「electron beam processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

By the above mechanism, a processing by using an ion beam, and observation of secondary electron image in optional direction through an electron microscope are made possible without taking out a fine piece of sample from the sample stand.例文帳に追加

このような構成によれば、微小試料片を試料台から取り外すことなく、イオンビームによる加工および任意の方向からの二次電子像および電子顕微鏡観察が可能となる。 - 特許庁

The electronic beam drawing device 1 has: a data generation circuit 43 for generating control data to control an electron beam optical system 200 based on drawing data; and a data processing circuit 45 for processing control data for outputting.例文帳に追加

電子ビーム描画装置１は、描画データに基づいて電子ビーム光学系２００を制御するための制御データを発生させるデータ発生回路４３と、制御データを処理して出力するデータ処理回路４５とを備えている。 - 特許庁

An SEM image is then generated using the third-order electron, and the SEM image allows for an observation of a condition of the processing by an ion beam.例文帳に追加

そして、この三次電子を用いてSEM像を生成し、そのSEM像によって、イオンビームによる加工の状態を観察することが可能なようになっている。 - 特許庁

Before starting electron beam irradiation processing, a coating part at the tip of the wire A is peeled, and an exposed core wire is electrically connected to the shaft 92.例文帳に追加

電子線照射処理を開始する前に、電線Ａの先端における被覆部を剥がし、露わになった芯線を、シャフト９２に電気的に接続している。 - 特許庁

To provide an ion beam processing device capable of obtaining a large neutralized electron by capturing a large number of ions in a neutralizingcontainer.例文帳に追加

本発明の目的は中和器内で多くのイオンを捕集し大きな中和電子を得ることができるイオンビーム処理装置を提供することにある。 - 特許庁

The electron beam source 3 is arranged so as to face the target 5, and activated particulates having the substantially uniform diameter are generated by performing ablation processing to the target 5.例文帳に追加

電子ビーム源３は、ターゲット５を臨むように配置され、ターゲット５をアブレーションすることにより、ほぼ均一な粒径の活性化された微粒子を発生させる。 - 特許庁

To provide an optical channel system for an optical fiber included in an ion/electron beam tool for imaging or processing an integrated circuit, or for executing both.例文帳に追加

集積回路の撮像または処理あるいはその両方を行うためにイオン／電子ビーム・ツール内に含まれる光ファイバ・ベースの光チャネル・システムを提供する。 - 特許庁

To allow a sample stage to operate with good operability without any erroneous operations in a composite charged-particle processing and observation apparatus having a focused ion beam lens tube and an electron beam lens tube that are arranged orthogonal to each other.例文帳に追加

それぞれ直交に配置された集束イオンビーム鏡筒と電子ビーム鏡筒を有する複合荷電粒子加工観察装置において、試料ステージを、誤操作なく操作性の良い動作をさせる。 - 特許庁

To control a substrate processing state in real time by imparting versatility easily coping in the case of different using conditions, and by changing an electron beam distribution during beam irradiation.例文帳に追加

使用条件が異なる場合に容易に対応できる汎用性をもたせると共に、ビーム照射中に電子ビームの分布を変更することにより、リアルタイムに基板の処理状態を制御可能にする。 - 特許庁

A drawing pattern is divided in a data conversion processing circuit 14 based on drawing data, a cross sectional contour of electron beam is formed rectangular in accordance with a drawing pattern after division and the formed rectangular electron beam is projected to a desired position of a drawing material.例文帳に追加

描画データに基づいてデータ変換処理回路１４において描画パターンを分割し、電子ビームの断面形状を分割後の描画図形に応じて矩形に成形し、成形された矩形状の電子ビームを被描画材料の所望位置に投射する。 - 特許庁

A thinner diameter of the electron emission section 48 is achieved so that the thinner diameter of the electron beam emitted from the electron emission section 48 can be carried out without applying complicated processing on the projection section 56 by preparing the fine projection section 56 conveyed by a micro manipulation.例文帳に追加

また、マイクロマニピュレーションによって搬送した微細な突起部５６を設けることで、突起部５６自体に複雑な加工を施すことなく電子放出部４８の細径化を実現できるため、電子放出部４８から放出される電子線の細径化が図られる。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography method requiring no processing of mask blanks with other apparatus, securing a stable conductivity when grounding the mask blanks, and capable of solving the problem due to contaminations caused on the mask blanks when grounded, and to provide an electron beam lithography apparatus and a photomask.例文帳に追加

マスクブランクスを別の装置で処理する必要がなく、マスクブランクスの接地時に安定した導通を確保しつつ、接地時に発生するマスクブランクス上の異物による問題を解消することができる電子線描画方法、電子線描画装置及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide acceleration electrode structure, which prevents adhering of an insulating substance to an acceleration electrode when processing a high temperature insulation substance, and stabilizes acceleration of an electron beam for a long time, in electron beam excitation plasma generating equipment, which has the acceleration electrode installed in a process room.例文帳に追加

プロセス室内に加速電極を設置した電子ビーム励起プラズマ発生装置において、高温絶縁性物質の処理を行うときに加速電極に絶縁性物質が付着することを防ぎ電子ビームの加速を長時間安定化する加速電極構造を提供する。 - 特許庁

A detected electron from a sample 12, in which a beam spot is irradiated by an electronic beam EB, is detected by a detector 13, and detected data from the detector 13 are fed to an operation processing portion 23 as contrast data.例文帳に追加

電子ビームＥＢによるビームスポットが照射された試料１２からの被検出電子を検出器１３により検出し、検出器１３からの検出データをコントラストデータとして演算処理部２３に送る。 - 特許庁

At a signal processing part 6, a deflection angle control signal is applied to the electron scan device 2 according to the measured distance value and the deflection angle of laser beam, for scanning the proximity of object's outline.例文帳に追加

信号処理部６では測距値とレーザ光の偏向角に応じて偏向角制御信号を電子スキャン装置２に与えて、被測定物の外形近傍をスキャンする。 - 特許庁

To provide a sterilization electron beam irradiation apparatus for a sheet material which can excellently maintain the decompression state of an irradiation processing room and can be fabricated economically by being downsized.例文帳に追加

照射処理室の減圧状態を良好に維持でき、小型化して経済的に製作できるシート材料の殺菌用電子線照射装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam length measuring device and method that appropriately prevent contamination of a measurement object and shorten the period taken for a length measurement processing.例文帳に追加

測定対象の汚染を適切に防ぐことができ、また、測長処理にかかる時間を短縮することができる電子ビーム測長装置及び測長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for electron beam exposure, etc., by which IT equipment can be made to operate at a higher speed, and to perform higher- degree processing and which is a basic technology for manufacturing semiconductor devices.例文帳に追加

IT機器のより一層の高速化、高度処理化を実現することができ、半導体デバイスを作るための基礎技術である電子線露光方法等を提供する。 - 特許庁

In the method for reducing the fogging effect in an electron beam lithography system, exposure is controlled in order to obtain a pattern matched to design data after processing.例文帳に追加

本発明は、電子ビームリソグラフィーシステムにおけるかぶり効果を減少させる方法に関し、設計データに一致する処理後のパターンを得るために露光が制御される。 - 特許庁

To provide a simulation method for fine processing shapes for obtaining the information on the resolution, sectional shapes, etc., of a resist of a photomask manufacturing process which execute electron beam exposure.例文帳に追加

電子線露光を行うフォトマスク作製プロセスの、レジストの解像性、断面形状等の情報を得るための微細加工形状のシミュレーション方法を提供する。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system 31 and an electron beam optical system 41 in an identical vacuum device, and a probe 72 that separates a minute sample containing a desired area of the wafer 21 by a charged particle beam type molding process and takes out the separated minute sample.例文帳に追加

同一真空装置に集束イオンビーム光学系３１と電子ビーム光学系４１を備え、ウェーハ２１の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブ７２を備えた。 - 特許庁

To attain an efficient production of a transfer mask for charged corpuscular rays including electron beams, a transfer mask for X-rays and a transfer mask for extreme ultraviolet rays by means of an existing device such as an electron beam drawing device for photomasks with improved accuracy in processing mask patterns.例文帳に追加

電子線等の荷電粒子線転写マスク、Ｘ線転写マスク、極端紫外線転写マスクを既存の例えばフォトマスク用電子線描画装置を用いて効率良く、かつ、マスクパターンの加工精度を改善して作製する。 - 特許庁

To provide an electron beam device capable of appropriately processing stereo scopic detection data obtained from an electron microscope, three-dimensionally observing an image of a sample correctly and highly precisely, and measuring the three dimensional shape of the sample based on the observation.例文帳に追加

電子顕微鏡から得られたステレオの検出データを適切に処理して、試料像を正確に精度よく立体観察可能とし、かつこれに基づき三次元形状計測を行うことができる電子線装置を提供する。 - 特許庁

The sample processing and observing method includes: irradiating a sample 5 with a focused ion beam 3 to form an observed surface; irradiating the observed surface with an electron beam 4 to form an observed image; removing the surface opposite to the observed surface of the sample 5 to form a lamella 5t including the observed surface; and obtaining a transmission electron image of the lamella 5t.例文帳に追加

集束イオンビーム３を試料５に照射し観察面を形成し、電子ビーム４を観察面に照射し、観察像を形成し、試料５の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部５ｔを形成し、薄片部５ｔの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 - 特許庁

A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1.例文帳に追加

電子ビームＢ２によって測定面Ｓ１を走査し、測定面Ｓ１内の各ピクセルに関して、検出部６による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部９によるデータＤ１の解析を行うことにより、測定面Ｓ１に関する結晶方位の二次元分布データＫ１が得られる。 - 特許庁

According to the method, when the open containers 1 each having the neck portion are sequentially transferred by a rotary transfer body 11, electron beams EB are emitted from an electron beam irradiation means 40 to irradiate the open containers 1 which are transferred in a negatively pressurized atmosphere, thereby carrying out sterilizing processing.例文帳に追加

回転搬送体１１によって、首部を有する開口容器１を連続搬送する際、減圧雰囲気内で搬送中の開口容器１に対して、電子線照射手段４０から電子線ＥＢを照射して滅菌処理を実施する。 - 特許庁

This defect inspection device 100 includes a stage 3 for supporting the semiconductor substrate 2, an electron beam irradiation part 7, a CL detector 14, an X-ray detector 19 and a data processing part 22.例文帳に追加

欠陥検査装置１００は、半導体基板２を支持するステージ３と、電子線照射部７と、ＣＬ検出器１４と、Ｘ線検出器１９と、データ処理部２２とを備える。 - 特許庁

A size comparison circuit is added to prevent a target video captured once by a radar signal processing part from being re-displayed, by remaining up to the electron beam scanning time of the same position.例文帳に追加

また、大小比較回路を付加することによりレーダ信号処理部で一度捕らえた目標ビデオが、再び同一位置の電子ビーム走査時まで残存表示されることを防止した。 - 特許庁

An irradiation processing chamber provided with an electron beam irradiating means 12 is installed in a carrier path for carrying the sheet material 1, and an exhaustion system 17 having a decompression means for making the inside in the decompression state is connected to the irradiation processing chamber 10.例文帳に追加

シート材料１を搬送する搬送路に、電子線照射手段１２を備える照射処理室を設置し、照射処理室１０には内部を減圧状態にする減圧手段を有する排気系統１７を連結している。 - 特許庁

To provide a safe, low-cost, small-sized, thin, lightweight and simple electron beam radiation device capable of uniform and sure processing with high processing efficiency, having a simple conception, requiring only a small power consumption, and dispensing with special notification.例文帳に追加

処理効率が高く、処理を均一に確実にできるとともに、安全で低コスト、構想が簡単で小型・薄型・軽量、低消費電力、特別な届出などが不要で、簡便な電子線放射装置を提供することにある。 - 特許庁

A noncontact temperature measuring device 1 measures the temperature distribution of a sample stand and comprises: a sample base 10 placed on the sample stand 20, an electron beam source 2 for applying electron beams; a secondary electron detector 3 detecting secondary electrons induced by the irradiation of electron beams; and a temperature measurement section (signal processing section 7) for measuring temperature distribution, based on the induced secondary electrons.例文帳に追加

非接触温度測定装置１は、試料台の温度分布を測定する装置であり、試料台上２０に載置される試料ベース１０と、電子線を照射する電子線源２と、電子線照射によって誘起される二次電子を検出する二次電子検出器３と、検出した二次電子に基づいて温度分布を測定する温度測定部（信号処理部７）とを備える。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of improving the performance in minute processing of a semiconductor element using an electron beam, an X ray, a KrF excimer laser beam, or an ArF excimer laser beam, excellent in terms of sensitivity, resolution, focal margin (DOF) performance, LWR, reduction of blur, and reduction of pattern surface roughness; and to provide a pattern-forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上であり、感度、解像力、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）性能、ＬＷＲ、裾引き低減、パターン表面荒れの低減に優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To realize an electron beam drawing apparatus which can calculate an optimal moving speed of a test piece table without invalid drawing, and optimally control the speed of the test piece to shorten the drawing processing time.例文帳に追加

空描画を行なうことなく試料台の最適な移動速度を算出し試料台速度を最適制御が可能で描画処理時間を短縮可能な電子ビーム描画装置を実現する。 - 特許庁

In formating the uneveness, the silica performed with surface processing of a radiation-curable resin is dispersed, a solution thereof having a viscosity appropriately adjusted by a solvent is applied onto the film, and ultraviolet rays, an electron beam or the like is radiated to cure it.例文帳に追加

形成する際は、放射線硬化型樹脂の表面処理されたシリカを分散し、溶剤にて適宜粘度調整したものをフィルムに塗布し、紫外線、電子線などを照射して硬化させる。 - 特許庁

To provide an exposure method for a dummy chip which substantially shortens a processing time needed for exposing an unnecessary chip to light, and makes unnecessary the development of electron beam exposure data or a reticle for exposing the unnecessary chip to light.例文帳に追加

ダミーチップ露光方法に関し、不要チップへの露光に要する処理時間を大幅に短縮するとともに、不要チップ露光のための電子ビーム露光データ或いはレチクルの開発を不要にする。 - 特許庁

In a multi-column electron beam exposure device performing exposure processing by arranging a plurality of column cells in parallel on one wafer, relation between the exposure amount of each column cell and the linewidth is determined (steps S41, S44).例文帳に追加

一つのウェハ上に複数のコラムセルを配置して並列して露光処理を行うマルチコラム型の電子ビーム露光装置において、各コラムセルの露光量と線幅の関係を求める（ステップＳ４１、Ｓ４４）。 - 特許庁

To provide a data creation method for an electron beam projection photolithography machine that reduces a processing time by reducing a data capacity, and improves the physical strength of a mask.例文帳に追加

データ容量を小さくして処理時間の短縮化を図るとともに、マスクの物理的強度を向上させることのできる電子ビーム投影露光装置用のデータ作成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for an electron beam, an X-ray or EUV light simultaneously satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, and good line-edge roughness in solving problems associated with performance improving techniques in micro processing of a semiconductor element using the electron beam, the X-ray or the EUV light, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The electron beam device is provided with a primary optical system 10 scanning a sample by focusing a plurality of primary electron beams, a secondary optical system 30 introducing a plurality of secondary electrons emitted from the sample by the first electron beams to each detector 41, and a detection system 40 performing image processing of a plurality of detection signals outputted from each detector.例文帳に追加

複数の一次電子線を集束して試料上を走査する一次光学系１０、一次電子線により試料から放出された複数の二次電子を各検出器４１に導入する二次光学系３０及び各検出器から出力される複数の検出信号を画像処理する検出系４０を備えている。 - 特許庁

The micro testpiece processing and observation device are equipped with a focused ion beam optical system and an electron optical system in an identical vacuum device, and separate a micro testpiece including the desired region of the testpiece by a charged particle beam forming process, and have a probe for sampling the micro testpiece separated.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

To provide a sample image observation method, an image processing device, and a charged particle beam device suitable for selecting an image region to be acquired by the charged particle beam device represented by an electron microscope based on an image obtained by an optical microscope.例文帳に追加

本発明は、光学顕微鏡によって取得された像に基づいて、電子顕微鏡に代表される荷電粒子線装置にて取得すべき画像領域を選択するのに好適な試料像観察方法，画像処理装置、及び荷電粒子線装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, as well as a probe 72 separating a minute sample including a desired region of the sample by a charged particle beam molding work and picking up the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

In the micro testpiece processing and observation device, a focused ion beam optical system and an electron optical system are equipped in an identical vacuum device, and a micro testpiece including the desired region of the testpiece is separated by a charged particle beam forming process, and a probe for sampling the micro testpiece separated is equipped.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

This apparatus is provided with a focused ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, and provided with a probe separating a minute sample including the desired area of the sample by charged particle beam molding processing and picking up the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

In ion beam processing using ion beams 3 for processing an optical element material 5, a current density measuring means 6 having an opening member formed of an insulating material is first irradiated with the ion beams 3 and electron beams 8 to measure the current density distribution of the ion beams 3.例文帳に追加

イオンビーム３によって光学素子材料５を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段６に、イオンビーム３と電子ビーム８を照射してイオンビーム３の電流密度分布を測定する。 - 特許庁