似領域）を複数抽出し、複数の前記領域の画像データから画像復元処理により一枚の高分解能な前記パターンの画像を生成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and providing an excellent pattern profile on a substrate boundary face, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like, and to provide a pattern forming method utilizing the positive resist composition.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、エッチング耐性及び解像性に優れ、基板界面において良好なパターン形状を与えるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A method for processing a carbon nano-structure includes a step (CNT preparation step) of preparing a carbon nano-structure (for example, a carbon nanotube 1), and a step (irradiation step) of irradiating the carbon nanotube 1 with an energy ray (for example, an electron beam) under the state that a stress is applied uniaxially to the carbon nanotube 1.例文帳に追加

本発明に従ったカーボンナノ構造体の加工方法は、カーボンナノ構造体（たとえばカーボンナノチューブ１）を準備する工程（ＣＮＴ準備工程）と、当該カーボンナノチューブ１に対して、一軸方向に応力を加えた状態で、エネルギー線（たとえば電子線）を照射する工程（照射工程）とを備える。 - 特許庁

In the method of producing a porous resin sheet for a piezoelectric/pyroelectric element including a charging process where the inside of a bubble is charged by performing electron beam irradiation processing or corona discharge processing on a porous resin sheet, the charging process is performed in a state where a cover layer having a capacitance index X of 0.2 or higher is laminated on one or both surfaces of the porous resin sheet.例文帳に追加

多孔質樹脂シートに電子線照射処理又はコロナ放電処理を施すことにより気泡内部を帯電させる帯電処理工程を含む圧電・焦電素子用多孔質樹脂シートの製造方法であって、下記式にて表わされるキャパシタンス指標Ｘが０．２以上であるカバー層を多孔質樹脂シートの片面又は両面に積層した状態で前記帯電処理工程を行う。 - 特許庁

To provide a substrate, an optical pickup device and an electron beam drawing device, wherein the substrate contributes to reduction in the number of members to achieve a smaller size and cost reduction of an optical pickup device while preventing decrease in productivity, and facilitates three-dimensionally varied processing of a substrate in a sub-micron order for a substrate of an optical element or the like used in the device.例文帳に追加

本発明は、光ピックアップ装置の生産性の低下を防止しながらも、部材点数を低減して装置の小型化並びにコストダウンに寄与でき、それらに用いられる光学素子などの基材に対して、サブミクロンオーダーでの３次元的に変化する基材の加工を可能とした基材、光ピックアップ装置、電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

In the decorative sheet having a surface protective layer 7, which is formed by irradiating a coating film containing an ionizing radiation curable resin with an electron beam, on its outermost surface, (1) the surface protective layer contains resin beads 8 with an average particle size of 1-30 μm and (2) the decorative sheet is subjected to emboss processing on the side of the surface protective layer.例文帳に追加

最表面に電離放射線硬化性樹脂を含む塗膜に対して電子線を照射することにより形成された表面保護層７を有する化粧シートであって、（１）前記表面保護層は、平均粒径１〜３０μｍの樹脂ビーズ８を含み、（２）前記化粧シートは、前記表面保護層側からエンボス加工が施されている化粧シート。 - 特許庁

The substrate processing method includes a film forming step of providing the resist film on the substrate, and an exposure step of performing electron beam lithography for the desired pattern on the resist film on the substrate, and further a ground pattern forming step of forming a conductive ground pattern in a non-drawing region which is not exposed, on the resist film, between the film forming step and exposure step.例文帳に追加

基板処理方法を、基板上にレジスト膜を設ける成膜工程と、前記基板上のレジスト膜に所望パターンの電子線露光を行う露光工程とを備え、さらに、前記成膜工程と露光工程との間に、前記レジスト膜上の前記露光がされない非描画領域に導電性のアースパターンを形成するアース形成工程を設けるよう構成する。 - 特許庁

To obtain a polymer useful as a resist material, or the like, especially the polymer as the resist material suitable for a fine processing using an ArF excimer laser or an electron beam, to provide a method for producing the same, to obtain a resist composition by using the same, and to provide a method for forming a pattern.例文帳に追加

レジスト材料等の構成成分樹脂として有用な有機溶剤への溶解性に優れた重合体、このような重合体の製造方法、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィー、中でも波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマレーザー光、および電子線リソグラフィー等に対して高感度でドライエッチング耐性に優れる好適なレジスト組成物、ならびに、このレジスト組成物を用いた高精度で微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing process of the adhesive tape for processing a semiconductor substrate comprises coating an adhesive agent containing a base resin, a radiation-polymerizable resin, a radiation polymerization initiator and a crosslinking agent on the surface of a film substrate which has a functional group reactive with the adhesive agent and are transparent to ultraviolet and/or electron beam and heat-treating the coated film for 1-14 days at 40-70°C.例文帳に追加

紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有し、粘着剤と反応する官能基を持つフィルム基材面上にベース樹脂、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始剤、及び架橋剤を含む粘着剤を塗布してなる半導体基板加工用粘着テープの製造方法であって、粘着剤を塗布した後に４０〜７０℃の温度で１〜１４日間熱処理する工程を有することを特徴とする半導体基板加工用粘着テープの製造方法。 - 特許庁