「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of processing an organic film through plasma etching where damages to a base film are small.例文帳に追加

下地膜へのダメージが少ないプラズマエッチングによる有機膜加工方法を提供する。 - 特許庁

PROCESSING METHOD OF THIN FILM, MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR AND HIGH DENSITY PLASMA ETCHING DEVICE例文帳に追加

薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置 - 特許庁

After a prescribed processing time, wet etching using the APM is finished (step 112).例文帳に追加

所定の処理時間が経過したらＡＰＭによるウェットエッチングを終了する（ステップ１１２）。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma etching method that have high controllability.例文帳に追加

高い制御性を有するプラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device and its method for selectively etching a substrate surface.例文帳に追加

基板表面を選択的にエッチングするための基板処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

PLASMA ETCHING REACTOR AND COMPONENT OF THE SAME, AND METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

プラズマエッチング反応器及びその構成部品並びに半導体基板を処理する方法 - 特許庁

The second photolithographic step includes an etching step of two different stages of processing conditions.例文帳に追加

第２フォトリソグラフィ工程は、加工条件の異なる２段階のエッチング工程を含む。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus which are capable of etching a nitride film on a substrate surface at a lower cost.例文帳に追加

より安価に基板表面の窒化膜をエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

Further, contrary to the above means, a processing method and a processing apparatus for alternatingly performing resist modification and etching is applied.例文帳に追加

さらに、上記手段とは別に、レジスト改質とエッチングを交互に行なうプロセス方法及びプロセス装置を適用した。 - 特許庁

To provide a processing device of a processing sample for allowing high speed and accurate etching, and to provide a production method of thin-film samples.例文帳に追加

高速かつ高精度なエッチングが可能な加工試料の加工装置および薄膜試料の生産方法の提供。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus in which the selection ratio of selective etching can be enhanced.例文帳に追加

選択エッチングの選択比を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The process is carried out through wet etching, so that batch processing can be performed, a processing time can be shortened, and throughput can be improved.例文帳に追加

また、ウエットエッチングであるので、バッチ処理が可能で、これにより処理時間の短縮が図れ、スループットも高められる。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and a device that can perform effective etching processing by generating plasma effective for etching of a substrate by controlling radical species or ion species effective for the etching of the substrate.例文帳に追加

基板のエッチングに対して効果的なラジカル種又はイオン種の密度を制御することにより、エッチングに対して有効なプラズマを生成して効果的なエッチング加工を行うことができるプラズマエッチング方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method that can greatly facilitate a processing shape confirming operation in etching processing which should have been done frequently by suppressing a temporal decrease in etching speed during continuation of warming unique to an etchant containing hydroxylamines, in etching processing of silicon, especially, anisotropic etching of silicon in a manufacturing process of an MEMS component.例文帳に追加

シリコンのエッチング加工、特にＭＥＭＳ部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミン類を含有するエッチング液に特有な加温継続時のエッチング速度の経時低下を抑制することによって、頻繁に行わざるを得なかったエッチング処理中の加工形状確認操作を大幅に簡略化できる、エッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of using an etching gas that has low global-warming coefficient in applying anisotropic plasma etching to a silicon substrate for depth etching, generating byproducts having low global-warming coefficients in etching processing, and obtaining high etching speed.例文帳に追加

シリコン基板に異方性プラズマエッチングを施して、深堀エッチングを行う際に、地球温暖化係数が小さいエッチングガスを用いるようにし、かつエッチング処理に際して地球温暖化係数が小さい副次生成物が生成するようにし、しかも高いエッチング速度が得られるようにする。 - 特許庁

In the forming method of the electrode foil for the electrolytic capacitor before performing the etching processing of each electrolytic capacitor, there is performed etching pre-processing for immersing during 60-300 seconds aluminum original foil into a processing liquid containing a plural kinds of metal ions of pH 10-13 and at 60-90°C.例文帳に追加

エッチング処理を行う前に、複数種類の金属イオンを含有する、ｐＨが１０〜１３、液温が６０〜９０℃の処理液にアルミニウム原箔を６０〜３００秒、浸漬するエッチング前処理を行う。 - 特許庁

A plasma etching system 1 comprises a processing chamber 2 normally performing plasma etching, and an automatic pressure controller 4 connected with the processing chamber 2 through an exhaust line 3 in order to control the inner pressure of the processing chamber 2.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、通常、プラズマエッチング処理を行う処理室２と、排気管路３を介して処理室２と接続され、処理室２の内圧を制御する自動圧力制御装置４とを備える。 - 特許庁

When plasma is generated in the processing vessel 2 and processing gas or etching gas is introduced thereinto to etch the resist mask on the surface of the wafer, the uniform etching rates in the surface of the wafer can be carried out and uniform processing can be effected.例文帳に追加

処理容器２内にプラズマを発生させ、ここに処理ガスであるエッチングガスを導入してウエハ表面のレジストマスクをエッチングすると、ウエハの面内のエッチングレートが揃えられ、均一な処理を行うことができる。 - 特許庁

To control etching size with high accuracy by restraining a long-term and short-term temporal change of the etching size without increasing processing time.例文帳に追加

処理時間を増加させずに、エッチング寸法の長期的及び短期的な経時変化を抑制して高い精度でエッチング寸法を制御する。 - 特許庁

To suppress notches in etching a processing object having a layer to be etched made of a silicon-based material that is formed on an etching stop layer.例文帳に追加

エッチングストップ層上にシリコン系材料からなる被エッチング層が形成された処理対象物のドライエッチングにおいて、ノッチを抑制する。 - 特許庁

In a processing chamber, patterning of a processed film is performed, by etching the uncovered region of the processed film with an etching mask.例文帳に追加

処理室内において、被処理膜のうち、エッチングマスクによって覆われていない領域をエッチングすることにより、被処理膜のパターニングを行なう。 - 特許庁

When a thickness of the crystal substrate 31 prior to wet etching is t_0, an amount of processing t of wet etching is set to 0.1 μm≤t<t_0.例文帳に追加

ウエットエッチング加工前の水晶基板３１の厚さをｔ_0としたとき、ウエットエッチングの加工量ｔを０．１μｍ≦ｔ＜ｔ_0に設定する。 - 特許庁

To provide semiconductor processing method and device capable of performing optimum etching without installing a monitoring device in an etching device.例文帳に追加

エッチング装置にモニタ装置を設置することなく最適なエッチングを行うことのできる半導体処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

A large quantity of an etching liquid remains on the surface of the substrate W immediately after being carried out from a dip tank 20 for performing dipping etching processing.例文帳に追加

浸漬エッチング処理を行うディップ槽２０から搬出された直後の基板Ｗの表面には多量のエッチング液が残留している。 - 特許庁

To provide a liquid processing method in which an etching rate is large, and an etching selection ratio of a silicon nitride is higher than that of a silicon oxide; a liquid processing apparatus; and a storage medium storing the method.例文帳に追加

エッチング速度が大きく、シリコン酸化物に対するシリコン窒化物のエッチング選択比が高い液処理方法、液処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The formation of the part 16 to be sealed with resin is performed by etching processing or press working, and the formation of an exposed part 18 in the lower half of the terminal 13 is performed by etching processing.例文帳に追加

この樹脂封止される部分１６の形成はエッチング加工又はプレス加工によって行われ、端子１３の下半分の露出部分１８の形成はエッチング加工によって行われる。 - 特許庁

In the first etching processing chamber 1, a substrate 6 is etched by a high density plasma, and this substrate 6 is passed through the gate valve 8 and is moved to the second etching processing chamber 9.例文帳に追加

第１のエッチング処理室１では高密度プラズマによるエッチングが基板６に対して行われ、この基板６はゲートバルブ８を通って第２のエッチング処理室９に移動する。 - 特許庁

To provide a small substrate processing system for etching a substrate well at low cost and a substrate processing method for etching a substrate well at low cost.例文帳に追加

低コストで、しかも良好なエッチング処理を行うことができる小型の基板処理装置、および低コストで、しかも良好なエッチング処理を行うことができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser beam stimulation etching processing device using near field light, whose processing efficiency and feasibility are raised, and to provide its processing method.例文帳に追加

加工効率を向上させ、実用性を高めた、近接場光を用いたレーザ光励起エッチング加工装置及びその加工方法を提供する。 - 特許庁

Dicing processing, laser processing, etching processing, or the like is adapted to the semiconductor wafer 2 having the film 1 formed to its surface part to form a groove 5 for cutting the film 1.例文帳に追加

表面部に膜１が形成された半導体ウェハ２に、ダイシング加工、レーザ加工、エッチング加工等を適用して、膜１を切断する溝５を形成する。 - 特許庁

In addition to the etching, evaporating and a combination processing thereof, various magnetic and electrical processing techniques can be improved.例文帳に追加

エッチング処理、蒸着処理及びこれらの組合せ処理と共にさまざまな磁気及び電気処理向上技術を開示する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing device and a processing method that suppress clogging of a filter while maintaining precision of etching processing.例文帳に追加

エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。 - 特許庁

The method of processing a substrate includes processing the underlaid substrate with a particulate pattern formed using the method as an etching mask.例文帳に追加

上記の方法を用いて形成された微粒子パターンをエッチングマスクとして、下地基板を加工するする基板の加工方法。 - 特許庁

The single wafer processing etching device 10 is constituted so as to apply etching on the upper surface 11a of the wafer 11 by supplying etching solution 14 onto the upper surface 11a of the wafer 11, while turning the wafer 11.例文帳に追加

枚葉式エッチング装置１０は、ウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１４を供給してウェーハ１１の上面１１ａをエッチングするように構成される。 - 特許庁

As a result, the temperature of the etching liquid is substantially the same in the whole area of the front and back surfaces of the wafer, and therefore, the rate of the processing, namely, the etching rate of the etching liquid is made uniform.例文帳に追加

その結果、ウエハの表面および裏面の全域において、エッチング液の温度をほぼ同じ温度にすることができるので、エッチング液による処理のレート、つまりエッチングレートを均一にすることができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which keeps high etching resistance of a photoresist layer comprising an ArF photoresist or an F2 photoresist when etching an antireflection layer or etching the antireflection layer and an etching objective layer.例文帳に追加

反射防止層をエッチングする際、または反射防止層およびエッチング対象層をエッチングする際に、ＡｒＦフォトレジストまたはＦ２フォトレジストからなるフォトレジスト層の耐プラズマ性を高く維持することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a laser processing apparatus that divides the wafer into individual chips by irradiating the wafer with laser beam and thereafter performs etching process simultaneously and immediately inside an identical etching unit without transporting the divided wafers to another etching unit that is separately provided in order to remove processing distortions.例文帳に追加

ウェーハにレーザー光線を照射することにより個々のチップに分割した後、加工歪みを除去するため、別途設けたエッチング装置に搬送することなく同一装置内で直ちにエッチング処理ができるレーザー加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching process capable of highly accurately processing a fine structure using a plastic substrate.例文帳に追加

プラスチック基板を用いて微細な構造物を高精度に加工可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In an etching processing tank 211, a temperature adjusting roller 230 for controlling a temperature is provided.例文帳に追加

エッチング処理槽２１１内には、温度コントロール用の温度調整ローラ２３０が設けられている。 - 特許庁

To reduce an amount of used chemical while controlling etching in wet processing of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。 - 特許庁

ETCHING PROCESSING APPARATUS, MONITORING METHOD THEREOF, AND SELF BIAS VOLTAGE MEASURING METHOD例文帳に追加

エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 - 特許庁

Thereafter, the insulation film 4 for processing is removed by etching until side walls of the interconnections 5b are exposed.例文帳に追加

その後、配線５ｂの側壁が露出するまで、加工用絶縁膜４をエッチング除去する。 - 特許庁

MONITORING METHOD, EXPOSING METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, ETCHING METHOD, AND EXPOSURE PROCESSING DEVICE例文帳に追加

モニタ方法、露光方法、半導体デバイスの製造方法、エッチング方法及び露光処理装置 - 特許庁

To provide a processing method enabling lamination without generating breaking even if there is no proper etching soln.例文帳に追加

適当なエッチング溶液がない場合でも、破断なく積層が可能な加工方法を提供する。 - 特許庁

A control unit 410 determines the end point of the dry etching by taking the result of the arithmetic processing into consideration.例文帳に追加

制御部４１０は、演算処理の結果を考慮して、ドライエッチングの終了点を決定する。 - 特許庁