「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing method capable of forming an organic film pattern after an development process in the intended dimension and shape, even though the initial organic film pattern is damaged by an etching or exposed.例文帳に追加

当初の有機膜パターンがエッチングによるダメージや露光を受けていたりするような場合であっても、現像処理の後の有機膜パターンを所望の寸法・形状にすることが可能な基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Since the conductive film is formed on all of the surface, a density of electric charges accumulated in a gate electrode can be reduced in processing with plasma (plasma process) like anisotropic etching, and the damage due to the plasma process can be reduced.例文帳に追加

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。 - 特許庁

Thus, a film having fewer impurities, and a low wet etching rate, is formed on the resist or amorphous carbon layer (ACL) at a low processing temperature not causing damage to the resist or amorphous carbon layer (ACL) on the surface of the substrate.例文帳に追加

これにより、基板の表面のレジストあるいはＡＣＬにダメージを与えることのない低い処理温度で、不純物が少なく、ウェットエッチングレートが低い膜をレジストあるいはＡＣＬの上に形成することができる。 - 特許庁

In this time, the pattern is formed on the mask layer, and an etching processing used to transfer this pattern on the dielectric layer is carried out, thereby, a geometric shape correspondent to the pattern is formed on the dielectric layer.例文帳に追加

ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。 - 特許庁

To provide an etching device, configured so that a substrate can be processed at relatively low cost while suppressing abnormal electrical discharge in application of a winding vacuum treatment device to a plasma processing device using RF power.例文帳に追加

巻取り式の真空処理装置をＲＦ電力を用いるプラズマ加工装置に適用するに際し、異常放電の発生を抑え、しかも比較的低コストで基板を処理できるようにしたエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To suppress increase of dispersion of a TFT characteristic in forming a top contact type TFT using dry etching for processing of a source-drain electrode, degradation of a yield, and reduction in a TFT on-current.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極の加工にドライエッチングを用いてトップコンタクト型ＴＦＴを形成する際のＴＦＴ特性バラツキの増大、歩留まりの低下、さらにはＴＦＴオン電流の低減を抑制することにある。 - 特許庁

Inside of a chamber is cleaned with the processing using plasma containing hydrogen (step S1) and processes such as formation of trench and via-hole are conducted by etching to a wafer using the chamber having completed the cleaning process (steps S2, S3).例文帳に追加

チャンバ内を水素を含むプラズマを用いて処理することによってクリーニングし（ステップＳ１）、クリーニングされたチャンバを用い、ウェーハにエッチングによりトレンチやビアホールを形成する等の加工を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a method capable of effectively removing particles or metal contaminants from a surface of a substrate in a short length of time and requiring smaller amounts of etching on the surface of the substrate in cleaning the substrate in a single wafer processing.例文帳に追加

枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。 - 特許庁

When at least a pad opening in response to the metal wiring is formed on the protective film, a processing step including a dry etching step is conducted with fluorine gas and is finished before the metal wiring is exposed (S2).例文帳に追加

次に、保護膜上に対し少なくとも上記金属配線に応じたパッド開口部を形成する際、フッ素系のガスによるドライエッチング工程を含む加工工程を経るが、金属配線露出前に終了させる（Ｓ２）。 - 特許庁

In the feedback processing process, parameters acquired for every semiconductor wafer is substituted into the foregoing relational expression to estimate the predicted value of the etching size, and lithography conditions for every semiconductor wafer is set on the basis of the predicted value.例文帳に追加

フィードバック処理工程は、半導体ウェハ毎に取得されたパラメータを、上述の関係式に代入してエッチング寸法の予測値を求め、当該予測値に基づいて半導体ウェハ毎のリソグラフィ条件を設定する。 - 特許庁

The antenna pattern 2 can be constituted of a coil, and can also be constituted by applying fine processing such as etching and laser beam machining to a conductor film formed on the surface of the insulating layer 4.例文帳に追加

アンテナパターン２は、巻線をもって構成することもできるし、絶縁層４の表面に形成された導体膜に例えばエッチングやレーザビーム加工等の微細加工を施すことにより構成することもできる。 - 特許庁

To provide a method of processing a glass substrate by which a pattern faithful to a shape pattern of a photomask can be provided in a thin glass substrate which deforms when provided with a film used as etching mask.例文帳に追加

エッチングマスクとなる膜を設けて変形が生じる薄いガラス基板に対して、フォトマスクが有する形状パターンに忠実なパターンをガラス基板に設けることができるガラス基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

To prevent variations in transistor characteristics, dependence on shape and variations in processing conditions such as a lithography process, an etching process, as well as to improve the level of integration.例文帳に追加

トランジスタ特性のばらつきや形状依存性、リソグラフィ工程やエッチング工程などの加工条件のばらつきを回避することができるとともに、集積度の向上を図ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma jet generator which injects a high-density plasma in the form of jet from a fine nozzle to subject a local site of an article to be processed to a processing or surface treatment such as fusing, etching or thin film deposition at high speed.例文帳に追加

高密度プラズマを細いノズルからジェット状に噴出させ、被加工物の局所部位に溶断、エッチング、薄膜堆積などの加工、表面処理を高速で行うプラズマジェット発生装置を提供する。 - 特許庁

An orifice 25 is bored by means of oxygen plasma 33 using a helicon wave etching system and O2 gas for processing and a Ti oxide film 32-2 is formed, as a hydrophilic region 28, on the surface of the Ti film 32.例文帳に追加

ヘリコン波エッチング装置と処理用Ｏ_2 ガスを用い、酸素プラズマ３３によるオリフィス２５の孔空けを行なうと共にＴｉ膜３２表面に酸化Ｔｉ膜３２−２を形成し、これを親水性領域２８とする。 - 特許庁

Then, the wafer on which the elements 3 are formed is cut for every head block, and slider shape processing of a plane 20 opposed to a magnetic recording medium constituted of cut planes of the head block is performed by etching.例文帳に追加

そして、素子３が表面に形成されたウェハ３１を各ヘッドブロック３２毎に切断し、該ヘッドブロック３２の切断面により構成される磁気記録媒体との対向面２０に、エッチングによるスライダ形状加工を施す。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus and plasma treatment method for giving a uniform processing characteristics on a substrate plane, by offsetting the effect of the reaction products on the treatment characteristics in the plasma treatment of etching treatment, or the like.例文帳に追加

エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

This etching processing method of a piezoelectric wafer forms masks 18 having openings 16 on an one surface 12 of the piezoelectric wafer and the other surface 14 thereof, and etches the openings 16 to form a through-groove.例文帳に追加

圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁

To provide a plasma processing method in which the concentration of residual sulphur (S) on a substrate to be processed can be controlled to a specified value or below after an oxide film is subjected to plasma etching by using CF based gas and COS gas.例文帳に追加

ＣＦ系ガスとＣＯＳガスとを用いて酸化膜をプラズマエッチングした後に、被処理基板上に残留する硫黄（Ｓ）の濃度を所定値以下に制御することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a printing plate for reversal printing which is capable of printing without intermediate dropping-out of a large pattern even when patterns of various dimensions are mixed, and can be formed by one etching processing.例文帳に追加

大小の寸法のパターンが混在する場合でも大パターンの中抜けが無く印刷可能であり、なおかつ１回のエッチング加工によって形成することが可能な反転印刷用刷版を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can perform a desired fine wet etching processing even for a semiconductor substrate that has a hole of high aspect ratio and can manufacture a fine semiconductor device.例文帳に追加

高アスペクト比のホールを有する半導体基板であっても、所望の良好なウエットエッチング処理を行うことができ、良好な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element in which a substrate for growth can be easily peeled by wet etching processing and further improvement in light extraction efficiency and securing of mechanical strength are made compatible.例文帳に追加

成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, after thermal processing is performed as required, resist coating, patterning, etching and the like are performed, a dopant dispersion region 10 is formed by ion implantation or the like to form the semiconductor device of MOS structure.例文帳に追加

その後、必要に応じて熱処理を施した後、レジスト塗布、パターニング、エッチング等を行い、さらにイオン注入等によって不純物拡散領域１０を形成し、ＭＯＳ構造の半導体装置を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a method of correcting etching width which reduce process irregularities and improve precision in semiconductor substrate processing to manufacture a semiconductor device with less irregularities.例文帳に追加

プロセス処理のばらつきを低減し、半導体基板の加工精度を向上することでばらつきの少ない半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法およびエッチング幅の補正方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a substrate from spring up from a stage due to a pressure of a cooling gas supplied to an area between the substrate and the stage and causing the position aberration when abnormality occurs during dry etching processing.例文帳に追加

ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。 - 特許庁

The surface of the plate can be roughened by a process made by an irradiating means for electric particulates or an irradiating means for physical particulates including electrochemical etching process or a laser shot processing.例文帳に追加

上記板の表面は、電気化学的エッチング処理又はレーザーショット加工処理を含む電気的微粒子の照射手段又は物理的微粒子の照射手段による処理により粗面化することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a cutter allowing smooth performance of a series of processing from etching to grinding, and allowing improvement of durability of the cutter by getting rid of corrosion, a crack or the like occurring in a welding portion.例文帳に追加

エッチング加工から研削加工に至る一連の加工を円滑に行なえ、しかも溶接部分に生じる腐食や割れなどを一掃して刃物の耐久性を向上できる刃物の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical imprint method that measures a remaining film thickness of a dummy pattern so as to recognize a remaining film amount after imprint without cutting an effective region, to allow the same substrate, whose remaining film thickness is actually measured, to advance to etching being the next process, to feedback the remaining film amount to the etching conditions, and consequently, to reliably achieve stable processing.例文帳に追加

本発明は、ダミーパターンの残膜厚さを測定することで、有効領域を切断することなくインプリント後の残膜量を把握することができ、残膜厚さを実際に測定した同一基板を次工程であるエッチングに進めることができ、残膜量をエッチング条件にフィードバックさせることが可能であり、確実に安定した加工を実現できる。 - 特許庁

In this etching method, since fluorine-based gas plasma is generated on a processing workpiece 10 to form, in advance, a fluorine compound thin film on a copper thin film (e.g., a source electrode 21 and a drain electrode 22) exposed in an electrode groove 18, the copper thin film can be prevented from corrosion in etching a silicon layer 17 with halogen gas plasma.例文帳に追加

本発明では処理対象物１０上でフッ素系ガスのプラズマを発生させ、電極溝１８内に露出する銅薄膜（例えばソース電極２１、ドレイン電極２２）にフッ素化合物薄膜を予め形成しておくので、ハロゲンガスのプラズマでシリコン層１７をエッチングする際に、銅薄膜がハロゲンガスのプラズマで腐食されない。 - 特許庁

The processing method comprises the step (i) of irradiating glass (a glass sheet 12) with a pulsed laser 12 at a wavelength λ after condensation with a lens to form a degenerated part 13 on that part of the glass which is irradiated with the pulsed laser 12 and the step (ii) of etching the regenerated part 13 with an etchant having a larger etching rate to the regenerated part 13 than to the glass.例文帳に追加

（ｉ）波長λのレーザパルス１２をレンズで集光してガラス（ガラス板１２）に照射することによって、ガラスのうちレーザパルス１２が照射された部分に変質部１３を形成する工程と、（ii）ガラスに対するエッチングレートよりも変質部１３に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて変質部１３をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

A pattern of the wiring 2 is formed by performing pattern processing on a conductive foil or a conductive plate like a copper foil 11 in etching process, a pattern of the bump 5 is also formed, and half etching is performed on the pattern 14 of the wiring 2 to thin the wiring 2 further than the bump 5, thereby relatively thickening the bump 5 further than the wiring 2.例文帳に追加

銅箔１１のような導体箔または導体板をエッチング法によってパターン加工して配線２のパターンを形成すると共にバンプ５のパターンも形成し、かつ配線２のパターン１４にハーフエッチングを施すことで、その配線２の厚さをバンプ５の厚さよりも薄くし、相対的にバンプ５の厚さが配線２の厚さよりも厚くなるようにする。 - 特許庁

The addition amount of a masking agent is calculated based on information of the number of etching-processed substrates sent from the device management personal computer 62 to the concentration management personal computer 54, and the calculated amount of the masking agent is added into the sampling liquid by a supply unit 58, to thereby perform masking of an aluminum component eluted from the upside of the substrate in the etching processing.例文帳に追加

装置管理用のパソコン６２から濃度管理用のパソコン５４へ送られる、基板のエッチング処理枚数の情報に基づいて、マスキング剤の添加量を算出し、供給ユニット５８により、算出された量のマスキング剤をサンプリング液中に添加し、エッチング処理に伴って基板上から溶出したアルミニウム成分をマスキングする。 - 特許庁

In a method for producing a semiconductor integrated circuit device, when a plurality of semiconductor integrated circuit devices, in which a circuit pattern having a linear pattern is provided and at least a part of production process is common, is produced, dry etching is performed to a film for processing with controlling dry etching conditions depending on circumferential length per unit area of the linear pattern in each of the semiconductor integrated circuit devices.例文帳に追加

ライン状パターンを有する回路パターンを備えており、製造工程の少なくとも一部が共通する複数の半導体集積回路装置を製造する際に、各半導体集積回路装置におけるライン状パターンの単位面積当たりの周縁長に応じてドライエッチング条件を調整しながら被加工膜に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁

When these steps S1 to S4 are repeatedly carried out, the new processing fluid containing the etching reactant is supplied to a processing atmosphere where the work is arranged at the steps S3 and S4 which are carried out after the first step S1, so that the processing fluid near the work is increased in density than that at the first step S1.例文帳に追加

これらの第１ステップＳ１〜第４ステップＳ４を繰り返し行う際、第１ステップＳ１の後に行われる第３ステップＳ３および第４ステップＳ４では、被処理物が配置された処理雰囲気に対して新たにエッチング反応種を含有する処理流体を供給し、被処理物の近傍における当該処理流体の密度を第１ステップＳ１よりも上昇させる。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor substrate so that it may be possible to fulfill acceptability about dopant quantity and dopant position, a method of processing the semiconductor substrate so that an extremely thin oxide film with excellent characteristics and excellent uniformity can be manufactured, and a method of processing the semiconductor substrate so that etching of a reactant of silicon and silicon oxide can be controlled carefully.例文帳に追加

ドーパント量およびドーパント位置に関する許容性を満たすことが可能なように半導体基板を処理する方法、非常に薄い酸化膜を優れた特性および優れた均一性で製造することができるように半導体基板を処理する方法、シリコンおよび酸化シリコンの反応物のエッチングを慎重に制御できるように半導体基板を処理する方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object.例文帳に追加

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

There is provided plasma etching equipment in which a sprayed film is set to be a conductor, by attaching the sprayed film to the front surface of a wall with which plasma is in contact, such as the wall of a processing chamber and mixing a conductor with the material of the sprayed film in plasma processing equipment using a plasma process by use of halogen gas for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの作成に、ハロゲン系のガスによるプラズマプロセスを用いたプラズマ処理装置において、処理室内の壁等のプラズマが接触する壁の表面に溶射膜を付け、この溶射膜の材料に導体を混入することにより、溶射膜を導体としたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 特許庁

In a process forming the MOS device on the main face of a silicon wafer, before wafer processing by the process device (an etching device, an ashing processing device, a sputter device and a CVD device) using the plasma, an insulating film is previously formed on the wafer rear face and reduces damage to the device caused by the process device using the plasma.例文帳に追加

シリコンウェハ主面にＭＯＳデバイスを形成するプロセスにおいて、プラズマを用いるプロセス装置（エッチング装置、アッシング処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置）によるウェハ加工前に、予めウェハ裏面に絶縁膜を形成しておき、プラズマを用いるプロセス装置起因によるデバイスヘのダメージを低減する。 - 特許庁

To provide a high processing characteristic in which, as a polishing agent for polishing a plane having Cu and a Cu alloy applied on a semiconductor device, adhesive grains leading to a factor of surface defects such as dishing or the like are not at all included, and a practical processing speed of 200 nm/min can be attained, and an etching speed is very low.例文帳に追加

半導体デバイス上に施したＣｕ及びＣｕ合金を有する面を研磨する際の研磨液として、ディッシング等の表面欠陥発生の要因となる砥粒を全く含有せず、実用的な加工速度２００ｎｍ／ｍｉｎが達成でき、エッチング速度も極めて低い高加工特性を提供する。 - 特許庁

A wafer 1 provided, on the lower non-processing surface side thereof, with a protective film 21 is mounted on a base plate 25 and a tubular frame 26 having a packing 29 for sealing the outer circumferential fringe part on the upper surface of the wafer 1 is set and suction-fastened by means of a cylinder 28 thus forming a processing chamber 30 in an etching pot 22.例文帳に追加

ベース板２５上に下面側の非処理面に保護膜２１を設けたウエハ１を載置し、ウエハ１の上面外周縁部をシールするパッキン２９を有した筒状枠体２６をセットし、シリンダ２８により吸引締結することにより、エッチングポット２２の内部に処理室３０を構成する。 - 特許庁

The processing method of substrate for removing a resist layer 3 and a polymer layer 5 form a substrate W following etching comprises a first step for rendering the surface part 6 of a resist layer 3 and a polymer layer 5 existing on a substrate W to be hydrophilic, and a second step for subsequently removing the resist layer 3 and the polymer layer 6 with a processing liquid.例文帳に追加

エッチング後の基板Ｗからレジスト層３およびポリマー層５を除去する基板処理方法であって、基板Ｗ上に存在するレジスト層３およびポリマー層５の表面部分６を親水性にする第１工程と、その後処理液によりレジスト層３およびポリマー層６を除去する第２工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element that realizes a stable ramen mode vibration by processing an LQ2T-cut crystal substrate having a crystal azimuth, which have had difficulty of processing such as punching by a chemical etching method, to have a prescribed shape with high accuracy in a short time and to provide a manufacturing method for the piezoelectric element.例文帳に追加

化学的エッチング方法では打ち抜き等の加工が困難とされていた水晶の結晶方位を有するＬＱ２Ｔカット水晶基板に対して、短時間に精度よく所定形状に加工することにより、安定したラーメモード振動を実現する圧電素子及びこの圧電素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The sample preparing method includes the process for forming an island-like structure by applying groove processing to a substrate, the process for applying isotoropic etching processing to the island-like structure to form needle-like bodies and the process for forming an analyzing target at least to the leading end parts of the needle-like bodies in a film-like state.例文帳に追加

本発明の試料の作製方法は、基板に溝加工を施す事により島状構造体を形成する工程と、前記島状構造体に等方性エッチング処理を施し針状体を形成する工程と、前記針状体の少なくとも先端部に分析対象を膜状に形成する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a device to manufacture washer-form member with a given thickness, formed of tetrafluoroethylene resin and having one surface formed of a metal and rubber and on which etching processing is applied for the surface to be adhered to other member, with a high yield and high efficiency.例文帳に追加

四フッ化エチレン樹脂を素材とし、金属やゴム等よりなる他部材への接着のための片面にエッチング処理を施した所定厚さのワッシャ状部材を高歩留かつ高能率で製造する装置に関する発明である。 - 特許庁

To provide a TFT substrate with contact holes that are accurately formed by enhancing the accuracy of processing a contact etching, and to provide a method of manufacturing the TFT substrate which can reduce manufacturing costs without causing complication in manufacturing process of the TFT substrate.例文帳に追加

コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁