「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of the lead frames is provided for continuously forming the lead frame 26 by gradually unwinding a strip 11 wound around a reel 10, and the lead frame continuum 29 manufactured by the method is also provided, wherein dot groups 27 and 32 comprising recessed portions are formed by half-etching processing in a portion of each lead frame 26 or the lead frame group 31.例文帳に追加

リール１０に巻かれた条材１１を徐々に解いてリードフレーム２６を連続的に製造するリードフレームの製造方法及びこの方法によって製造されたリードフレーム連続体２９であって、各リードフレーム２６又はリードフレーム群３１の一部に、ハーフエッチング加工によって凹部からなるドット群２７、３２を形成した。 - 特許庁

Vertical groove shields 11a and lateral groove shields 11b are formed by irradiating a photosensitive glass 1 with ultraviolet rays with a mask by an ultraviolet-ray mask exposure method, processing the glass, etching it with an acid, making grooves shaped like a lattice in the direction of the incidence of X rays and filling and encapsulating the powder of heavy metal like tungsten into the grooves.例文帳に追加

感光性ガラス１に紫外線マスク露光法によりマスクを用いて紫外光を照射し、現像処理し、酸でエッチングして、格子状の溝をＸ線入射方向に形成し、その溝にタングステン等の重金属粉を充填封入し、縦溝遮蔽１１ａと横溝遮蔽１１ｂを形成する。 - 特許庁

To prevent the electrical shortings of a film containing a magnetic material, in the plasma processing of the film containing the magnetic material after the etching thereof, by exposing the film containing the magnetic material into a plasma atmosphere of a gas mixture containing hydrogen or into a plasma atmosphere of a gas mixture containing at least one kind of gas containing hydrogen.例文帳に追加

磁性体材料を含む膜のエッチング後のプラズマ処理を、水素を含む混合ガスのプラズマ雰囲気中もしくは水素を含む少なくとも一種類のガスを含む混合ガスのプラズマ雰囲気中に磁性体材料を含む膜をさらすことで、磁性体材料を含む膜の電気的ショートを防止することを可能とする。 - 特許庁

The micro-corner cube array 10 is produced by a process for preparing single crystal substrates 1 and 4 which consist of a cubic system crystal and have a surface being substantially in parallel with the (111) surface of the crystal and a process for performing an anisotropic etching processing concerning the surfaces of the single crystal substrates 1 and 4.例文帳に追加

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。 - 特許庁

At a thin part of the recess-shaped processing part 211, U-shaped parts 212a and 212b which are cut from one side and the other side to the center of the member of the superconductive film 210 are formed by sputter etching using a converged ion beam to form opposite tips of the U-shaped parts 212a and 212b as a weak coupling part tm.例文帳に追加

この凹形加工部２１１の薄い部分に一方側及び他方側から超電導膜２１０の部材の中心方向に向かって切り欠いたＵ字形状部２１２ａ，２１２ｂを集束イオンビームのスパッタエッチングで形成して、Ｕ字形状部２１２ａ，２１２ｂの対向する先端部を弱結合部ｔｍとして生成する。 - 特許庁

By covering a side wall of a tunnel insulating film 5 with a side wall protection film 3' before removal of the buried insulating film 4 in an air gap AG1, the tunnel insulating film 5 can be protected even when etching selectivity of wet processing between the buried insulating film 4 and the tunnel insulating film 5 cannot be secured.例文帳に追加

空隙ＡＧ１の埋め込み絶縁膜４が除去される前に側壁保護膜３´にてトンネル絶縁膜５の側壁を覆うことにより、埋め込み絶縁膜４とトンネル絶縁膜５との間でウェット処理のエッチング選択比が確保できない場合においても、トンネル絶縁膜５を保護できるようにする。 - 特許庁

For forming this mirror layer 4, a lower part clad layer being the lower half of the clad layer 2 is formed, and the core 3 is patterned on it, and a mirror forming layer formed by coating the whole of a substrate is etched just under an etching mask so as to be undercut, or is patterned through photolithography and development processing.例文帳に追加

このミラー層４を形成するには、クラッド層２の下半分である下部クラッド層を形成し、この上でコア３をパターニングした後、基体の全面を被覆して形成されたミラー形成層をエッチング・マスクの直下にアンダカットが入るようにエッチングするか、またはフォトリソグラフィと現像処理を経てパターニングする。 - 特許庁

And a process where the metal layer 2 is processed by a photoetching method, a process where a wiring part 8 is formed by a semi-additive method on the insulation layer 5 and a process where a resist image for processing the insulation layer 5 is formed and the insulation layer 5 is processed by wet etching according to the resist image are included in the method.例文帳に追加

そして、金属層５をフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層５上にセミアディティブ法により配線部８を形成する工程と、絶縁層５を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層５を加工する工程を含む。 - 特許庁

To provide a resist material for manufacturing a substrate having a nanoscale rugged structure by patterning a resin composition applied to the surface of a substrate to be processed by a nanoimprinting method to form a resin layer having a rugged structure and then processing the substrate by a dry etching method using the resin layer as a resist.例文帳に追加

被加工基材上に塗布した樹脂組成物をナノインプリント法にてパターニングを行い、凹凸構造を有する樹脂層を形成し、この樹脂層をレジストとしてドライエッチング法にて加工することによりナノスケールの凹凸構造を有する基材を製造するためのレジスト材料を提供すること。 - 特許庁

Moreover, shield wall plates 22 are arranged in such a way as to surround the substrate mounting surface of a lower electrode 9, between the upper and lower electrodes, thereby stagnation of the gas and unevenness in the plasma on the processing substrate in the vacuum container can be prevented, and the uniformity of the etching speed and the film forming speed on the surface of a large substrate can be improved.例文帳に追加

さらに、下部電極９の基板載置面の周囲を囲むようにして上下電極間にシールド壁板２２を配置したことにより、真空容器内における処理基板上のガスの淀みやプラズマの不均一化を防止し、大型基板上のエッチングスピードや成膜スピードの面内均一化を高める。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly for exposure at a short wavelength, that is, has high transparency and the optimum n and k values and is excellent also in etching resistance during substrate processing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method for performing an etching processing by using a resist film when a pattern of an organic film is formed or when a pattern of a thin film, which is formed on the organic resin film, is formed and removing the resist film without swelling the organic resin film in a manufacture of a semiconductor element substrate having the organic resin film.例文帳に追加

有機樹脂膜を有する半導体素子基板の作製において、有機樹脂膜のパターン形成時、または、これらの有機樹脂膜上に形成される薄膜のパターン形成時にレジスト膜を用いたエッチング処理を行った後、有機樹脂膜を膨潤させることなくレジスト膜を除去する方法について提供する。 - 特許庁

To provide a resist undercoat-forming material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process or for a three-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly to short-wavelength exposure light, that is, has high transparency, optimum n value and k value, and excels in etching resistance in substrate processing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The method for processing the substrate comprises a first step for jetting droplet generated by mixing alkaline fluid with gas by a first two-fluid nozzle 48 to the surface of a substrate W, and a second step for jetting droplets generated by mixing hydrochloric acid or etching fluid with gas by a second two-fluid nozzle 80 to the surface of the substrate.例文帳に追加

第１の二流体ノズル４８により、アルカリ性液と気体とを混合して生成される液滴を基板Ｗの表面へ噴射する第１の工程と、第２の二流体ノズル８０により、塩酸またはエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を基板表面へ噴射する第２の工程とを有する。 - 特許庁

To provide an equipment and a method for plasma processing being employed in a plasma CVD system where a high quality large area thin film can be deposited at a high rate with limited film quality and film thickness distribution or in a plasma etching system where a large area can be etched at a high rate with limited machining rate distribution.例文帳に追加

膜品質や膜厚分布が小さく、高速かつ大面積で高品質な薄膜の成膜が可能となるプラズマＣＶＤ装置あるいは、加工レート分布が小さく高速かつ大面積でエッチングが可能となるプラズマエッチング装置等に用いられる、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In the package for a piezoelectric vibration device where a ceramic substrate 1 having a recessed part to contain the piezoelectric vibration element and a dam at its outer circumference and a crystal cover 2 corresponding to the dam are air-tightly joined with low melting point glass G, uniform etching processing is applied to the entire face of the crystal plate cover.例文帳に追加

圧電振動素子を収納する凹部を有し、外周に堤部を有するセラミック基体１と、当該堤部に対応した水晶板の蓋２とを、低融点ガラスＧにより気密的に接合してなる圧電振動デバイス用パッケージであって、前記水晶板の蓋の全面に均一なエッチング処理が施されてなる。 - 特許庁

In the vacuum processing apparatus including an etching chamber 140 and an ashing chamber 150 in a vacuum conveyance chamber 130, a vacuum vessel provided with a coating film of a heat shrinkage sheet formed on the inner surface thereof is used as the vacuum conveyance chamber 130, and generation of contamination due to microcrack is suppressed, to improve production efficiency.例文帳に追加

真空搬送室１３０にエッチング室１４０とアッシング室１５０を備えた真空処理装置において、真空容器の内面に熱収縮シートによる被膜を備えたものを真空搬送室１３０として用い、マイクロクラックによる異物の発生を抑え、生産効率の向上が図れるようにした。 - 特許庁

A carrier device 15 of a dry etching apparatus 1 carries a preprocessing tray 3 from main shelves 67b, 68b of a cassette 62 in a stock section 13 to a rotary stage 33, and after alignment processing at the rotary stage 33, carries the tray 3 to a plasma treatment section 11 through temporally placing sections 67c, 68c in the cassette 62.例文帳に追加

ドライエッチング装置１の搬送装置１５は、処理前のトレイ３をストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂから回転ステージ３３に搬送し、回転ステージ３３でのアラインメント処理後のトレイ３をカセット６２の仮置き棚部６７ｃ，６８ｃを経てプラズマ処理部１１へ搬送する。 - 特許庁

The substrate treatment apparatus, which performs prescribed treatment on a wafer W, is provided with a treating section 10 which performs etching on the wafer W, another treating section 27 which supplies a fluorine- based inert liquid, isopropyl alcohol(IPA) which is an organic solvent, and a processing solution containing hydrofluoric acid to the wafer W set up in the treating section 10.例文帳に追加

ウエハＷに所定の処理を行う基板処理装置において、ウエハＷにエッチング処理を行うための処理部１０と、処理部１０にあるウエハＷにフッ素系不活性液体、有機溶媒であるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）及びフッ酸を含む処理液を供給する処理部２７と、を備える。 - 特許庁

To provide a copper foil for a printed wiring board, which is free of locally eroded recesses on a glossy face side thereof during soft etching processing and is not discolored even by high-temperature treatment at 300°C for 30 minutes and has an excellent solubility in acid solution, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

圧延銅箔の光沢面側において、ソフトエッチング処理の際、局部的に侵食された凹みが生じることがなく、また３００℃、３０分の高温処理でも変色を起こさず更に酸溶液に対する溶解性が良好なプリント配線板用銅箔およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Such a flexure blank for a magnetic head as equipped with the flying lead 8 is processed in a manner that, after a surface protective layer 9 is formed for a wiring pattern 7, a corrosion-resistant thin film layer like a thin film chrome layer 10 is formed at least on the outer face of the flying lead 8 as an etching pre-processing for a spring metallic layer 1.例文帳に追加

このようなフライングリ−ド８を備えた磁気ヘッド用フレクシャーブランクは、配線パタ−ン７に対する表面保護層９を形成した後に、バネ性金属層１に対するエッチング前処理として少なくともフライングリ−ド８外面に薄膜クロム層１０等の耐腐食性薄膜層を形成する。 - 特許庁

When a high frequency electric power of 100 MHz is supplied to an antenna 5 which is provided in a vacuum vessel 1 by a high frequency power source 4 for the antenna, plasma is generated in the vacuum vessel 1 and plasma processing such as etching, deposition surface improvement and so on for a substrate 7 which is mounted on a substrate electrode 7 can be performed.例文帳に追加

アンテナ用高周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を真空容器１内に設けられたアンテナ５に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。 - 特許庁

First, chlorine ions or chlorine radicals are caused to react at depositions, i.e., aluminum component or fluorocarbon, in an etching chamber in order to remove the aluminum component by dry cleaning, and then fluorocarbon is caused to readhere to the remaining fluorocarbon by seasoning processing thus making uniform the deposition film.例文帳に追加

エッチングチャンバー内に付着したデポジション物質であるアルミ成分およびフロロカーボンに対し、まず塩素イオンまたは塩素ラジカルを反応させてアルミ成分を除去するドライクリーニング処理を行ない、引き続き残ったフロロカーボンに対し新たにフロロカーボンを再付着させるシーズニング処理を行なって、デポジション膜質を均一化させる。 - 特許庁

When a high frequency electric power of 13.56 MHz is supplied to a coil 6 via a matching circuit 5 for a plasma generation device by a high frequency power source 4 for the plasma generation device, plasma is generated in a vacuum vessel 1 and plasma processing such as etching, piling and so on is performed for a substrate 8 which is mounted on an electrode 7.例文帳に追加

プラズマ発生装置用高周波電源４により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、プラズマ発生装置用整合回路５を介して、コイル６に供給すると、真空容器１内にプラズマが発生し、電極７上に載置された基板８に対してエッチング、堆積等のプラズマ処理を行うことができる。 - 特許庁

The minute depression 2 forming the dynamic pressure generation surface is formed by laser beam machining or etching and the depression 3 deeper than the depression 2 forming the dynamic pressure generation surface is formed by microblasting processing, so that the depressions 2, 3 having two different depths can be arranged in the rolling contact surface effectively and accurately.例文帳に追加

動圧発生面を形成する微小な浅い凹部２をレーザー加工又はエッチング加工により形成し、この動圧発生面を形成する凹部２よりも深い凹部３を、マイクロブラスト加工によって形成することにより、転がり接触面に、二つの異なる深さの凹部２、３を効率的に精度良く配置できるようにした。 - 特許庁

For an ECR plasma etching device D1, a mechanism is provided where a movable diaphragm 110 is lifted for a wafer processing vessel 100a to be shielded from a process gas exhaust port 106, and a switching valve 108 allows a gas inlet port 103 to communicate with a high-pressure gas inlet piping 105, while being shielded from a process gas inlet piping 104.例文帳に追加

ＥＣＲプラズマエッチング装置Ｄ１の場合、可動式隔壁１１０を上昇させウェハ処理槽１００ａをプロセスガス排気口１０６から遮断し、切り替えバルブ１０８によりガス導入口１０３を高圧ガス導入配管１０５と導通させプロセスガス導入配管１０４から遮断する機構を備えている。 - 特許庁

Embossing processing is performed after a process (S2) forming a scalar field, a process (S3) forming mask images by binarizing the formed scalar field at every threshold values by using a plurality of threshold values and a process (S4) performing etching stepwise by using a plurality of the formed mask images to make an embossed sheet.例文帳に追加

スカラー場を生成する工程（Ｓ２）と、生成されたスカラー場を複数の閾値を用いて各閾値毎に２値化したマスク画像を生成する工程（Ｓ３）と、生成された複数のマスク画像を用いて段階的にエッチングを行う工程（Ｓ４）の後、エンボス加工を行うことにより、エンボスシートを作成する。 - 特許庁

Gate length after etching is made uniform in the wafer plane by controlling the wafer processing direction when the underlying structure of the gate electrode is formed according to a model expression of gate dimensions (or controlling dose for every shot at the time of resist transfer formation in an exposure device while taking account of the underlying structure of isolation).例文帳に追加

すなわち、ゲート寸法のモデル式にしたがいゲート電極の下地構造形成時のウエハ処理方向を制御（または素子分離等の下地構造を考慮して露光装置においてレジスト転写形成時にショット毎にドーズ量を制御）することで、エッチング加工後のゲート長をウエハ面内で均一化する。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device 1 comprises: a wafer 10 that is a work piece; a front opening unified pod (FOUP) 20 that is a hermetically sealed container and houses the wafer 10; and an equipment front end module (EFEM) 40 transferring the wafer 10 between an etching apparatus 30 serving as a semiconductor processing device and the FOUP 20 in a sealing state.例文帳に追加

半導体製造装置１は、被処理物であるウエーハ１０、ウエーハ１０を収納する密閉型容器のＦＯＵＰ２０、半導体処理装置であるエッチング装置３０及びＦＯＵＰ２０とエッチング装置３０との間を密閉状態でウエーハ１０の搬送を行うＥＦＥＭ４０を有する。 - 特許庁

When a predetermined process is performed for a wafer W by using the processing device, in monitoring the change of the etching state of the wafer W by utilizing the age-based change of detection data from an optical measuring instrument 21, "1" and "3" are set as constant and different response variables to two states before and after the change of the etching state, respectively.例文帳に追加

処理装置を用いてウエハＷに所定の処理を施す際に、光学計測器２１からの検出データの経時的変化を利用してウエハＷのエッチング状態の変化を監視するに当たり、エッチング状態が変化する前後の二つの状態に一定の異なった目的変数として「１」、「３」をそれぞれ設定し、これらの目的変数と複数の検出データを説明変数とする重回帰分析を行って重回帰モデル式１を予め作成し、この重回帰モデル式１に実際にウエハＷを処理する時の検出データを当て嵌めた結果に基づいてプロセスの監視を行う。 - 特許庁

Further, while using the patterned photo resist 14 as a mask, the reflection prevention film 13 and polymer layer 12 are etched under such a condition that the etching speed of the polymer layer 12 is higher than that of the reflection prevention film 13 and more higher than that of the semiconductor substrate 11, so that a mask for processing the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

続いて、パターニングされたフォトレジスト１４をマスクとして、ポリマー層１２のエッチング速度が反射防止膜１３のエッチング速度よりも速く、半導体基板１１のエッチング速度よりもさらに速くなる条件で、反射防止膜１３及びポリマー層１２をエッチングし、半導体基板１１に処理を施す際のマスクを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a resist underlay film from the above composition for forming a resist underlay film on a substrate; forming a resist film thereon; forming a resist pattern by exposure and development; etching the underlay film through the resist pattern; and processing the semiconductor substrate through the patterned underlay film.例文帳に追加

基板にレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、露光と現像によりレジストパタ−ンを形成する工程、レジストパタ−ンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパタ−ン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a processing method which can finish overall neatly and accurately, without needing a difficult control such as a control for etching rate, without a problem of residual ion which harms transparency of a glass substrate, and without staining the surface by the removed material, when repairing unprocessed parts of dug grooves of a Levenson mask.例文帳に追加

本発明の目的課題は、レベンソンマスクの掘り込み溝の加工残り欠陥を修正するにあたって、エッチングレートのコントロール等厄介な加工制御が必要なく、ガラス基板の透明性を損ねる残留イオンの問題もなく、しかも除去した素材が表面を汚すこともなくきれいに精度よく仕上げることができる加工方法を提示することである。 - 特許庁

In the method of producing a semiconductor base material, when an etching mask for forming protrusions and recesses on the surface of a semiconductor base material by photolithography processing of a resist film, a transfer mask 100 where the dimensions of a dot-shaped light-shielding portion 104, i.e. a pattern of protrusions and recesses near the region where the exposure shots overlap, are corrected previously.例文帳に追加

半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 - 特許庁

To prevent cracks in splitting a large-area piezoelectric substrate wafer by sufficiently ensuring the thickness of a circular part surrounding a recess when employing batch processing of the wafer to mass-produce an ultra-small piezoelectric substrate having a vibration part formed by forming the recess by etching on a piezoelectric substrate surface made of an anisotropic piezoelectric crystal material.例文帳に追加

異方性圧電結晶材料から成る圧電基板面にエッチングによって凹陥部を形成することによって振動部を形成した超小型の圧電基板を、大面積の圧電基板ウェハを用いたバッチ処理により量産する場合に、凹陥部を包囲する環状部の肉厚を十分に確保して分割時のひび割れを防止する。 - 特許庁

A plating film 11 is deposited on a carbide layer 6 formed on the inner surface of a through-hole 3 bored by laser processing, then the carbide layer 6 is removed together with the plating film 11 by etching, and the inside of the through-hole 3 where the carbide layer 6 and the plating film 11 have been removed is filled up with a conductor by plating.例文帳に追加

レーザ加工により形成された貫通孔３の内面の炭化層６上にめっき膜１１を被着させた後、炭化層６をめっき膜１１とともにエッチング除去し、さらにこの炭化層６およびめっき膜１１が除去された貫通孔３の内部にめっきにより導体を充填して貫通導体４を形成する。 - 特許庁

In a dry etching device which is equipped with an He cooling mechanism for cooling a glass board 1 and a frame-shaped clamp 2 for pressing and fixing the periphery of the glass board all around from it upper side, the clamp 2 is inclined to be thicker from the inside periphery to outside periphery so that the flow of processing gas may be performed smoothly.例文帳に追加

ガラス基板１を冷却するためのＨｅ冷却機構と、ガラス基板１周辺部を全周にわたって上側より押さえ固定する枠状のクランプ２を備えたドライエッチング装置において、クランプ２に、内周部から外周部に向かって肉厚となるような傾斜をつけ、処理ガスの流れがスムーズに行われるようにした。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and cleaning method for suppressing etching in an electrode on cleaning to drastically reduce an operation time for cleaning without using a material to protect the electrode; and attaining a high-rank quality in a cleaning operation, by making the improvement of an economic potential through the protection of the electrode compatible with the reduction of the time required for the cleaning operation.例文帳に追加

電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a stainless steel resin laminate which can do the precision processing of stainless steel by preventing pitting corrosion of stainless steel foil in an aqueous solution containing halogen anions represented by hydrochloric acid treatment in consideration of the fact that in a stainless steel laminate, when the stainless steel foil is etched, it is indispensable to secure adhesion strength of an etching resist and the stainless steel foil.例文帳に追加

ステンレス樹脂積層体において、ステンレス箔のエッチング加工を行なう際、エッチングレジストとステンレス箔の密着強度を確保するために必須となっている、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレス箔の孔食を防ぎ、ステンレスの高精度加工が可能となるステンレス樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁

The method for processing a silicon-based insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 and having a hole k comprises a step for deforming the hole k by sputter etching using inert gas to which CxHyFz-based reactive gas (x>0, y≥0, z>0) is added, and suppressing generation of a space (Void) in the silicon-based insulating film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 - 特許庁

In this method for the piezoelectric vibrater 14, as a minute vibrating part 26 can be formed by etching which enables precise removal processing, a more compact and higher frequency piezoelectric vibrator 14 can be made compared to that made by the existing manufacturing method which forms the vibrating part 26 by grinding.例文帳に追加

このように、この圧電体振動子１４の製造方法においては、精密な除去加工が可能なエッチング加工で微細な振動部２６を形成することができるため、研磨加工で振動部２６を形成する従来の製造方法で作製された圧電体振動子よりも小型で高周波の圧電振動子１４を作製することができる。 - 特許庁

The method of forming an element isolating structure comprises an etching process of cutting the trenches 5 in a semiconductor substrate for isolating an element, a surface treating process of making the semiconductor substrate undergo plasma processing, and an embedding process of embedding the insulating film 7 in the trenches 5.例文帳に追加

半導体基板に素子分離のためのトレンチ部５を形成するエッチング工程と、前記トレンチ部に絶縁膜７を埋め込む、埋め込み工程とを有する素子分離構造形成方法であって、前記埋め込み工程の前に、前記半導体基板をプラズマ処理する表面処理工程を設けたことを特徴とする素子分離構造形成方法。 - 特許庁

The plasma processing method comprises: electrostatically attracting an insulative substrate S (substrate S) in a vacuum chamber 11 by an electrostatic chuck 17; and etching the substrate S by generating plasma in the vacuum chamber 11 while supplying helium gas for cooling the substrate S to a refrigerant space defined by the backside of the substrate S, and a reentrant 17c of the electrostatic chuck 17.例文帳に追加

真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。 - 特許庁

The pattern manufacturing system comprises exposure to directly draw a resist overlying on a copper foil formed on both the faces of the substrate by using the line width of the pattern line and an exposure amount designated by processing pattern data 100, forming a resist pattern by developing the exposed resist, and forming a pattern by etching the copper foil of both the faces of the substrate forming the resist pattern.例文帳に追加

加工用パターンデータ１００により指定されたパターン線の線幅と露光量を用いて、基板の両面に形成された銅箔上にラミネートされたレジストに直接描画して露光し、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成して、レジストパターンが形成された基板の両面の銅箔をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁

This preparation method of the sample for atom probe analysis has a step for preparing a ridged and grooved structure by performing etching machining of FIB onto both of a base needle 2 and an implantation sample piece 1, a step for bonding mutual members, and a step for sticking by deposition processing of FIB so that the ridged and grooved structure has an engaged form.例文帳に追加

本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法は、ベース針２と移植試料片１の双方にＦＩＢのエッチング加工によって凹凸構造を作製するステップと、互いの部材を接合させるステップと、前記凹凸構造が噛合い形態となるようにＦＩＢのデポジション加工によって接着するステップとを踏むものとした。 - 特許庁