「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

An edge based image transfer process includes depositing an etch-masking medium, for example, a nitride on the sidewall of a mesa and removing the mesa so as to leave the sidewall structure.例文帳に追加

エッジ・ベースのイメージ転写プロセスは、メサの側壁上にエッチマスキング媒体を、例えば、窒化物を付着させることと、メサを除去させることを含み、それにより側壁構造が残される。 - 特許庁

To etch a polysilicon gate into which an element which does not generate a volatile compound, for example ytterbium (Yb), is implanted, during conventional reactive-ion etching.例文帳に追加

本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。 - 特許庁

Plasma is generated so as to etch the chrome thin film 22 as chlorine gas as reactive gas, oxygen gas, and saturated hydrocarbon gas are introduced into a vacuum atmosphere.例文帳に追加

本発明のエッチング方法では、反応ガスである塩素ガスと、酸素ガスと、飽和炭化水素ガスとを真空雰囲気に導入しながら、プラズマを発生させてクロム薄膜２２をエッチングする。 - 特許庁

The wafer edge etching method is to etch a semiconductor wafer including a bottom electrode serving as a stage disposed below the semiconductor wafer for supporting the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハ下に配列され、前記半導体ウェーハを支持するステージの役割を行うボトム電極を含む半導体ウェーハのエッジをエッチングするためのウェーハエッジエッチング方法である。 - 特許庁

Microwaves are guided from a waveguide 16 into the ion gun chamber 13 to ionize the mixture gas and to etch the crystalline substrate 11 for the required time found from the above calculation.例文帳に追加

そして、導波管１６よりイオン銃室１３内にマイクロ波を導入し上記混合ガスをイオン化して、結晶基板１１を上記計算で求めた所要時間だけエッチングする。 - 特許庁

Alternatively, the chemical amplified negative resist pattern formed on the surface of the amorphous carbon film is peeled off, by using an alkali solution which will not substantially etch amorphous carbon.例文帳に追加

または、アモルファスカーボン膜表面に形成された化学増幅型ネガレジストパターンを、アモルファスカーボンを実質的にエッチングしないアルカリ溶液を用いて該化学増幅型ネガレジストパターンを剥離する。 - 特許庁

Alternately, a patterned photoresist may be used to allow for an etching process to selectively etch back the thickness of a spacer which was deposited in a single deposition.例文帳に追加

または、単一の被着物（deposition）中に被着されたスペーサーの厚さをエッチングで選択的に削るためのエッチング処理が可能となるように、パターン成形がなされたフォトレジストを用いてもよい。 - 特許庁

To provide an aluminum material for electrolytic capacitor electrodes, which can surely increase a surface area and gives higher capacitance, by generating high-density deep etch pits uniformly.例文帳に追加

深いエッチングピットを高密度かつ均一に発生させて確実に拡面率を高め、静電容量のさらなる増大を図ることができる電解コンデンサ電極用アルミニウム材を提供する。 - 特許庁

By using a liquid agent containing the stable hexavalent iron ion to etch a resin 12, an etched material 13 having excellent adhesion property equivalent to chromic acid etching can be obtained.例文帳に追加

また、この安定した六価鉄イオンを含有する液剤を用いて樹脂１２にエッチングを行うことにより、クロム酸エッチングと同等の密着性の優れたエッチング材１３を得ることができる。 - 特許庁

This method for processing the quartz surface is to cut out a quartz wafer from a quartz block, grind the surface of the quartz wafer, wash the quartz wafer with the acid and then etch the surface of the quartz wafer.例文帳に追加

水晶ブロックから水晶ウェハを切り出し、前記水晶ウェハの表面を研磨し、前記水晶ウェハを酸により洗浄し、前記水晶ウェハの表面をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which manufacturing process can be simplified by employing TaC as a material for a mask used to etch SiC.例文帳に追加

ＴａＣをＳｉＣのエッチングを行なうためのマスクの素材として採用可能とすることにより、製造工程を簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, when starting CMP or etch back in a state where a conductive film is vapor deposited on the whole surface after the contacts 25 are formed, the contacts 25 are etched to the heights of mask layers.例文帳に追加

また、ビットライン用コンタクトを形成し、全面に導電膜を蒸着した状態でCMPまたはエッチバックを進行する時にマスク層の高さまでビットライン用コンタクトを蝕刻する。 - 特許庁

To provide a method to form silicon dioxide films that have an extremely low wet etch rate in HF solution using a thermal CVD process, ALD process or cyclic CVD process.例文帳に追加

熱ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスを用いてＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes: a first step to etch a bulk substrate so as to form at least one floating body pattern; a second step to etch a bulk area beneath the floating body pattern so as to divide the bulk substrate into a substrate area and a floating body area; and a third step to fill an area between the floating body area and the substrate area with an insulating material.例文帳に追加

バルク基板をエッチングして少なくとも一つのフローティングボディーパターンを形成する第１工程と、フローティングボディーパターン下部のバルク領域をエッチングして、バルク基板を基板領域とフローティングボディー領域とに分離する第２工程と、フローティングボディー領域と基板領域との間を絶縁物質で満たす第３工程と、を含む半導体基板の製造方法。 - 特許庁

The apparatus includes: a print roller device of a roll shape around which a blanket is wound; a spray device located around the print roller device for spraying an etch resist solution to the blanket; and a print plate of an engraved shape where a groove of a desired thin film shape and a projected part except the groove are formed, and the etch resist solution has a surfactant inclusive of an ethylene oxide fluorinated polymer material.例文帳に追加

本発明によるブランケットが巻回されたロール状の印刷ローラ装置と、前記印刷ローラ装置の周辺に位置し、前記ブランケットにエッチングレジスト溶液を噴射する噴射装置と、所望の薄膜状の溝と、前記溝を除いた突出部が形成された凹版印刷版とを備え、前記エッチングレジスト溶液は、エチレンオキサイドフルオリネートポリマー系物質を含む界面活性剤と、を含む。 - 特許庁

In the method for evaluating the Ni contamination in the silicon wafer, the silicon wafer is cleaved, the cleaved silicon wafer is heat-treated, selection etching is made to the cleaved surface of the silicon wafer for forming a shallow etch pit (shallow pit), and the Ni contamination in the silicon wafer is evaluated by observing the shallow etch pit formed on the cleaved surface.例文帳に追加

シリコンウエーハのＮｉ汚染を評価する方法であって、前記シリコンウエーハを劈開し、該劈開したシリコンウエーハに熱処理を行った後、シリコンウエーハの劈開面に選択エッチングを行って浅いエッチピット（シャローピット）を形成し、該劈開面に形成された浅いエッチピットを観察することによってシリコンウエーハのＮｉ汚染を評価することを特徴とするシリコンウエーハのＮｉ汚染の評価方法。 - 特許庁

Another method is the one of filling a small recess such as a narrow and deep trench and a small-diameter and deep hole with a copper CVD using a catalyst, and the one of forming a very thin film on an uppermost flat portion so that elimination is performed in preparation for a subsequent step by a dry or wet etch-back or high-temperature plasma etch-back step.例文帳に追加

ここに提示された他の方法は、狭くて深いトレンチと小径で深いホールのような小さな陥没部を触媒を使用した銅ＣＶＤで充填する方法であり、湿式または乾式エッチバックまたは高温プラズマエッチバック工程により後続工程段階に備えて除去されるように扁平な最上部の表面に非常に薄い薄膜を形成する方法である。 - 特許庁

The method of controlling dimensions of structures formed on the substrate using the etching process includes a step 204 of measuring pre-etching dimensions of the respective elements of a patterned etching mask, a step 206 of adjusting the process recipe of the etching process using the results of the pre-etch measurements, and a step 208 of adjusting the process recipe of the etching process, using the patterned etch mask.例文帳に追加

エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の寸法を制御する方法がパターン化されたエッチングマスクのそれぞれの素子のエッチング前の寸法を測定するステップ２０４、前記エッチング前の測定結果を用いてエッチングプロセスのプロセスレシピを調整するステップ２０６及びパターン化されたエッチングマスクを用いてエッチングプロセスを行い、プロセスレシピを調整するステップ２０８を有する。 - 特許庁

A side etch is formed on the channel stopper layer 150 to thereby expose the peripheral part of the poly-Si layer 107 from the channel stopper layer 150, and use this region as contact with an n+Si layer.例文帳に追加

チャネルストッパ層１５０にサイドエッチを形成することによって、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７の周辺部をチャネルストッパ層１５０から露出させ、この領域をｎ＋Ｓｉ層とのコンタクトに用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing perforated metallic foil, by which perforated metallic foil can be manufactured from a metal, particularly, a hard-to-etch or hard-to-plate metal and to provide the perforated metallic foil manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

孔開き金属箔について、特にエッチングやめっきしにくい金属でも製造できる孔開き金属箔の製造方法とこれにより製造された孔開き金属箔を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress missing of a TiN film in an etch-back step after deposition of a tungsten film when a tungsten plug is buried into a connection hole.例文帳に追加

接続孔内にタングステンプラグを埋め込む際、タングステン膜を堆積した後のエッチバック工程でＴｉＮ膜が抜けてしまうことを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method wherein an object film formed on a substrate such as a silicon wafer is patterned into a specified shape by using a masking material high in etch resistance.例文帳に追加

高いエッチング耐性を持ったマスク材を用い、シリコンウェハーなどの基板上に形成した被加工膜を所定の形状にパターニングすることが可能となる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for etching an oxide film which can suitably etch the oxide film on a substrate with a high selectivity ratio and can make vertical via holes in the oxide film.例文帳に追加

基板上の酸化膜を高い選択比で良好にエッチングすることができ、酸化膜に垂直形状のビアホールを形成することができる酸化膜のエッチング方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

An etch pit density at the front surface of the semiconductor substrate 1 existing in the region A just under the pad electrode 2 in vertical is 0 or 3×10^4 /cm^2 or more but 6×10^4 /cm^2 or less.例文帳に追加

パッド電極２の垂直真下の領域Ａに存在する半導体基板１の表面のエッチピット密度が０または３×１０^4／ｃｍ^2以上６×１０^4／ｃｍ^2以下である。 - 特許庁

To provide a fine processing treatment agent and a method for a fine processing treatment using the agent capable of effecting a fine processing treatment on a film stack of a tungsten film and a silicon oxide film through controlling an etch rate.例文帳に追加

タングステン膜及びシリコン酸化膜の積層膜に対して、エッチレートを制御して微細加工処理をすることが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。 - 特許庁

Next, a first resist layer 27 opening on the fuse layer 18T is used as a mask to etch the second passivation film 26 to a midpoint in the thickness direction of a third insulating film on the fuse layer 18T.例文帳に追加

次に、ヒューズ層１８Ｔ上で開口する第１のレジスト層２７をマスクとして、ヒューズ層１８Ｔ上で第２のパッシベーション膜２６から第３の絶縁膜の厚さ方向の途中までをエッチングする。 - 特許庁

Simultaneously with beam illumination of a work piece, a deposition or etch precursor gas is co-injected or premixed with a purification compound and (optionally) a carrier gas prior to injection into a process chamber.例文帳に追加

加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。 - 特許庁

To provide a heater holding superior temperature uniformity on a wafer, while minimizing the possibility of deterioration and breakdown during operation, and exhibiting superior etch-resistance during the lifetime extended in operation.例文帳に追加

操作中の劣化や分解の危険を最小にし、操作において延長された寿命中に優れた耐腐食性を示しつつ、ウェーハ上で良好な温度均一性を保持するヒータを提供する。 - 特許庁

By heating and controlling the temperature of the quartz dome 2A at a high temperature, sticking of a deposit preventing release of oxygen from a wall surface is prevented, and the deposit on the bottom of a hole causing etch-stop is removed with oxygen.例文帳に追加

石英ドーム２Ａの温度を高温に加熱制御することで、壁面からの酸素の放出を妨げるデポ物の付着を妨げ、エッチストップを発生させるホール底のデポ物を酸素により除去する。 - 特許庁

Then the resist pattern 43 is used as a mask to etch the substrate 41 as shown in (d), and the resist film pattern 43 is peeled from the substrate 41 as shown in (e) to obtain a pattern 41a with two surface levels.例文帳に追加

(d)に示すように、レジスト膜パターン４３をマスクとして基板４１をエッチングし、(e)に示すように、基板４１からレジスト膜パターン４３を剥離すると２段形状のパターン４１ａを得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus, such as an etching semiconductor apparatus operable to etch a silicon nitride film, which enables a longer service life of phosphoric acid solution by preventing the reduction in the moisture density, and keeping a boiling power for a longer time.例文帳に追加

水分濃度低下を防ぎ、沸騰力を長く持続させたリン酸水のライフ長期化が可能なシリコン窒化膜をエッチングするエッチング半導体装置などの半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

Then resist is subjected to an etch-back process on the entire surface under conditions of reducing a gap between adjacent lenses so as to transfer the resist pattern to the base lens material to form a lens array 22A having reduced gaps.例文帳に追加

この後、隣接するレンズの間隔を縮小させる条件で全面エッチバック処理を行い、レジストパターンを下地のレンズ材に転写し、ギャップを縮小したレンズアレイ２２Ａを形成する。 - 特許庁

Then, after setting the support substrate 20 on a stage 60, the stage 60 is turned while applying an etchant 55 onto the ground second face 10b of the semiconductor wafer 10 to spin-etch the semiconductor wafer 10.例文帳に追加

次に、支持基板２０をステージ６０に取り付けた後、研削された半導体ウエハ１０の第２の面１０ｂにエッチング液５５を塗布しつつステージ６０を回転させることで、スピンエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a reactive ion etching device capable of facilitating etching in microfabrication on a width of 0.3 μm or smaller without causing etch stop by using magnetic neutral loop discharge.例文帳に追加

本発明の課題は、0.3μｍ幅以下の微細加工においてエッチストップを発生させることなくエッチングできる磁気中性線放電を利用した反応性イオンエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁

At that time, on the surface of an exposure part 4 of the convex part 2 exposed from the resist 5, the gas molecules 6 are dissociated by the radiated propagation lights through a heat insulation process, so as to etch the exposure part 4.例文帳に追加

このとき、凸部２のレジスト５からの露出部４の表面において、照射した伝搬光によりガス分子４を断熱過程を経て解離させることによって露出部４がエッチングされる。 - 特許庁

The device 1 for etching the semiconductor wafer, which supplies an etchant to a surface of the wafer to etch the surface, includes a reaction operation device 20 which operates etching reaction by positions on the wafer surface.例文帳に追加

ウェーハ表面にエッチング液を供給してエッチングを行なう半導体ウェーハのエッチング装置１において、エッチング反応をウェーハ表面の位置ごとに操作する反応操作装置２０を備える。 - 特許庁

In addition, since the sidewall nitride film is formed on the sidewall of the bit line 6 without requiring an etch-back process, the nitride film having a constant film thickness can be formed on the sidewall of the bit line 6 as compared with the SAC structure.例文帳に追加

また、エッチバックを必要とせずに、ビット線６の側壁に窒化膜を形成するため、 ＳＡＣ構造に比べて、ビット線６の側壁に一定の膜厚を有する窒化膜を容易に形成できる。 - 特許庁

To provide an aqueous composition which is used to remove bulk photoresists, post-etch and post-ash residues, residues from Al back-end-process interconnection structures, and contaminants; and a method for using the composition.例文帳に追加

本発明はバルクフォトレジスト、ポストエッチ及びポストアッシュ残渣、Ａｌバックエンド工程相互接続構造からの残渣、並びに混入物を除去するための水系配合物及びそれを使用する方法に関する。 - 特許庁

To etch a silicon nitride film at high speed and to suppress etching of a substrate of silicon nitride while preventing thermal damage to an object to be processed formed by coating the substrate with the silicon nitride film to be etched.例文帳に追加

酸化シリコンの下地材にエッチング対象の窒化シリコン膜が被膜された被処理物の熱損傷を防止しながら、窒化シリコン膜を高速でエッチングし、かつ下地材のエッチングを抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer printed wiring board capable of forming a via of high reliability and sufficiently preventing etch-back and excessive protrusion of glass cloth from the wall surface of a via hole.例文帳に追加

エッチバック現象及びビアホール壁面からのガラスクロスの突出を共に十分に抑制でき、信頼性の高いビアを形成することができる、多層プリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method and apparatus for fabricating the flat panel display element include patterning a thin film of the flat panel display element by utilizing a soft mold formed with a repulsion layer having high repulsive force to an etch-resist on the surface.例文帳に追加

本発明の平板表示素子の製造方法及び装置は、エッチレジストとの反発力が大きい反発層が表面に形成されたソフトモールドを利用して平板表示素子の薄膜をパターニングする。 - 特許庁

The inter-layer insulation film is formed on the aluminum wires, an embedding film is coated on a step difference to fill in the step difference, and etch-back is applied to them by using the reactant gas to expose the upper part of the first layer aluminum wires.例文帳に追加

その上に層間絶縁膜を成膜し、段差部分を埋め込み膜で塗布して段差を埋め、更にそれらを反応ガスを用いてエッチバックし１層目アルミ配線上部を露出させる。 - 特許庁

When the first material film and the small particles are formed of different materials, the first material film and the small particles are etched under conditions that make their etch rate approximately equal.例文帳に追加

ここで、第１の材料膜と微粒子とが異なる材料で構成される場合には、第１の材料膜と微粒子は、両者のエッチング速度が略同一となる条件下でエッチングが行われる。 - 特許庁

In succession, etchant L (high-density hydrofluoric acid water solution) is discharged out near the center of the lower surface of the wafer W for a certain time to etch the thin film Fs for beveling (shown in Fig. (a) and (b)).例文帳に追加

続いて、ウエハＷ下面中心部付近に向けて、一定時間エッチング液Ｌ（高濃度のフッ酸水溶液）が吐出されて、ウエハＷ上の薄膜Ｆｓがベベルエッチングされる（図２（ａ）（ｂ））。 - 特許庁

Then, a photoresist formed over an insulating film is irradiated with the laser beam which is made to diverge into the plurality of laser beams, and the photoresist irradiated with the laser beam is developed so as to selectively etch the insulating film.例文帳に追加

そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 - 特許庁