「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for accurately detecting the concentration of divalent iron ions in a solution in a process of etching a metal when an iron (III) chloride is a main component, in a process of processing a waste liquid containing the divalent and trivalent iron ions, or the like.例文帳に追加

塩化第二鉄を主成分として金属をエッチングする工程または二価と三価の鉄イオンを含有する廃液処理する工程等において、溶液中の二価の鉄イオン濃度を精度よく検出する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that makes the unevenness of electric field distribution on a surface of an electrode small so that etching rate distribution is uniform in a plasma process using a high density plasma that can correspond to further fining.例文帳に追加

より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

In short etching for processing a thin film by multiple process conditions, variation in emission incident to change of process conditions is corrected by an emission data corrector thus detecting an endpoint stably.例文帳に追加

本発明は、薄膜を複数のプロセス条件で処理する短いエッチングにおいて、プロセス条件変更に伴い発生する発光変動を発光データ補正器により補正する事により、安定して終点検出が出来ることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a substrate processing method reinforcing etching resistance of a mask layer and improving a flexibility in working of a layer to be processed when forming an opening pattern of a dimension satisfying a request for downsizing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The SOI wafer is obtained by using the silicon wafer having a cup-like warpage where the central part of a thin disc wafer is recessed by single wafer processing etching as a supporting substrate, as well as the recessed-surface side of the silicon wafer as the main surface of a laminating surface.例文帳に追加

ＳＯＩウェーハは、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたシリコンウェーハを支持基板とし、シリコンウェーハの凹部面側を貼り合わせ面の主面とすることにより得る。 - 特許庁

In addition, since the ridge structure is self-assembled and self-aligned, a lesser number of processing steps are required to create the optical device in comparison to the known approach that uses wet chemical etching techniques to form the ridge structure.例文帳に追加

更に、このリッジ構造は自己集合・自己整合型であるので、リッジ構造を形成するために湿式化学エッチング技法を使用する公知のアプローチと比較して光デバイスを作り出すために必要とされる処理ステップの数は少ない。 - 特許庁

After a dummy pattern resembling a pattern of a DOE element area 20 is formed at the outer circumference of a DOE element area 20 by printing and development, the completion of processing of the dummy pattern is detected when both the patterns are processed by etching.例文帳に追加

ＤＯＥ素子領域２０の外周に、ＤＯＥ素子領域２０のパターンに近似するダミーパターンを焼付・現像によって形成した後、エッチングによって両パターンの加工を行なうときにダミーパターンの加工の完了を検出する。 - 特許庁

Thus, each of the small recessed sections 40 is formed by etching so that it is possible to carry out the processing by precisely managing the depth (thickness) of each of the recessed sections 40, thereby reducing variation in the thickness of the diaphragm 30.例文帳に追加

このように、小さな凹部４０をエッチングでそれぞれ形成することで、個々の凹部４０の深さ（肉厚）を高精度に管理しながら加工することができることから、振動板３０の肉厚のばらつきを小さくすることができる。 - 特許庁

Successively, an etching gas containing a fluorine-based reaction component and an oxidative reaction component is brought into contact with a surface of the object 9 to be processed in a processing space 19 on a downstream side on the conveyance path 11 and a semiconductor film 94 is dry etched.例文帳に追加

続いて、搬送経路１１の下流側の処理空間１９において、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含むエッチングガスを被処理物９の表面に接触させ、半導体膜９４をドライエッチングする。 - 特許庁

To provide: a crystal substrate etching method capable of processing with high accuracy; a piezoelectric vibrating reed of which the outer shape is formed by this method; a piezoelectric vibrator having this piezoelectric vibrating reed; an oscillator; an electronic device; and a radio-controlled timepiece.例文帳に追加

精度よく加工することができる水晶基板のエッチング方法、この方法により外形を形成した圧電振動片、この圧電振動片を有する圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。 - 特許庁

The transparent electrode layer 2 has at least one opening 5 formed through etching processing to expose a surface of the substrate 1, and the haze rate of the transparent electrode layer 2 to light in a wide wavelength range is equal to or larger than 60%.例文帳に追加

透明電極層２は、エッチング処理によって形成された基板１表面を露出させる少なくとも１つの開口部５を有し、透明電極層２の広い波長領域の光に対するヘイズ率が、６０％以上である。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for efficiently processing a magnetic film of Fe, Co, Ni or the like formed on a substrate and a nonvolatile metal containing those elements by plasma etching using gas containing C and O as constituents.例文帳に追加

Ｃ及びＯを成分とするガスを用いたプラズマエッチングにより、基板上に形成されたＦｅ・Ｃｏ・Ｎｉ等の磁性膜、及びそれらの元素を含む不揮発性金属を効率よく加工する方法及び装置の提供。 - 特許庁

To prevent needless ruggedness from being formed on an ABS plane by etching for processing a slider ABS plane even when a gap layer is constituted of a non-alumina base non-magnetic material being a different kind from a constitution material of a substrate.例文帳に追加

ギャップ層を、基板の構成材料とは異種の非アルミナ系非磁性材料により構成した場合でも、スライダＡＢＳ面加工のためのエッチングによってＡＢＳ面に不要な凹凸が形成されてしまうことを防止する。 - 特許庁

To raise reliability to thermal stress and a heat cycle and enable etching processing to be applied to the formation of a circuit pattern, and reduce a manufacturing cost in a ceramic circuit board formed by joining a ceramic substrate and a metallic circuit board.例文帳に追加

セラミックス基板と金属回路板とを接合したセラミックス回路基板において、熱応力や熱サイクルに対する信頼性を高めた上で、回路パターンの形成にエッチング加工を適用可能にすると共に、製造コストの低減を図る。 - 特許庁

Since the contours of the oscillation legs are exactly finished over sufficient time in the first crystal etching process, the base part is connected with the connection frame and firm, the crystal chip does not break at the thin connection part 1600 during processing.例文帳に追加

第１水晶エッチング工程で十分時間をかけて振動脚外形を正確に仕上げることができ、基部が連結フレームで連結されていて強固であるから、加工中に細い接続部１６００で折損したりしない。 - 特許庁

By performing the wire discharge processing of the amorphous laminate in water, amorphous melt can be thinly and uniformly stuck to almost the whole surface of the cutting surface and only the amorphous melt can be almost removed by etching.例文帳に追加

本発明によれば、アモルファス積層体を水中でワイヤ放電加工することでアモルファスの溶融物を切断面のほぼ全面に薄く均一に付着させることができ、エッチングでほぼアモルファスの溶融物のみを除去することができる。 - 特許庁

To remove a deposited foreign matter 106 consisting of a metal fluoride generated at the time of performing processing such as etching by a fluorine-based gas on a metal film containing titanium such as TiN film 103 in a manufacturing process of an electronic device.例文帳に追加

電子デバイスの製造工程において、ＴｉＮ膜１０３等のチタンを含む金属膜に対してフッ素系ガスによってエッチング等の加工をした際に発生する、金属フッ化物からなる析出異物１０６を除去する。 - 特許庁

The substrate processing equipment is provided with the etching equipment in which a semiconductor substrate is held by a maintenance portion and a semiconductor layer of the substrate is etched with chemical, and a film thickness measuring apparatus for measuring film thickness of the semiconductor layer of the substrate.例文帳に追加

半導体基板が保持部に保持され、化学薬液によってこの半導体基板の半導体層をエッチングするエッチング装置と、この半導体基板の半導体層の膜厚を測定する膜厚測定装置と、を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the area of a flat end of a conductive bump is somewhat increased and the opening area of the recess of the conductive bump is set so that the end point of etching processing can be detected.例文帳に追加

導電性バンプの平端部の面積をある程度大きくするとともに、導電性バンプの凹部の開口面積を、エッチング処理の終点検出が可能となるようにした半導体の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

The method for producing the porous glass includes: a step for separating phases into a silica-rich phase and a non-silica rich phase by carrying out phase separating processing by heating the borosilicate glass; and a step for dissolving out the silica-rich phase by etching with solution.例文帳に追加

前記ホウケイ酸塩ガラスを加熱による分相処理をしてシリカリッチ相と非シリカリッチ相に相分離させる工程、前記非シリカリッチ相を溶液によるエッチングにより溶出させる工程を有する多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁

To obtain an imaging optical device in which flare-cut processing by chemical etching is not required on the peripheral face of a graded index rod lens, thereby, the lens diameter can be made uniform and decrease in resolution due to flare light can be prevented.例文帳に追加

屈折率分布型ロッドレンズの外周面に、化学エッチングによるフレアカット加工処理を施す必要がなく、そのためレンズ径の均一化を図ることができるし、フレア光による解像度低下も防止できるようにする。 - 特許庁

A calculator 12 subtracts the measurement value of the overlay accuracy after etching from the measurement value of the overlay accuracy after the photoengraving processing which has been stored by the section 11 to calculate the correcting amount of the device 4.例文帳に追加

演算部１２は、データ保存部１１によって保存された写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値から、エッチング後の重ね合わせ精度の測定値を減算して重ね合わせ検査装置４の補正量を算出する。 - 特許庁

The application of the AD method to the formation of the pressure chamber 52 improves the machining precision of the pressure chamber 52 and permits dimensional precision difficult to attain by other processing methods such as etching and realizes a variety of shapes of pressure chambers.例文帳に追加

圧力室５２の形成にＡＤ法を適用すると、圧力室５２の加工精度を上げることができると共にエッチングなど他の加工方法では困難な寸法精度が可能になり、様々な圧力室形状を実現できる。 - 特許庁

Accordingly, the reduction in the mask width WS of the resist film 3 viewed from the thickness direction is prevented until the etching of the SiO_2 film is completed and the SiO_2 film 2 is substantially vertically etched with a sufficient processing accuracy.例文帳に追加

したがって、ＳｉＯ_２膜のエッチングが完了するまで、厚さ方向から見たレジスト膜３のマスク幅ＷＳの減少を防止でき、十分な加工精度をもってＳｉＯ２膜_２を略垂直にエッチングすることが可能となる。 - 特許庁

In the substrate processing method, a first nozzle supplies an etchant to the center of a rotating substrate, and a second nozzle supplies an etching disturbing fluid, diluting the concentration of the etchant, at a position apart from the center of the substrate.例文帳に追加

本発明による基板処理方法は、第１ノズルが回転する基板の中心にエッチング液を供給し、第２ノズルが基板の中心から離れた位置で前記エッチング液の濃度を希釈するエッチング妨害流体を供給する。 - 特許庁

If a plasma etching of a first step of using a mixture gas of CHF_3/Ar/N_2 is completed in a state of erasing a plasma, an Ar gas is fed from an Ar gas supply source 46 into a processing envelop 10 as a purging gas.例文帳に追加

ＣＨＦ_３／Ａｒ／Ｎ_２の混合ガスを用いる第１ステップのプラズマエッチングが終了したなら、プラズマを消した状態でＡｒガス供給源４６よりＡｒガスをパージングガスとして処理容器１０内に送り込む。 - 特許庁

The plurality of parallel grooves are formed by etching or laser processing along one side of the substrate on at least part of the outermost layer of the heat dissipation substrate having a layer structure consisting of at least two layers.例文帳に追加

また少なくとも２層以上の層構造からなる放熱基板の、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って並行な複数の溝をエッチングまたはレーザ加工により形成する放熱基板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a substrate processing method for forming an opening, which is used for imprinting on etching objective film, on a mask film or an intermediate film while allowing the size of the opening satisfy a requirement for miniaturization of a semiconductor device with respect to a substrate to be processed.例文帳に追加

処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, when there is a marking M at the outer circumference of the wafer 6 and exposure shot over the entire surface cannot be made, the HDP4, which is formed thick at the upper part of marking M, is deleted with the etching process as the other process, before the CMP processing.例文帳に追加

または、ウェーハ６外周部にマーキングＭがあり、全面に露光ショットできない場合は、マーキングＭ上方に厚く形成されるＨＤＰ４をＣＭＰ処理前の別工程のエッチングで除去を行ってＨＤＰ４を削除する。 - 特許庁

Splitting grooves (S1a, S1b, S2a, S2b) of a wafer 800 are formed by half cut processing for stopping removing just before a removing portion by dicing, scribing, etching, laser irradiation or the like reaches a deformable space between positive and negative both electrodes.例文帳に追加

ダイシング、スクライビング、エッチング、又はレーザ照射等による削除加工部位が、正負量電極間の可変形空間に至る手前で、その削除加工を中止するハーフカット加工によりウエハ８００の分割溝（Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ）を形成する。 - 特許庁

The photoluminescent display board for disaster prevention is constituted of forming a recessed groove on the surface of a base material formed by a metal by etching processing and forming a white paint layer, a photoluminescent agent layer and a glass film layer in the recessed groove.例文帳に追加

本発明の災防災用蓄光表示板は、金属で形成された基材表面に、エッチング加工により凹溝を形成すると共に、かかる凹溝内に、白色ペイント層、蓄光剤層、ガラス膜層とを施したことを特徴とする。 - 特許庁

The method includes steps of depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

また、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

The processing method comprises applying powers, having two different frequencies from high-frequency power sources 6, 9 to a cathode 3 with a substrate 2 mounted thereon, monitoring the two frequencies concerning a voltage in a vacuum reaction chamber 1 during etching, using impedance probes 4, 7 and taking the time point as an etching end point, when the voltage time change ratio of the two frequencies is changed greatly.例文帳に追加

被処理基体２を載置するカソード３に二つの異なる周波数を有する電力を高周波電源６，９により印加し、エッチング時の真空反応室１内の電圧に関して上記二つの周波数についてインピーダンスプローブ４，７によりそれぞれモニタし、二つの周波数の電圧の時間変化の比が大きく変化した時点をエッチングの終点とする。 - 特許庁

To satisfy magnetic characteristics, film thickness, adhesion, uniformity, smoothness, etc. required for a soft magnetic backing layer of a vertical magnetic recording medium to be a hard disk by forming a soft magnetic plating film by an electroless plating method after applying etching processing to a glass substrate by using an etching solution capable of uniformly applying suitable roughness to the surface of the glass substrate without generating defects.例文帳に追加

表面に適度な粗さを均一に欠陥なく付与することが可能なエッチング液を用いてガラス基板にエッチング処理を施した後に無電解めっき法により軟磁性めっき膜を形成することにより、ハードディスクとしての垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層に要求される磁気特性、膜厚、密着性、均一性、平滑性などを満足させる。 - 特許庁

The world’s first successful development of automated nano-etching equipment that automatically optimizes ultra-fine processing based on radical measurement The Tokai Region Nano Technology Manufacturing Cluster successfully manufactured a prototype of equipment that enables optimum nano-etching through automated control that ensures an optimum plasma state based on the feedback of the real-time measurement of the density of radicals with the use of the above-mentioned radical monitor.例文帳に追加

世界で初めて、ラジカル計測により微細加工を自律的に最適化する自律型ナノエッチング装置の開発に成功上記のラジカルモニターを活用することにより、ラジカル等の密度等をリアルタイムに計測し、装置にフィードバックすることで、プラズマの状態が常に最適となるように自律的に制御して最適なナノエッチングが可能となる装置の試作に成功した。 - 経済産業省

Chemical such as etching liquid entering the chemical avoiding part 30 on an upstream side from the chemical processing part is diluted by water accumulated in the tank base, and crystallization in the chemical avoiding part 30 is prevented even if chemical is easily crystallized.例文帳に追加

薬液処理部から上流側の液避け部３０に侵入したエッチング液等の薬液が、液避け部３０の槽底部分に滞留する水により希釈され、薬液が結晶化しやすい場合も液避け部３０における結晶化が防止される。 - 特許庁

To provide a method for removing dross generated by laser boring during processing of a via hole connecting upper and lower conductor wiring layers by etching which is excellent in dimensional stability and realizes connection reliability in a following process.例文帳に追加

上下の導体配線層を接続するビアホールをレーザー穴あけ加工により加工した際に発生するドロスを、寸法安定性に優れ、後のめっき工程において接続信頼性の得られるエッチングにより除去する製造方法を提供する。 - 特許庁

To control excessive etching process within a reactor during dry cleaning while controlling the accumulated film thickness in the down-stream side of a processing region for the purpose of forming a film within the reactor of a double structure including a vertical internal pipe and an external pipe.例文帳に追加

縦型の内管及び外管を含む二重構造の反応容器内を用いて成膜を行うにあたって、処理領域の下流側の累積膜厚を抑制してドライクリーニング時における反応容器内の過剰なエッチングを抑えること。 - 特許庁

In that case, a hole 22a stretching from the back face of the silicon substrate 22 up to the back face of the resin layer 24 is formed in this silicon substrate 22 by etching processing, and the vibrating film 20 is formed by an exposed part to the hole portion 22a in the resin layer 24.例文帳に追加

その際、このシリコン基板２２に、その背面から合成樹脂層２４の背面まで延びる孔部２２ａをエッチング加工により形成し、その合成樹脂層２４における孔部２２ａへの露出部分により振動膜２０を構成する。 - 特許庁

In the atmospheric pressure plasma etching apparatus, blowing-off holes 52a of the processing gas are made in a small diameter or in thin width to the extent that the non-objective part of the wafer is not directly blown out.例文帳に追加

常圧プラズマエッチング装置の処理ガス吹出し孔５２ａは、孔軸Ｌがウェハー９０と交差するとともに吹出し流がウェハーの外縁より内側の処理対象外の部分に直接吹き付けられない程度に小径ないしは幅細になっている。 - 特許庁

An etching gas 13 is supplied from the top of a vacuum container 1, in which a processing substrate 3 is set, and after diffused by an auxiliary diffusing plate 21 having plural gas channels, the gas is further made uniform by an upper electrode 20 having plural gas distributing channels.例文帳に追加

エッチングガス１３は、処理基板３をセットした真空容器１の上部より供給され、複数のガス経路を有する拡散補助板２１で分散した後、さらに複数のガス分散流路を有する上部電極２０により均一化される。 - 特許庁

By changing a size of the blanking, the length of an antenna can be easily adjusted, the RFID tag is adaptive to the products to be produced by a method of production of multiple models in smaller lots, and material cost and processing cost are reduced more than in a method using the conventional etching, conductive paste or the like.例文帳に追加

打ち抜きのサイズを変更することにより、容易にアンテナ長の調整が可能で、多品種少量の製品にも対応でき、従来のエッチング及び導電ペースト等を用いた方法に比べ、材料費及び加工費を低減させる。 - 特許庁

The through electrode circuit substrate has a through electrode 9 formed by inserting a metal conductor 8 into a through-hole 2, wherein the through-hole 2 has an electroless copper-plated film 6 formed on the inner wall surface subjected to smoothing processing by etching.例文帳に追加

貫通孔２内に金属導体８を充填してなる貫通電極９を有する貫通電極回路基板であって、前記貫通孔２は、エッチングにより平滑処理された内壁面に無電解銅めっき膜６が形成されている。 - 特許庁

At this point, for example, two liquid crystal panels are put one over the other while sides of CF substrates 11 are opposed to each other and second surfaces of driving circuit boards 12 are exposed and the second surfaces of the two panels are etched at the same time to enable efficient etching processing.例文帳に追加

このとき、例えば、２枚の液晶パネルのＣＦ基板１１側を対向させて駆動回路基板１２の第２面を露出させた状態で重ね合わせ、２枚同時に第２面をエッチングすることにより、効率的なエッチング処理が可能となる。 - 特許庁

An end point detection processing section 34 measures the luminous intensity of Si or SiFx in plasma in the small-quantity supplying step, and determines it as an etching end point at the time when the measured luminous intensity is a preset reference value or less.例文帳に追加

エンドポイント検出処理部３４は、少量供給工程におけるプラズマ中のＳｉ又はＳｉＦｘの発光強度を測定し、測定された発光強度が予め設定した基準値以下となったとき、エッチング終点であると判定する。 - 特許庁