「element value」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

When the photometric element 21 is used to conduct photometry, and after that the obtained luminance information is corrected, on the basis of the photometry correction value and an exposure condition is set on the basis of the luminance information after the correction.例文帳に追加

以後、測光素子２１を使用して測光を行うときは、得られる輝度情報を、先の測光補正値に基づいて補正し、この補正後の輝度情報に基づいて露出条件を設定する。 - 特許庁

The temperature adjustment valve 7 to the inside of which a temperature sensitive element such as a bimetal or a liquid-sealed bellows is attached, is automatically opened when the temperature of a flowing-in condensed water drops to a predetermined value.例文帳に追加

温度調整弁７は、内部にバイメタルや液封ベローズ等の感温素子を取り付けたもので、流入する復水の温度が所定値まで低下すると自動的に開弁することができるものである。 - 特許庁

To provide an auxiliary electrode of ≤20 μm in line width which has a small resistance value and will not impair visibility for an element for electrochromic dimming glass, sandwiched in between transparent substrates having transparent conductive films.例文帳に追加

透明導電膜を有する透明基板に挟まれたエレクトロクロミック調光ガラス用素子において、抵抗値が低くかつ視認性を損なわない線幅２０μｍ以下の補助電極を提供する。 - 特許庁

In a second overlapping process S4, the sealing substrate 70 is made to move toward the element forming substrate 20 in order to crush the adhesive 9 after completion of decompression down to the first pressure value.例文帳に追加

第２の重ね合わせ工程Ｓ４は、前記第１の気圧値に減圧完了後に、接着剤９を押しつぶすべく封止基板７０を所定距離分だけ素子形成基板２０側に移動させる。 - 特許庁

When the voltage value V of the output signal of a photosensitive element for receiving the reflecting light reflected from a film becomes the threshold voltage Vth1 or less (S21), transfer of film is stopped as the film is not loaded (S22).例文帳に追加

フィルムの反射光を受光する受光素子の出力信号の電圧値Ｖがしきい値電圧Ｖth1以下になると（Ｓ２１）、フィルムが装着されていないとしてフィルム搬送を停止させる（Ｓ２２）。 - 特許庁

The variable displacement compressor has a restricting structure provided near the valve part of a control valve, whereby the opening area of the valve part is restricted constant when the lift amount of a valve element 18 exceeds a restriction reference value S1.例文帳に追加

可変容量圧縮機においては、制御弁の弁部近傍に設けた規制構造により、弁体１８のリフト量が規制基準値Ｓ１を超えると、弁部の開口面積が一定に規制される。 - 特許庁

The width of the first printed element 1a constituting each of the first printed line parts 1 is almost equal to the total value of the widths of the two second printed elements 2a and 2b constituting each of the second printed line parts 2.例文帳に追加

各第１印刷線部１を構成する第１印刷要素１ａの幅は、各第２印刷線部２を構成する２本の第２印刷要素２ａ、２ｂの幅の合計値に略等しい。 - 特許庁

When a magnetic signal recorded in a magnetic tape 7 is reproduced, the current value of a sense current supplied to the magneto-resistance effect element of the magneto-resistance effect type magnetic head is set larger than I0.例文帳に追加

そして、磁気テープに記録されている磁気信号を再生する際に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子に供給するセンス電流の電流値をＩ_0よりも大きく設定しておく。 - 特許庁

A pulse-width control circuit 4 controls a switching operation of the switching elements Q1, Q2 in a section where the absolute value of an AC-power voltage is not less than a predetermined voltage, and also controls an ON-width of the switching element Q2.例文帳に追加

パルス幅制御回路４は、交流電源電圧の絶対値が所定電圧以上ある区間にはスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のスイッチング動作を制御し、スイッチング素子Ｑ２のオン幅を制限する。 - 特許庁

A change rate limiting ratio β of a starting element fastening pressure command value tPc is retrieved from the α on the basis of an expected map in S4 when the change is caused by the stepping and in S5 when the change is caused by the return operation.例文帳に追加

踏み込みによるものであればＳ4で、戻し操作によるものであればS5で、予定のマップをもとにαから、発進要素締結圧指令値tPcの変化割合制限率βを検索する。 - 特許庁

After the output signal of the heat element type air flow meter is converted to a flow rate value, error at a plus side by the reverse flow is reduced by interposing a delay filter corresponding to the circumstance.例文帳に追加

発熱抵抗体式空気流量計の出力信号を流量値に変換した後、状況に応じた遅延フィルタを介在させることで、逆流によるプラス側の誤差を低減する。 - 特許庁

To obtain a calculated result at high speed without permitting the computer of a requesting side to know a value equivalent to a secret element in a formula when C1 exp.X (mod P) is calculated at the time of decoding an ElGamal cypher.例文帳に追加

ElGamal暗号の復号時のC1^X (mod P)の計算などを行なう場合に、計算式の中の秘密要素に相当する値を依頼先のコンピュータに知られることなく、高速に計算結果を得ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having no problem of optical oozing-out to a GaN substrate and the generation of crack or dislocation of an n-type clad layer while being small in the half-value width of an FFP (Far Field Pattern) in the vertical direction.例文帳に追加

ＧａＮ基板への光滲み出し、及びｎ型クラッド層のクラックや転移の発生の問題なく、垂直方向のＦＦＰ（遠視野像）全半値幅の小さな半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To detect a position, displacement, slippage, flaw, thickness, face deflection, vibration, surface irregularity, revolution value, velocity and the like of an object made up of a nonmagnetic conductor, with high sensitivity by using a sensor composed of a MI (magnetic impedance) element and an exciting coil.例文帳に追加

非磁性導体からなる対象物の位置、変位、ずれ、キズ、厚さ、面ブレ、振動、表面の凹凸、回転数、速度、等をＭＩ素子と励磁コイルで構成したセンサで高感度に検出する。 - 特許庁

At least, one bit-signal-to-noise ratio table is stored in the memory to decide the bit assigning value and the gain magnification concerning each element of the group of transmission sub-channels based on this stored at-least one bit-signal-to-noise ratio table.例文帳に追加

サブチャネルへのビット割当ては、所望のビット・エラー率、特定コード化方式のための信号対雑音比ギャップ、およびゲイン倍率を考慮して計算１８されたルックアップ・テーブル１２を使用する。 - 特許庁

To provide a memory cell which applies a voltage required to change it into a high resistance state or a low resistance state, to a variable resistance element by suitably controlling the resistance value.例文帳に追加

抵抗値を適切に制御することにより、高抵抗状態または低抵抗状態に変化させるのに必要な電圧を可変抵抗素子に印加することの可能なメモリセルを提供する。 - 特許庁

The heating element part 2 has a depth of the fine pore 1c determined to a value of more than three times an inner diameter of the fine pore 1c to be seen as a pseudo-black body, and radiates the infrared ray having a peak wavelength corresponding to a temperature.例文帳に追加

発熱体部２は、微細孔１ｃの深さを微細孔１ｃの内径の３倍以上の値に設定してあって擬似黒体とみなせ、温度に応じたピーク波長の赤外線を放射する。 - 特許庁

When the voltage Vs1 is not less than the second value V2, the first switching element 112 is opened and the DC/DC converter 210 is stopped to apply the voltage of the first battery 1 to the load 4 as it is.例文帳に追加

電圧Ｖｓ１が第２の値Ｖ２以上の場合は、第１スイッチング素子１１２を開きかつＤＣ／ＤＣコンバータ２１０を停止し、第１バッテリー１の電圧をそのまま負荷４に印加する。 - 特許庁

A connection identification part 14 receives the notice, refers to the value of a prescribed information element contained in the message and judges to which connection in user connection or test connection the message belongs.例文帳に追加

コネクション識別部１４が、通知を受け当該メッセージ中に含まれる所定の情報要素の値を参照し、当該メッセージがユーザコネクションと試験用コネクションのいずれに属しているかを判定する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display element has a relative angle between the transmission axis of a polarizing plate 1 and the optical axis of an optical retardation plate 2 adjusted by considering the birefringence value of a liquid crystal layer 4 under voltage application.例文帳に追加

電圧印加時の液晶層４の複屈折の値を加味し、偏光板１の透過軸と位相差板２の光軸の相対的角度を調整した反射型液晶表示素子である。 - 特許庁

Also, the therapy element 311 is switched to the position of different hardness by a hardness switching mechanism 38a on the basis of the detection value of a detection means for detecting the state of the human body abutting part.例文帳に追加

また、施療子３１１ａを、人体当接部の状態を検出する検出手段の検出値に基づいて、硬度切替機構３８ａにより硬度が異なる位置に切り替えるようにした。 - 特許庁

Even when the current consumption of the function block changes in accordance with the operation mode, reference power source voltage to be supplied to the resistance ladder can be made constant by changing the resistance value of the first variable resistance element.例文帳に追加

機能ブロックの消費電流が動作モードに応じて変化するときにも、第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させることで、抵抗ラダーに供給される基準電源電圧を一定にできる。 - 特許庁

To provide a probe card and test device including ther same which enhances a reliability of a measurement value of an electric property, suppressing a spark applied to a semiconductor element when operating a switch.例文帳に追加

スイッチの動作時に半導体素子に印加されうるスパークを低減させ、電気的特性測定値の信頼性を向上させることができるプローブカード及びそれを備えるテスト装置を提供する。 - 特許庁

The OTA is comprised of an I-V converter and current control circuits 1 and 2 which amplify the output current of the I-V converter at an amplification rate proportional to the resistance value of an internal resistive element.例文帳に追加

Ｉ−Ｖ変換器と、内部抵抗素子の抵抗値に比例する増幅率でＩ−Ｖ変換器の出力電流を増幅する電流制御回路１、２とによってＯＴＡを構成する。 - 特許庁

To provide an organic-inorganic composite material having a sufficient transparency and a low coefficient of linear expansion (and a predetermined haze value), and to provide an optical element using the same and a production process thereof.例文帳に追加

十分な透明性と低い線膨張率と（所定のヘイズ値）を有する有機・無機複合材料、それを用いた光学部材、及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor verification device and method for reading a value of a storage element provided in a semiconductor device or a hardware emulator to be verified, at a higher speed than the background art.例文帳に追加

検証対象である半導体デバイスやハードウェアエミュレータが備える記憶素子の値を背景技術よりも高速に読み出すことが可能な半導体検証装置および方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, 15 is used for a value of an element equivalent to a DC component of a quantization matrix instead of 16, and thereby rounding of a maximum error is prevented from occurring even when 8/16 rounding is performed.例文帳に追加

あるいは、量子化マトリックスのＤＣ成分に相当する要素の値を、１６に代えて１５を使用することで、８／１６丸めを行なう場合であっても最大誤差の丸めを起こらないようにする。 - 特許庁

A resistive film (metal thin film 11) that regulates resistance value of a resistor element is arranged at one of conductive film arrangement layers between insulating layers in a laminate structure formed on a substrate such as semiconductor.例文帳に追加

半導体等の基板に形成された積層構造における絶縁層間の導電膜配置階層の１つに、抵抗素子の抵抗値を規定する抵抗膜（金属薄膜１１）が配置されている。 - 特許庁

Then a tag replacement module 110 replaces the selected segmentation tag in the connection configuration element by a purified segmentation tag which is generated as a function of the value of a representative tag and the selected tag.例文帳に追加

その後、タグ置換モジュール１１０は、連結構成要素内の選択されたセグメンテーション・タグを、代表タグ及び選択されたタグの値の関数として生成された浄化済みのセグメンテーション・タグに置換する。 - 特許庁

The optical element comprises a curable resin and inorganic fine particles and the difference in the SP value between the curable resin and the surface of the inorganic fine particles is 0-9.例文帳に追加

硬化性樹脂と無機微粒子を含有する光学素子であって、該硬化性樹脂のＳＰ値と該無機微粒子の表面ＳＰ値の差が０以上９以下であることを特徴とする光学素子。 - 特許庁

The resistance/temperature characteristic of the positive characteristic thermistor 5 is set so that a minimum resistance value temperature is not higher than the highest operating temperature of the LED element 2 and also is close to the highest operating temperature.例文帳に追加

正特性サーミスタ５は、最小抵抗値温度がＬＥＤ素子２の最高使用温度以下で、かつ当該最高使用温度の近傍となるように、抵抗温度特性が設定されている。 - 特許庁

Since the charging speed of a capacitor C1 is reduced when the resistance value of the resistive element R1# is large, the potential level of the node NC when turning on a transistor Q1 becomes lower than the potential level of Vc.例文帳に追加

抵抗素子Ｒ１＃の抵抗値が大きい場合にはコンデンサＣ１を充電する速度が遅くなるので、トランジスタＱ１がオンするタイミングにおいてノードＮＣの電位レベルは、Ｖｃの電位レベルよりも低くなる。 - 特許庁

In a semiconductor device (IC card) 3, a resonance circuit is constituted with a capacitive element 13 that has such characteristics as a capacitance value changes according to changes of ambient temperature and a power receiving antenna coil 11.例文帳に追加

半導体装置（ＩＣカード）３は、周囲温度の変化に応じてキャパシタンス値を変化させる特性を有する容量性素子１３と、受電用アンテナコイル１１とで共振回路を構成する。 - 特許庁

The temperature detection circuit for at least one temperature detection element of which the output value changes in response to temperature comprises a conversion circuit and an adder circuit.例文帳に追加

本発明に係る温度検出回路は、温度に応じて出力値が変化する少なくとも１つの温度検出素子のための温度検出回路であって、変換回路と加算回路とを備える。 - 特許庁

When a storage element of the memory cell array 7 is deteriorated and a threshold value of gate voltage is reduced, data cannot be read out correctly by the determine- verify voltage, the comparison result in the decision circuit 6 is noncoincidence.例文帳に追加

メモリセルアレイ７の記憶素子が劣化し、ゲート電圧の閾値が低下している場合にはディターミンベリファイ電圧では正しくデータを読み出すことができず、判定回路６における比較結果は不一致となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device capable of suppressing variations in resistance value according to the difference of a PCMO crystallinity of a variable resistive element and completely securing a circuit operational margin.例文帳に追加

可変抵抗体のＰＣＭＯ結晶化度の違いによる抵抗値バラツキを抑え、回路動作マージンを十分確保することができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ohmic electrode which has a low contact resistance value and hardly generates peeling from a semiconductor layer, an n-type electrode and a nitride compound semiconductor light emitting element, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

低い接触抵抗値を有し、半導体層からの剥がれが生じにくいオーミック電極とｎ型電極と窒化物系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic sensors 21 and 22 each compare an output voltage of a magnetic resistance element showing a resistance value corresponding to the intensity of magnetic field from the magnet 16 with a reference voltage by a comparator and output the comparison result.例文帳に追加

磁気センサ21，22は、磁石16からの磁界の強さに対応した抵抗値を示す磁気抵抗素子の出力電圧を基準電圧と比較器で比較するとともに比較結果を出力する。 - 特許庁

In a first leak inspection process S4, a predetermined reverse bias voltage is impressed between a positive electrode and a negative electrode after an element formation process A1 for measuring a first leak current value.例文帳に追加

第１のリーク検査工程Ｓ４は、素子形成工程Ｓ１後に、陽極及び陰極からなる両電極間に所定の第１の逆バイアス電圧を印加し、第１の漏れ電流値を計測する。 - 特許庁

The image forming apparatus (a) first carries out the measurement of the quantity of light for all organic electroluminescence elements 63 and calculates a quantity of light correction value ND corresponding to each organic electroluminescence element.例文帳に追加

画像形成装置は、（ａ）まず、全ての有機エレクトロルミネッセンス素子６３について光量計測を行い、各有機エレクトロルミネッセンス素子に対応した光量補正値ＮＤを算出しておく。 - 特許庁

If trouble occurs at a certain output 1 and a current above a set value flows to a resistor 32, a control signal to break the supply of output voltage is outputted to a semiconductor switch element 34.例文帳に追加

ある出力１で障害が発生し、抵抗32に設定値以上の電流が流れると、半導体スイッチ素子34に出力電圧の供給を遮断する制御信号が出力される。 - 特許庁

To provide an infrared imaging apparatus which can reduce fixed pattern noise to a video caused by a temperature variation and also decrease a frequency of NUC processing, and an output value calculating method for an imaging element.例文帳に追加

温度変化による映像への固定パターンノイズを低減するとともに、ＮＵＣ処理の頻度を少なくすることができる赤外撮像装置及び撮像素子の出力値算出方法を提供する。 - 特許庁

To properly control the temperature characteristic of various control parameters operated inside an ECU(electronic control unit) by taking in the output value of a rotational angle detection sensor provided with a noncontact type detection element.例文帳に追加

非接触式の検出素子を備えた回転角度検出センサ及びその出力値を取込んでＥＣＵ（電子制御ユニット）内部で演算される各種制御値の温度特性を適切に調整すること。 - 特許庁

In order to variably set the threshold value in accordance with the voltage of the gate of the power switching element Sw, a reference voltage generating circuit 56 variably sets the voltage to be applied to a comparator 54 in accordance with the gate voltage.例文帳に追加

上記閾値を、パワースイッチング素子Ｓｗのゲートの電圧に応じて可変設定すべく、基準電圧生成回路５６では、コンパレータ５４に印加する電圧をゲート電圧に応じて可変設定する。 - 特許庁

To provide an optical amplifier capable of being used as a wideband light source or a wavelength conversion element by controlling the value of wavelength dispersion and positively utilizing the presence or absence of four-wave mixing.例文帳に追加

波長分散の値を制御することにより４光波混合の有無を積極的に利用し、広帯域な光源や波長変換素子として用いることのできる光増幅装置を提供する。 - 特許庁